FR3025868A1 - - Google Patents

Abstract

Un circuit d'éclairage (10) pour une source de lumière (2) comporte un circuit d'attaque (20) et un circuit de protection contre les surintensités (30). Le circuit d'attaque délivre de l'énergie à la source de lumière. Le circuit de protection contre les surintensités est inséré entre le circuit d'attaque et la source de lumière. Le circuit de protection contre les surintensités limite le courant de lampe circulant dans la source de lumière de sorte que le courant de lampe ne dépasse pas une valeur de seuil de surintensité. Le circuit de protection contre les surintensités (30) comporte un transistor (M31), une bobine d'induction (L31), un redresseur (D31), un détecteur de courant (32) et un contrôleur de protection contre les surintensités (34). Le détecteur de courant génère un signal de détection de courant en fonction du courant de lampe. Le contrôleur de protection contre les surintensités commande l'état PASSANT/BLOQUÉ du transistor en se basant sur le signal de détection de courant et sur la valeur de seuil de surintensité. Le transistor, la bobine d'induction et le redresseur sont disposés en forme de T.

Description

ARRIÈRE-PLAN Domaine Des exemples de modes de réalisation de l'invention concernent une lampe pour véhicule destinée à être utilisée dans une automobile ou analogue et concernent en particulier un circuit de protection contre les surintensités. Technique associée On a utilisé jusqu'à présent de façon prédominante des lampes à halogène et des lampes à décharge à haute intensité (HID) en tant que sources de lumière de lampes pour véhicule et en particulier pour des phares. L'avènement récent des sources de lumière à semiconducteur telles que les diodes électroluminescentes (DEL) progresse en tant qu'alternative.

JP 2004-140885 A (correspondant à US 2004/0070374 Al) décrit par exemple une lampe pour véhicule incluant une diode laser (également appelée « laser à semiconducteur ») et un luminophore en remplacement des DEL pour améliorer davantage la visibilité. Dans JP 2004-140885 A, le luminophore est irradié avec de la lumière ultraviolette qui est une lumière d'excitation émise par une diode laser. Le luminophore génère de la lumière blanche lorsqu'il reçoit la lumière ultraviolette. La lumière blanche générée par le luminophore est émise en avant de la lampe pour véhicule, de manière à former ainsi un motif de répartition de lumière spécifique. La figure 1 est un schéma de circuit d'une lampe pour véhicule ir étudiée par l'inventeur. Une source de lumière 2 comporte une diode laser 3. Un circuit d'éclairage lOr comporte un convertisseur élévateur (convertisseur élévateur continu-continu) qui reçoit et élève une tension d'alimentation VBAT provenant d'une batterie. Un circuit d'attaque 20r comporte une bobine d'induction L21, un transistor de commutation M21, une diode redresseuse D21 et un condensateur de sortie C21. Un contrôleur 22 exécute une commande de rétroaction pour le rapport cyclique du transistor de commutation M21 de sorte que le courant ILD s'écoulant dans la diode laser 3 correspond à un courant cible. La diode laser 3 présente une faible aptitude à supporter une surintensité. Il existe un problème en ce que la fiabilité de la diode laser 3 peut se dégrader si on lui délivre une surintensité. Une surintensité peut 3025868 2 se produire dans la lampe pour véhicule par exemple, dans les circonstances suivantes. Compte tenu de la maintenabilité, il existe un cas où la diode laser 3 est connectée au circuit d'éclairage 10r de façon à être remplaçable. De 5 façon plus spécifique, la diode laser 3 peut être connectée au circuit d'éclairage lOr par l'intermédiaire d'un connecteur. Il existe un problème en ce que, si le point de connexion du connecteur peut fluctuer entre un état de contact et un état sans contact (instabilité), la charge stockée dans le condensateur de sortie C21 du circuit d'attaque 20r peut s'écouler dans 10 la diode laser 3 au moment où le point de connexion est rétabli à l'état de contact, ce qui peut générer une surintensité. Dans l'état normal sans perturbation, le circuit d'attaque 20r effectue une opération de commutation avec un rapport cyclique fixe donné. Lorsque la tension d'alimentation VBAT augmente rapidement, il est 15 nécessaire de diminuer immédiatement le rapport cyclique pour maintenir constant le courant d'attaque (courant de lampe) ILI) s'écoulant dans la diode laser 3. Il existe toutefois un problème en ce que, en raison du retard de la boucle de rétroaction, une commutation s'effectue avec un rapport cyclique important juste avant la fluctuation de la tension 20 d'alimentation, une quantité excessive d'énergie est stockée dans la bobine d'induction et de l'énergie est délivrée à la diode laser 3 en tant que surintensité. Ces problèmes ne se produisent pas seulement dans les convertisseurs élévateurs, mais ils peuvent également se produire dans un 25 système de circuit qui commande la diode laser 3 en utilisant une source d'alimentation ayant une topologie incluant une bobine d'induction ou un transformateur et un condensateur de sortie, tel qu'un convertisseur buck (convertisseur abaisseur continu-continu), un convertisseur Cuk, un convertisseur Zeta, un convertisseur flyback ou un convertisseur direct.

30 Des problèmes similaires peuvent également se produire dans un système de circuit qui commande la diode laser 3 en utilisant un régulateur linéaire. La protection contre les surintensités est également importante dans le cas où l'on utilise une DEL en tant que source de lumière 2 à la place d'une diode laser 3.

35 302 5 8 6 8 3 RÉSUMÉ L'inventeur a cherché à insérer un circuit de protection contre les surintensités (OCP) entre le circuit d'attaque 20r et la diode laser 3, de façon à supprimer les surintensités. Les figures 2A et 2B sont des schémas 5 de circuit de circuits d'OCP étudiés par l'inventeur. Dans les circuits des figures 2A et 2B, un transistor 180 est disposé sur le trajet du courant de la lampe ILD et la valeur de résistance du transistor 180 augmente en continu avec l'augmentation du courant de lampe 'ID. C'est-à-dire que le transistor 180 joue le rôle d'élément à résistance variable.

10 Le circuit d'OCP 30r de la figure 2A comporte le transistor 180 et une résistance R31, qui sont disposés sur le trajet du courant de lampe ILD, et un amplificateur d'erreur 182. Une source d'alimentation 184 génère une tension de seuil VTH. L'amplificateur d'erreur 182 amplifie l'erreur entre la chute de tension Vs apparaissant aux bornes de la 15 résistance de détection R31 et la tension de seuil VTH et fournit ensuite en sortie l'erreur amplifiée à la grille du transistor 180. Dans le circuit d'OCP 30r, dans l'état où Vs < VTH, la tension de sortie (tension de grille du transistor 180) VG de l'amplificateur d'erreur 182 est abaissée de manière à s'approcher de la tension de la masse (0V). Le transistor 180 est ainsi 20 entièrement commuté dans l'état PASSANT. Le courant de lampe ILD augmente dans l'état de surintensité. Si Vs > VTH, alors la tension de sortie VG de l'amplificateur d'erreur 180 augmente, la tension grille-source du transistor 180 s'approche de zéro, la valeur de résistance du transistor 180 augmente et le courant de lampe 25 ILI) est supprimé. Toutefois, la compensation de phase pour stabiliser le système de commande introduit un retard de réponse non négligeable dans l'amplificateur d'erreur 182. Ainsi, lorsqu'il se produit une variation brutale de l'état d'éclairage normal (Vs < VTH) à l'état de surintensité (Vs > VTH), 30 la tension de grille VG du transistor 180 ne peut pas augmenter instantanément d'un niveau passant (0V) à un niveau bloqué, de sorte qu'une surintensité circule. Dans le circuit d'OCP 30s de la figure 2B, la chute de tension Vs de la résistance de détection 31 est introduite entre la base et l'émetteur du 35 transistor bipolaire 186. Le potentiel VG au point de connexion entre le transistor 186 et une résistance 188 est appliqué en entrée à la grille du 302 5 8 6 8 4 transistor 180. Dans l'état d'éclairage normal, le transistor 186 est BLOQUÉ et aucun courant ne circule dans la résistance 188. En conséquence, la tension de grille VG du transistor 190 est diminuée et le transistor 180 est rendu complètement PASSANT. Dans l'état de 5 surintensité, le transistor 186 est rendu PASSANT, un courant circule dans la résistance 188, la tension de grille VG du transistor 180 augmente, la valeur de résistance du transistor 180 augmente et la surintensité peut être supprimée. Toutefois, il n'y a pas une grande différence entre le courant de 10 lampe ILI) dans l'état d'éclairage normal et le courant nominal maximum de la diode laser 3 (c'est-à-dire, la valeur de seuil de protection contre les surintensités) dans la lampe pour véhicule. En conséquence, la chute de tension Vs de la résistance de détection R31 est importante dans l'état d'éclairage normal et la perte de puissance est importante. D'autre part, la 15 valeur de seuil de surintensité fluctue avec la température car la tension entre la base et l'émetteur du transistor bipolaire 186 présente des caractéristiques qui dépendent de la température. Des exemples de modes de réalisation de l'invention ont été réalisés compte tenu des circonstances ci-dessus et certains des exemples 20 de modes de réalisation fournissent un circuit d'éclairage capable de supprimer les surintensités délivrées à la source de lumière. (1) Selon un exemple de mode de réalisation, un circuit d'éclairage pour une source de lumière comporte un circuit d'attaque et un circuit de protection contre les surintensités. Le circuit d'attaque délivre de l'énergie 25 à la source de lumière. Le circuit de protection contre les surintensités est inséré entre le circuit d'attaque et la source de lumière. Le circuit de protection contre les surintensités limite le courant de lampe circulant dans la source de lumière de sorte que le courant de lampe ne dépasse pas une valeur de seuil de surintensité. Le circuit de protection contre les 30 surintensités comporte un transistor, une bobine d'induction, un redresseur, un détecteur de courant et un contrôleur de protection contre les surintensités. Le détecteur de courant génère un signal de détection de courant en fonction du courant de lampe. Le contrôleur de protection contre les surintensités commande l'état PASSANT/BLOQUÉ du transistor 35 en se basant sur le signal de détection de courant et sur la valeur de seuil 302 5 86 8 5 de surintensité. Le transistor, la bobine d'induction et le redresseur sont disposés en forme de T. Dans ce circuit de protection contre les surintensités, le transistor est commuté dans l'état PASSANT dans l'état d'éclairage normal où le 5 courant de lampe est inférieur à la valeur de seuil de surintensité. D'autre part, dans un état de surintensité où le courant de lampe est supérieur à la valeur de seuil de surintensité, le transistor est commuté dans l'état PASSANT et le trajet du courant du circuit d'attaque à la source de lumière est interrompu. C'est-à-dire que le transistor est utilisé en tant que 10 commutateur, plutôt que comme élément à résistance variable. Un circuit de protection contre les surintensités à grande vitesse peut ainsi être réalisé. D'autre part, on peut obtenir une faible perte de puissance dans l'état d'éclairage normal. De plus, la bobine d'induction peut supprimer les fluctuations dans le courant de lampe. En conséquence, même si un retard 15 apparaît en rendant le transistor PASSANT, les surintensités peuvent être supprimées. De plus, la force contre-électromotrice qui est générée lorsque le transistor est commuté dans l'état PASSANT peut être limitée par le redresseur. (2) Dans le circuit d'éclairage selon (1), si le signal de détection de 20 courant dépasse une valeur de seuil supérieure qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de surintensité, le contrôleur de protection contre les surintensités peut commuter le transistor dans l'état BLOQUÉ. Si le signal de détection de courant chute en dessous d'une valeur de seuil inférieure qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de 25 surintensité, le contrôleur de protection contre les surintensités peut commuter le transistor dans l'état PASSANT. (3) Dans le circuit d'éclairage selon (2), le contrôleur de protection contre les surintensités peut inclure un comparateur à hystérésis et un amplificateur. Le comparateur à hystérésis reçoit le signal de détection de 30 courant sur une première borne d'entrée de celui-ci. Le comparateur à hystérésis reçoit une tension de valeur de seuil prédéterminée sur une seconde borne de celui-ci. Le comparateur à hystérésis génère un signal de protection indiquant le résultat de la comparaison. L'amplificateur commande le transistor en fonction du signal de protection. 35 (4) Dans le circuit d'éclairage selon (1), si le signal de détection de courant dépasse un niveau de valeur de seuil qui est déterminé en 302 5 86 8 6 fonction de la valeur de seuil de surintensité, le contrôleur de protection contre les surintensités peut immédiatement commuter le transistor dans l'état BLOQUÉ. Si le signal de détection de courant descend en dessous du niveau de valeur de seuil, le contrôleur de protection contre les 5 surintensités peut commuter le transistor dans l'état PASSANT après qu'un temps de retard prédéterminé s'est écoulé. (5) Dans le circuit d'éclairage selon (4), le contrôleur de protection contre les surintensités peut inclure un comparateur et un premier circuit séquenceur. Le comparateur reçoit le signal de détection de courant sur 10 une première borne d'entrée de celui-ci. Le comparateur reçoit une tension de valeur de seuil prédéterminée sur une seconde borne d'entrée de celui-ci. Le comparateur génère un signal de protection qui est positionné lorsque le signal de détection de courant dépasse la tension de valeur de seuil. Le premier circuit séquenceur retarde un front, 15 correspondant à la transition du temps de retard d'un niveau positionné à un niveau annulé, du signal de protection. (6) Dans le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (5), le transistor et la bobine d'induction peuvent être disposés en série entre la sortie positive du circuit d'attaque et l'électrode positive de la 20 source de lumière. Le redresseur peut être disposé entre (i) le point de connexion entre le transistor et la bobine d'induction et (ii) une ligne de source d'alimentation qui connecte la sortie négative du circuit d'attaque et l'électrode négative de la source de lumière. (7) Dans le circuit d'éclairage selon (3), le transistor peut être un 25 MOSFET à canal p. Le contrôleur de protection contre les surintensités peut inclure en outre une source de tension. La source de tension reçoit une tension depuis le circuit d'attaque. La source de tension génère une tension qui est obtenue en décalant la tension reçue d'une valeur spécifique côté potentiel bas. La source de tension délivre la tension 30 générée à une borne de source d'alimentation côté inférieur de l'amplificateur. (8) Dans le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (5), le transistor et la bobine d'induction peuvent être disposés en série entre la sortie négative du circuit d'attaque et l'électrode négative de la 35 source de lumière. Le redresseur peut être disposé entre (i) le point de connexion entre le transistor et la bobine d'induction et (ii) une ligne de 3025868 7 source d'alimentation qui connecte la sortie positive du circuit d'attaque à l'électrode positive de la source de lumière. (9) Dans le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (8), le contrôleur de protection contre les surintensités peut inclure un 5 circuit verrou de BLOCAGE qui fixe le transistor dans l'état BLOQUÉ lorsqu'un état subsiste pendant une durée prédéterminée où le transistor effectue des commutations répétées entre les états PASSANT et BLOQUÉ. Si une défaillance se produit dans un transistor de commutation, due à un court-circuit dans le cas où le circuit d'attaque est un 10 convertisseur à commutation, si une défaillance se produit dans un transistor de sortie due à un court-circuit dans le cas où le circuit d'attaque est un régulateur linéaire ou si un circuit de rétroaction du circuit d'attaque présente une défaillance, la commande du courant d'attaque délivré à la source de lumière est perdue et l'état de surintensité 15 devient continu. Lorsque l'état de surintensité est resté continu pendant une longue période, l'exemple de mode de réalisation suppose qu'il y a une défaillance du circuit et fixe dans l'état BLOQUÉ le transistor du circuit de protection contre les surintensités. La source de lumière est ainsi éteinte et la sécurité peut être améliorée. 20 (10) Dans le circuit d'éclairage selon (9), le circuit verrou de BLOCAGE peut surveiller un signal pour demander une commutation PASSANT/BLOQUÉ du transistor. (11) Dans le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (9) à (10), le circuit verrou de BLOCAGE peut inclure un détecteur de 25 commutation, un second circuit séquenceur et un circuit de BLOCAGE forcé. Le détecteur de commutation génère un signal de détection de commutation qui adopte un premier état lorsque le transistor est établi dans l'état PASSANT et un second état lorsque le transistor commute de façon répétée entre les états PASSANT et BLOQUÉ. Le second circuit 30 séquenceur positionne le signal de suspension lorsque le second état du signal de détection de commutation s'est poursuivi pendant le temps spécifique. Le circuit de BLOCAGE forcé commute de force le transistor dans l'état BLOQUÉ lorsque le signal de suspension est positionné. (12) Le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (11) 35 peut inclure en outre un détecteur d'anomalie. Le détecteur d'anomalie surveille optiquement la source de lumière. Le détecteur d'anomalie 3025868 8 positionne un signal de détection d'anomalie lorsque l'intensité de la source de lumière dépasse un niveau autorisé dans un mode à faible luminance dans lequel la source de lumière est allumée à une intensité inférieure au niveau normal. Le transistor est commuté dans l'état 5 PASSANT lorsque le signal de détection d'anomalie est positionné. (13) Selon un autre exemple de mode de réalisation, un circuit d'éclairage pour une source de lumière comporte un circuit d'attaque, un détecteur d'anomalie et un circuit de protection. Le circuit d'attaque délivre une alimentation à la source de lumière. Le détecteur d'anomalie 10 surveille optiquement la source de lumière. Le détecteur d'anomalie positionne un signal de détection d'anomalie lorsque l'intensité de la source de lumière dépasse un niveau autorisé dans un mode à faible luminance dans lequel la source de lumière est allumée à une intensité inférieure à un niveau normal. Le circuit de protection limite l'alimentation 15 de la source de lumière provenant du circuit d'attaque lorsque le signal d'anomalie est positionné. Avec cette configuration, on peut empêcher une émission de lumière puissante dans des conditions et/ou dans des situations d'utilisation où l'intensité de la lumière doit être réduite.

20 Le mode à faible luminance peut être par exemple un mode d'essai dans lequel on fait émettre faiblement de la lumière par la source de lumière 2 pour les besoins de réglages d'axe de lumière, d'essai ou de maintenance. La sécurité des opérateurs pendant la maintenance peut ainsi être améliorée. 25 (14) Le circuit d'éclairage selon (13) peut inclure en outre un détecteur de lumière d'émission qui détecte optiquement si la source de lumière est ou non allumée normalement. Le détecteur d'anomalie peut positionner le signal de détection d'anomalie lorsque le détecteur de lumière d'émission indique un éclairage normal dans le mode à faible 30 luminance. Avec des sources de lumière à semiconducteur telles que des diodes laser, il existe parfois un mode de défaillance dans lequel la lumière cesse d'être émise (détérioration optique catastrophique (COD)) même si ses caractéristiques électriques sont normales. En conséquence, un 35 détecteur de lumière émise qui détecte optiquement la lumière émise par la diode laser peut être utilisé dans une lampe pour véhicule incluant une 3 0 2 5 86 8 9 diode laser. Une valeur de seuil de détection du détecteur de lumière émise peut être fixée à un niveau supérieur à ce qui est autorisé dans le mode à faible lumière. La sortie du détecteur de lumière émise peut ainsi également être utilisée dans la détection d'anomalie par un détecteur 5 d'anomalie. D'autre part, l'augmentation de l'aire de surface du circuit peut être supprimée. (15) Selon encore un autre exemple de mode de réalisation, une lampe pour véhicule comporte une source de lumière et le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (14) qui attaque la source de 10 lumière. La source de lumière peut inclure une diode laser et un luminophore. La diode laser émet une lumière d'excitation. Le luminophore émet une fluorescence lorsqu'il est excité par la lumière d'excitation. La source de lumière génère une lumière blanche de sortie incluant le spectre 15 de la lumière d'excitation et de la fluorescence. Selon les exemples de modes de réalisation décrit ci-dessus, un circuit peut être protégé contre une surintensité brutale. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 L'invention sera bien comprise et ses avantages seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui suit. La description se rapporte aux dessins indiqués ci-après et qui sont donnés à titre d'exemple. La figure 1 est un schéma de circuit d'un circuit d'éclairage d'une 25 source de lumière étudiée par l'inventeur ; les figures 2A et 2B sont des schémas de circuit de circuits d'OCP étudiés par l'inventeur ; la figure 3 est un schéma de circuit d'une lampe pour véhicule selon un premier exemple de mode de réalisation ; 30 la figure 4 est un schéma de circuit montrant un exemple de configuration spécifique d'un circuit d'OCP ; la figure 5 est un schéma de circuit représentant un exemple de configuration spécifique du circuit d'OCP de la figure 4 ; la figure 6A représente des formes d'onde de fonctionnement du 35 circuit d'éclairage de la figure 1 ; 3025868 10 la figure 6B représente des formes d'onde fonctionnelles des circuits d'éclairage des figures 3 à 5 ; la figure 7 est un schéma de circuit d'un circuit d'OCP selon un deuxième exemple de mode de réalisation ; 5 la figure 8 représente des formes d'onde de fonctionnement pendant le rétablissement du point de contact d'un connecteur du circuit d'éclairage de la figure 7 ; la figure 9 est un schéma de circuit montrant un exemple de configuration spécifique du circuit d'OCP de la figure 7 ; 10 la figure 10 est un schéma de circuit d'un circuit d'éclairage muni d'un circuit d'OCP selon un troisième exemple de mode de réalisation ; les figures 11A et 11B sont des schémas de circuit montrant des exemples de configurations du circuit d'OCP de la figure 10 ; la figure 12 est un schéma de circuit d'un circuit d'éclairage muni 15 d'un circuit d'OCP selon un quatrième exemple de mode de réalisation ; les figures 13A et 13B sont des schémas par blocs d'un circuit verrou de BLOCAGE ; la figure 14 est un schéma de circuit du circuit verrou de BLOCAGE ; 20 les figures 15A et 15B expliquent le fonctionnement d'un circuit verrou de BLOCAGE ; la figure 16 est un schéma par blocs d'une lampe pour véhicule selon un cinquième exemple de mode de réalisation ; la figure 17 est un schéma de circuit montrant un exemple de 25 configuration spécifique d'un circuit d'éclairage du cinquième exemple de mode de réalisation ; et la figure 18 est une vue en perspective d'une unité de lampe munie d'une lampe pour véhicule selon un exemple de mode de réalisation.

30 DESCRIPTION DÉTAILLÉE Des exemples de modes de réalisation de l'invention vont être décrits ci-dessous en référence aux dessins annexés. Des éléments constitutifs, organes et traitements identiques ou équivalents représentés 35 sur les dessins respectifs reçoivent les mêmes numéros de référence et une explication redondante de ceux-ci sera omise. De plus, les modes de 3025868 11 réalisation sont simplement des exemples et ne limitent pas l'invention. Toutes les caractéristiques décrites dans les exemples de modes de réalisation suivant et leurs combinaisons ne sont pas toujours essentielles pour l'invention.

5 Dans la présente description, un « élément A se trouve dans un état où l'élément A est connecté à un élément B » comporte le cas où l'élément A et l'élément B sont directement connectés physiquement ensemble et le cas où l'élément A est l'élément B sont indirectement connectés ensemble par l'intermédiaire d'un autre élément dans la mesure 10 où (i) il n'y a aucun impact sensible sur leur état de connexion électrique ou (ii) il n'y a aucune dégradation de la fonctionnalité et des effets fournis par leur connexion mutuelle. De façon similaire, un « élément C se trouve dans un état où l'élément C est disposé entre un élément A et un élément B » comporte le 15 cas où l'élément A est directement connecté à l'élément B, le cas où l'élément B est directement connecté à l'élément C et le cas où une connexion indirecte est réalisée par l'intermédiaire d'un autre élément dans la mesure où (i) il n'y a aucun impact sensible sur leur état de connexion électrique ou (ii) il n'y a aucune dégradation de la fonctionnalité 20 et des effets présentés par leur connexion mutuelle. Dans la présente description, les symboles attribués au signaux électriques tels que les signaux de tension et les signaux de courant, et aux éléments de circuits tels que les résistances et les condensateurs, représentent respectivement des valeurs de tension et des valeurs de 25 courant ou des valeurs de résistance et des valeurs de capacité, selon le cas. Un homme de l'art comprendra qu'il est possible de remplacer les uns par les autres des transistors bipolaires, des MOSFET et des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de permuter les transistors à 30 canal p (type pnp) et les transistors à canal n (type npn) et d'inverser électriquement la source d'alimentation et la masse. (Premier exemple de mode de réalisation) La figure 3 est un schéma de circuit d'une lampe pour véhicule 1 selon un premier exemple de mode de réalisation. La lampe pour véhicule 35 1 comporte une source de lumière 2 et un circuit d'éclairage 10 qui attaque la source de lumière 2.

302 5 8 6 8 12 La source de lumière 2 peut inclure par exemple une diode laser 3 et un luminophore (non représenté sur les dessins). La diode laser 3 émet une lumière d'excitation. Le luminophore émet une lumière fluorescente lorsqu'il est excité par la lumière d'excitation. La source de lumière est 5 configurée pour générer de la lumière blanche en sortie incluant les spectres de la lumière d'excitation et de la lumière fluorescente. En variante, la source de lumière 2 peut inclure une DEL blanche ou une combinaison de DEL rouge, verte et bleue. Lorsqu'un commutateur 6 est commuté de PASSANT à BLOQUÉ, une tension VBAT provenant d'une 10 batterie 4 est appliqué au circuit d'éclairage 10 qui élève et fournit la tension VBAT à la source de lumière 2. Le circuit d'éclairage 10 comporte un circuit d'attaque 20 et un circuit d'OCP 30. Le circuit d'attaque 20 exécute une commande de rétroaction pour l'alimentation délivrée à la source de lumière 2. Dans le 15 premier exemple de mode de réalisation, le circuit d'attaque 20 est un convertisseur élévateur de commande de courant (convertisseur élévateur). Le circuit d'attaque 20 comporte une bobine d'induction L21, un transistor de commutation M21, une diode redresseuse D21, un condensateur de sortie 21 et un contrôleur 22. Le contrôleur 22 détecte 20 un courant de lampe ILD délivré à la source de lumière 2, génère une impulsion de grille dont le rapport cyclique est réglé de façon à s'approcher d'un courant cible IREF qui est donné en fonction de la luminance cible de la source de lumière 2 et attaque le transistor de commutation M21. La tension de sortie Voir générée aux bornes du 25 condensateur de sortie C21 est délivrée à la source de lumière 2 par l'intermédiaire du circuit d'OCP 30. Le circuit d'OCP 30 est inséré entre le circuit d'attaque 20 et la source de lumière 2. Le circuit d'OCP 30 limite le courant ILD circulant dans la source de lumière 2, de sorte que le courant ILD ne dépasse pas une 30 valeur de seuil de surintensité ITH. La valeur de seuil de surintensité ITH est réglée de manière à être supérieure à la valeur maximale du courant cible IREF et à être inférieure au courant nominal maximum de la diode laser 3. Le circuit d'OCP 30 comporte un transistor M31, une bobine d'induction L31, un redresseur D31, un détecteur de courant 32 et un 35 contrôleur d'OCP 34. Le transistor M31, la bobine d'induction L31 et le redresseur D31 sont disposés en forme de T. Dans le premier exemple de 302 5 8 6 8 13 mode de réalisation, le transistor M31 et la bobine d'induction L31 sont disposés en série sur le trajet d'une ligne de source d'alimentation Lp qui connecte une sortie d'électrode positive OUTP du circuit d'attaque 20 et une électrode positive (anode) de la source de lumière 2. Le redresseur 5 D31 est disposé entre (i) le point de connexion N1 entre le transistor M31 et la bobine d'induction L31 et (ii) une ligne de source d'alimentation LN, qui connecte une sortie d'électrode négative OUTN du circuit d'attaque 20 et une électrode négative (cathode) de la source de lumière 2. Bien que l'on utilise de manière appropriée une diode en tant que redresseur D31, 10 on peut utiliser un TEC en remplacement d'une diode et on peut faire commuter le TEC de façon complémentaire au transistor M31. Le détecteur de courant 32 génère un signal de détection de courant Is fonction du courant de lampe ILD circulant dans la source de lumière 2. Le contrôleur d'OCP 34 commande la commutation 15 PASSANT/BLOQUÉ du transistor M31 en se basant sur le signal de détection de courant Is et sur la valeur de seuil de surintensité ITH. De façon plus spécifique, le contrôleur d'OCP 34 commute le transistor M31 dans l'état BLOQUÉ si le signal de détection de courant Is dépasse une valeur de seuil supérieure ITHH qui est déterminée en fonction 20 de la valeur de seuil de surintensité ITH. D'autre part, le contrôleur d'OCP 34 commute le transistor M31 dans l'état PASSANT si le signal de détection de courant Is est inférieur à une valeur de seuil inférieure ITHL qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de surintensité 'TH. Ce qui suit est la configuration de base de la lampe pour véhicule 25 1. La figure 4 est un schéma de circuit montrant un exemple de configuration spécifique du circuit d'OCP 30. Le détecteur de courant 32 comporte la résistance de détection R31 pour la détection du courant et un amplificateur 36. La résistance de détection R31 est disposée sur le 30 trajet de la ligne de la source d'alimentation Lp le long de laquelle la tension de sortie VouT est délivrée par le circuit d'attaque 20 de l'étage précédent. L'amplificateur 36 amplifie la chute de tension Vs aux bornes de la résistance de détection R31. La sortie de l'amplificateur 36 est constituée du signal de détection de courant Is qui varie de façon linéaire 35 par rapport au courant de lampe ILD. On notera que l'amplificateur 36 de la figure 4 ou de la figure 5 peut être omis. De plus, la résistance de 3025868 14 détection R31 peut être placée sur la ligne de la source d'alimentation LN en remplacement de la ligne de la source d'alimentation Lp. La résistance de détection R31 peut être utilisée en tant que résistance de détection de courant pour détecter le courant de lampe ILD lorsqu'une commande de 5 rétroaction est exécutée pour le courant de lampe ILD dans un état d'éclairage normal. Le contrôleur d'OCP 34 comporte principalement un comparateur à hystérésis 38 et un dispositif de décalage de niveau 40. Une première borne d'entrée (+) du comparateur à hystérésis 38 reçoit le signal de 10 détection de courant Is. Une seconde borne d'entrée (-) du comparateur à hystérésis 38 reçoit la valeur de seuil prédéterminée VTH. Le dispositif de décalage de niveau 40 décale de manière appropriée le niveau du signal de sortie (appelé également « signal de protection ») Sou du comparateur à hystérésis 38 et commande l'état PASSANT/BLOQUÉ du transistor M31.

15 La valeur de seuil supérieure ITHH et la valeur de seuil inférieure ITHL sont réglées dans le comparateur à hystérésis 38 en fonction de la valeur de seuil VTH. Si Is < ITHH, le comparateur à hystérésis 38 règle sa sortie SoCP au niveau haut. Si Is < ITHL, le comparateur à hystérésis 38 règle sa sortie Sou au niveau bas. Le dispositif de décalage de niveau 40 commute 20 également le transistor M31 dans l'état PASSANT lorsque le signal de protection Socp est au niveau haut. D'autre part, le dispositif de décalage de niveau 40 commute le transistor M31 dans l'état PASSANT lorsque le signal de protection Sou est au niveau bas. Le transistor M31 est, par exemple, un MOSFET à canal p. Lorsque 25 le signal de protection Sou) est au niveau bas, le dispositif de décalage de niveau 40 règle la tension de grille VG du transistor M31 au niveau bas pour commuter ainsi le transistor M31 dans l'état PASSANT. D'autre part, lorsque le signal de protection Socp est au niveau haut, le dispositif de décalage de niveau 40 règle la tension de grille VG du transistor M31 au 30 niveau haut pour commuter ainsi le transistor M31 dans l'état BLOQUÉ. La fiabilité est affectée si la tension grille-source du transistor M31 dépasse sa valeur maximale lorsqu'une tension au niveau bas est appliquée à la grille du transistor M31. Ainsi, le dispositif de décalage de niveau 40 comporte un amplificateur 42 et une source de tension 44. La 35 source de tension 44 reçoit la tension VouT du circuit d'attaque 20, génère une tension VL qui est obtenue en décalant vers le bas la tension VoUT 302 5 8 6 8 15 d'une quantité prédéterminée et délivre la tension VL à la borne de source d'alimentation côté inférieur de l'amplificateur 42. La sortie au niveau bas de l'amplificateur 42 devient la tension VL. La figure 5 est un schéma de circuit montrant un exemple de 5 configuration spécifique du circuit d'OCP 30 de la figure 4. Le comparateur à hystérésis 38 comporte un amplificateur opérationnel 0A41 et des résistances R41 à R43. Le comparateur à hystérésis 38 entre dans le circuit d'attaque 42 par l'intermédiaire d'un transistor Q41 et d'une résistance R44. Un condensateur C41 et une résistance R45 sont insérés 10 pour les besoins de la commutation à grande vitesse du transistor Q41. La source de tension 44 comporte une diode Zener ZD1, un condensateur C42, un transistor Q42 et une résistance R46. VL = VOUT Vz VF est générée par la source de tension 44, où Vz représente la tension Zener et VF représente la tension base-émetteur du transistor 15 Q42. L'amplificateur 42 comporte des transistors Q43 à Q45, une diode D41 et une résistance R47. La tension VL issue de la source de tension 44 est délivrée à la borne de source d'alimentation côté inférieur de l'amplificateur 42. Le transistor Q43 peut être commuté à une vitesse 20 supérieure en raison de la limitation Schottky par la diode D41. L'amplification de courant par les transistors Q45 et Q42 permet de commuter le transistor M31 à une vitesse supérieure. Les configurations respectives du dispositif de décalage de niveau 40, du détecteur de courant 32 et du comparateur à hystérésis 38 ne sont 25 pas limitées à l'exemple représenté sur la figure 5. Comme le comprendra un homme de l'art, il existe divers exemples modifiés et ces exemples modifiés sont également inclus dans la portée de l'invention. Le circuit d'OCP 30, le circuit d'éclairage 10 incluant le circuit d'OCP 30 et la lampe pour véhicule 1 incluant le circuit d'OCP 30 ont été 30 décrits ci-dessus. Le fonctionnement du circuit d'OCP 30, du circuit d'éclairage 10 et de la lampe pour véhicule 1 va être décrit ci-dessous. La figure 6B représente des formes d'onde fonctionnelles du circuit d'éclairage 10. Pour les besoins de clarification de l'effet du circuit d'OCP 30, la figure 6A représente des formes d'onde fonctionnelles du circuit 35 d'éclairage 10r de la figure 1 n'incluant pas le circuit d'OCP 30. Les parties supérieures des figures 6A et 6B représentent des formes d'onde au 3025868 16 moment où le connecteur entre le circuit d'éclairage 10 et la source de lumière 2 est ramené d'un état sans contact à un état de contact. D'autre part, les parties inférieures des figures 6A et 6B représentent des formes d'onde qui apparaissent lorsque la tension de la source d'alimentation 5 VBAT passe rapidement de 9 V à 16 V. On se réfère aux parties supérieures des figures 6A et 6B. Comme représenté sur la figure 6A, dans le cas où le circuit d'OCP 30 n'est pas prévu, lorsque le connecteur est ramené de l'état sans contact à l'état de contact, le courant de lampe ILD devient une surintensité d'une valeur 10 maximale de 8 A. En revanche, comme représenté sur la figure 6B, la fourniture du circuit d'OCP 30 permet de maintenir le courant de lampe ILD entre la valeur de seuil supérieure ITHH et la valeur de seuil inférieure ITFIL et on peut supprimer les surintensités. On se réfère ensuite aux parties inférieures des figures 6A et 6B.

15 Comme représenté sur la figure 6A, dans le cas où le circuit d'OCP 30 n'est pas prévu, lorsque la tension de la source d'alimentation VBAT augmente rapidement de 9 V à 16 V, le courant de lampe ILD devient une surintensité d'une valeur maximale de 5 A. En revanche, comme représenté sur la figure 6B, la fourniture du circuit d'OCP 30 permet de 20 maintenir le courant de lampe ILD entre la valeur de seuil supérieure ITFIFI et la valeur de seuil inférieure ITHL et on peut supprimer les surintensités. Le fonctionnement du circuit d'éclairage 10 a été décrit ci-dessus. Ainsi, selon le circuit d'éclairage 10, le transistor M31 est commuté dans l'état PASSANT dans l'état d'éclairage normal où le courant de lampe 25 ILD est inférieur à la valeur de seuil de surintensité ITH. D'autre part, dans l'état de surintensité où le courant de lampe ILD est supérieur à la valeur de seuil de surintensité ITH, le transistor M31 est commuté dans l'état PASSANT pour interrompre ainsi le trajet de courant du circuit d'attaque 20 à la source de lumière 2. C'est-à-dire que puisque le transistor M31 est 30 utilisé en tant que commutateur au lieu de l'être en tant qu'élément de résistance variable, on peut réaliser une protection contre les surintensités à grande vitesse. De plus, puisque le transistor M31 est entièrement commuté dans l'état PASSANT dans l'état d'éclairage normal, on peut également diminuer la perte de puissance.

35 De plus, la fourniture de la bobine d'induction L31 permet de supprimer les fluctuations du courant de lampe ILD. En conséquence, 302 5 8 6 8 17 même dans le cas où un retard se produit lors du passage dans l'état BLOQUÉ du transistor M31, on peut supprimer les surintensités. De plus, lorsque le transistor M31 est commuté dans l'état PASSANT, la force contre-électromotrice peut également être limitée par le redresseur D31.

5 De plus, le signal de détection de courant Is correspondant au courant de lampe ILD est comparé aux deux valeurs de seuil ITHH, présentant une hystérésis et le transistor M31 est commuté en fonction du résultat de la comparaison. Ceci permet d'obtenir une protection stabilisée contre les surintensités.

10 Dans ce circuit d'éclairage 10, puisque les valeurs de seuil ITH (ITHH, ITHL) sont réglées à une valeur supérieure au courant cible TREF, le circuit d'OCP 30 ne fonctionne pas dans l'état d'éclairage normal. En conséquence, on garantit la priorité à la boucle de rétroaction de commande de courant du circuit d'attaque 20. 15 (Deuxième exemple de mode de réalisation) La figure 7 est un schéma de circuit d'un circuit d'OCP selon un deuxième exemple de mode de réalisation. Un circuit d'OCP 60 comporte un transistor M61, une bobine d'induction L61, un redresseur D61, un détecteur de courant 62 et un contrôleur d'OCP 64. Le transistor M61, la 20 bobine d'induction L61 et le redresseur D61 sont disposés en forme de T de façon similaire au premier exemple de mode de réalisation. Dans le deuxième exemple de mode de réalisation, le transistor M61 et la bobine d'induction L61 sont disposés en série sur le trajet de la ligne de la source d'alimentation LN. Un transistor, commandé de manière à être commuté 25 dans l'état PASSANT/BLOQUÉ de façon complémentaire au transistor M61, peut être utilisé à la place du redresseur D61. Le détecteur de courant 62 détecte le courant de lampe ILD et génère le signal de détection de courant Is en fonction du courant de lampe ILD. Le contrôleur d'OCP 64 commande l'état PASSANT/BLOQUÉ du 30 transistor M61 en se basant sur le signal de détection de courant Is et sur la valeur de seuil de surintensité ITH. De façon plus spécifique, dans le deuxième exemple de mode de réalisation, si le signal de détection de courant Is dépasse la valeur de seuil de surintensité ITH, le contrôleur d'OCP 64 commute immédiatement 35 le transistor M61 dans l'état BLOQUÉ. Si le signal de détection de courant Is chute en dessous de la valeur de seuil de surintensité ITH, le contrôleur 302 5 8 6 8 18 d'OCP 64 commute le transistor M61 dans l'état PASSANT après qu'un temps de retard donné ti s'est écoulé. Le contrôleur d'OCP 64 comporte un comparateur 66 et un premier circuit séquenceur 68. Le comparateur 66 compare le signal de 5 détection de courant Is à la valeur de seuil de surintensité ITH. Si Is > le contrôleur d'OCP 64 génère un signal de protection positionné Sou (par exemple, au niveau haut). Lorsque le signal de protection Sou) effectue une transition d'un niveau annulé à un niveau positionné, le premier circuit séquenceur 68 10 commute immédiatement le transistor M61 dans l'état BLOQUÉ sans retard. Inversement, lorsque le signal de protection Soc effectue une transition du niveau positionné au niveau annulé, le premier circuit séquenceur 68 commute le transistor M61 dans l'état PASSANT après un retard du temps de retard T. Le premier circuit séquenceur 68 peut être 15 considéré comme un circuit de retard qui est effectif pour un front parmi le front positif et le front négatif du signal de protection Socp et n'a aucun effet pour l'autre front. La figure 8 représente des formes d'onde du circuit d'éclairage 10 lorsque le contact du connecteur du circuit d'éclairage 10 de la figure 7 est 20 rétabli. Le contact est rétabli au temps tO. Une charge stockée dans le condensateur de sortie Cl du circuit d'attaque 20 circule ainsi dans la source de lumière 2 et le courant de lampe ILD augmente brutalement. Si le courant de lampe Tu) dépasse la valeur de seuil 'TH, le signal de protection Sou est positionné (au niveau haut dans ce cas) et le 25 transistor M61 est immédiatement commuté dans l'état PASSANT. Lorsque le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT, le courant de lampe ILL) commence à diminuer à travers la bobine d'induction L61 et la diode D61 et devient rapidement inférieur à la valeur de seuil ITH et le signal de protection Soc est annulé. Les fronts correspondant au signal de 30 protection Soc effectuant une transition de l'état positionné à l'état annulé (fronts négatifs) sont retardés par le premier circuit séquenceur 68. Le transistor M61 est commuté en retour dans l'état PASSANT après que le temps de retard 1' s'est écoulé. Lorsque le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT, le courant de lampe ILD commence à augmenter. Le 35 circuit d'OCP 60 répète cette opération, ce qui permet de limiter le courant 302 5 8 6 8 19 de lampe ILD à des valeurs inférieures à la valeur de seuil de surintensité ITH- La pente de la diminution du courant de lampe ILL) pendant le temps de retard i dépend de la bobine d'induction L61 et de la tension VLD 5 aux bornes de la diode laser 3, et elle est donnée par VLD/L61. En conséquence, la valeur de la diminution du courant de lampe ILD pendant le temps de retard 'C est égale à T x VLD/L61. En conséquence, puisque le temps de retard T est déterminé de façon à satisfaire à ILow = ITH T X VLD/L61 > IREF, la protection contre les surintensités fonctionne dans 10 l'état d'éclairage normal et on peut empêcher le transistor M61 de commuter. Ainsi, le passage dans l'état PASSANT du transistor M61 est retardé par le contrôleur d'OCP 64 du deuxième exemple de mode de réalisation, ce qui permet de limiter le courant de lampe ILD à des valeurs 15 comprises entre les valeurs de seuil ITH et ILow. La figure 9 est un schéma de circuit montrant un exemple spécifique de configuration du circuit d'OCP 60 de la figure 7. Le détecteur de courant 62 comporte une résistance R62 pour la détection du courant. La résistance R62 est disposée sur le trajet du courant de lampe ILD. La 20 chute de tension aux bornes de la résistance R62 constitue le signal de détection de courant I. De façon similaire au premier exemple de mode de réalisation, un amplificateur qui amplifie la chute de tension aux bornes de la résistance R62 peut être ajouté. La résistance R62 est disposée sur la ligne de la source d'alimentation LN qui connecte la sortie d'électrode 25 négative OUTN du circuit d'attaque 20 de l'étage précédent et la borne d'électrode négative (cathode) de la source de lumière 2. De façon similaire au premier exemple de mode de réalisation, la résistance R62 peut être disposée sur la ligne de la source d'alimentation L. Des résistances R63 à R67 et un amplificateur opérationnel 0A61 30 constituent un comparateur à hystérésis et correspondent au comparateur 66 représenté sur la figure 7. On notera que cette hystérésis sert à empêcher une instabilité et que l'hystérésis est ici différente au sens technique de celle du premier exemple de mode de réalisation. Le premier circuit séquenceur 68 comporte une résistance R68, un 35 transistor M62 et un condensateur C61. Le condensateur C61 peut utiliser la capacité de grille du transistor M61. Lorsque le signal de protection SOCP 302 5 868 20 est positionné (au niveau haut), le transistor M62 est commuté dans l'état PASSANT, le condensateur C61 se décharge immédiatement, la tension grille-source du transistor M61 devient nulle, le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT et la protection contre les surintensités est 5 activée. Lorsque le signal de protection Sccp est annulé (niveau bas), le transistor M62 est commuté dans l'état PASSANT. Le condensateur C61 est chargé à travers la résistance R68 avec une constante de temps donnée. Après un temps de retard i correspondant à l'écoulement de la 10 constante de temps, la tension grille-source du transistor M61 dépasse la valeur de la tension de seuil d'un TEC, le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT et la protection contre les surintensités est désactivée. Une diode D62 est prévue pour les besoins de la limitation de la force contre-électromotrice de la bobine d'induction L61 lorsque la ligne de 15 connexion entre le circuit d'éclairage 10 et la source de lumière 2 et en particulier le connecteur, est dans un état déconnecté. Le deuxième exemple de mode de réalisation présente l'effet avantageux suivant par rapport au premier exemple de mode de réalisation.

20 Dans le deuxième exemple de mode de réalisation, lorsque le courant de lampe ILD dépasse la valeur de seuil donnée ITH, le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT. Après cela, lorsque le courant de lampe ILL) chute jusqu'à un niveau ILow qui est inférieur à la valeur de seuil ITH, le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT. Dans ce sens, le 25 deuxième exemple de mode de réalisation est similaire au premier exemple de mode de réalisation. Toutefois, les premier et deuxième exemples de modes de réalisation sont différents en ce que, tandis que le premier exemple de mode de réalisation règle le niveau côté inférieur ILOW en utilisant la valeur de seuil inférieure ITHL du comparateur à hystérésis, 30 le deuxième exemple de mode de réalisation règle le niveau côté inférieur ILow en utilisant le temps de retard T. Dans le circuit d'OCP 30 de la figure 4, il est nécessaire de comparer le courant de lampe ILD à la valeur de seuil inférieure ITHL au moyen du comparateur à hystérésis 38 dans un état où le transistor M31 35 est dans l'état BLOQUÉ. En conséquence, la résistance de détection R31 ne peut pas être disposée côté borne de masse (OUTN) du transistor M31.

302 5 8 6 8 21 En conséquence, pour que le comparateur à hystérésis 38 effectue la comparaison de tension en utilisant la tension de la masse comme référence, il est nécessaire que l'amplificateur 36 convertisse la chute de tension Vs en un signal de détection de courant Is qui est basé sur la 5 tension de la masse servant de référence. Toutefois, puisque l'amplificateur à grande vitesse 36 est généralement coûteux, le coût peut être important dans le circuit d'OCP 30 de la figure 4. En revanche, dans le deuxième exemple de mode de réalisation, puisque le séquencement selon lequel le transistor M61 est mis dans l'état 10 PASSANT est déterminé par le premier circuit séquenceur 68, il n'est pas nécessaire que le courant de lampe ILD soit détecté pendant le temps où le transistor M61 est dans l'état BLOQUÉ. C'est-à-dire que la résistance R62 de détection du courant de lampe ILD peut être disposée côté borne de masse (OUTN) comme représenté sur la figure 9. Ainsi, le signal de 15 détection de courant Is qui est fondé sur la tension de la masse servant de référence peut être généré même sans l'amplificateur 36 de la figure 4. En conséquence, le coût peut être réduit. (Troisième exemple de mode de réalisation) La figure 10 est un schéma de circuit d'un circuit d'éclairage 10 20 muni d'un circuit d'OCP selon un troisième exemple de mode de réalisation. Un circuit d'OCP 50 est inséré entre un circuit d'attaque 20 et une diode laser 3 dans le troisième exemple de mode de réalisation. Le circuit d'OCP 50 comporte un détecteur de courant 52, un comparateur 54, un circuit séquenceur 56, un transistor de dérivation M51 25 et une résistance de limitation de courant R51. Le détecteur de courant 52 détecte un courant de lampe ILD et génère un signal de détection de courant Is fonction du courant de lampe ILD. Le comparateur 54 compare le signal de détection de courant Is à la valeur de seuil de surintensité ITH et génère un signal de protection 30 positionné (par exemple, au niveau haut) Soc lorsque Is > ITH. Il est préférable que le comparateur 54 soit un comparateur à hystérésis. La résistance de limitation de courant R51 est disposée sur le trajet du courant de lampe Tu> Le transistor de dérivation M51 est disposé en parallèle avec la résistance de limitation de courant R51. Le transistor 35 de dérivation M51 est commuté dans l'état PASSANT pendant une période au cours de laquelle le signal de protection Sou est annulé. D'autre part, 302 5 8 6 8 22 le transistor de dérivation M51 est commuté dans l'état PASSANT pendant une période au cours de laquelle le signal de protection Soep est positionné. Le circuit séquenceur 56 est inséré entre le transistor de dérivation 5 M51 et le comparateur 54. Lorsque le signal de protection Socp effectue une transition d'un état annulé à un état positionné, le circuit séquenceur 56 commute immédiatement le transistor de dérivation M51 dans l'état BLOQUÉ sans retard. Inversement, lorsque le signal de protection Soc effectue une transition du niveau positionné au niveau annulé, le circuit 10 séquenceur 56 commute le transistor de dérivation M51 dans l'état PASSANT après qu'un retard de temps spécifique s'est écoulé. Le circuit séquenceur 56 peut être considéré comme un circuit de retard qui prend effet pour un front parmi le front positif et le front négatif du signal de protection Sou et n'a aucun effet pour l'autre front.

15 Lorsqu'un état de surintensité de ILD > ITH est détecté, le circuit d'OCP 50 selon le troisième exemple de mode de réalisation commute immédiatement le transistor M51 dans l'état BLOQUÉ et la surintensité peut être supprimée. Inversement, lorsque l'état est ramené à un état d'éclairage normal de ILD < ITH, le transistor de dérivation M51 est 20 commuté dans l'état PASSANT après qu'un retard de temps s'est écoulé, la résistance de limitation de courant R51 est contournée et la source de lumière 2 peut être attaquée avec une faible perte de puissance. Lorsque le circuit d'éclairage 10 et le connecteur de la source de lumière 2 sont dans un état sans contact (séparés), la tension de sortie 25 V0D-r du circuit d'attaque 20 devient une tension prédéterminée Vocv. En supposant que VL représente la tension de sortie \foui- du circuit d'attaque 20 dans l'état d'éclairage normal, un courant maximum 'MAX qui circule dans la source de lumière 2 lorsque le point de connexion du connecteur est rétabli est obtenu par (Vocv - VL)/R51. En conséquence, la diode laser 30 3 peut être protégée de manière convenable en déterminant la valeur de résistance de la résistance R51 de sorte que le courant maximum 'MAX ne dépasse pas le courant nominal maximum (courant autorisé) de la diode laser 3. Les figures 11A et 11B sont des schémas de circuit montrant des 35 exemples de configuration du circuit d'OCP de la figure 10.

302 5 8 6 8 23 Le circuit d'OCP 50 de la figure 11A va être décrit ci-dessous. Le détecteur de courant 52 comporte une résistance R52 pour la détection de courant. La résistance R52 est disposée sur le trajet du courant de lampe Io. La chute de tension aux bornes de la résistance R52 constitue le signal 5 de détection de courant Is. De façon similaire au premier exemple de mode de réalisation, un amplificateur qui amplifie la chute de tension aux bornes de la résistance R52 peut être ajouté. La résistance R52 est disposée sur une ligne de source d'alimentation LN qui connecte la sortie d'électrode négative OUTN du circuit d'attaque 20 de l'étage précédent et 10 l'électrode négative (cathode) de la source de lumière 2. On notera que la résistance R52 peut être disposée sur une ligne de source d'alimentation Lp de façon similaire au premier exemple de mode de réalisation. Un amplificateur opérationnel 0A51, des résistances R53 à R56 et un transistor M52 constituent un comparateur à hystérésis et 15 correspondent au comparateur 54 de la figure 10. Le niveau positionné du signal de protection Soc de la figure 11A est le niveau bas. Le circuit séquenceur 56 comporte une résistance R57, un transistor Q51 et un condensateur C51. Lorsque le signal de protection Socp est positionné (niveau bas), le transistor Q51 est commuté dans l'état 20 PASSANT, le condensateur C51 se décharge immédiatement, la tension grille-source du transistor de dérivation M51 devient nulle, le transistor de dérivation M51 est commuté dans l'état PASSANT et la protection contre les surintensités est activée. Lorsque le signal de protection S0 est annulé (niveau haut), le 25 transistor Q51 est commuté dans l'état PASSANT. Le condensateur C51 est chargé avec une constante de temps donnée à travers la résistance R57 et après un temps de retard correspondant à l'écoulement de la constante de temps, la tension grille-source du transistor de dérivation M51 dépasse la tension de la valeur de seuil d'un TEC, le transistor de 30 dérivation M51 est commuté dans l'état PASSANT et la protection contre les surintensités est désactivée. Le circuit d'OCP 50 de la figure 11A peut activer de manière fiable une limitation de courant à une petite échelle, avec un petit nombre de composants et à faible coût.

35 Lorsqu'une surintensité est détectée, le circuit d'OCP 50 de la figure 11A commute immédiatement dans l'état bloqué le transistor de 302 5 8 6 8 24 dérivation M51. Il est toutefois difficile d'annuler le retard. En raison de ce retard, un problème peut apparaître tel que le courant de lampe ILD dépasse le courant nominal maximum (courant autorisé) de la diode laser 3 avant que le transistor de dérivation M51 soit commuté dans l'état 5 PASSANT. Puis, le circuit d'OCP 50 de la figure 11B comporte en outre une bobine d'induction L51 qui est disposée en série avec la résistance de limitation de courant R51. Les fluctuations rapides du courant de lampe ILD sont ainsi supprimées. Une diode D51 est également disposée en parallèle 10 avec la bobine d'induction L51. La diode Dl peut absorber (bloquer) la force contre-électromotrice générée par la bobine d'adduction L51. (Quatrième exemple de mode de réalisation) La figure 12 est un schéma de circuit d'un circuit d'éclairage muni du circuit d'OCP selon un quatrième exemple de mode de réalisation. Les 15 différences entre le circuit d'éclairage 10a de la figure 12 et le circuit d'éclairage 10 de la figure 7 vont être décrites. Un contrôleur d'OCP 64a d'un circuit d'OCP 60a comporte en outre un circuit verrou de BLOCAGE 70 en plus du comparateur 66 et du premier circuit séquenceur 68. Comme décrit ci-dessus, dans le circuit d'OCP 60, le transistor M61 20 est continuellement dans l'état PASSANT dans l'état normal dans lequel Is < ITH. Un état de surintensité dans lequel Is dépasse ITH donne également naissance à un état dans lequel le transistor M61 est commuté de façon répétée dans l'état PASSANT/BLOQUÉ (appelé « état de commutation »).

25 Dans l'état de commutation dans lequel le transistor M61 commute de façon répétée dans l'état PASSANT/BLOQUÉ pendant une durée prédéterminée T2, le circuit verrou de BLOCAGE 70 fixe (verrouille en BLOCAGE) le signal de grille du transistor M61 à un niveau bas de façon à fixer le transistor M61 dans l'état BLOQUÉ. Le temps prédéterminé 30 T2 peut se situer par exemple dans une plage allant de quelques centaines de millisecondes à plusieurs secondes. De façon plus spécifique, le temps prédéterminé T2 peut être par exemple de 0,2 seconde. Le circuit verrou de BLOCAGE 70 détermine si le transistor M61 est dans l'état PASSANT fixe et si le transistor M61 est ou non en 35 commutation, en surveillant un signal (appels ci-après « signal de commande de grille ») S10 qui demande le passage dans l'état 302 5 8 6 8 25 PASSANT/BLOQUÉ du transistor M61. Le signal de commande de grille S10 peut être le signal de protection Sou, peut être le signal de grille du transistor M61, c'est-à-dire le signal de sortie du premier circuit séquenceur 68 ou peut être un signal interne du premier circuit 5 séquenceur 68. Les effets avantageux suivants sont obtenus en fournissant le circuit verrou de BLOCAGE 70. Lorsqu'une défaillance se produit dans laquelle le transistor de commutation est court-circuité ou que le circuit de rétroaction présente 10 une défaillance dans le cas où le circuit d'attaque 20 est un convertisseur à commutation (en particulier, un convertisseur abaisseur), comme décrit ci-dessus, il devient impossible de commander le courant de lampe ILD délivré à la diode laser 3 et l'état de surintensité se poursuit. Dans cet exemple de mode de réalisation, le circuit verrou de BLOCAGE 70 est 15 prévu. Lorsque l'état de surintensité se produit pendant une longue durée, on suppose que le circuit présente une défaillance et le transistor M61 du circuit d'OCP 60 est fixé dans l'état BLOQUÉ. La diode laser 3 est ainsi désactivée et la sécurité peut être améliorée. La figure 13A est un schéma par blocs du circuit verrou de 20 BLOCAGE 70. Le circuit verrou de BLOCAGE 70 comporte un détecteur de commutation 72, un second circuit séquenceur 74, un circuit de verrouillage 76 et un circuit de BLOCAGE forcé 78. Le détecteur de commutation 72 génère un signal de détection de commutation S11 tel que (i) si le transistor M61 reste dans l'état 25 PASSANT, le signal de détection de commutation S11 est dans un premier état (par exemple, au niveau haut) et (ii) si le transistor de commutation M61 est dans l'état de commutation où le transistor M61 est commuté de façon répétée dans l'état PASSANT/BLOQUÉ, le signal de détection de commutation S11 est dans un second état (par exemple, au niveau bas).

30 Comme décrit ci-dessus, le détecteur de commutation 72 peut surveiller l'un quelconque du signal de protection Sou, du signal de grille du transistor M61 et du signal interne du premier circuit séquenceur 68. Si le signal de détection de commutation S11 s'est retrouvé dans le second état (niveau bas) de façon continue pendant une durée 35 prédéterminée T2, le second circuit séquenceur 74 positionne le signal de suspension S12. Si le signal de suspension S12 est positionné, le circuit de 302 5 868 26 verrouillage 76 verrouille cet état. Si le signal de suspension positionné S12 est verrouillé, le circuit de BLOCAGE forcé 78 fixe de force le transistor M61 dans l'état BLOQUÉ. Le circuit de BLOCAGE forcé 78 peut inclure par exemple un commutateur qui est disposé entre la grille du 5 transistor M61 et la masse. Si le signal de suspension positionné S12 est verrouillé, le circuit de blocage 76 peut délivrer en sortie un signal BLOQUÉ au niveau haut S13. Si le signal BLOQUÉ S13 est au niveau haut, le commutateur peut être commuté dans l'état PASSANT. La figure 13B montre un exemple modifié du circuit de BLOCAGE 10 forcé 78. Le circuit de BLOCAGE forcé 78 peut être configuré comme une porte logique qui effectue des opérations logiques pour un signal de grille SG qui commande l'état PASSANT/BLOQUÉ du transistor M61 et pour la sortie S13 du circuit de verrouillage 76A et délivre en sortie la sortie résultante SG' à la grille du transistor M61. Lorsque par exemple le circuit 15 de verrouillage 76 est configuré de sorte qu'un signal BLOQUÉ au niveau bas S13 est délivré en sortie pendant une période au cours de laquelle le signal de suspension positionné S12 est verrouillé, la porte logique peut être une porte logique OU négative. La figure 14 est un schéma de circuit du circuit verrou de 20 BLOCAGE 70. Le signal de commande de grille SG (S10) est appliqué à l'entrée de la borne d'E/S du circuit verrou de BLOCAGE 70. Dans le cas par exemple où le circuit verrou de BLOCAGE 70 est disposé dans le circuit d'OCP 60 de la figure 9, le drain du transistor M62 (la grille du transistor M61) est connecté à la borne d'E/S.

25 Le détecteur de commutation 72 comporte principalement un filtre passe bas 80 et un étage de sortie 82. Le filtre passe bas 80 élimine les composantes à haute fréquence qui sont associées avec la commutation du signal de commande de grille S10 de façon à lisser ainsi le signal de commande de grille S10. Le filtre passe bas 80 comporte un condensateur 30 C3, un circuit de charge 84 et un circuit de décharge 86. Une extrémité du condensateur C3 est reliée à la masse et l'autre extrémité est connectée à un transistor Tr5 qui constitue le circuit de charge. Le circuit de décharge 86 est disposé entre l'autre extrémité du condensateur C3 et la masse. L'étage de sortie 82 comporte deux étages inverseurs en série. Le 35 premier étage inverseur comporte un transistor Tr6 et une résistance R4.

3025868 27 Le second étage inverseur comporte un transistor Tr7 et des résistances R5, R6. Le second circuit séquenceur 74 comporte principalement un condensateur C4 et un comparateur 88. Les résistances R7, R8 et le 5 condensateur C5 divisent la tension d'alimentation Vcc et génèrent une tension de référence (tension de valeur de référence) VTH. La sortie du détecteur de commutation 72 est connectée au condensateur C4. Une diode D2 constitue un dispositif de calage de tension. Le comparateur 88 compare la tension Vc4 du condensateur C4 à la tension de référence VTH.

10 Un filtre passe bas incluant une résistance R9 et un condensateur C6 est connecté à la sortie du comparateur 88. Le circuit de verrouillage 76 comporte un circuit multivibrateur bistable (appelé également bascule ou verrou) 90. Le circuit multivibrateur bistable 90 peut inclure des transistors Tr9 à Tr10 et des résistances R10 à 15 R11. Puisque la configuration et le fonctionnement du circuit multivibrateur bistable 90 sont connus, sa description sera omise. La configuration du circuit multivibrateur bistable 90 n'est pas particulièrement limitée, et une bascule D, un verrou D ou analogue peut être utilisé en tant que circuit multivibrateur bistable 90. La sortie du 20 circuit multivibrateur bistable 90 est délivrée en sortie au circuit de BLOCAGE forcé 78. Le circuit de verrouillage 76 comporte en outre un circuit de réinitialisation à la mise sous tension 92. Le circuit de réinitialisation à la mise sous tension 92 réinitialise le circuit multivibrateur bistable 90 à un 25 état initial lorsque la tension de la source d'alimentation Vcc est appliquée en entrée. Le circuit de réinitialisation à la mise sous tension 92 comporte, par exemple, des résistances R12 à R14 et des transistors Trll, Tr12. Le circuit de BLOCAGE forcé 78 comporte un transistor Tr13 disposé entre (i) une ligne 94 qui transmet le signal de commande de 30 grille S10 et (ii) la masse. Le transistor Tr13 est commuté dans l'état PASSANT lorsque la sortie S13 du circuit de verrouillage 76 est au niveau haut. Lorsque le transistor Tr13 est commuté dans l'état PASSANT, le signal de commande de grille S10 est fixé au niveau bas et le transistor M61 est commuté de force dans l'état BLOQUÉ.

35 Le fonctionnement du circuit verrou de BLOCAGE 70 va ensuite être décrit.

302 5 8 6 8 28 Les figures 15A et 15B sont des schémas destinés à expliquer le fonctionnement du circuit verrou de BLOCAGE 70. La figure 15A représente une opération de protection contre les surintensités. Dans l'état normal, avant un temps tO, le courant d'attaque ILD est 5 maintenu à un courant cible IREF. Le signal de commande de grille S10 reste au niveau haut à ce moment. En conséquence, le transistor Tr5 est dans l'état BLOQUÉ, le transistor Tr6 est dans l'état BLOQUÉ et Tr7 est dans l'état PASSANT. La charge du condensateur C4 est ainsi évacuée à travers le transistor Tr7 et la tension Vc4 est maintenue à 0 V.

10 Lorsque le mode passe dans un état de surintensité au temps tO, le courant d'attaque ILI) augmente. Dans l'état de surintensité, le signal de commande de grille S10 du transistor M61 oscille et le transistor M61 effectue une commutation. Le courant d'attaque ILD est ainsi maintenu de façon à ne pas dépasser la valeur de seuil 'TH.

15 Lorsque le signal de commande de grille S10 commute, le transistor Tr5 commute. La tension Vo aux bornes du condensateur C3 augmente en conséquence, le transistor Tr6 commute dans l'état PASSANT et le transistor Tr7 commute dans l'état BLOQUÉ. Lorsque le transistor Tr7 commute dans l'état BLOQUÉ, le 20 condensateur C4 est chargé à travers la résistance R5 et la tension du condensateur Vc4 augmente avec le temps. Puis, lorsque la tension du condensateur Vc4 dépasse la tension de seuil VTH à un temps tl après que le temps prédéterminé T2 s'est écoulé, la sortie du comparateur 88 passe au niveau haut et le transistor Tr8 commute dans l'état PASSANT. Le 25 circuit multivibrateur bistable 90 est en conséquence bloqué dans un état où le transistor Tr10 est dans l'état BLOQUÉ et le transistor Tr9 est dans l'état PASSANT. Ainsi, le signal BLOQUÉ S13 est fixé au niveau haut. Le transistor Tr13 est en conséquence commuté dans l'état PASSANT, le signal de commande de grille S10 passe au niveau bas et le transistor M61 30 est commuté de force dans l'état BLOQUÉ. L'opération de réinitialisation à la mise sous tension au moment où la source d'alimentation est appliquée en entrée va ensuite être décrite en référence à la figure 15B. Lorsque la source d'alimentation est appliquée en entrée au temps tO, la tension de la source d'alimentation Vcc 35 commence à augmenter. Le fonctionnement du circuit est instable entre le temps tO et le temps t1.

302 5 8 6 8 29 La tension qui est obtenue en divisant la tension de la source d'alimentation Vcc par les résistances R13, R14 est délivrée à la base du transistor Tr12. Du temps tl au temps t2, la tension base-émetteur du transistor Tr12 est inférieure à 0,6 V et le transistor Tr12 est en 5 conséquence dans l'état BLOQUÉ. À ce moment, la tension de la source d'alimentation Vcc est délivrée à la base du transistor Tri 1 à travers la résistance R12, cette tension de base S14 est maintenue aux environs de 0,6 V et le transistor Trl 1 est commuté dans l'état PASSANT. Le signal BLOQUÉ S13 est ainsi réinitialisé au niveau bas.

10 La tension de la source d'alimentation Vcc augmente à partir du début du temps t2. Lorsque la tension de base du transistor Tr12 dépasse 0,6 V, le transistor Tr12 commute dans l'état PASSANT et le transistor Tri 1 commute dans l'état BLOQUÉ. La réinitialisation du circuit multivibrateur bistable 90 est ainsi désactivée. On peut donc commencer à 15 attaquer la diode laser 3 à partir d'un état où le BLOCAGE forcé est désactivé par la réinitialisation à la mise sous tension lorsque la source d'alimentation est appliquée en entrée. (Cinquième exemple de mode de réalisation) La figure 16 est un schéma par blocs d'une lampe pour véhicule 20 lb selon un cinquième exemple de mode de réalisation. Le circuit d'attaque 20 peut être un convertisseur à commutation à courant constant. Dans cet exemple de mode de réalisation, la source de lumière 2 comporte la diode laser 3 et un luminophore. Le circuit d'attaque 20 possède plusieurs modes pouvant être sélectionnés. Le circuit d'attaque 25 20 provoque l'émission de lumière par la diode laser 3 avec une intensité différente dans chaque mode. Le circuit d'attaque 20 est capable par exemple de commuter entre un premier mode et un deuxième mode. Dans le premier mode, le circuit d'attaque 20 provoque l'émission de lumière par la diode laser 3 avec une intensité normale. Dans le deuxième 30 mode, le circuit d'attaque 20 provoque l'émission de lumière par la diode laser 3 avec une intensité inférieure à l'intensité normale. Le premier mode peut être par exemple un mode de déplacement dans lequel le circuit d'attaque 20 provoque l'émission de lumière par la source de lumière 2 avec une intensité suffisante pour éclairer en avant du véhicule 35 pendant un parcours normal. Le deuxième mode peut être un mode d'essai dans lequel le circuit d'attaque 20 provoque une faible émission de 302 5 8 6 8 30 lumière par la source de lumière 2 pour les besoins de réglages d'axe de lumière, d'essai ou de maintenance. Une unité de commande électronique (ECU) 8 délivre au circuit d'attaque 20 un signal de mode SMODE indiquant le mode courant. L'ECU 8 peut être installée côté véhicule ou peut être 5 installée côté lampe pour véhicule lb. On suppose que le deuxième mode est un mode d'essai dans lequel de la lumière est destinée à être émise avec une faible luminance. Dans ce cas, si la source de lumière 2 émet de la lumière avec une forte luminance, il existe un problème en ce qu'un éblouissement peut se 10 produire pour les travailleurs proches et analogue. De même, on suppose en variante que le deuxième mode est un mode dans lequel de la lumière doit être émise avec une faible luminance pendant que le véhicule se déplace. Dans ce cas, si la source de lumière 2 émet de la lumière avec une forte luminance, un éblouissement peut être provoqué à un véhicule 15 venant en sens inverse et à un piéton. C'est-à-dire qu'il s'agit d'un état anormal pour que la source de lumière 2 émette de lumière avec une forte luminance dans le deuxième mode. Pour résoudre ces problèmes, un détecteur d'anomalie 100 et un circuit de protection 110 sont prévus dans la lampe pour véhicule lb.

20 Le détecteur d'anomalie 100 surveille optiquement la source de lumière 2. Lorsque l'intensité de la source de lumière 2 dépasse un niveau autorisé dans un mode à faible luminance dans lequel la source de lumière 2 est allumée avec une intensité inférieure à l'intensité normale, le détecteur d'anomalie 100 positionne le signal de détection d'anomalie S20.

25 La lampe pour véhicule lb nécessite une fonction pour générer un signal de diagnostic qui avertit l'ECU côté véhicule d'une défaillance d'éclairage de la source de lumière 2. Il existe un mode de défaillance dans lequel la diode laser 3 n'émet pas de lumière (détérioration optique catastrophique (COD)), même si les caractéristiques électriques de la 30 diode laser 3 sont normales. En conséquence, la simple surveillance des caractéristiques électriques n'est pas suffisante pour détecter une défaillance de la diode laser 3. Il existe un cas dans lequel un détecteur d'émission de lumière 102 est prévu, détectant optiquement la lumière émise par la diode laser 3. Le détecteur d'émission de lumière 102 35 comporte une photodiode, un phototransistor, un capteur CMOS, un dispositif à couplage de charges ou analogue. Le détecteur d'émission de 3025868 31 lumière 100 peut déterminer si la source de lumière 2 est ou non allumée normalement. Si le détecteur d'émission de lumière 102 détecte que la source de lumière 2 n'est pas allumée dans le mode normal, le détecteur d'émission 5 de lumière 102 positionne le signal ScoD (par exemple, au niveau haut). D'autre part, le signal Som est annulé (niveau bas) pendant l'éclairage normal. Le signal Scot) est transmis côté véhicule en tant que signal de diagnostic. Dans un exemple de mode de réalisation préféré, le détecteur 10 d'émission de lumière 102 peut également être utilisé pour détecter un état anormal dans le deuxième mode. C'est-à-dire que la valeur de seuil de détection du détecteur d'émission de lumière 102 est fixée de manière à être supérieure au niveau autorisé dans le mode de faible luminance et le détecteur d'anomalie 100 est référencé à la sortie Som du détecteur 15 d'émission de lumière 102. Ainsi, la sortie Som du détecteur d'émission de lumière 102 peut être utilisée dans la détection d'anomalie effectuée par le détecteur d'anomalie 100. De façon plus spécifique, lorsque le signal Scop est annulé dans le deuxième mode, le détecteur d'anomalie 100 peut déterminer l'état anormal. Puisqu'un détecteur de lumière d'émission n'est 20 pas nécessaire dans le deuxième mode, l'augmentation de l'aire de surface du circuit peut être supprimée. Un autre détecteur de lumière d'émission pour détecter une anomalie dans le deuxième mode peut également être prévu en plus du détecteur d'émission de lumière 102 pour la détection de COD. Dans ce 25 cas, les niveaux autorisés (valeurs de seuil) peuvent être fixés individuellement. Si le signal de détection d'anomalie S20 est positionné, le circuit de protection 110 limite l'alimentation du circuit d'attaque 20 à la source de lumière 2. Des exemples de limitation de l'alimentation comportent 30 l'interruption de l'alimentation, la diminution de l'alimentation et analogue. Le circuit de protection 110 peut être configuré par exemple de manière à inclure un commutateur 112 disposé sur le trajet du courant d'attaque 'ID et pour interrompre la fourniture de l'alimentation à la source de lumière 2 en commutant le commutateur 112 dans l'état BLOQUÉ.

35 La configuration de la lampe pour véhicule lb selon le cinquième exemple de mode de réalisation a été décrite ci-dessus. Le 302 5 8 6 8 32 fonctionnement de la lampe pour véhicule lb va ensuite être décrit. Lorsque le signal de mode SMODE indique le deuxième mode, le circuit d'attaque 20 délivre un petit courant d'attaque ILD à la source de lumière 2. La source de lumière 2 émet ensuite de la lumière avec une luminance 5 fonction du petit courant d'attaque ILD. Dans le cas où la source de lumière 2 utilise une combinaison de la diode laser 3 et du luminophore, si une anomalie se produit, telle que le détachement du luminophore, la lumière d'excitation de la diode laser 3 est émise telle quelle. Si la source de lumière 2 est normale, le détecteur d'émission de 10 lumière 102 détecte uniquement une lumière faible à un niveau inférieur au niveau autorisé du deuxième mode. Ainsi, le signal Scot) doit être positionné. Si toutefois la source de lumière 2 est anormale, le détecteur d'émission de lumière 102 détecte alors de la lumière avec une intensité suffisante pour que le signal Saxo soit annulé. Si le signal de mode SMODE 15 indique le deuxième mode et que le signal Sax) est annulé, le détecteur d'anomalie 100 positionne le signal de détection d'anomalie S20. Le commutateur 112 du circuit de protection 110 est en conséquence commuté dans l'état PASSANT et l'émission de lumière par la diode laser 3 est immédiatement arrêtée.

20 De cette manière, le circuit d'éclairage 10b de la figure 16 empêche la lumière d'excitation de fuir telle quelle lorsque la diode laser 3 est allumée dans le mode d'essai dans un état où une anomalie se produit dans le luminophore et empêche les travailleurs proches et analogue d'être éclairés. En conséquence, la sécurité peut être améliorée.

25 La figure 17 est un schéma de circuit montrant un exemple de configuration spécifique d'un circuit d'éclairage 10b selon le cinquième exemple de mode de réalisation. Le détecteur d'anomalie 100 peut être configuré par une combinaison de portes logiques. Si le niveau haut du signal de mode SMODE correspond au deuxième mode, le détecteur 30 d'anomalie 100 peut inclure un inverseur 120 et une porte ET 122. L'inverseur 120 inverse le signal Som. La sortie de l'inverseur 120 est positionnée (niveau haut) lorsque la diode laser 3 émet de la lumière dépassant le niveau autorisé. La porte ET 122 effectue la somme logique du signal de mode SMODE et de la sortie de l'inverseur 120 et délivre le 35 résultat en sortie en tant que signal de détection d'anomalie S20. On notera que l'affectation du niveau haut/niveau bas à chaque signal peut 302 5 8 6 8 33 être modifiée et dans ce cas, des inverseurs peuvent être ajoutés ou omis ou des portes OU peuvent être remplacées par des portes ET. Le circuit d'éclairage 10c de la figure 17 peut être considéré comme une combinaison du circuit d'éclairage 10b de la figure 16 et du 5 circuit d'éclairage 10a de la figure 12. En plus du circuit d'OCP 60a de la figure 12, le circuit de protection 110 comporte également une porte logique 114. Le transistor M61 correspond au commutateur 112 de la figure 16. Un détecteur de surintensité 116 correspond au détecteur de courant 62 et au comparateur 66 de la figure 16. La porte logique 114 10 applique un déclenchement de démarrage au premier circuit séquenceur 68 lorsque le signal de protection Socp est positionné ou lorsque le signal de détection d'anomalie S20 est positionné. La porte logique 114 peut être par exemple une porte OÙ. On notera que la configuration du circuit de protection 110 n'est 15 pas limitée à celle de la figure 17. Le circuit de protection 110 peut inclure par exemple le circuit d'OCP 30 de la figure 2 ou des figures 3 à 5 ou peut inclure le circuit d'OCP 60 des figures 7 et 9 ou peut inclure le circuit d'OCP 50 des figures 10 et 11. En variante, le circuit de protection 110 peut simplement inclure le commutateur 112 seul comme représenté sur 20 la figure 16 lorsqu'une combinaison avec la fonction de protection contre les surintensités n'est pas exigée. Une application de la lampe pour véhicule 1 va enfin être décrite. La figure 18 est une vue en perspective d'une unité de lampe (assemblage de lampe) 500 munie de la lampe pour véhicule 1 selon l'exemple de 25 mode de réalisation. L'unité de lampe 500 comporte un couvercle transparent 502, une unité de feux de route 504, une unité de feux de croisement 506 et un boîtier 508. La lampe pour véhicule 1 décrite ci-dessus peut être utilisée par exemple dans l'unité de feux de route 504. La lampe pour véhicule 1 peut inclure une seule ou plusieurs sources de 30 lumière 2. La lampe pour véhicule 1 peut également être utilisée dans l'unité de feux de croisement 506 à la place de l'unité de feux de route 504 ou en plus de celle-ci. L'invention a été expliquée ci-dessus en se basant sur les exemples de modes de réalisation. Toutefois, ces exemples de modes de 35 réalisation sont simplement des exemples et un homme de l'art comprendra que divers exemples modifiés sont possibles en combinant les 3025868 34 éléments de configuration respectifs et les processus de traitement respectifs, ces exemples modifiés appartenant également à la portée de l'invention. De tels exemples modifiés vont être décrits ci-dessous. (Premier exemple modifié) 5 Dans les exemples de modes de réalisation, le circuit d'attaque 20 est un convertisseur à commutation. Toutefois, l'invention n'y est pas limitée. Un régulateur linéaire ou une combinaison d'un convertisseur à commutation et d'un régulateur linéaire peut être utilisée. Les effets avantageux décrits pour chacun des exemples de modes de réalisation 10 peuvent également être obtenus. (Deuxième exemple modifié) Le circuit verrou de BLOCAGE 70 décrit dans le quatrième exemple de mode de réalisation est également applicable aux circuits d'OCP 30 des figures 3 et 5. Dans ce cas, en remplacement du transistor M61, le circuit 15 verrou de BLOCAGE 70 peut être configuré pour fixer le transistor M61 dans l'état BLOQUÉ lorsqu'un état subsiste pendant le temps prédéterminé T2 durant lequel le transistor M31 effectue une commutation répétée entre les états PASSANT et BLOQUÉ. En variante, le circuit verrou de BLOCAGE 70 peut être combiné avec le circuit d'OCP 50 des figures 10, 20 11A et 11B. Une explication de l'invention a été donnée en termes spécifiques en se basant sur ses exemples de modes de réalisation. Toutefois, les exemples de modes de réalisation illustrent simplement les principes et l'application de l'invention. Un grand nombre d'exemples modifiés et de 25 variantes de dispositions peuvent être réalisés sur les exemples de modes de réalisation dans une portée ne s'écartant pas de l'esprit de l'invention tel que défini par les revendications.

Claims (15)

1. REVENDICATIONS1. Circuit d'éclairage (10, 10a) pour une source de lumière (2), le circuit d'éclairage (10, 10a) comprenant : un circuit d'attaque (20) qui délivre de l'énergie à la source de lumière (2) ; et un circuit de protection contre les surintensités (30, 60, 60a) qui est inséré entre le circuit d'attaque (20) et la source de lumière (2) et qui limite le courant de lampe (ILD) circulant dans la source de lumière (2) de 10 sorte que le courant de lampe (ILD) ne dépasse pas une valeur de seuil de surintensité (ITH), dans lequel le circuit de protection contre les surintensités (30, 60, 60a) comprend : un transistor (M31, M61), une bobine d'induction (L31, L61), un redresseur (D31, D61), un détecteur de courant (32, 62) qui génère un signal de détection de courant (Is) en fonction du courant de lampe (ILD), et un contrôleur de protection contre les surintensités (34, 64, 64a) 20 qui commande l'état PASSANT/BLOQUÉ du transistor (M31, M61) en se basant sur le signal de détection de courant (Is) et sur la valeur de seuil de surintensité (ITH), le transistor (M31, M61), la bobine d'induction (L31, L61) et le redresseur (D31, D61) sont disposés en forme de T.
2. 2. Circuit d'éclairage (10) selon la revendication 1, dans lequel si le signal de détection de courant (Is) dépasse une valeur de seuil supérieure (ITHH) qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de surintensité (ITH), le contrôleur de protection contre les surintensités (34) commute le transistor (M31) dans l'état BLOQUÉ, et si le signal de détection de courant (Is) chute en dessous d'une valeur de seuil inférieure (ITHL) qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de surintensité (ITH), le contrôleur de protection contre les surintensités (34) commute le transistor (M31) dans l'état PASSANT.
3. 3. Circuit d'éclairage (10) selon la revendication 2, dans lequel le contrôleur de protection contre les surintensités (34) comprend : un comparateur à hystérésis (38) qui reçoit le signal de détection de courant (Is) sur une première borne d'entrée de celui-ci, reçoit une tension de valeur de seuil prédéterminée (VTH) sur une seconde borne d'entrée de celui-ci, et génère un signal de protection (Socp) indiquant le résultat de la comparaison, et un amplificateur (42), qui commande le transistor (M31) en fonction du signal de protection (Socp).
4. 4. Circuit d'éclairage (10, 10a) selon la revendication 1, dans lequel si le signal de détection de courant (Is) dépasse un niveau de valeur de seuil qui est déterminé en fonction de la valeur de seuil de surintensité (ITH), le contrôleur de protection contre les surintensités (64) 15 commute immédiatement le transistor (M61) dans l'état BLOQUÉ, et si le signal de détection de courant (Is) descend en dessous du niveau de valeur de seuil, le contrôleur de protection contre les surintensités (64) commute le transistor (M61) dans l'état PASSANT après qu'un temps de retard prédéterminé (t) s'est écoulé.
5. 5. Circuit d'éclairage (10, 10a) selon la revendication 4, dans lequel le contrôleur de protection contre les surintensités (64) comprend un comparateur (66) qui reçoit le signal de détection de courant (Is) sur une première 25 borne d'entrée celui-ci, qui reçoit une tension de valeur de seuil prédéterminée sur une seconde borne d'entrée celui-ci, et qui génère un signal de protection (Socp) qui est positionné lorsque le signal de détection de courant (Is) dépasse la tension de valeur 30 de seuil, et un premier circuit séquenceur (68) qui retarde un front, correspondant à la transition du temps de retard (t) d'un niveau positionné à un niveau annulé, du signal de protection (SOCP).
6. 6. Circuit d'éclairage (10) selon l'une quelconque des 35 revendications 1 à 5, dans lequel : le transistor (M31) et la bobine d'induction (L31) sont disposés en série entre la sortie positive du circuit d'attaque (20) et l'électrode positive de la source de lumière (2), et le redresseur (D31) est disposé entre (i) le point de connexion entre le transistor (M31) et la bobine d'induction (L31) et (ii) une ligne de source d'alimentation (Lp) qui connecte la sortie négative du circuit d'attaque (20) et l'électrode négative de la source de lumière (20).
7. 7. Circuit d'éclairage (10) selon la revendication 3, dans lequel le transistor (M31 est un MOSFET à canal p, et le contrôleur de protection contre les surintensités (34) comprend en outre une source de tension (44) qui reçoit une tension (VouT) depuis le circuit d'attaque (20), qui génère une tension qui est obtenue en décalant la tension reçue d'une valeur spécifique côté potentiel bas, et qui délivre la tension générée (VL) à une borne de source d'alimentation côté inférieur du circuit d'attaque (42).
8. 8. Circuit d'éclairage (10a) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le transistor (M61) et la bobine d'induction (L61) sont disposés en série entre la sortie négative du circuit d'attaque (20) et l'électrode négative de la source de lumière (2) ; et le redresseur (D61) est disposé entre (i) le point de connexion entre le transistor (M61) et la bobine d'induction (L61) et (ii) une ligne de source d'alimentation (Lp) qui connecte la sortie positive du circuit d'attaque (20) à l'électrode positive de la source de lumière (2).
9. 9. Circuit d'éclairage (10a) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le contrôleur de protection contre les surintensités (64a) comprend un circuit verrou de BLOCAGE (70) qui fixe le transistor (M61) dans l'état BLOQUÉ lorsqu'un état subsiste pendant une durée prédéterminée (i2) où le transistor (M61) effectue des commutations répétées entre les états PASSANT et BLOQUÉ.
10. 10. Circuit d'éclairage (10a) selon la revendication 9, dans lequel le circuit verrou de BLOCAGE (70) surveille un signal pour demander une commutation PASSANT/BLOQUÉ du transistor (M61).
11. 11. Circuit d'éclairage (10a) selon l'une quelconque des revendications 9 à 10, dans lequel 302 5 868 38 le circuit verrou de BLOCAGE (70) comprend un détecteur de commutation (72) qui génère un signal de détection de commutation (S11) qui adopte un premier état lorsque le transistor (M61) est établi dans l'état 5 PASSANT, et un second état lorsque le transistor (M61) commute de façon répétée entre les états PASSANT et BLOQUÉ ; un second circuit séquenceur (74) qui positionne un signal de suspension (S12) lorsque le second état du signal de détection de 10 commutation (S11) s'est poursuivi pendant le temps spécifique (r2), et un circuit de BLOCAGE forcé (78) qui commute de force le transistor (M61) dans l'état BLOQUÉ lorsque le signal de suspension (S12) est positionné.
12. 12. Circuit d'éclairage (10, 10a) selon l'une quelconque des 15 revendications 1 à 11, comprenant en outre un détecteur d'anomalie (100) qui surveille optiquement la source de lumière (2) et qui positionne un signal de détection d'anomalie (S20) lorsque l'intensité de la source de lumière (20) dépasse un niveau autorisé dans un mode à faible luminance dans lequel la source de lumière (2) est 20 allumée à une intensité inférieure au niveau normal, dans lequel le transistor (M31, M61) est commuté dans l'état PASSANT lorsque le signal de détection d'anomalie (S20) est positionné.
13. 13. Circuit d'éclairage (10b) pour une source de lumière (2), le circuit d'éclairage (10b) comprenant : 25 un circuit d'attaque (20) qui délivre de l'énergie à la source de lumière (2) ; un détecteur d'anomalie (100) qui surveille optiquement la source de lumière (2) et qui positionne un signal de détection d'anomalie (S20) lorsque l'intensité de la source de lumière (20) dépasse un niveau autorisé 30 dans un mode à faible luminance dans lequel la source de lumière (2) est allumée à une intensité inférieure à un niveau normal ; et un circuit de protection (110) qui limite l'alimentation de la source de lumière (2) provenant du circuit d'attaque (20) lorsque le signal d'anomalie (S20) est positionné. 35
14. 14. Circuit d'éclairage (10b) selon la revendication 13, comprenant en outre : 3025868 39 un détecteur de lumière d'émission (102) qui détecte optiquement si la source de lumière (2) est ou non allumée normalement, dans lequel le détecteur d'anomalie (100) positionne le signal de détection d'anomalie (S20) lorsque le détecteur de lumière d'émission (102) indique 5 un éclairage normal dans le mode à faible luminance.
15. 15. Lampe pour véhicule (1, la, lb) comprenant : une source de lumière (2) ; et le circuit d'éclairage (10, 10a, 10b) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14 qui attaque la source de lumière (2). 10