FR3039531A1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
FR3039531A1
FR3039531A1 FR1557213A FR1557213A FR3039531A1 FR 3039531 A1 FR3039531 A1 FR 3039531A1 FR 1557213 A FR1557213 A FR 1557213A FR 1557213 A FR1557213 A FR 1557213A FR 3039531 A1 FR3039531 A1 FR 3039531A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
nanocrystals
metal chalcogenide
metal
another embodiment
mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
FR1557213A
Other languages
English (en)
Inventor
Emmanuel Lhuillier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nexdot
Original Assignee
Nexdot
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nexdot filed Critical Nexdot
Priority to FR1557213A priority Critical patent/FR3039531A1/fr
Priority to US15/746,860 priority patent/US10944065B2/en
Priority to JP2018503538A priority patent/JP7101406B2/ja
Priority to PCT/EP2016/068106 priority patent/WO2017017238A1/fr
Priority to CN201680055000.9A priority patent/CN108137323B/zh
Priority to EP16745706.8A priority patent/EP3328791A1/fr
Priority to KR1020187004849A priority patent/KR20180033536A/ko
Publication of FR3039531A1 publication Critical patent/FR3039531A1/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/89—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing mercury
    • C09K11/895—Halogenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B17/00—Sulfur; Compounds thereof
    • C01B17/22—Alkali metal sulfides or polysulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G11/00—Compounds of cadmium
    • C01G11/02—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G13/00—Compounds of mercury
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G28/00—Compounds of arsenic
    • C01G28/008—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G30/00—Compounds of antimony
    • C01G30/008—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/89—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing mercury
    • C09K11/892—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/14—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/08—Optical arrangements
    • G01J5/0853—Optical arrangements having infrared absorbers other than the usual absorber layers deposited on infrared detectors like bolometers, wherein the heat propagation between the absorber and the detecting element occurs within a solid
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0324—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIVBVI or AIIBIVCVI chalcogenide compounds, e.g. Pb Sn Te
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/60—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation in which radiation controls flow of current through the devices, e.g. photoresistors
    • H10K30/65—Light-sensitive field-effect devices, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
    • H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
    • H10N15/15—Thermoelectric active materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

La présente invention concerne une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal enrobées avec de multiples ligands organiques et inorganiques; dans lequel ledit métal est choisi parmi Hg, Pb, Sn, Cd, Bi, Sb ou un de leurs mélanges; et ledit chalcogène est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges; dans lequel lesdits plusieurs ligands inorganiques comprennent au moins un acide ligands inorganiques sont choisis parmi S2-, SH-, Se2-, Te2-, OH-, BF4-, PF6-, Cl-, Br-, I-, As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, Sb2Se3, As2S3 ou un mélange de ceux-ci; et dans lequel l'absorption des liaisons CH des ligands organiques par rapport à l'absorption de nanocristaux de chalcogénure métallique est inférieure à 50 %, de préférence inférieure à 20 %.

Description

PHOTODÉTECTEURS MOYEN ET LOINTAIN INFRAROUGE À BASE DE NANOCRISTAUX ET PRÉSENTANT DES PERFORMANCES AMÉLIORÉES
DOMAINE D’INVENTION
La présente invention s’intéresse à l’imagerie infrarouge. En particulier, la présente invention porte sur les méthodes et les dispositifs à moyenne et grande longueurs d’onde dédiées à l’imagerie infrarouge dans la gamme de longueur d’onde située entre 3 et 50 pm.
ART ANTÉRIEUR RELATIF À CETTE INVENTION
Depuis la première synthèse de nanocristaux colloïdaux rapportée dans le début des années 90, un fort engouement a porté sur l'intégration de ces nanocristaux dans des dispositifs optoélectroniques. Les boites quantiques colloïdales (CQD) sont en effet très prometteuses pour construire des dispositifs optoélectroniques à faible coût grâce à la combinaison de leur facilité de fabrication et leur stabilité en raison de leur nature inorganique. La majorité des efforts ont d’abord été concentrés sur les longueurs d'onde visible, et l'idée d'utiliser ces nanomatériaux pour des applications telles que l’éclairage ou la bio-imagerie est rapidement apparu. Alors que le domaine a gagné en maturité, une plus large gamme de matériau est devenue accessible et en particulier la synthèse de semiconducteur à faible bande interdite (composé IV-VI) comme les chalcogénures de plomb est devenu possible. Ces matériaux sont d'un grand intérêt pour aborder l'absorption de la lumière du soleil dans la gamme de longueur d’onde relative au proche infrarouge pour le photovoltaïque.
Cependant, l'utilisation de nanoparticules colloïdales dans les applications optoélectroniques se trouve en concurrence avec la technologie existante telle que le « Complementary Métal Oxide Semiconductor » (CMOS) ou arséniure de gallium indium (InGaAs) qui est beaucoup plus mature et déjà rentable. A contrario, les dispositifs relatifs aux longueurs d’onde ultraviolettes (UV) ou infrarouge (IR) restent plus chers et techniquement plus complexes. Dans l'infrarouge, les technologies actuelles (multipuits quantique, HgCdTe ou les super réseaux de type II...) demeurent coûteuses.
La recherche pour une technologie alternative reste complexe dans le moyen et lointain infrarouge puisque les matériaux organiques sont inefficaces dans cette gamme de longueur d'onde. Il existe donc un véritable défi pour réaliser des dispositifs optoélectroniques à faible coût dédiés aux moyen et lointain infrarouges en utilisant des nanocristaux colloïdaux. Les nanocristaux peuvent offrir des propriétés intéressantes pour rivaliser avec les technologies existantes si elles peuvent présente une absorption supérieure à 12 pm et une plus grande mobilité.
Le but de la présente invention est de pousser plus loin les propriétés optoélectroniques de nanocristaux dans deux directions : (i) en démontrant une plus grande gamme de longueur d'onde qui peut être abordée avec ce type de matériaux et (ii) d'autre part, par l'amélioration de leurs propriétés de transport, et en particulier en démontrant des mobilités des porteurs plus élevées. Ces deux caractéristiques sont ainsi attendues pour combler l'écart entre les dispositifs optoélectroniques basés sur les nanocristaux et des dispositifs basés sur des technologies de semi-conducteurs plus matures.
Le brevet US 2014/0299772 décrit un photodétecteur moyen infrarouge comprenant des nanoparticules HgTe et présentant une conductivité accrue à travers la couche photoabsorbante sous illumination par une lumière dont la longueur d'onde est située entre 1,7 pm et 12 pm. Dans ce brevet et dans Adv Mat 25, 137 (2013), les auteurs décrivent l'utilisation de HgTe CQD comme matériaux photosensible à l’infrarouge. Toutefois, les propriétés de transport et en particulier la mobilité des porteurs de charge restent assez faibles (<0,1 cm2 V'1 s'1), ce qui limitent la photoréponse globale du système.
Une percée importante dans le domaine a été la découverte de CQD naturellement dopés sur la base de chalcogénures de mercure. L'auto-dopage des CQD permet observer non seulement la transition interbande mais aussi la transition intrabande, qui ont tendance à avoir un espacement plus faible en énergie. En conséquence les CQD de HgS et HgSe présentent des transitions optiques de faible énergie et donc dans l’infrarouge, sans la nécessité d’injecter des charges par une source externe, voir J. Phys Chem Lett 5, 1139 (2014) et ACS Nano 8, 11707 (2014). Toutefois, le matériel décrit à nouveau présente une faible mobilité (<0,01 cm2 V'1 s’1), ce qui est très préjudiciable pour leurs propriétés de photoconduction. En outre, la transition intrabande reste limitée en-dessous de 6pm. Dans la présente invention, nous fournissons des nanocristaux et des méthodes pour l'obtention de ces derniers, pour lesquels nous pouvons facilement régler la longueur d’onde du pic d'absorption de la transition intrabande entre 3 et 50 pm.
De plus en couplant ces nanocristaux avec une chimie de surface inorganique nous avons démontré une mobilité élevée dans un film mince de nanocristaux. La mobiüté peut être supérieure à 100 cm V s' .
Par rapport à l'état de l’art relatif aux nanocristaux avec des propriétés optiques dans l’infrarouge, la mobilité des nanocristaux de cette invention est typiquement de deux à trois ordres de grandeur plus élevée. Cette amélioration impacte directement les propriétés optoélectroniques du matériau. Une amélioration remarquable est le fait que, pour atteindre les mêmes niveaux de performances de détection notre matériel peut être utilisé à la température ambiante alors que les dispositifs basés sur des nanocristaux de la génération précédente (ACS Nano 8, 11707 (2014)) étaient opéré dans des conditions cryogéniques (i.e. en dessous de 200K). RÉSUMÉ
La présente invention porte sur une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal recouverts de plusieurs ligands organiques et/ou inorganiques ; • dans lequel ledit métal est choisi parmi Hg, Pb, Sn, Cd, Bi, Sb ou un de leurs mélanges ; ledit chalcogène est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges ; • dans lequel lesdits plusieurs ligands inorganiques comprennent au moins un des ligands inorganiques de la liste S2\ SH', Se2', Te2', OH', BF4', PF6', Cl', Br', Γ, As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, Sb2Se3, As2S3 ou un mélange de ceux-ci ; • dans lequel l'absorption des ligands organiques par rapport à l'absorption du chalcogénure de métal est inférieure à 50%, de préférence inférieure à 20%.
Selon un mode de réalisation, ladite pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal présente une absorption optique sur une plage de longueur d’onde allant de 3 pm à 50 pm et une mobilité de porteur de charge d’au moins de 1 cm2 V'1 s'1.
Selon un mode de réalisation, ledit métal est choisi parmi Hg, ou un mélange de mercure et au moins un élément choisi parmi Pb, Sn, Cd, Bi, Sb; et ledit chalcogène est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges; lesdits nanocristaux de chalcogénure de métal ne sont pas fait de HgTe recouvert de ligands inorganiques fait à base d’As2S3.
La présente invention concerne également un procédé de fabrication de la pluralité de nanocristaux de chalcogénures de métaux selon l’invention, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : • fourniture d'un carboxylate de métal, de préférence un oléate de métal ou un acétate de métal dans un solvant de coordination sélectionné de préférence à partir d’une amine primaire plus préférentiellement parmi l’oleyamine, l’hexadécylamine ou l’octadécylamine ;
• Mélanger à l'intérieur de ladite solution d'un précurseur de chalcogénure choisi de préférence à partir de trioctylphosphine de chalcogénure, triméthylsilyle de chalcogénure ou le disulfure de chalcogénure à une température allant de 60° C à 130° C; -· Isoler les nanocristaux de chalcogénure de métaux ; ·*· Recouvrir des nanocristaux isolées de chalcogénure de métaux avec de multiples ligands inorganiques.
Selon un mode de réalisation, l'étape d'isolement des nanocristaux de chalcogénure de métal comprend le mélange d'un thiol et/ou d’une phosphine avec les nanocristaux ; en formant ainsi un mélange refroidi ; puis l'extraction des nanocristaux du mélange refroidi.
Selon un mode de réalisation, lors de l'étape d'isolement des nanocristaux de chalcogénure de métaux un thiol et/ou une phosphine peut être ajouté à la solution de nanocristaux; afin de passiver la surface des nanocristaux et faciliter ainsi leur purification.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux colloïdaux de chalcogénure de métaux comprend en outre une étape consistant à maintenir le mélange à une température entre 60° C et 130° C pendant une durée prédéterminée allant de 1 à 60 minutes après l'injection du précurseur de chalcogénure.
Selon un mode de réalisation, lesdits plusieurs ligands inorganiques comprennent au 2 2 2 moins un ligand inorganique choisis parmi S ', SH', Se ', Te ', OH', BF4', PFô", Cl', Br, Γ, As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, SbaSe3, As3S3 ou un mélange de ceux-ci.
La présente invention se rapporte également à un photoconducteur, une photodiode ou un phototransistor, comprenant : • une couche photoabsorbante comprenant une pluralité de nanocristaux de chalcogénures de métaux tel que décrit dans l'invention ou une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métaux fabriqués selon la présente invention ; et • une première pluralité de connexions électriques connectées à la couche photoabsorbante ; o dans lequel la pluralité de nanocristaux de chalcogénures métalliques sont positionnés de sorte qu'il y a une augmentation de la conductivité entre les connexions électriques et à travers la couche photoabsorbante, en réponse à l'éclairage de la couche photoabsorbante par de la lumière à une longueur d'onde allant de 3 pm à 50 pm ; 9 11 o dans lequel la mobilité des porteurs est d’au moins 1 cm V" s' .
Selon un mode de réalisation, la couche photoabsorbante a une épaisseur allant de 3 nm à 1 mm. Selon un mode de réalisation, la couche photoabsorbante a une superficie allant de 100 nm2 à 1 m2.
La présente invention concerne également un dispositif comprenant une pluralité de photoconducteurs, photodiodes ou phototransistors selon l'invention et un circuit de lecture relié électriquement à la pluralité de photoconducteurs, photodiodes ou des phototransistors.
La présente invention concerne également un matériau de revêtement absorbant le rayonnement infrarouge comprenant des nanocristaux de chalcogénure de métal selon l'invention ou des nanocristaux de chalcogénure de métal fabriqués selon l'invention.
La présente invention concerne également un bolomètre ou un pyromètre comprenant des nanocristaux de chalcogénure de métal selon l'invention ou des nanocristaux de chalcogénure de métal fabriqués selon l'invention.
La présente invention concerne également un bolomètre ou un pyromètre comprenant une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal revêtues de multiples ligands organiques; dans lequel ledit métal est choisi parmi Hg, ou un mélange de mercure et au moins un élément parmi Pb, Sn, Cd, Bi, Sb; et ledit chalcogène est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges.
DÉFINITIONS
Dans la présente invention, les termes suivants ont les significations suivantes : • Le terme « environ » est utilisé ici pour signifier environ, à peu près, autour ou dans la région de. Lorsque le terme «environ» est utilisé conjointement avec une plage numérique, il modifie cette plage en étendant les limites au-dessus et en dessous des valeurs numériques indiquées. En général, le terme « environ » est utilisé ici pour modifier une valeur numérique au-dessus et en-dessous de la valeur indiquée par une variance de 20%. • « Mobilité de porteur » désigne à la fois la mobilité des électrons et trous dans les semiconducteurs. La mobilité des électrons et des trous permet de relier la vitesse de chaque porteur au champ électrique appliqué. • « Infrarouge lointain » se réfère à une région du spectre électromagnétique correspondant à une longueur d'onde dans une plage de 10 à 300 pm, une fréquence de 1 à 30 THz, et l'énergie des photons 4-120 meV. • « Moyen infrarouge » se réfère à une région du spectre électromagnétique correspondant à une longueur d'onde dans une plage de 2 à 12 pm, une fréquence de 24 à 150 THz, et l'énergie de photon de 100 à 621 meV. • « Nanocristal » se réfère à une particule de forme quelconque ayant au moins une dimension entre 0,1 et 100 nanomètres. • « Coque » se réfère à un film ou une couche d'au moins un atome d’épaisseur recouvrant le nanocristal de chalcogénure de métal sur chacune des faces (à savoir sur toute la surface à l'exception, si le processus de croissance est réalisé sur un substrat, sur la surface en contact avec ledit substrat).
DESCRIPTION DÉTAILLÉE
Selon un premier aspect, la présente invention concerne un nanocristal de chalcogénure de métal couvert avec des ligands inorganiques ou une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal recouverts de ligands inorganiques.
Dans un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal est couvert de multiples ligands organiques et / ou inorganiques.
Dans un mode de réalisation, les nanocristaux de l'invention sont par exemple des points quantiques, nanofeuillets, nanobatonets, nanoplaquettes, nanoplaques, nanoprismes, nanomurs, nanodisques, les nanoparticules, nanofils, nanopoudres, nanotubes, nanotetrapods, nanorubans, nanoceintures, nanofils, nanoaiguilles, nanocubes, nanobilles, nanobobine, nanocônes, nanopilliers, nanofleurs, ou une combinaison de ceux-ci.
Selon un mode de réalisation, ledit nanocristal de chalcogénure de métal a 0, 1 ou 2 dimension.
Selon un mode de réalisation, ledit nanocristal de chalcogénure de métal comprend un semi-conducteur choisi dans le groupe comprenant ou consistant en: groupe IV, groupe ΠΙΑ- VA, groupe ΠΑ-VIA, le groupe ΠΙΑ-VIA, groupe IA-IIIA-VIA, le groupe IIA- VA, le groupe IVA VIA, VIA-groupe VIB, du groupe VB-VIA, le groupe IVB-VIA ou leurs mélanges.
Selon un autre mode de réalisation, ledit métal est choisi dans l'ensemble comprenant ou constitué par: Hg, Pb, Sn, Cd, Bi, Sb ou un de leurs mélanges.
Selon un autre mode de réalisation, ledit métal est choisi dans le groupe comprenant ou consistant en du mercure ou un mélange de mercure et au moins un élément choisi parmi Pb, Sn, Cd, Bi, Sb.
Selon un autre mode de réalisation, ledit chalcogénure est choisi parmi l'ensemble comprenant ou constitué de: S, Se, Te ou un de leurs mélanges.
Selon un autre mode de réalisation, ledit nanocristal de chalcogénure de métal comprend un matériau choisi dans l'ensemble comprenant ou constitué par: HgS, HgSe, HgTe, HgxCdi_xTe, dans lequel x est un nombre réel compris strictement entre 0 et 1, PbS, PbSe, PbTe, B12S3, Bi2Se3, Bi2Te3, SnS, SnS2, SnTe, SnSe, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3 et alliages et leurs mélanges.
Selon un autre mode de réalisation, ledit nanocristal de chalcogénure de métal comprend un matériau choisi dans l’ensemble comprenant ou constitué par: HgS, HgSe, HgTe et des alliages et des mélanges de ceux-ci.
Selon un autre mode de réalisation, ledit nanocristal de chalcogénure de métal comprend ou consiste en HgSe.
Selon un autre mode de réalisation, ledit nanocristal de chalcogénure de métal comprend ou consiste en HgSSe.
Selon un autre mode de réalisation, ledit nanocristal de chalcogénure de métal comprend ou consiste en HgSeTe.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal comprend un élément supplémentaire en quantités mineures. L'expression « quantités mineures » se réfère ici à des quantités allant de 0,0001% à 10 % molaire, de préférence de 0,001 % à 10 % molaire.
Selon un mode de réalisation, ledit nanocristal de chalcogénure de métal comprend un métal de transition ou un lanthanide en quantités mineures. L'expression «quantités mineures » se réfère ici à des quantités allant de 0,0001 % à 10 % molaire, de préférence de 0,001 % à 10 % molaire.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal comprend en des quantités mineures un élément induisant un excès ou un défaut d'électrons par rapport aux nanocristaux non dopés. L'expression « quantités mineures » se réfère ici à des quantités allant de 0,0001 % à 10 % molaire, de préférence de 0,001% à 10% molaire.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal comprend en quantités mineures un élément induisant une modification des propriétés optiques aux nanocristaux non dopés. L'expression « quantités mineures » se réfère ici à des quantités allant de 0,0001 % à 10 % molaire, de préférence de 0,001 % à 10 % molaire.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal comprend ou est constitué d'une structure cœur/coquille connue de l'homme de l'art ou une structure coeur/coquille selon la présente invention. Selon un mode de réalisation, le « cœur » peut avoir un revêtement ou une coque à la surface de son cœur.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal possède d'une structure cœur/coquille dont la coque est faite de CdS, CdSe, PbS, PbSe, PbTe, ZnO, ZnS, ZnSe.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a une taille allant de 0,3 nm à 10 pm, de préférence entre 1 nm et 1 pm, de préférence entre 3 nm et 100 nm et encore plus préférentiellement de 5 nm à 50 nm.
Selon un mode de réalisation, l’épaisseur de la coque est comprise entre 0,2 nm et 10 mm, de 0,2 nm à 1 mm, de 0,2 nm à 100 pm, de 0,2 nm à 10 pm, de 0,2 nm à 1 pm, de 0,2 nm à 500 nm, de 0,2 nm à 250 nm, de 0,2 nm à 100 nm, de 0,2 nm à 50 nm, de 0,2 nm à 25 nm, de 0,2 nm à 20 nm, de 0,2 nm à 15 nxn, de 0,2 nm à 10 nm ou de 0,2 nm à 5 nm.
Selon un autre mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal est une hétéro- structure comprenant ou consistant en des semi-conducteurs différents.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal est un semi-conducteur intrinsèque ou un semi-conducteur dopé.
Selon un autre mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal est un semi-conducteur extrinsèque ou semi-conducteur non dopé.
Selon un mode de réalisation, le dopage est induit par un effet de surface.
Selon un autre mode de réalisation, le dopage est induit par la non-stoechiométrie dudit nanocristal de chalcogénure de métal.
Selon un autre mode de réalisation, le dopage est induit par une impureté ou des impuretés.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a une surface riche en cations.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a une surface riche en anions.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal est dopée.
Selon un mode de réalisation, le dopage du nanocristal de chalcogénure de métal est compris entre 0 et 2 électrons par nanocristal.
Selon un mode de réalisation, chaque nanocristal de chalcogénure de métal comprend moins de 100 dopants et de manière préférentielle moins de 10 dopants par nanocristal.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal peut en outre être entouré par un ligand organique telle qu'une amine, un thiol, un acide carboxylique, une phosphine ou un oxyde de phosphine.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal peut être entouré d'amine tel que l'oléylamine, la dodécylamine, l'octadécylamine, la tétradécylamine, l'octylamine, l'aniline, l’heptadiamine, la butylamine, la propylamine.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal peut être entouré par un thiol tel que dodecanthiol, octadecnthiol, octanthiol, decanthiol, éthanedithiol.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal peut être entouré avec de l'acide carboxylique tel que l'acide oléique, l'acide myristique, l'acide stéarique, l'acide rachidique. L'acide décanoïque, l'acide butyrique, l'acide éthanoïque, l'acide formique.
Selon un autre mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal peut être entouré avec une phosphine telle que la trioctylphosphine, le tributyl phosphine, phényl phosphine, diphényl phosphine.
Selon un autre mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal peut être entouré d'oxyde de phosphine tel que l’oxyde de trioctyl-phosphine.
Selon un autre mode de réalisation, la densité de ligand organique à la surface du nanocristal varie de 0,01 ligand.nm'2 à 100 ligand.nm'2 et plus préférentiellement de 0,1 ligand.nm'2 à 10 ligands.nm'2.
Selon un mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal de l'invention est revêtu avec des ligands inorganiques.
Selon un mode de réalisation, le ligand inorganique est choisi dans le groupe comprenant ou constitué de: S2', SH', Se2', Te2', OH', BF4", PF6', Cl', Br", Γ, As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, Sb2Se3, As2S3 ou un mélange de ceux-ci.
Selon un mode de réalisation, le ligand inorganique est de préférence As2S3, S ", HS". Selon un mode de réalisation, le ligand inorganique est de préférence aussi As2S3.
Selon une autre réalisation, la densité de ligand du nanocristal inorganique de surface varie de 0,01 ligand.nm'2 à 100 ligands.nm'2 et plus préférentiellement de 0,1 ligand.nm à 10 ligands.nm' .
Selon un mode de réalisation, le rapport entre les ligands et les ligands organiques inorganiques de la surface du nanocristal est compris entre 0,001 et 0,25, de préférence de 0,001 à 0,2, de manière davantage préférée de 0,001 à 0,1 ou même plus de préférence de 0,001 à 0,01.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal ne comprend pas ou ne se compose de HgTe couvert par AS2S3.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal ne comprend pas ni n’inclut du PbS.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal ne comprend pas ni n’inclut du PbSe.
Selon une autre réalisation, le chalcogénure de métal est HgS.
Selon une autre réalisation, le chalcogénure métallique est HgSe.
Selon une autre réalisation, le chalcogénure de métal est HgSSe.
Selon une autre réalisation, le chalcogénure de métal est HgSeTe.
Selon un autre mode de réalisation, le chalcogénure de métal est SnTe, SnS2, SnS, B12S3, BÎ2Te3, Bi2Se3, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3.
Selon une réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a des caractéristiques d'absorption optique dans le visible, dans le proche infrarouge, dans le moyen infrarouge, dans le IR lointain.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal présente une absorption optique provenant d’une transition interbande.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal présente une absorption optique provenant d’une transition intrabande.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal présente une absorption optique provenant des propriétés plasmoniques.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a des propriétés d'absorption optique de 400 nm à 50 pm, de préférence de 0.8 pm à 25 pm et plus avantageusement de 1 pm à 20 pm.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a des propriétés d'absorption optique de 3 pm à 50 pm.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a des propriétés d’absorption optique de 1 pm à 3 pm.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a des propriétés d'absorption optique de 3 pm à 5 pm.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal présente des propriétés optiques d'absorption de 3 pm à 8 pm.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a des propriétés d'absorption optique de 8 pm à 15 pm.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a des propriétés d'absorption optique de 8 pm à 12 pm.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a des caractéristiques d'absorption optique au-dessus de 12 pm.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a des caractéristiques d’absorption optique au-dessus de 15 pm.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal a une longueur d’absorption de 1 nm à 100 pm et de préférence de 100 nm à 10 pm.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal a un coefficient d'absorption allant de 100 cm'1 à 5xl05 cm'1 au premier pic excitonique et plus préférablement de 500 cm'1 à 105 cm'1 et encore plus préférablement de 1000cm'1 à 104 cm'1.
Selon un autre aspect, la présente invention se rapporte à une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal, dans lequel ladite pluralité de nanocristaux de chalcogénure métallique présente un pic de photoluminescence à une longueur d'onde dans une plage de 3 pm à 50 pm et un mobilité de porteur d'au moins 1 cm2 V"1 s"1.; ledit métal est choisi parmi Hg, Pb, Sn, Cd, Bi ou Sb et ledit chalcogène est choisi parmi S, Se ou Te.
Selon un mode de réalisation, la pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal présentent un pic d'absorption optique à une longueur d'onde dans une plage allant de 1 pm à 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26 27, 28, 29 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50 pm.
Selon un mode de réalisation, la largeur à mi-hauteur du pic d'absorption dans l’infrarouge est inférieure à 50% de l'énergie du pic intrabande, de préférence inférieure à 20% de l'énergie du pic de intrabande, de préférence inférieure à 10% de l'énergie du pic de intrabande et encore plus préférentiellement inférieure à 5% de l'énergie du pic intrabande.
Selon un mode de réalisation, la largeur à mi-hauteur du pic d'absorption dans l’infrarouge est inférieure à 2000 cm'1, de préférence inférieure à 1000 cm'1, et encore plus préférentiellement inférieure à 500 cm'1.
Selon un mode de réalisation, la largeur à mi-hauteur en énergie du pic d’absorption dans l’infrarouge est inférieure à 200 meV, de préférence inférieure à 100 meV et encore plus préférentiellement inférieure à 50meV.
Selon un mode de réalisation, la pluralité de de nanocristaux de chalcogénure de métal présentent un pic de photoluminescence à une longueur d'onde dans une plage de 1 pm à 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 5 10, 11, 12, 13, 14,15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26 27, 28, 29 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40,41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50 μιη.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal est en outre entouré d'un ligand tel qu'une amine, thiol, acide carboxylique, phosphine, oxyde de phosphine.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal est entouré de ligands inorganiques choisi dans l'ensemble comprenant ou constitué de: AS2S3, S2", SH\
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal peut en outre être entouré par un ligand inorganique choisi dans le groupe comprenant ou constitué de : S2 , SH , Se2 , Te2 , OH , BF4 , PFg, Cl, Br, F, As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, Sb2Se3, AS2S3 ou un mélange de ceux-ci.
Selon un autre mode de réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal peut être encore entouré par ligand inorganique choisi dans le groupe comprenant ou consistant en: CdSe, CdTe, SnS2, AsS3+, L1S2, FeS2, Cu2S ou un mélange de ceux-ci.
Selon un autre mode de réalisation, la procédure d'échange de ligands pour éliminer les ligands organiques initiaux et recouvrir le nanocristal avec les nouveaux inorganiques est faite en utilisant une approche de l'état solide.
Selon un autre mode de réalisation, la procédure d'échange de ligands pour éliminer les ligands organiques initiaux et recouvrir le nanocristal avec les nouveaux inorganiques est faite en utilisant une approche à l'état liquide.
Selon un autre mode de réalisation, la procédure d'échange de ligands pour éliminer les ligands organiques initiaux et recouvrir le nanocristal avec les nouveaux inorganiques est faite en utilisant une approche de transfert de phase à l’état liquide.
Selon un autre mode de réalisation, la procédure d'échange de ligands pour éliminer les ligands organiques initiaux et recouvrir le nanocristal avec les nouveaux inorganiques est faite en utilisant une approche en phase gazeuse.
Selon un mode de réalisation, la procédure d'échange de ligands s’accompagne d’une réduction de l'absorption liée aux ligands organiques initialement à la surface du nanocristal, en particulier une réduction de l'absorption liée à la liaison CH.
Selon un mode de réalisation, l'échange de ligand conduit à une réduction de l'absorption liée aux ligands organiques qui est supérieure à 50% de l'absorption des nanocristaux de chalcogénure de métal, de préférence supérieure à 60 %, 70 %, 75 %, 80%, 90% ou 95% de l'absorption des nanocristaux de chalcogénure de métal.
Selon un mode de réalisation, l'échange de ligand conduit à une réduction de l'absorption liée aux ligands organiques qui est supérieure à 50 % de l'absorption du pic interbande ou le pic intrabande de nanocristaux de chalcogénure de métal, de préférence supérieure à 60 %, 70 % , 75 %, 80 %, 90 % ou 95 % de l'absorption du pic interbande ou intra-bande de nanocristaux de chalcogénure métallique.
Selon un mode de réalisation, l'absorption des ligands organiques par rapport à l'absorption de nanocristaux de chalcogénure de métal est inférieure à 50 %, de préférence inférieure à 40 %, 30 %, 25 %, 20 %, 10 % ou 5 %.
Selon un mode de réalisation, l'absorption des ligands organiques par rapport à l'absorption du pic interbande ou le pic intrabande de chalcogénure de métal de nanocristaux est inférieure à 50%, de préférence inférieure à 40 %, 30 %, 25 %, 20 %, 10 % ou 5 %.
Selon un mode de réalisation dans lequel le nanocristal de chalcogénure de métal est dopé ou non dopé, comme par exemple pour HgSe ou HgS, l'échange de ligand conduit à une réduction de l'absorption liée aux ligands organiques qui est supérieure à 50 % de l'absorption intrabande du pic de nanocristaux de chalcogénure de métal, de préférence supérieure à 60 %, 70 %, 75 %, 80 %, 90 % ou 95 % de l'absorption du pic intrabande de nanocristaux de chalcogénure de métal.
Selon un mode de réalisation dans lequel le nanocristal de chalcogénure de métal est dopé ou non dopé, comme par exemple pour HgSe ou HgS, l'absorption des ligands organiques par rapport à l'absorption du pic intrabande de nanocristaux de chalcogénure de métal est inférieure à 50%, de préférence inférieur à 40 %, 30 %, 25 %, 20 %, 10 % ou 5 %.
Selon un mode de réalisation dans lequel le nanocristal de chalcogénure de métal est non-dopé, tel que par exemple pour HgTe, PbTe, PbSe ou PbS, l'échange de ligand conduit à une réduction de l'absorption par rapport aux ligands organiques qui est supérieure à 50 % l'absorption du pic interbande de nanocristaux de chalcogénure de métal, de préférence supérieure à 60 %, 70 %, 75 %, 80 %, 90 % ou 95 % de l'absorption du pic interbande de nanocristaux de chalcogénure de métal.
Selon un mode de réalisation dans lequel le nanocristal de chalcogénure métallique est non dopée, comme par exemple pour HgTe, PbTe, PbSe ou PbS, l’absorption des ligands organiques par rapport à l'absorption du pic interbande de nanocristaux de chalcogénure de métal est inférieure à 50 % , de préférence inférieure à 40 %, 30 %, 25 %, 20 %, 10 % ou 5 %.
Selon un mode de réalisation, l'absorption des ligands organiques se réfère ici à l’absorption de la liaison C-H contenu dans les ligands organiques.
Selon un mode de réalisation, l'absorption liée aux ligands organiques, en particulier l'absorption de la liaison C-H, présente une densité optique plus faible que l'absorption dû à la transition intrabande du nanocristal.
Selon un mode de réalisation, le rapport de l'absorption liée aux ligands organiques, en particulier l'absorption C-H, par rapport à l'absorption de la caractéristique intrabande du nanocristal est inférieur à 100 %, de préférence inférieur à 50 %, plus préférablement inférieur à 20 % et encore plus préférentiellement moins de 10 %.
Selon un troisième aspect, la présente invention concerne un procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénures de métaux décrits ici.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénure de métal comprend : • la fourniture d'un carboxylate de métal, de préférence un oléate de métal ou un acétate de métal, dans un solvant de coordination sélectionné à partir d'une amine primaire choisie dans l’ensemble comprenant ou constitué par: l'oléylamine, hexadécylamine ou octadécylamine ; • mélanger la solution à l'intérieur d'un précurseur de chalcogénure choisi dans l'ensemble comprenant ou constitué par: trioctylphosphine chalcogénure, triméthylsilyle de chalcogénure ou le disulfure de chalcogénure à une température allant de 60° C à 130° C; et, • isoler les nanocristaux de chalcogénure de métal; dans lequel ledit métal est choisi parmi Hg, Pb, Sn, Cd, Bi, Sb ou un de leurs mélanges et ledit chalcogénure est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénures de métaux est effectué à une température comprise entre 0° C et 350° C, de manière préférentielle entre 80° C et 250° C et encore plus préférentiellement entre 60° C et 130° C.
Selon un mode de réalisation, l'étape d’isolement des nanocristaux de chalcogénure de métal comprend l’ajout d'un thiol et / ou une phosphine avec les nanocristaux; amenant à la formation de nanoparticule passivées ; puis l'extraction des nanocristaux du mélange obtenu.
Selon un mode de réalisation, le mélange avec le précurseur de chalcogénure est maintenu à une température allant de 60°C à 130°C pendant une durée prédéterminée allant de 1 à 60 minutes après l'injection du précurseur de chalcogénure.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénure de métal comme décrit ci-dessus comprend en outre l'étape consistant à revêtir les isolés nanocristaux de chalcogénure de métal avec des ligands choisis parmi amine, thiol, acide carboxylique, phosphine, oxyde de phosphine, S2', SH’, Se2', Te2', OH', BF4', PFô', Cl', Br', Γ, As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, Sb2Se3, AS2S3OU un mélange de ceux-ci.
Selon une autre réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénure de métal comme décrit ci-dessus comprend en outre l'étape consistant à revêtir la surface du nanocristal par un ligand choisi parmi CdSe, CdTe, SnS2, AsS3+, L1S2, FeS2, CU2S ou un mélange de ceux-ci.
Selon une autre forme de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénure de métal est effectué dans un ballon à tri-cols, dont le volume se situe de préférence de 50 ml à 250 ml.
Selon un autre mode de réalisation, le procédé de fabrication des chalcogénures de métal nanocristaux est effectué dans une installation automatisée dont le volume est compris entre 10 ml de volume et 100 L, de préférence entre 250 ml et 50 L et plus préférentiellement entre 1 litre et 30 L.
Selon une autre forme de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux chalcogénures de métal est conduit dans un réacteur à écoulement continu.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénures de métal comprend l'utilisation d'un solvant coordinant tel que l'oléylamine, l'hexadécylamine ou l'octadécylamine.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénures de métal, dans lequel le chalcogène est Se comprend l'injection à une température élevée de précurseur de sélénium tel que la TOPSe, de la poudre de Se, SeS2, et sélénourée.
Dans un mode de réalisation, sélénourée n'a pas été utilisé comme source de Se.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénures de métal dans lequel le métal est du mercure Hg se fait en utilisant le carboxylate de mercure comme source de métal.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénures de métal dans lequel le métal est du mercure Hg se fait en utilisant l’oléate de mercure comme source de métal.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénures de métal telle que HgSe comprend l'injection des précurseurs dans un rapport stoechiométrique.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénures de métal de HgSe comprend l'injection du précurseur Hg en excès par rapport à Se d'un facteur ne dépassant pas 10 fois, et plus préférablement 3 fois.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication des nanocristaux de chalcogénures de métal de HgSe comprend l'injection du précurseur de Se en excès par rapport à Hg d'un facteur ne dépassant pas 10 fois, et plus préférablement 3 fois.
Selon un quatrième aspect, la présente invention concerne des photoconducteurs, photodiodes ou des phototransistors.
Selon un mode de réalisation, la pluralité de nanocristaux de chalcogénures de métal est destiné à être utilisé dans un transistor, conducteur ou une diode, de préférence un phototransistor, un photoconducteur ou d’une photodiode.
Selon un autre mode de réalisation, le photoconducteur, un phototransistor ou une photodiode peuvent être choisis dans le groupe constitué par un dispositif à couplage de charge (CCD), une sonde luminescente, un laser, une caméra thermique, un système de vision nocturne et un photodétecteur.
Selon un autre mode de réalisation, la pluralité de nanocristaux de chalcogénures de métal est dédié à être utilisée dans un transistor, un conducteur ou une diode à haute mobilité.
Selon une autre réalisation, le transistor, le conducteur ou une diode de l'invention est pour une utilisation dans un transistor, un conducteur ou une diode avec une mobilité supérieure à 1 cm2 V'1 s"l, de préférence supérieur de 5 cm2 V'1 s'1, et encore plus préférentiellement supérieure à 10 cm V s' .
Selon un mode de réalisation, le transistor conducteur ou une diode de l'invention comprend une première couche de cathode, la couche de cathode étant couplée électroniquement à une première couche photoabsorbante comprenant une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal comme décrit ci-dessus ou une pluralité de nanocristaux de chalcogénures de métal fabriqué selon le procédé tel que décrit ci-dessus, la première couche photoabsorbante étant couplée à une anode.
Selon un mode de réalisation, le photoconducteur, une photodiode ou un phototransistor comprend : - une couche ou un film photoabsorbant comprenant une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal comme décrit ci-dessus ou une pluralité de nanocristaux de chalcogénure métallique fabriqué selon le procédé tel que décrit ici ci-dessus ; et - une première pluralité de connexions électriques de la couche de pontage photoabsorbante; dans lequel : - la pluralité de nanocristaux de chalcogénures de métal est positionnée de sorte qu'il y a une augmentation de la conductivité entre les connexions électriques et à travers la couche photoabsorbante, en réponse à l'éclairage de la couche par de la lumière dont la longueur d'onde se situe entre 3 pm et 50 pm ; - la mobilité des porteurs est d’au moins 1 cm2 V'1 s'1.
Selon un mode de réalisation, la couche ou film photoabsorbante a une épaisseur de 3 nm à 1 mm, plus préférablement de 10 nm à 10 pm et de préférence de 30 nm à 1 pm.
Selon un autre mode de réalisation, la couche ou film photoabsorbante a une épaisseur de 10 nm à 50 pm, de 0.05 microns à 25 pm, de 0.1 pm à 12.5 pm ou de 0.5 pm à 10 pm.
Selon un autre mode de réalisation, la couche ou le film photoabsorbant a une superficie de 100 nm2 à 1 m2, de préférence entre 1 pm2 à 10 cm2 et de préférence de 50 pm2 à 1 cm2.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche ou le film photoabsorbant est préparés par « dropcasting », dépôt par trempage, dépôt à la toumette ou dépôt électrophorétique.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche ou le film est photoabsorbant est en outre protégés par une couche de protection.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche de protection est une couche inorganique.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche ou le film photoabsorbant est protégé par une couche inorganique comprenant ou consistant en ZnO, ZnS, ZnSe, AI2O3, S1O2, MgO, AS2S3, As2Se3.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche ou le film photoabsorbant est protégé par une couche de polymère tel que par exemple un polymère, de PET à base de silicium ou PVA.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche ou le film photoabsorbant est protégé par une couche inorganique déposée par « atomic layer déposition » (ALD).
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche ou le film photoabsorbant est protégé par une couche inorganique déposée par dépôt en bain chimique.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche ou le film est photoabsorbant protégé par une couche isolante à O2.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche ou le film est photoabsorbant protégé par une couche isolante à H20.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche ou le film est photoabsorptive protégés par une couche qui est le rôle de gestion thermique de la température nanoparticule.
Selon un autre mode de réalisation de l’invention, la couche ou le film photoabsorptive a un coefficient d'absorption allant de 100 cm'1 à 5x105 cm'1 à la première structure excitonique et plus préférablement de 500 cm'1 à 105 cm'1 et encore plus préférentiellement de 1000 cm'1 à 104cm'1.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la mobilité des porteurs est d'au moins 1 cm2 V'1 s'1, de préférence supérieure à 10 cm2 V'1 s1 et plus préférentiellement encore supérieure à 50 cm2 V'1 s'1.
Selon un mode de réalisation, la couche ou le film photoabsorbant est connecté à au moins deux électrodes.
Selon un mode de réalisation, la couche ou le film photoabsorbant est connecté à trois électrodes, dans lequel l'une d’elles est utilisée comme une électrode de grille.
Selon un mode de réalisation, la couche ou le film photoabsorbant est connectée à une matrice d’électrodes.
Selon un autre mode de réalisation, le photodétecteur est destiné à être utilisé comme un détecteur de flamme.
Selon un autre mode de réalisation, le photodétecteur permet une détection bicolore.
Selon un autre mode de réalisation, le détecteur permet une détection bicolore et une des longueurs d’onde est centrée autour de l'absorption du CO2 à 4.2 μτη.
Selon un autre mode de réalisation, le détecteur permet une détection bicolore et une des longueurs d'onde est centrée autour de l'absorption du CH à 3.3 pm.
Le détecteur permet une détection bicolore et une des longueurs d'onde est centrée autour de l'absorption de H20 à 3 pm.
Selon un autre mode de réalisation, le photodétecteur permet de détecter bicolore et une longueur d'onde est centrée autour 3pm et l’autre est centrée autour de 4.2 pm.
Selon un autre mode de réalisation, le photodétecteur permet de détecter bicolore et une longueur d'onde est centrée autour de 1.3 pm.
Selon un autre mode de réalisation, le photodétecteur permet de détecter bicolore et une longueur d'onde est centrée autour de 1.55 pm.
Selon un autre mode de réalisation, le photodétecteur permet de détecter bicolore et une longueur d'onde est centrée entre 3 pm et 5 pm.
Selon un autre mode de réalisation, le photodétecteur permet de détecter bicolore et une longueur d'onde est centrée entre 8 pm et 12 pm.
Selon un autre mode de réalisation, le photodétecteur permet une détection multicolore.
Selon un autre mode de réalisation, la couche ou le film photoabsorbant selon l'invention est utilisé comme couche absorbante d'une caméra infrarouge.
Selon un cinquième aspect, la présente invention concerne un dispositif à un seul pixel.
Selon un mode de réalisation, la pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal de l'invention est déposée sous une forme de matrice.
Selon un mode de réalisation, la pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal de l'invention est processée sous forme de plusieurs pixels.
Selon une autre réalisation, la pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal de l'invention sert à la conception d'au moins 2, 3, 4, 5 pixels.
Selon une autre réalisation, le nanocristal de chalcogénure de métal de la présente invention est utilisé pour concevoir un réseau de pixels.
Selon un autre mode de réalisation, les pixels comprenant la pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal de l'invention forme une barrette (1D) de détecteur.
Selon un autre mode de réalisation, les pixels comprenant la pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal de l'invention forme une matrice (2D) de détecteur.
Selon un autre mode de réalisation, un réseau de pixel de l'invention comprend au moins 50x50 pixels, ou 256x256 pixels ou 512x512 pixels ou 1024x1024 pixels.
Selon un autre mode de réalisation, la matrice de pixel de l'invention est une matrice d’un mega-pixels.
Selon un autre mode de réalisation, la matrice de pixels selon l’invention contient plus d’un millions de pixels, de préférence plus de 2,4, 8, 16, 32 ou 64 millions de pixels.
Selon un autre mode de réalisation, la matrice de pixels a un facteur de remplissage supérieur à 40 % (soit plus de 40 % de la superficie totale de la matrice est composée de pixels), plus préférablement supérieur à 50 %; plus préférablement supérieur à 60 %, plus préférablement supérieur à 70 %, plus préférablement supérieur à 80 %, et encore plus préférablement supérieur à 90 %.
Selon un autre mode de réalisation, l'espacement entre les pixels est inférieure à la taille des pixels, de préférence moins de 50 % de la taille des pixels, de façon encore plus préférentielle moins de 20 % de la taille du pixel.
Selon un autre mode de réalisation, le pixel est relié à un circuit de lecture.
Selon un autre mode de réalisation, le pixel est relié à un circuit de lecture dans une géométrie planaire.
Selon un autre mode de réalisation, le pixel est relié à un circuit de lecture dans une géométrie verticale.
Selon une autre réalisation, la taille du pixel est comprise entre 1 m et 10 cm, de préférence entre 100 nm et 1 mm et encore plus préférentiellement entre 1 pm et 1 mm.
Selon un sixième aspect, la présente invention a pour objet un revêtement absorbant l’infrarouge.
Selon un mode de réalisation, la présente invention a pour objet une couche comprenant ou consistant en un revêtement absorbant le rayonnement infrarouge, formant ainsi couche absorbante à faible bande interdite.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant le revêtement d'absorption infrarouge est utilisée pour sensibiliser à l’infrarouge un autre matériau.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant le revêtement d'absorption infrarouge favorise l'absorption infrarouge d'un dispositif type bolomètre.
La présente invention concerne également un bolomètre ou un pyromètre comprenant un revêtement d'absorption infrarouge obtenu à partir d’une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal selon l'invention.
Selon un mode de réalisation, le pyromètre ou bolomètre comprend une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal revêtues de multiples ligands organiques; dans lequel ledit métal est choisi parmi Hg, ou un mélange de mercure et au moins un des éléments parmi Pb, Sn, Cd, Bi, Sb ; et ledit chalcogène est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges. Selon un mode de réalisation, ledit revêtement comprend ou se compose de ligands organiques.
Selon un mode de réalisation, la couche absorbant l’infrarouge n’est pas directement reliée aux électrodes.
Selon un autre mode de réalisation, la couche absorbant l’infrarouge est espacée des électrodes en métal par une barrière unipolaire.
Selon un autre mode de réalisation, une barrière unipolaire est utilisée pour réduire le courant d'obscurité.
Selon un autre mode de réalisation, une barrière unipolaire est utilisée pour réduire le courant de porteur de charge majoritaire.
Selon un autre mode de réalisation, la barrière unipolaire utilisée pour réduire le courant d'obscurité est une couche bloquant les trous.
Selon un autre mode de réalisation, la barrière unipolaire utilisée pour réduire le courant d'obscurité est une couche bloquant les électrons.
Selon un mode de réalisation, la couche comprenant la couche absorbant le rayonnement infrarouge est connectée à un circuit de lecture.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant la couche absorbant l'infrarouge est refroidie par un dispositif à effet Peltier.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant la couche absorbant l'infrarouge est refroidie par un refroidisseur cryogénique.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant le revêtement d'absorption infrarouge est refroidie à la température de l’azote liquide.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant la couche absorbant l'infrarouge est refroidie en utilisant de l'hélium liquide.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant la couche absorbant l'infrarouge est actionnée à partir de 1,5 K à 350 K, de préférence de 4 K et 310 K à encore plus préférentiellement de 70 K à 300 K.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant la couche absorbant l'infrarouge est éclairé par la face avant.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant la couche absorbant l'infrarouge est éclairé par la face arrière (à travers un substrat transparent).
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant la couche absorbant l'infrarouge est utilisé en tant que couche émettrice infrarouge.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant le revêtement d'absorption infrarouge présente une photoréponse entre 1 pA.W'1 et 1 kA.W'1 plus préférablement entre 1 mA.W'1 et 50 A.W'1 et encore plus préférentiellement de entre lOmA.W1 et 10 A.W1.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant le revêtement d'absorption infrarouge présente un courant dont le bruit est limité par le bruit en 1/f.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant le revêtement d'absorption infrarouge présente un courant dont le bruit est limité par le bruit de grenaille.
Selon un autre mode de réalisation de l'invention, la couche comprenant le revêtement d'absorption infrarouge a une détectivité spécifique de 106 à 1014 Jones, plus
La Figure 9 représente le courant en fonction de la tension d'un film mince de nanocristaux de HgSe sous différents tension de grille.
La figure 10 (a) illustre le courant de drain en fonction de la tension de grille pour un transistor, où le canal est réalisé à partir de nanocristaux de HgSe fonctionnalisés par AS2S3 comme ligand. Le dispositif est opéré dans l'air à température ambiante sous lOmV de polarisation de drain, b est un histogramme de la mobilité mesurée pour une large gamme de film constitué du même matériau.
La Figure 11 représente la densité spectrale de bruit dans film mince de nanocristaux de HgSe.
La Figure 12 représente la photo réponse d'un film mince de HgSe QD éclairé par un laser à 1.5 pm.
La Figure 13 est une image de microscopie électronique à balayage d’une matrice de pixels faits dans un film mince de nanocristaux de HgSe.
EXEMPLES
La présente invention est davantage illustrée par les exemples suivants.
Exemple 1 : synthèse de nanocristaux de HgSe en deux étapes
Dans un ballon tricol de 50 mL, 2 g d'acétate de mercure (Hg (OAc)2) et 80 ml d'acide oléique sont dégazés à 85° C sous vide pendant 30 min. La solution obtenue est transparente avec un aspect un peu jaunâtre. 4 mL de cette solution sont mélangées avec 10 mL d'oléylamine et dégazée à 85° C pendant 30 min. Pendant ce temps, 1,58 g de sélénium en poudre sont dissous par sonication dans 20 ml de trioctylphosphine (TOPSe). La solution finale est claire et transparente. Sous atmosphère d’Ar, à une température comprise entre 60 et 130° C, 1 mL de TOPSe est injecté dans le tricol contenant le précurseur de Hg. Le mélange tourne immédiatement noir; la réaction est effectuée pendant 30s à 60min. Puis 1 mL de dodecanthiol est injecté pour stopper la réaction et le ballon est rapidement refroidi à l'aide d’un flux d’air frais. Le contenu du ballon est partage dans des tubes de 50 ml et de l'éthanol est ajouté pour précipiter les nanoparticules. Après centrifugation pendant 5 min à 5000 rpm, le surnageant clair est jeté et le culot redissous dans 10 mL de toluène. Cette procédure de nettoyage est répétée une deuxième fois avec de l'éthanol comme non solvant et du toluène comme bon solvant. Le culot est à nouveau remis en solution dans le toluène et 3 ml d'acétone est ajoutée avant la centrifugation de la solution. La pastille formée est séchée sous un courant d'azote avant d'être redissous dans du toluène. 5 ml d'éthanol sont ajoutés au surnageant qui est en outre centrifugé pour former une deuxième pastille. Ce dernier est également séché et redissous dans du toluène. Enfin 20 ml d'éthanol sont utilisés pour précipiter les nanocristaux restant dans le surnageant et la troisième fraction est encore traitée comme les deux premiers. Les nanocristaux obtenus ont une taille inférieures à 10 nm, voir la figure 1 et présentent des caractéristiques optique allant de 3 à 7μ m (au premier pic exitonique lié à la transition intrabande, voir figures 3 et 4). La nature cristalline des nanocristaux est mise en évidence par diffractogramme de rayon X, voir figure 5.
Exemple 2 : synthèse de nanocristaux de HgS en deux étapes
Dans un ballon tricol de 50mL, 2 g d'acétate de mercure et 80 ml d’acide oléique sont dégazés à 85 ° C sous vide pendant 30 min. La solution obtenue est claire et transparente. 4 mL de cette solution sont mélangés avec 10 ml d'oléylamine et dégazés à 85° C pendant 30 min. Pendant ce temps 1 lmg de soufre en poudre sont dissous par sonication dans 3 ml d'oléylamine. La solution finale est orangée et claire. Sous atmosphère d’Ar, à une température comprise entre 60 et 120° C, la solution de soufre est injectée dans le flacon contenant le précurseur de Hg. Le mélange tourne immédiatement noir; la réaction est continuée pendant 30 secondes à 60 minutes. Puis 1 mL de dodecanthiol est injecté pour stopper la réaction et le ballon rapidement refroidie à l'aide d’un flux d’air frais. Le contenu du ballon est divisé dans des tubes de 50 ml et de l'éthanol est ajouté pour précipiter les nanoparticules. Après centrifugation pendant 5 min à 5000 rpm, le surnageant clair est jeté et le culot redissous dans 10 ml de toluène frais. Cette procédure de nettoyage est répétée une deuxième fois avec de l'éthanol comme non solvant et du toluène 10 comme bon solvant. Le culot est à nouveau remis en solution dans le toluène et 3 ml d'acétone sont ajoutés avant la centrifugation de la solution. La pastille formée est séchée sous un courant d'azote avant d'être redissous dans du toluène. 5 ml d'éthanol sont ajoutés au surnageant qui est en outre centrifugé pour former une deuxième pastille. Ce dernier est également séché et redissous dans du toluène. Enfin 20 ml d'éthanol sont utilisés pour précipiter le nanocristal restant dans le surnageant et la troisième fraction est encore traitée comme les deux premières.
Exemple 3 : synthèse de nanocristaux HgSe en quasi une étape
Dans un ballon tricol de 25 mL, 0,1 g d'acétate de mercure, 10 mL d'acide oléique et 4 ml d’oléylamine sont dégazés sous vide à 85° C pendant 30 min. La solution est claire et jaunâtre. Sous atmosphère d’Ar, à la même température, 0,3 mL de TOPSe (IM) est rapidement injecté. La solution devient immédiatement sombre. Puis 1 mL de dodecanthiol est injecté pour stopper la réaction et le ballon rapidement refroidie à l'aide d’un flux d’air frais. Le contenu du ballon est divisé dans plusieurs tubes de 50 mL et de l'éthanol est ajouté pour précipiter les nanoparticules. Après centrifugation pendant 5 min à 5000 rpm, le surnageant clair est jeté et le culot redissous dans 10 mL de toluène clair. Cette procédure de nettoyage est répétée une seconde fois en utilisant de l'éthanol comme non solvant et du toluène en tant que bon solvant. Le culot est à nouveau remis en solution dans le toluène et 3 mL d'acétone sont ajoutés avant la centrifugation de la solution. La pastille formée est séchée sous un courant d'azote avant d'être redissous dans du toluène. 5 ml d'éthanol sont ajoutés au surnageant, qui est à nouveau centrifugées 30 s pour former un culot. Ce dernier est également séché et redissous dans du toluène. Enfin 20 ml d'éthanol sont utilisés pour précipiter les nanocristaux restant dans le surnageant et la troisième fraction est encore traitée comme les deux premières.
Exemple 4 : synthèse à grande échelle de petits nanocristaux de HgSe
Dans un réacteur d’IL automatisé, 10g de Hg (OAc)2 est dissous dans 200 ml d'acide oléique. Le réacteur est dégazé sous vide pendant 15 minutes à 85 °C. Ensuite, 0,5 L d'oléylamine sont ajouté et le flacon est de nouveau dégazé à la même température. L'atmosphère est passée sous Ar et la température ajustée à 85 ° C. Pendant ce temps, 40 mL de TOPSe (IM) est préparé par sonication. Pour cela 3,16 g de sélénium en poudre sont agités dans 40 mL de trioctylphosphine (TOP). 32ml de la solution de TOPSe sont rapidement injectés dans le réacteur et la solution contenue dans le réacteur devient sombre. La réaction est poursuivie pendant 15 minutes, avant d'être stoppée par addition de 5 mL de dodecantiol et 1 mL de TOP. Le contenu du flacon est mélangé avec le même volume de méthanol dans un Erlenmeyer de 2 litres. La solution est ensuite filtrée. Le solide obtenu est en outre nettoyé avec de l'hexane et le méthanol. Plus de 10,8 g de solide ont été obtenus (voir figure 6). Le stockage final se fait dans du toluène.
Exemple 5 : synthèse des gros nanocristaux de HgSe
Afin d’obtenir des nanocristaux plus gros présentant des propriétés optiques en dessous de 1500 cm'1 (voir la figure 2), la procédure suivante a été développé. Dans un ballon tricol de 25 ml, 100 mg de Hg(OAc)2 est dissous dans 4 mL d'acide oléique et de 10 mL d'oléylamine. Le ballon est dégazé sous vide pendant 30 minutes à 85° C. L'atmosphère est échangé pour de l’Ar et la température ajustée entre 60 et 130° C en fonction de la taille des nanocristaux finale attendue. Pendant ce temps, 0,13 g de SeS2 sont dissous dans 2 ml d'oléylamine par sonication. Le mélange brun est injecté dans le ballon dont la couleur vire au noir. Après 1 à 60 min, 1 mL de dodecanthiol est utilisé pour arrêter la réaction. Le chauffe-ballon est retiré et le ballon est refroidi au moyen d'un flux d'air frais. Les nanocristaux sont précipités par addition d'éthanol. Après centrifugation, le culot formé est redissous dans le toluène. La procédure de nettoyage est répété deux autres fois. Les nanoparticules sont stockées dans du toluène. Cependant, en raison de leur grande taille (20 nm) ils ont une stabilité colloïdale limitée. Les nanocristaux obtenus sont plus de 10 nm de taille, voir la figure 2 et ont des propriétés optiques liées à la transition intrabande entre de 7 à 25 pm (voir figure 3 et 4).
En dépit de l'utilisation d'un précurseur à base de soufre (SeS2), on ne constate aucune évidence de soufre dans le composé final. La diffraction des rayons X présente le même pic que le matériau obtenu en utilisant la TOPSe en tant que précurseur de Se (voir figure 5). En outre les données EDS conduisent à une absence ou une présence extrêmement limitée (quelques%) en soufre. Cette faible quantité peut alors être attribuée aux ligands thiols. Ce résultat semble cohérent avec le fait qu’aucune réaction n’est observée en remplaçant la TOPSe par de la TOPS, la réactivité du soufre set moindre par rapport à celle du sélénium.
Exemple 6 : synthèse de nanocristaux HgSeTe
Dans un ballon tricol de50 mL, 2 g d'acétate de mercure et 80 ml d'acide oléique sont dégazés à 85° C sous vide pendant 30 min. La solution obtenue est transparente et jaunâtre. 8 mL de cette solution sont mélangés avec 20 ml d'oléylamine et dégazée à 85° C pendant 30 min. Pendant ce temps, 1,58 g de sélénium en poudre est dissous par sonication dans 20 ml de trioctylphosphine. La solution finale est claire et transparente. 1,27 g de tellure (Te) en poudre est dissoute dans la boîte à gants dans 10 ml de TOP et agité pendant deux jours, la solution finale de TOPTe est jaune et claire. Sous atmosphère d’Ar à 85° C, 1 mL de TOPSe est injecté dans le flacon contenant le précurseur de Hg. Le mélange devient immédiatement noir. Immédiatement nous commençons l’injection de 1 mL, goutte à goutte, et pendant 30 min de la TOPTe. Après 30 min, 2 mL de dodecanthiol sont injectés pour stopper la réaction et le ballon rapidement refroidie à l'aide de débit d'air frais. Le contenu du ballon est divisé en tubes de 50 ml et de l'éthanol est ajouté pour précipiter les nanoparticules. Après centrifugation pendant 5 min à 5000 rpm, le surnageant clair est jeté et le culot redissous dans 10 ml de toluène. Cette procédure de nettoyage est répétée une seconde fois en utilisant de l'éthanol comme non solvant et du toluène en tant que bon solvant. Le culot est à nouveau remis en solution dans le toluène et 3 mL d'acétone sont ajoutés avant centrifugation de la solution. La pastille formée est enregistrée et on le sèche sous un courant d'azote avant d'être redissous dans du toluène. 5 mL d'éthanol sont ajoutés au surnageant qui est en outre centrifugé pour former une deuxième pastille. Ce dernier est également séché et redissous dans du toluène. Enfin 20 ml d'éthanol sont utilisés pour précipiter les nanocristaux restant dans le surnageant et la troisième fraction est encore traitée comme les deux premières.
Exemple 7 : HgSe-CdS structure cœur coque
Pour faire croître une coque de CdS sur un coeur de HgSe, la procédure suivante est utilisée. On mélange 30 mg de Na2S dans 2 mL de NMFA dans un flacon de 4 mL jusqu'à dissolution. Les coeurs sont ensuite précipités par addition d'acétonitrile pour enlever l'excès de sulfure et redispersés dans du Nmethylformamide (NMFA). Ensuite, 500 μΐ d'acétate de cadmium (0,2 M) dans la NMFA sont ajoutés dans le flacon. Après la réaction quasi immédiate de l'excès de précurseurs est éliminé par précipitation des nanocristaux avec un mélange de toluène et d'acétonitrile (5: 1). Le solide obtenu par centrifugation est redissous dans NMFA. La procédure est répétée de 3,5 fois.
Exemple 8 : échange de ligand à l’état solide
Un film de nanocristaux de HgSe recouvert de ligands dodecanthiol est déposé par dépôt de goûte d’une solution de nanocristaux dispersé dans un mélange 9: 1 d'hexane/octane. Le film est ensuite plongé pendant 30 secondes dans une solution à 1% en volume d'éthanedithiol dans l'éthanol. Le film est ensuite rincé dans de l'éthanol pur.
Exemple 9 : échange de ligand à l’état solide
Un film de nanocristaux de HgSe recouvert de ligands dodecanthiol est déposé par dépôt de goûte d’une solution de nanocristaux dispersé dans un mélange 9: 1 d'hexane/octane. Le film est ensuite plongé pendant 30 secondes dans une solution à 1% en volume de NH4CI dans l’éthanol. Le film est ensuite rincé dans de l'éthanol pur.
Exemple 10 : échange de ligand à l’état solide
Un film de nanocristaux de HgSe recouvert de ligands dodecanthiol est déposé par dépôt de goûte d’une solution de nanocristaux dispersé dans un mélange 9: 1 d'hexane/octane. Pendant ce temps, de la poudre de AS2S3 est mélangée à une solution d’amine courte telle que la propylamine ou la butylamine (à 1 à 10 mg/mL de concentration). La solution est traitée aux ultrasons pour obtenir une solution jaune clair. Cette solution est diluée 10 fois avec de l'acétonitrile. Le film de nanocristaux est plongée dans cette solution pendant 30 secondes et on le rince dans de l'éthanol pur. Le film est finalement teint en utilisant un flux d’Ar.
Exemple 11 : échange de ligand en phase liquide
Quelques mg de Na2S sont dissous dans 2 mL de N-méthylformamide. La solution'est traitée par ultrasons pendant 2min. Dans un tube à essai, 1 mL de la solution précédente est introduit avec 3 ml de la solution de nanocristaux de HgSe dispersés dans de l'hexane. La solution est agitée fortement et soumis à une sonication. Un transfert de phase des nanoparticules a lieu et la phase polaire tourne sombre. La phase non polaire est alors nettoyé à trois reprises par addition d'hexane avant d’être laisse pour sédimentation. La phase supérieure claire est jetée chaque fois. Enfin 3 mL d'éthanol sont ajoutés et le tube est centrifugé à 3000 rpm pendant 3 minutes. Le liquide est de nouveau jeté et le culot formé est séché sous flux d'azote, avant d'être redispersé dans de la NMFA fraîche.
Exemple 12 : échange de ligand en phase liquide avec VAS2S3
Quelques mg de AS2S3 sont dissous dans 1 mL de propylamine. La solution est traitée par ultrasons pendant 1 min. La solution finale est jaune et claire. 500 pL de cette solution est ensuite mélangée avec 1 ml de NMFA. La solution est traitée par ultrasons pendant 2min. Dans un tube à essai, 1 ml de la solution précédente est introduite avec 3 mL de la solution de nanocristaux de HgSe dispersés dans de l'hexane. La solution est agitée fortement et en outre soumis à une sonication. Un transfert de phase des nanoparticules a lieu et la phase polaire tourne sombre. La phase non polaire est alors lavée à trois reprises par addition d'hexane avant de sédimenter. La phase supérieure claire est jetée chaque fois. Enfin 3 mL d'éthanol sont ajoutés et le tube est centrifugé à 3000 rpm pour 3 min. Le liquide est jeté et le culot formé est séché sous flux d'azote, avant d'être redispersé dans de la NMFA fraîche. La figure 7 montre comment le spectre infrarouge des nanocristaux de HgSe CQD est affecté par le processus d'échange de ligands.
Exemple 13 : échange de ligand en phase liquide avec l’Sb2S3
Quelques mg de Sb2S3 sont dissous dans 1 mL d’ethylenediamine. La solution est traitée par ultrasons pendant 1min. La solution finale est jaune et claire. 500 pL de cette solution est ensuite mélangée avec 1 ml de NMFA. La solution est traitée par ultrasons pendant 2 min. Dans un tube à essai, 1 ml de la solution précédente est introduite avec 3 mL de la solution de nanocristax de HgSe dispersés dans de l’hexane. La solution est agitée fortement et en outre soumis à une sonication. Un transfert de phase des nanoparticules a lieu et la phase polaire tourne sombre. La phase non polaire est alors lavée à trois reprises par addition d'hexane avant de sédimenter. La phase supérieure claire est jetée chaque fois. Enfin 3 mL d'éthanol sont ajoutés et le tube est centrifugé à 3000rpm pour 3min. Le liquide est jeté et le culot formé est séché sous flux d'azote, avant d'être redispersé dans de la NMFA fraîche
Example 14 : Encapsulation par ‘Atomic Layer Déposition (ALD)’
Un film de nanocristaux de HgSe recouvert de ligands dodecanthiol est déposé par dépôt de goûte d’une solution de nanocristaux dispersé dans un mélange 9: 1 d'hexane/octane. Le film est ensuite plongé pendant 30 secondes dans une solution à 1% en volume d'ammoniac dans l'éthanol. Le film est ensuite rincé dans de l'éthanol pur. Puis le film est introduit dans le « setup » d’ALD et mis sous vide primaire. Le film est ensuite exposé successivement à de l'eau et à du diéthylzinc. Chaque exposition est suivie d'une étape d'attente d'au moins 1 min. 10 couches de ZnO sont déposées et le film est enfin cuits à 70° C pendant 10 minutes.
Exemple 15 : fabrication d’électrodes
Un substrat de silicium dopé avec une couche de S1O2 de 400 nm, est coupé en morceaux de lxlcm2. Le substrat est ensuite nettoyé dans de l'acétone par sonication pendant 5 minutes, puis rincé à l'isopropanol. Puis le substrat est traité pendant 5 min sous plasma O2. Nous déposons ensuite une résine photosensible AZ5214 par dépôt à la toumette. Le substrat est cuit sur une plaque chauffante à 110°C pendant 90s. Le substrat est ensuite illumine par une lampe UV à travers un substrat pour 2s . Une deuxième cuisson du substrat est réalisé à 125°C est réalisé pendant 2min. Ensuite, une seconde exposition aux UV est pratique pour 40s sans masque. Enfin, la résine est développée en plongeant le film pour 32sdans le développeur AZ326. Puis 3 nm de Cr et 40nm de l'or sont déposés grâce à un évaporateur thermique. Enfin, le « liftoff » est effectué en plongeant le substrat dans de l'acétone pendant 1 h, avant de rincer les électrodes avec de l'isopropanol.
Exemple 16 : fabrication de nanotranchée
Sur une plaquette de SÎ/SÎ02, une première électrode est préparée soit en utilisant la lithographie optique standard ou la lithographie électronique. Dans une préparation typique la résine AZ 5214 E est déposée par dépôt à la toumette sur le substrat. Le substrat est ensuite cuit pendant 90 s à 110° C. Une première exposition aux UV en utilisant le masque de lithographie est réalisée pour 2 secondes. Puis l’échantillon est encore cuit sur plaque chauffante à 125° C pendant 2 minutes. Nous procédons ensuite à un dépôt de métal par évaporation de Ti (5 nm) et une couche d'or (54 nm) en utilisant un évaporateur d'électrons. Enfin, le « lift-off » est effectué en plongeant le substrat dans de l'acétone pendant 12 h, avant de rincer les électrodes avec de l'isopropanol. Une deuxième électrode est préparée en utilisant le même mode opératoire de lithographie optique. La seconde évaporation métallique est effectuée alors que l'échantillon est incliné de 60° afin que la première électrode cache une partie du second motif. Dans ce cas, 5 nm de Cr et 50 nm d'or sont déposés. Cet effet d'ombre permet la formation de nanotranchée à l'échelle de quelques dixièmes de nanomètres.
Exemple 17 : photodétecteur à barrière unipolaire
Sur un substrat de Si/Si02 deux électrodes ont été conçus, généralement de 2 mm de long et espacées par 20 pm. Ensuite, une électrode est reliée à une source de tension continue élevée. Le substrat fait face à une lame de verre de 1 cm2 revêtu d’une couche d’ITO. Cette seconde électrode est reliée au côté négatif de l'alimentation haute tension. Le substrat fonctionnalisé avec les deux électrodes et l'électrode revêtue d’ITO sont immergés dans une solution de nanoplaquette de CdTe. Une tension de 400 V est appliquée pendant 30 s. Nous observons le dépôt de CdTe sur l'électrode positive. Le substrat avec les deux électrodes est maintenant immergé dans une solution de Na2S dans de l'éthanol pendant 1 min, avant d'être rincée dans de l'éthanol pur. Les électrodes sont finalement séchées sous un courant d'azote. Les électrodes sont ensuite recuites sur une plaque chauffante pendant 1 h à 300° C. Puis les nanoparticules de HgSe fonctionnalisées par AS2S3 sont déposées sur les électrodes fonctionnalisés et chauffé sur une plaque chauffante dans une boîte à gants pendant 10 minutes à 100°C.
Exemple 18 .-fabrication d'un dispositif photoconducteur
Dans la boîte à gants, les nanoparticules de HgSe fonctionnalisées par AS2S3 sont déposées sur les électrodes sur une plaque chauffantes à 100° C.
Exemple 19 : fabrication d'électrolyte 50 mg de L1CIO4 sont mélangés avec 230 mg de polyéthylène glycol sur une plaque chauffante dans une boîte à gants remplie d'argon à 170° C pendant 2 h.
Exemple 20 .-fabrication d’un transistor avec une grille face arrière
Dans la boîte à gants, les nanoparticules de HgSe fonctionnalisées par AS2S3 sont déposées sur les électrodes sur une plaque chauffante à 100° C pendant 10 min. Une fois que le film est séché, du polyéthylène glycol pur est déposé comme couche de protection.
Exemple 21 : Fabrication d’un transistor à double grille
Dans la boîte à gants, les nanoparticules de HgSe fonctionnalisées par AS2S3 sont déposées sur les électrodes sur une plaque chauffante à 100° C pendant 10min. Pendant ce temps, l'électrolyte est ramolié à 100° C. L’électrolyte fondu est maintenant clair et est déposé sur le film de nanoparticules Une grille de cuivre est ensuite déposé sur le dessus de l'électrolyte et peut être utilisé comme grille supérieure. Un schéma du dispositif est représenté sur la figure 8. Le courant dans le transistor en fonction de la tension appliquée de l'appareil est donné sur la figure 9. Le courant dans le transistor en fonction de la tension de grille appliquée est donné sur la figure 10. Le bruit dans le dispositif est représenté sur la figure 11. La photoréponse du système en fonction de la fréquence est donnée sur la figure 12.
Exemple 22 : Fabrication de pixel dans un film de nanocristaux de HgSe
Dans la boîte à gants, les nanoparticules de HgSe fonctionnalisées par AS2S3 sont déposées sur un substrat de silicium préalablement nettoyé. Le film de nanocristaux fait typiquement 100 nm d'épaisseur. Dans la salle blanche, du PMMA est déposé par centrifugation et cuit à 160° C pendant 15 minutes. L’échantillon est ensuite introduit dans le marqueur électronique. Une accélération de 20 kV et un courant de 6.4 nA est utilisé pour effectuer l'écriture par faisceau d'électrons. Le film est développé en utilisant un mélange de Méthylisobutylcétone et Isopropanol et rincé dans l'isopropanol pur. La gravure de la couche de nanocristaux est obtenue par une gravure plasma à O2 utilisé pendant 5 min. Enfin, le résine est enlevée par immersion du film pendant 5 minutes dans de l'acétone pure. Le film est en outre rincé par de isopropanol et finalement séché. Cette méthode permet la conception de pixels avec une taille de 20pm et 60μιη, voir figure 13).

Claims (13)

  1. REVENDICATIONS
    1. Une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal recouverts de plusieurs ligands organiques et inorganiques ; - dans lequel ledit métal est choisi parmi Hg, Pb, Sn, Cd, Bi, Sb ou un de leurs mélanges; ledit chalcogène est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges ; - dans lequel lesdits plusieurs ligands inorganiques comprennent au moins un des ligands inorganiques de la liste S2', HS\ Se2', Te2', OH', BF4', PF6', Cl', Br', Γ, As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, Sb2Se3, As2S3 ou un mélange de ceux-ci ; - dans lequel l'absorption des ligands organiques par rapport à l’absorption du chalcogénure de métal est inférieure à 50%, de préférence inférieure à 20%.
  2. 2. La pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal selon la revendication 1, dans lequel ladite pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal présente une absorption optique sur une plage de longueur d’onde allant de 3 pm à 50 pm et une mobilité de porteur de charge d’au moins de 1 cm2 V1 s'1.
  3. 3. La pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ledit métal est choisi parmi Hg ou un mélange de mercure et au moins un élément choisi parmi Pb, Sn, Cd, Bi, Sb; et ledit chalcogène est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges; lesdits nanocristaux de chalcogénure de métal ne sont pas fait de HgTe recouvert de ligands inorganiques fait à base d’As2S3.
  4. 4. Procédé de fabrication de la pluralité de nanocristaux de chalcogénures de métal selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, ledit procédé comprenant les étapes suivantes: - fourniture d'un carboxylate de métal, de préférence un oléate de métal ou un acétate de métal dans un solvant de coordination sélectionné de préférence à partir d’une amine primaire plus préférentiellement parmi l’oleyamine, Phexadécylamine ou l’octadécylamine ; - mélanger à l'intérieur de ladite solution un précurseur de chalcogénure choisi de préférence à partir de trioctylphosphine de chalcogénure, triméthylsilyle de chalcogénure ou le disulfure de chalcogénure à une température allant de 60°C à 130°C ; - isoler les nanocristaux de chalcogénure de métaux ; - recouvrir les nanocristaux isolés de chalcogénure de métal avec de multiples ligands inorganiques.
  5. 5. Le procédé de fabrication des nanocristaux colloïdaux de chalcogénure de métal selon la revendication 4, dans lequel l'isolement des nanocristaux de chalcogénure de métal comprend le mélange d'un thiol et / ou d’une phosphine avec les nanocristaux ; en formant ainsi un mélange refroidi; puis l'extraction des nanocristaux'du mélange refroidi.
  6. 6. Procédé de fabrication de nanocristaux colloïdaux de chalcogénure de métal selon la revendication 4 ou la revendication 5, comprenant en outre une étape consistant à maintenir le mélange à une température allant de 60° C à 130° C pendant une durée prédéterminée allant de 1 à 60 minutes après l’injection du précurseur de chalcogénure.
  7. 7. Le procédé de fabrication des nanocristaux colloïdale de chalcogénure de métal selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel, lesdits plusieurs ligands inorganiques comprennent au moins un ligand inorganique choisis parmi S2', SH , Se2', Te2', OH", BF4', PFe, CT, Br, I", As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, Sb2Se3, AS2S3 ou un mélange de ceux-ci.
  8. 8. Un photoconducteur, une photodiode ou un phototransistor, comprenant : - une couche photoabsorbante comprenant une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 ou d'une pluralité de nanocristaux métalliques de chalcogénure fabriqué selon l'une quelconque des revendication^ à 7 ; et - une première pluralité de connexions électriques connectées à la couche photoabsorbante ; dans lequel la pluralité de nanocristaux de chalcogénures métalliques sont positionnés de sorte qu'il y a une augmentation de la conductivité entre les connexions électriques et à travers la couche photoabsorbante, en réponse à l'éclairage de la couche photoabsorbante par de la lumière à une longueur d’onde allant de 3 pm à 50 pm ; - la mobilité des porteurs est d’au moins 1 cm2 V'1 s'1.
  9. 9. Un photoconducteur, une photodiode ou un phototransistor selon la revendication 8, dans lequel la couche photoabsorbante a une épaisseur allant de 3 nm à 1 mm.
  10. 10. Un photoconducteur, une photodiode ou un phototransistor selon la revendication 8 ou la revendication 9, dans lequel la couche photoabsorbante a une superficie allant de 100 nm2 à 1 m2.
  11. 11. Dispositif comprenant une pluralité de photoconducteurs, photodiodes ou phototransistors selon l'une quelconque des revendications 8 à 10 et un circuit de lecture relié électriquement à la pluralité de photoconducteurs, photodiodes ou des phototransistors.
  12. 12. Un matériau de revêtement absorbant le rayonnement infrarouge comprenant des nanocristaux de chalcogénure de métal selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, ou en nanocristaux de chalcogénure de métal fabriqués selon l'une quelconque des revendications 4 à 7.
  13. 13. Un bolomètre ou un pyromètre comprenant des nanocristaux de chalcogénure de métal selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 ou nanocristaux de chalcogénure de métal fabriqués selon l'une quelconque des revendications 4 à 7.
FR1557213A 2015-07-28 2015-07-28 Pending FR3039531A1 (fr)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1557213A FR3039531A1 (fr) 2015-07-28 2015-07-28
US15/746,860 US10944065B2 (en) 2015-07-28 2016-07-28 Mid and far-infrared nanocrystals based photodetectors with enhanced performances
JP2018503538A JP7101406B2 (ja) 2015-07-28 2016-07-28 向上した性能を備える、ナノ結晶を利用した中遠赤外光検出器
PCT/EP2016/068106 WO2017017238A1 (fr) 2015-07-28 2016-07-28 Photodétecteurs à base de nanocristaux dans l'infrarouge moyen et lointain à performances améliorées
CN201680055000.9A CN108137323B (zh) 2015-07-28 2016-07-28 性能增强的基于中红外和远红外纳米晶体的光电探测器
EP16745706.8A EP3328791A1 (fr) 2015-07-28 2016-07-28 Photodétecteurs à base de nanocristaux dans l'infrarouge moyen et lointain à performances améliorées
KR1020187004849A KR20180033536A (ko) 2015-07-28 2016-07-28 강화된 성능을 갖는 중 및 원-적외선 나노결정 기반의 광 검출기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1557213A FR3039531A1 (fr) 2015-07-28 2015-07-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR3039531A1 true FR3039531A1 (fr) 2017-02-03

Family

ID=55299542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1557213A Pending FR3039531A1 (fr) 2015-07-28 2015-07-28

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10944065B2 (fr)
EP (1) EP3328791A1 (fr)
JP (1) JP7101406B2 (fr)
KR (1) KR20180033536A (fr)
CN (1) CN108137323B (fr)
FR (1) FR3039531A1 (fr)
WO (1) WO2017017238A1 (fr)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019068814A1 (fr) 2017-10-04 2019-04-11 Nexdot Nanocristaux dans le domaine thz, infrarouge lointain, matériau hétérostructuré pourvu d'une caractéristique d'absorption intrabande et utilisations correspondantes
CN112968068A (zh) * 2021-02-25 2021-06-15 电子科技大学 一种基于多级原位热处理的无机太阳能电池及其制备方法
US11581370B2 (en) 2018-01-31 2023-02-14 Sony Corporation Photoelectric conversion element and imaging device
RU2808456C1 (ru) * 2023-05-17 2023-11-28 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Твердотельный суперионный электролит для серебро-ионного эмиттера

Families Citing this family (256)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
CN110475916A (zh) 2017-03-21 2019-11-19 富士胶片株式会社 半导体粒子、分散物、薄膜、滤光器、建筑用部件及辐射冷却装置
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
WO2018220162A1 (fr) * 2017-06-02 2018-12-06 Nexdot Source d'éclairage et appareil d'affichage la comportant
WO2018220161A1 (fr) * 2017-06-02 2018-12-06 Nexdot Appareil d'affichage multicolore
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
WO2019150971A1 (fr) * 2018-01-31 2019-08-08 ソニー株式会社 Élément de conversion photoélectrique et dispositif de capture d'image
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
CN108550706B (zh) * 2018-04-12 2020-02-21 华中科技大学 一种量子点光电探测器的制备方法
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11329239B2 (en) * 2018-10-09 2022-05-10 Hong Kong Baptist University Multi-mode photodetectors and methods of fabricating the same
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020150251A (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 キヤノン株式会社 量子ドット、それを有する光電変換素子、受光素子、光電変換装置、移動体、量子ドットの製造方法、光電変換素子の製造方法
JP2020180278A (ja) * 2019-03-20 2020-11-05 ナノシス・インク． エレクトロルミネッセンスデバイスのための無機配位子を有するナノ構造
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
CN110257311B (zh) * 2019-08-13 2019-12-24 中国科学院烟台海岸带研究所 一种用于制备西兰花状硫化锑的微生物及其应用
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
CN110482497B (zh) * 2019-08-29 2022-11-18 湖北工业大学 一种HgSe纳米晶的制备方法
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021044367A (ja) * 2019-09-11 2021-03-18 一般財団法人電力中央研究所 フォトトランジスタおよび電子機器
WO2021050641A1 (fr) 2019-09-11 2021-03-18 Nanosys, Inc. Compositions d'encre nanostructurées pour impression par jet d'encre
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210048289A (ko) * 2019-10-23 2021-05-03 삼성전자주식회사 수광 소자
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
IL273118B (en) 2020-03-05 2022-03-01 Allen Richter Self-adaptive electromagnetic radiation guide
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
JPWO2021210593A1 (fr) * 2020-04-13 2021-10-21
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN111634889A (zh) * 2020-04-26 2020-09-08 深圳瀚光科技有限公司 一种Bi2Te3纳米片及其制备方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114702960B (zh) * 2022-02-28 2022-12-27 北京理工大学 红外量子点层及其制备方法、红外探测器及其制备方法
CN115109467B (zh) * 2022-05-27 2023-04-07 北京理工大学 常温混相配体交换用于调控红外胶体量子点带状输运的方法及应用
CN115132879A (zh) * 2022-06-24 2022-09-30 中国科学院半导体研究所 单晶纳米线偏振光探测器的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009127857A1 (fr) * 2008-04-14 2009-10-22 Trackdale Ltd Nanocristaux semi-conducteurs
US20140299772A1 (en) * 2011-05-20 2014-10-09 The University Of Chicago Mid-infrared photodetectors
WO2014191083A1 (fr) * 2013-05-30 2014-12-04 Merck Patent Gmbh Nanoparticules, encre et procédé de fabrication et d'utilisation

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009072288A1 (fr) * 2007-12-06 2009-06-11 Panasonic Corporation Dispositif émettant de la lumière et dispositif d'affichage l'utilisant
EP2387544B1 (fr) * 2009-01-16 2018-12-19 University of Utah Research Foundation Synthèse à basse température de nanocristaux colloïdaux
EP2504276A1 (fr) * 2009-11-25 2012-10-03 E. I. du Pont de Nemours and Company Procédé aqueux de production de nanoparticules de chalcogénures de cuivre cristallines, nanoparticules ainsi produites et encres et substrats revêtus contenant ces nanoparticules
US9882001B2 (en) * 2011-05-16 2018-01-30 The University Of Chicago Materials and methods for the preparation of nanocomposites
KR101874413B1 (ko) 2011-10-18 2018-07-05 삼성전자주식회사 무기 리간드를 갖는 양자점 및 그의 제조방법
KR20130067137A (ko) * 2011-12-13 2013-06-21 삼성전자주식회사 양자점-매트릭스 박막 및 그의 제조방법
KR101963224B1 (ko) 2012-04-09 2019-03-29 삼성전자주식회사 나노입자와 그의 제조방법, 상기 나노입자를 포함하는 용액, 및 나노입자 필름과 그의 제조방법
KR20140025161A (ko) * 2012-08-21 2014-03-04 삼성전자주식회사 양자점 소자 제조 방법, 이에 의해 제조된 양자점 소자 및 양자점 소자의 전하 이동도 측정 방법
US8779413B1 (en) * 2012-10-09 2014-07-15 Sunpower Technologies Llc Optoelectronic devices with all-inorganic colloidal nanostructured films
US20140209856A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Sunpower Technologies Llc Light Emitting Device with All-Inorganic Nanostructured Films
US9227846B2 (en) * 2013-02-25 2016-01-05 Evident Technologies, Inc. Purification of nanocrystals for thermoelectric, solar, and electronic applications
JP2014220331A (ja) 2013-05-07 2014-11-20 株式会社リコー 電磁波照射装置
WO2015117851A1 (fr) * 2014-02-04 2015-08-13 Koninklijke Philips N.V. Ligands composites inorganiques à base d'oxo et d'hydroxo pour des points quantiques
WO2016040913A2 (fr) * 2014-09-12 2016-03-17 Board Of Regents, The University Of Texas System Durcissement photonique de films nanocristallins pour éléments photovoltaïques
US10047284B2 (en) * 2014-11-06 2018-08-14 Postech Academy-Industry Foundation Perovskite nanocrystal particle light-emitter whose content is changed, method of producing the same, and light emitting element using the same
US10252239B2 (en) * 2015-08-14 2019-04-09 Massachusetts Institute Of Technology Multi-phase oscillatory flow reactor
KR102446410B1 (ko) * 2015-09-17 2022-09-22 삼성전자주식회사 광전소자 및 이를 포함하는 전자장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009127857A1 (fr) * 2008-04-14 2009-10-22 Trackdale Ltd Nanocristaux semi-conducteurs
US20140299772A1 (en) * 2011-05-20 2014-10-09 The University Of Chicago Mid-infrared photodetectors
WO2014191083A1 (fr) * 2013-05-30 2014-12-04 Merck Patent Gmbh Nanoparticules, encre et procédé de fabrication et d'utilisation

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019068814A1 (fr) 2017-10-04 2019-04-11 Nexdot Nanocristaux dans le domaine thz, infrarouge lointain, matériau hétérostructuré pourvu d'une caractéristique d'absorption intrabande et utilisations correspondantes
US20200318255A1 (en) * 2017-10-04 2020-10-08 Nexdot FAR-INFRARED, THz NANOCRYSTALS, HETEROSTRUCTURED MATERIAL WITH INTRABAND ABSORPTION FEATURE AND USES THEREOF
US11581370B2 (en) 2018-01-31 2023-02-14 Sony Corporation Photoelectric conversion element and imaging device
US11903226B2 (en) 2018-01-31 2024-02-13 Sony Group Corporation Photoelectric conversion element and imaging device
CN112968068A (zh) * 2021-02-25 2021-06-15 电子科技大学 一种基于多级原位热处理的无机太阳能电池及其制备方法
RU2808456C1 (ru) * 2023-05-17 2023-11-28 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Твердотельный суперионный электролит для серебро-ионного эмиттера

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017017238A1 (fr) 2017-02-02
CN108137323B (zh) 2021-06-15
KR20180033536A (ko) 2018-04-03
CN108137323A (zh) 2018-06-08
JP2018524820A (ja) 2018-08-30
EP3328791A1 (fr) 2018-06-06
US10944065B2 (en) 2021-03-09
JP7101406B2 (ja) 2022-07-15
US20200083469A1 (en) 2020-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR3039531A1 (fr)
Livache et al. A colloidal quantum dot infrared photodetector and its use for intraband detection
US10263041B2 (en) Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same
JP2018524820A5 (fr)
Lhuillier et al. Recent progresses in mid infrared nanocrystal optoelectronics
JP6574182B2 (ja) 溶液から作製された無機半導体から空気中で安定な赤外線光検出器
US7742322B2 (en) Electronic and optoelectronic devices with quantum dot films
US7746681B2 (en) Methods of making quantum dot films
JP2009509129A (ja) 高利得及び高感度の量子ドット光学デバイス及びその作製方法
Izadpour et al. Plasmonic enhancement of colloidal quantum dot infrared photodetector photosensitivity
Lee et al. High-detectivity silver telluride nanoparticle-based near-infrared photodetectors functionalized with surface-plasmonic gold nanoparticles
Yadav et al. Low Cost Solvothermal Processed CTS QDs (0D)-Based Visible-NIR Photoconductor
Ramanathan et al. Grain/grain‐boundary mediated dispersive photo‐current characteristics in close space sublimated micro‐granular CdTe films
Mostaque et al. Solution-processed photodetectors
Hu Short-wave infrared photodetectors based on colloidal quantum dots
Dang Light manipulation for enhanced photodetection performance and novel functionalities in colloidal nanocrystal-based infrared sensing devices
Chang Plasmonics for improved thin-film photovoltaic cells and enhanced light extraction from organic light-emitting diodes
Pleyel A seventh sett of six quartettos for two violins, a tenor, and a violoncello: op. 20

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 2

PLSC Publication of the preliminary search report

Effective date: 20170203