FR3009479A1 - Structure de blindage de compartiments contre les emi et procede de fabrication de celle-ci - Google Patents

Structure de blindage de compartiments contre les emi et procede de fabrication de celle-ci Download PDF

Info

Publication number
FR3009479A1
FR3009479A1 FR1359377A FR1359377A FR3009479A1 FR 3009479 A1 FR3009479 A1 FR 3009479A1 FR 1359377 A FR1359377 A FR 1359377A FR 1359377 A FR1359377 A FR 1359377A FR 3009479 A1 FR3009479 A1 FR 3009479A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
trench
encapsulation
encapsulating
disposed
peripheral surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1359377A
Other languages
English (en)
Other versions
FR3009479B1 (fr
Inventor
Jen-Chun Chen
xiao-wen Cao
He-Yi Chang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Universal Scientific Industrial Shanghai Co Ltd
Original Assignee
Universal Scientific Industrial Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Universal Scientific Industrial Shanghai Co Ltd filed Critical Universal Scientific Industrial Shanghai Co Ltd
Publication of FR3009479A1 publication Critical patent/FR3009479A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR3009479B1 publication Critical patent/FR3009479B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0037—Housings with compartments containing a PCB, e.g. partitioning walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/142—HF devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/142—HF devices
    • H01L2924/1421—RF devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Une structure de blindage de compartiments contre les EMI intégrée à un boîtier comprend un élément d'encapsulation (130) disposé sur une surface de montage (S1) d'un substrat (110). Le substrat (110) comporte une pastille de masse (112) agencée de manière exposée sur celui-ci. L'élément d'encapsulation (130), qui définit une surface périphérique (P1), recouvre la pastille de masse (112) et encapsule au moins un élément électronique (120). Une structure de compartimentage (140) est disposée dans l'élément d'encapsulation (130), connectant électriquement la pastille de masse (112) et divisant sensiblement l'élément d'encapsulation (130) en au moins deux compartiments de boîtier. Les parties terminales (F12) de la structure de compartimentage (140) sont agencées dans l'élément d'encapsulation (130) à proximité de la surface périphérique (P1), cependant sans compromettre celle-ci. Une encoche est disposée dans l'élément d'encapsulation (130) à partir de la surface périphérique (P1) correspondant à l'emplacement des parties terminales (F12) de la structure de compartimentage (140) pour exposer la surface latérale (P1) de celui-ci sur l'épaisseur de l'élément d'encapsulation (130). Un blindage (140) conforme est disposé sur l'élément d'encapsulation (130), connectant électriquement la structure de compartimentage (140) par l'intermédiaire de l'encoche (N1).

Description

STRUCTURE DE BLINDAGE DE COMPARTIMENTS CONTRE LES EMI ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELLE-CI Domaine de l'invention La présente invention concerne une structure de blindage contre les interférences électromagnétiques (EMI) et, plus spécifiquement, une structure de blindage de compartiments contre les EMI appropriée pour un boîtier électronique de petites dimensions et 10 un procédé de fabrication de celle-ci. Contexte Alors que les dispositifs électroniques modernes sont adaptés pour une vitesse et une performance 15 toujours plus élevées, la fréquence de fonctionnement des composants électroniques augmente considérablement comparée à celle des dispositifs du passé. Une fréquence de fonctionnement plus élevée entraîne habituellement la génération d'une émission 20 électromagnétique (EM) plus intense. D'autre part, étant donné que le souhait de miniaturisation des dispositifs devient une tendance qui ne peut pas être arrêtée, la diminution des dimensions physiques des dispositifs électroniques modernes signifie que la 25 diaphonie/l'interférence potentielle provoquée par les émissions EM des composants à proximité deviendra inévitable. Les mesures classiques contre les EMI/la diaphonie impliquent souvent la fourniture de boîtiers de 30 blindage métalliques dans lesquels des parois de compartimentage sont agencées et qui sont souvent disposés sur un boîtier électronique par l'intermédiaire d'un adhésif. La dimension physique d'une structure de blindage construite séparément peut être trop importante et lourde pour les dispositifs 5 électroniques miniatures d'aujourd'hui. De plus, cet agencement classique manque généralement d'uniformité structurelle, et le boîtier de blindage est susceptible de se détacher du boîtier. D'autres mesures de prévention contre les EMI connues impliquent souvent 10 des structures de blindage contre les EMI dont la fabrication nécessite l 'utilisation intensive d'équipements coûteux. Par conséquent, il est souhaitable de fournir une structure de compartimentage contre les EMI qui est non 15 seulement capable de fournir une performance de blindage fiable, mais qui peut également être fabriquée par des procédés rentables. Résumé 20 Un aspect de la présente invention fournit un module de boîtier électronique comportant une structure de blindage de compartiments contre les interférences électromagnétiques (EMI) intégrée qui est capable de réaliser un isolement électromagnétique complet entre 25 les compartiments, et qui peut être fabriquée par des procédés rentables tels qu'un processus de dépôt par pulvérisation. Un autre aspect de la présente invention fournit un procédé pour fabriquer une structure de blindage de 30 compartiments contre les EMI intégrée dans un boîtier électronique par des techniques fiables et rentables.
Le procédé de fabrication est approprié pour une adaptation à une large gamme d'applications, en particulier dans des dispositifs de petites dimensions. Le procédé est approprié pour réaliser un blindage de compartiments EMI structurellement sûr et fonctionnellement fiable dans des boîtiers électroniques allant d'un dispositif à puce unique à une sous-partie d'une structure de boîtier intégrée complexe.
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, de la présente invention vont être décrits dans la description détaillée qui suit des exemples de modes de réalisation de la présente invention ou deviendront évidents aux hommes du métier à la lecture de celle-ci. Brève description des dessins L'invention, ainsi qu'un mode d'utilisation préféré, d'autres objets et avantages de celle-ci, seront mieux compris en référence à la description détaillée qui suit de modes de réalisation illustratifs lors d'une lecture conjointement avec les dessins joints, sur lesquels : La figure lA montre une vue plane d'un boîtier 25 électronique utilisant une structure de blindage de compartiments contre les EMI selon la présente invention. surface de montage S1 de celui-ci, pour encapsuler les éléments électroniques 120 à protéger. L'élément d'encapsulation 130 définit au moins une surface périphérique/latérale Pl. Dans le présent exemple de mode de réalisation, l'élément d'encapsulation 130 reprend sensiblement la forme d'un prisme rectangulaire plat, qui comporte une surface supérieure et quatre côtés périphériques continus bien que discrets. Cependant, la forme de l'élément d'encapsulation ne doit pas être limitée à l'illustration fournie par le présent exemple, mais devrait dépendre d'une spécification fonctionnelle particulière et de besoins fonctionnels spécifiques. Par exemple, dans certaines applications, l'élément d'encapsulation peut être une structure sensiblement cylindrique ; dans d'autres applications, il peut même prendre la forme d'un hémisphère. Une tranchée Fl confinée est disposée dans l'élément d'encapsulation 130, divisant sensiblement l'élément d'encapsulation en au moins deux régions (lorsqu'il est vu à partir du dessus), définissant de ce fait au moins deux compartiments de boîtier 130a dans celui-ci. Spécifiquement, la tranchée Fl est formée de manière pénétrante de la surface supérieure de l'élément d'encapsulation vers la surface inférieure de celui-ci, et est structurée/positionnée de manière correspondante pour révéler/exposer au moins partiellement la pastille de masse 112 sur la surface de montage S1 du substrat 110. De plus, la tranchée Fl est structurée dans l'élément d'encapsulation (en vue du dessus, comme montré sur la figure 1A), les parties d'extrémité F12 de celle-ci étant confinées dans les limites définies par la surface périphérique Pl, c'est-à-dire, sans compromettre la surface périphérique Pl de l'élément d'encapsulation 130. Il conviendrait de noter que, bien que le présent exemple de mode de réalisation s'adapte à un motif de tranchée Fl découpé sensiblement droit qui est formé sensiblement perpendiculairement à la surface de montage S1 avec une largeur sensiblement uniforme Tl (comme montré sur la vue en coupe transversale de la figure 1C) , dans d'autres applications, le motif de tranchée, l'angle de pénétration et la forme en coupe en vue du dessus de celui-ci peuvent varier en fonction de considérations fonctionnelles spécifiques ou pour s'adapter à différentes spécifications de fabrication. Par exemple, 15 dans certains modes de réalisation, le motif de tranchée peut comprendre des segments et des coudes, (comme montré par la figure 1B) ; dans certains cas, il peut même comprendre des segments dentelés et/ou curvilignes. De même, la forme en coupe de la tranchée 20 (qui définit la largeur Tl de celle-ci) ne doit pas être sensiblement uniforme, mais peut être une forme trapézoïdale inverse, la largeur de la tranchée étant plus grande en haut et plus petite en bas, tant que la profondeur de la tranchée Fl est suffisante pour 25 exposer la pastille de masse 112 sur la surface de montage S1 du substrat 110. La tranchée confinée est disposée dans l'élément d'encapsulation de manière à définir au moins deux compartiments de boîtier, qui sont finalement fabriqués 30 en des compartiments de blindage, isolés individuellement, contre les EMI. Dans le présent exemple de mode de réalisation, la tranchée Fl définit deux compartiments de boîtier 130a dans l'élément encapsulé 130, au moins l'un des compartiments 130a contenant au moins un élément électronique 120.
Cependant, il conviendrait de noter que le nombre de compartiments ainsi que le nombre de composants électroniques encapsulés dans ceux-ci dépendront de spécifications fonctionnelles particulières et de besoins fonctionnels spécifiques, et ne devraient pas 10 être limités à l'illustration graphique fournie pour le présent exemple de mode de réalisation. L'élément d'encapsulation 130 peut comprendre un adhésif d'encapsulation de module, et est utilisé pour fournir une protection structurelle aux fils, aux 15 pastilles et aux conducteurs des éléments de circuit et pour éviter un c o u r t-circuit électrique. Spécifiquement, l'élément d'encapsulation 130 peut être réalisé à partir de divers matériaux préimprégnés (préimprégnés), tels qu'un préimprégné à fibres de 20 verre, un préimprégné à fibres de carbone, un préimprégné de résine époxy, etc. La structure de compartimentage 140 est formée en disposant un matériau conducteur dans la tranchée Fl. Spécifiquement, un matériau conducteur est disposé dans 25 la tranchée Fl au moins de manière à recouvrir la surface de la tranchée et est durci pour former la structure de compartimentage 140. Etant donné que la tranchée Fl est suffisamment profonde pour exposer la pastille de masse 112 sur la surface de montage 112, le 30 matériau conducteur disposé dans la tranchée établira un contact avec celle-ci. Lors du durcissement, une structure de compartimentage 140 qui connecte électriquement la pastille de masse 112 est formée. La structure de compartimentage 140 comprend au moins une largeur latérale (comme illustré par le segment de droite Cl sur la vue du dessus de la figure lA) et au moins une longueur latérale (comme illustré par le segment de droite C2 sur la vue du dessus de la figure 1A). Veuillez-vous référer à la figure lA. La largeur latérale Cl de la structure de compartimentage 140, qui correspond à la partie terminale F12 de la tranchée Fl, est agencée à proximité de la surface périphérique Pl de l'élément d'encapsulation 130 cependant confinée dans les limites définies par celle-ci, tandis que la longueur latérale C2 s'étend dans les limites susmentionnées. Des encoches Ni sont respectivement disposées dans l'élément d'encapsulation 130 à partir de la surface périphérique Pl à des emplacements correspondant aux parties terminales de la tranchée pour exposer la largeur latérale Cl de la structure de compartimentage 140. De plus, l'encoche N1 est de préférence disposée de manière à permettre l'exposition de la surface latérale de la structure de compartimentage 140 sur la hauteur (épaisseur) de l'élément d'encapsulation 130, c'est-à-dire de la surface supérieure jusqu'au fond de celui-ci, de sorte qu'un isolement latéral complet puisse être établi lors du dépôt du blindage 150 conforme (dont les détails seront examinés dans une section ultérieure). La largeur de l'encoche N1, comme illustré par la 30 largeur L2 montrée sur la vue du dessus de la figure lA, est de préférence plus large que celle de la tranchée Fl (qui correspond également sensiblement à la largeur de la structure de compartimentage 140), comme illustré par la largeur Tl. Dans le présent exemple de mode de réalisation, la largeur Tl de la structure de compartimentage 140 est de 60 pm à 180 pm ; la largeur L2 de l'encoche N1 est de 80 pm à 200 pm. La structure de compartimentage 140 est réalisée en un matériau électriquement conducteur. Le matériau peut comprendre un matériau métallique tel que du 10 cuivre, de l'aluminium, du bromure d'argent, ou similaire ; elle peut également être réalisée en un matériau polymérique conducteur tel que du polyaniline (Pan), du polypyrrole (PYy), du polythiophène (PTh), ou n'importe quelle combinaison appropriée de ceux-ci. 15 Le blindage 150 conforme est disposé sur l'élément d'encapsulation 130 et recouvre au moins partiellement la surface périphérique Pl. En pratique, le blindage 150 conforme est de préférence disposé sur la surface exposée de l'élément d'encapsulation 130 pour former un 20 blindage conducteur entourant les composants électroniques à protéger. Dans certaines applications, il est souhaitable d'étendre davantage la couverture du blindage 150 conforme de l'élément d'encapsulation 130 jusqu'à au moins une partie de la surface de substrat 25 (comme illustré par la figure 1C, sur laquelle la couverture du blindage 150 conforme s'étend de la surface supérieure de l'élément d'encapsulation 130, s 'étendant continûment à travers la surface périphérique Pl de celui-ci et finalement jusqu'à la 30 partie latérale du substrat 110). De plus, le blindage 150 conforme, qui est disposé sur la surface extérieure de l'élément d'encapsulation 130 pour réaliser une couverture de blindage pour les composants électroniques contenus dans celui-ci, établit un contact physique (ainsi qu'une connexion électrique) avec les parties exposées de la structure de compartimentage 140 respectivement à travers la surface supérieure de l'élément d'encapsulation (c'est-à-dire, à travers l'ouverture supérieure de la tranchée) et les encoches N1 disposées sur la surface latérale/périphérique Pl, formant de ce fait une structure de blindage d'isolement complet autour de chaque compartiment de boîtier 130a. Un procédé de fabrication pour réaliser une structure de blindage de compartiments contre les interférences électromagnétiques (EMI) selon la présente invention va maintenant être examiné avec référence aux illustrations graphiques fournies par les figures 3A à 3G. Veuillez-vous référer à la figure 3A. Un substrat 110 comportant une surface de montage S1 est fourni pour le montage d'au moins un élément électronique 120. Le substrat 110 comprend une pastille de masse 112 agencée de manière exposée sur la surface de montage Sl. Dans le présent exemple de mode de réalisation, le substrat 110 est une bande/un panneau de substrat de circuit de grande taille qui sert de support pour une pluralité de boîtiers électroniques (la figure 3A ne montre qu'une partie de celui-ci qui correspond à l'un des boîtiers électroniques), qui fera l'objet d'une découpe en une pluralité de boîtiers individuels à une étape ultérieure. Les éléments électroniques 120 peuvent comprendre des composants actifs et/ou passifs tels que des circuits intégrés d'émetteur-récepteur, des circuits de mémoire et d'autres circuits intégrés qui produisent des signaux électromagnétiques avec des fréquences fondamentales/harmoniques dans des bandes radiofréquence, ainsi que des puces électroniques, des transistors, des diodes, des inductances, des condensateurs, des résistances et des commutateurs. Comme mentionné précédemment, le nombre, le type et l'agencement des éléments électroniques 120 dépendront d'une spécification fonctionnelle particulière et de besoins fonctionnels spécifiques, et ne devraient pas être limités à l'illustration graphique fournie pour le présent exemple de mode de réalisation. De plus, l'interconnexion entre l'élément électronique 120 et le substrat 110 peut être effectuée par une liaison par fil, des billes de soudure, et/ou n'importe quelles autres techniques appropriées. Veuillez-vous référer à la figure 3B. L'élément d'encapsulation 130 est disposé sur le substrat 110 de manière à recouvrir au moins partiellement la surface de montage S1 et encapsuler les éléments électroniques 120 à protéger. L'élément d'encapsulation 130 est disposé pour fournir une protection structurelle aux fils, aux pastilles et aux conducteurs des éléments de circuit sur la surface de montage Sl, pour éviter ainsi un court-circuit électrique. L'élément d'encapsulation 130 peut être réalisé à partir de divers matériaux préimprégnés (préimprégnés), tels qu'un préimprégné à fibres de verre, un préimprégné à fibres de carbone, un préimprégné de résine époxy, etc. Structurellement, l'élément d'encapsulation 130 définit au moins une surface périphérique Pl. Veuillez-vous référer à la figure 3C. Une tranchée confinée doit être disposée dans l'élément d'encapsulation 130 pour diviser sensiblement l'élément d'encapsulation en au moins deux régions, définissant de ce fait au moins deux compartiments de boîtier 130a dans celui-ci. En fonction du procédé de formation de la tranchée, le dépôt d'un masque de protection 160 sur l'élément d'encapsulation 130 peut être souhaitable. Par exemple, dans le présent exemple de mode de réalisation, un processus de gravure au laser est adapté pour former la tranchée. Comme il est connu que la technique de gravure au laser produit beaucoup de poussière pendant le processus de retrait de matériau, il est souvent souhaitable de former un masque de protection 160 sur l'élément d'encapsulation 130 pour éviter/atténuer le problème de contamination par la poussière. Le masque de protection 160 peut être réalisé à partir d'un dépôt d'encre isolante appliquée par un distributeur à jet d'encre, ou formé par n'importe quels autres matériaux et procédés appropriés. Veuillez-vous référer à la figure 3D. Une tranchée Fl confinée est disposée dans l'élément d'encapsulation 130 pour définir au moins deux compartiments de boîtier 130a dans celui-ci (veuillez-vous référer simultanément à la vue du dessus de la figure 1A, étant donné que la tranchée confinée ne peut pas être montrée de manière apparente sur la vue en coupe transversale de la figure 3D). Dans le présent exemple de mode de réalisation, un processus de gravure au laser est effectué à partir de la surface supérieure de l'élément d'encapsulation 130 vers le substrat 110 pour créer un motif de tranchée souhaitable qui divise sensiblement l'élément d'encapsulation 130 en au moins deux compartiments de boîtier 130a. Spécifiquement, la tranché e F 1 est structurée dans l'élément d'encapsulation (en vue du dessus, comme montré sur la figure 1A), les parties d'extrémité de celle-ci étant confinées dans les limites définies par la surface périphérique Pl, c'est-à-dire, sans compromettre la surface périphérique Pl de l'élément d'encapsulation 130. De plus, afin (1) de permettre à un matériau de remplissage conducteur disposé dans celle-ci (à une étape ultérieure) d'établir une connexion avec la pastille de masse 112 et (2) de créer la structure de compartimentage complètement isolée entre les compartiments de boîtier 130a, la tranchée Fl est formée de manière pénétrante de la surface supérieure de l'élément d'encapsulation 130 vers la surface inférieure de celui-ci, et est structurée/positionnée de manière correspondante pour révéler/exposer au moins partiellement la pastille de masse 112 sur la surface de montage S1 du substrat 110. Dans certains cas, un certain segment de la tranchée Fl peut même avoir une profondeur de tranchée qui s'étend au-delà du fond de l'élément d'encapsulation 130 dans le substrat 110, c'est-à-dire, en formant une rainure peu profonde (figures non montrées) sur la surface de montage Pl.
Cela peut permettre la formation d'une structure de compartimentage 140 enracinée plus profondément entre les compartiments de boîtier 130a, offrant même de ce fait une meilleure performance de blindage/isolement contre les EMI. En outre, comme mentionné précédemment, le motif, l'angle de pénétration et la forme en coupe en vue du dessus de la tranchée Fl peuvent varier en fonction de considérations fonctionnelles spécifiques ou pour s'adapter à différentes spécifications de fabrication. Par exemple, dans certains modes de réalisation, le motif de tranchée peut comprendre des segments et des coudes, (comme montré par la figure 1B) ; dans certains cas, il peut même comprendre des segments dentelés et/ou curvilignes. De même, la forme en coupe de la tranchée ne doit pas être sensiblement uniforme, mais peut être d'une forme trapézoïdale inverse, la largeur de la tranchée étant plus grande en haut et plus petite en bas. Veuillez-vous référer à la figure 3E. Pour simplifier la référence, la partie résiduelle (de l'élément d'encapsulation) entre la surface périphérique Pl et la partie terminale de la tranchée Fl est appelée « zone tampon » (veuillez-vous référer à la vue du dessus de la figure 1A). La zone tampon comprend généralement la distance la plus courte de la surface périphérique de l'élément d'encapsulation 130 à la partie terminale de la tranchée Fl. Dans certaines applications, le reste de la zone tampon à proximité de la surface périphérique Pl est bénéfique pour retenir le matériau de remplissage conducteur pendant la formation de la structure de compartimentage 140 (cette caractéristique sera examinée plus en détail dans le paragraphe suivant).
Veuillez-vous référer à la figure 3F. Un matériau conducteur est disposé dans la tranchée Fl pour former la structure de compartimentage 140. Généralement, le dépôt d'un matériau conducteur ne doit pas atteindre le degré de remplissage total de la tranchée Fl ; une couverture complète de la surface de la tranchée par le matériau conducteur serait suffisante. Le dépôt d'un matériau conducteur peut être effectué par un grand nombre de processus/techniques différents, chacun nécessitant un équipement différent et impliquant différents coûts. A titre d'exemple, une technique de dépôt appropriée peut comprendre un dépôt électrolytique, un dépôt sans courant, un dépôt par pulvérisation, un revêtement par pulvérisation, une injection, etc. Certaines de ces techniques présentent plus d'inconvénients quant aux coût/fonctionnement que d'autres. Par exemple, une technique de dépôt sans courant est connue pour sa capacité à produire des couches de revêtement uniformes et résistantes de grandes finesses sur des parties non métalliques (telles que des matériaux électriquement isolants de PCB), et est particulièrement appropriée pour recouvrir des objets de forme irrégulière (ou des trous/tranchées ayant un grand rapport d'aspect) sans dépôts nodulaires indésirables. Cependant, l'utilisation d'un processus de dépôt sans courant nécessite le déplacement du substrat de boîtier de la plateforme de fabrication d'origine dans un bain chimique pour un processus de dépôt chimique sans courant. Cette spécification crée un inconvénient fonctionnel, qui aboutit à une productivité plus faible et un coût de production plus élevé. De même, alors qu'un dépôt par pulvérisation est connu pour sa capacité de disposer un mince film uniforme sur la surface de structures irrégulières ayant un grand rapport d'aspect, le besoin d'une chambre à vide et d'autres équipements coûteux entraîne des frais généraux qui ne sont pas toujours justifiables/acceptables. Les procédés de dépôt par pulvérisation et d'injection, bien que n'étant pas les techniques les plus sophistiquées parmi les options disponibles, sont des procédés relativement accessibles qui nécessitent un équipement considérablement plus abordable. De plus, comme mentionné ci-dessus, le matériau résiduel entre la surface périphérique Pl et la partie terminale de la tranchée Fl (c'est-à-dire, la zone tampon) servirait en tant que paroi de retenue pour retenir le matériau de remplissage conducteur qui est pulvérisé sur la surface de tranchée dans l'élément d'encapsulation 130. Celui-ci améliorera non seulement l'efficacité du processus de dépôt, mais évitera également le débordement du matériau disposé sur d'autres parties du substrat/boîtier, qui provoquerait une contamination indésirable. Le matériau conducteur disposé dans la tranchée Fl établit un contact avec la pastille de masse 112 sur la surface de montage Sl.
Lors du durcissement du matériau conducteur (par n'importe quel procédé de durcissement approprié tel qu'un durcissement par cuisson), la structure de compartimentage 140, qui est connectée électriquement à la pastille de masse 112, prend forme.
Veuillez-vous référer à la figure 3G, qui est une vue isotrope pour faciliter la présentation visuelle.
La structure de compartimentage 140 comprend au moins une largeur latérale Cl et au moins une longueur latérale (C2), comme montré sur la figure 3E. De plus, la largeur de la structure de compartimentage 140 ainsi formée correspond sensiblement à la largeur de la tranchée Tl, qui, dans cet exemple de mode de réalisation, est de 60 à 180 }gym. Veuillez-vous référer à la figure 3H. Le masque de protection 160 à pour objet de protéger le boîtier/substrat de la poussière générée pendant le processus de gravure au laser. Après le dépôt de la structure de compartimentage 140, une étape de retrait de masque peut être effectuée pour retirer le masque de protection 160 de la surface du boîtier encapsulé, en vue de l'étape de dépôt d'un blindage 150 conforme qui suit. Veuillez-vous référer à la figure 31. Des encoches N1 sont respectivement disposées dans l'élément d'encapsulation 130 à partir de la surface périphérique Pl (par un retrait sélectif du matériau d'encapsulation dans la zone tampon) à des emplacements correspondant aux parties terminales F12 de la tranchée Fl pour exposer au moins partiellement la largeur latérale Cl de la structure de compartimentage 140. Plus spécifiquement, l'encoche N1 est disposée de préférence de cette manière pour permettre l'exposition de la surface latérale de la structure de compartimentage 140 sur la hauteur (épaisseur) de l'élément d'encapsulation 130, c'est-à-dire de la surface supérieure jusqu'au fond de celui-ci, de sorte qu'une structure isolante latérale complète puisse être formée lors du dépôt du blindage 150 conforme à une étape suivante. De plus, pour améliorer l'uniformité et la fiabilité lors de l'exposition de la surface latérale de la structure de compartimentage 140 sur l'épaisseur du boîtier encapsulé, la largeur d'encoche L2 est de préférence plus grande que la largeur de la tranchée Tl (ou au moins sensiblement égale à celle-ci). Une largeur d'encoche L2 plus grande (par rapport à la largeur de tranchée Tl) permet l'établissement d'une connexion plus sure et complète entre la structure de compartimentage 140 et le blindage 150 conforme disposé ultérieurement par le processus de dépôt par pulvérisation économique, facilitant de ce fait la formation d'une structure d'isolement aux EMI de haute performance. Dans le présent exemple de mode de réalisation, la largeur d'encoche L2 est de 80 à 200 }gym. En outre, étant donné que l'encoche N1 est disposée sur la surface périphérique Pl à des emplacements correspondant aux parties terminales F12 de la tranchée (c'est-à-dire, la partie d'extrémité de la structure de compartimentage 140), le nombre d'encoches N1 de préférence nécessaires est généralement déterminé par le nombre de parties d'extrémité F12 qu'un motif de tranchée particulier 25 comprend. Il convient de noter que, en fonction des applications, un processus de découpe peut être effectué pour former des boîtiers électroniques individuels après la formation de la structure de 30 compartimentage 140 et avant le dépôt du blindage 150 conforme.
Veuillez-vous référer de nouveau à la figure 1C, qui illustre une vue en coupe d'une structure de blindage de compartiments contre les EMI intégrée à un boîtier selon la présente invention sensiblement achevée. Spécifiquement, un blindage 150 conforme est disposé sur l'élément d' encap sul at i on 130, d e préférence par la technique de dépôt par pulvérisation rentable. Le blindage 150 conforme est de préférence disposé sur la surface exposée de l'élément d' encapsulation 130 pour former un blindage conducteur entourant les composants électroniques à protéger. Dans certaines applications, il est souhaitable d' étendre davantage la couverture du blindage 150 conforme de la surface périphérique Pl de l'élément d' encapsulation 130 à au moins une partie de la surface de substrat (comme illustré sur la figure 1C) . De plus, le blindage 150 conforme, qui est disposé sur la surface extérieure de l'élément d' encapsulation 130 pour réaliser une couverture de blindage pour les composants électroniques contenus dans celui-ci, établit un contact physique (ainsi qu'une connexion électrique) avec les parties exposées de la structure de compartimentage 140 respectivement à travers la surface supérieure de l'élément d'encapsulation 130 et les encoches N1 disposées sur 1 a surface latérale/périphérique Pl de celui-ci, formant de ce fait une structure de blindage d' isolement complet autour de chaque compartiment de boîtier 130a. Bien que l'invention ait été présentée en relation 30 avec un nombre limité de modes de réalisation, de nombreuses modifications et nombreux changements seront

Claims (14)

  1. REVENDICATIONS1. Module de boîtier électronique (100) comportant une structure de blindage de compartiments 5 contre les EMI intégrée, comprenant : un substrat (110) comportant une surface de montage (S1) comprenant une pastille de masse (112) agencée de manière exposée sur celle-ci ; au moins un élément électronique (120) disposé sur 10 la surface de montage (S1) ; un élément d'encapsulation (130) disposé sur la surface de montage (S1), recouvrant la pastille de masse (112) et encapsulant au moins l'un des éléments électroniques (120), l'élément d'encapsulation (130) 15 comportant au moins une surface périphérique (Pl), dans lequel une tranchée (F1) est disposée dans l'élément d'encapsulation (130) pour définir au moins deux compartiments de boîtier (130a), la tranchée (F1) exposant au moins partiellement la pastille de masse 20 (112), dans lequel les parties terminales (F12) de la tranchée (F1) sont agencées dans l'élément d'encapsulation (130) à proximité de la surface périphérique (Pl) de celui-ci, cependant sans 25 compromettre celle-ci ; dans lequel au moins une encoche (N1) est disposée dans l'élément d'encapsulation (130) à partir de la surface périphérique (Pl) de celui-ci correspondant à l'emplacement des parties terminales (F12) de la 30 tranchée (F1) ;une structure de compartimentage (140) disposée dans la tranchée (F1) recouvrant la surface de la tranchée (F1), dans lequel la structure de compartimentage (140) 5 est connectée électriquement à la pastille de masse (112), dans lequel l'encoche (N1) expose la surface latérale de la structure de compartimentage (140) sur l'épaisseur de l'élément d'encapsulation (130) ; et 10 un blindage (150) conforme disposé sur l'élément d'encapsulation (130), dans lequel le blindage (150) conforme est connecté électriquement à la structure de compartimentage (140) par l'intermédiaire de l'encoche 15 (N1).
  2. 2. Module de boîtier électronique (100) selon la revendication 1, dans lequel l'encoche (N1) a une largeur (L2) plus grande que celle de la tranchée (F1). 20
  3. 3. Module de boîtier électronique (100) selon la revendication 1, dans lequel la largeur (L2) de la structure de compartimentage (140) est de 60 à 180 pm. 25
  4. 4. Module de boîtier électronique (100) selon la revendication 1, dans lequel la largeur (L2) de l'encoche (N1) est de 80 à 200 pm.
  5. 5. Procédé pour réaliser un blindage de 30 compartiments contre les interférencesélectromagnétiques (EMI) pour des éléments électroniques (120), comprenant : la fourniture d'une surface de montage (S1) d'élément électronique (120) comportant une pastille de 5 masse (112) agencée de manière exposée sur celle-ci pour le montage d'au moins un élément électronique (120) ; le placement d'un élément d'encapsulation (130) sur la surface de montage (S1) recouvrant la pastille 10 de masse (112) et encapsulant au moins un élément électronique (120) monté sur celle-ci, l'élément d'encapsulation (130) comportant au moins une surface périphérique (Pl) ; le placement d'un motif de tranchée (F1) dans 15 l'élément d'encapsulation (130) pour définir au moins deux compartiments de boîtier (130a) dans celui-ci, dans lequel la profondeur de la tranchée (F1) est suffisante pour exposer au moins partiellement la pastille de masse (112), 20 dans lequel les parties terminales (F12) de la tranchée (F1) sont agencées dans l'élément d'encapsulation (130) à proximité de la surface périphérique (Pl), cependant sans compromettre celle-ci , 25 le placement d'un matériau conducteur dans la tranchée (F1) de manière à recouvrir au moins la surface de la tranchée (F1) pour former une structure de compartimentage (140), dans lequel la structure de compartimentage (140) 30 est connectée électriquement à la pastille de masse (112) ;le placement d'encoches (N1) respectivement dans l'élément d'encapsulation (130) à partir de la surface périphérique (Pl) de celui-ci correspondant à l'emplacement des parties terminales (F12) de la tranchée (F1) pour exposer la structure de compartimentage (140) sur l'épaisseur de l'élément d'encapsulation (130) ; et le placement d'un blindage conforme sur l'élément d'encapsulation (130) et l'établissement d'une connexion de celui-ci avec la structure de compartimentage (140) par l'intermédiaire des encoches (N1).
  6. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel l'encoche (N1) a une largeur (L2) plus grande que celle de la tranchée (F1).
  7. 7. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le placement du matériau conducteur pour former la 20 structure de compartimentage (140) utilise un processus de revêtement par pulvérisation.
  8. 8. Procédé selon la revendication 5, comprenant en outre : la définition d'une zone tampon entre la 25 surface périphérique (Pl) de l'élément d'encapsulation (130) et une partie terminale (F12) du motif de tranchée.
  9. 9. Procédé selon la revendication 5, dans lequel 30 la largeur (L2) de la structure de compartimentage (140) est de 60 à 180 }gym.
  10. 10. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la largeur (L2) de l'encoche (N1) est de 80 à 200 pm.
  11. 11. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la tranchée est formée par gravure au laser.
  12. 12. Procédé selon la revendication 5, comprenant en outre : le placement d'un masque de protection sur 10 l'élément d'encapsulation (130) avant le dépôt du motif de tranchée.
  13. 13. Procédé selon la revendication 12, comprenant en outre : le retrait du masque de protection après le 15 dépôt de la structure de compartimentage (140).
  14. 14. Procédé selon la revendication 5, comprenant en outre : l'exécution d'un processus de séparation avant le dépôt du blindage (150) conforme. 20
FR1359377A 2013-07-31 2013-09-27 Structure de blindage de compartiments contre les emi et procede de fabrication de celle-ci Active FR3009479B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102127530A TWI554196B (zh) 2013-07-31 2013-07-31 電子封裝模組及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR3009479A1 true FR3009479A1 (fr) 2015-02-06
FR3009479B1 FR3009479B1 (fr) 2021-04-02

Family

ID=52341812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1359377A Active FR3009479B1 (fr) 2013-07-31 2013-09-27 Structure de blindage de compartiments contre les emi et procede de fabrication de celle-ci

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5904674B2 (fr)
DE (1) DE102013110537B4 (fr)
FR (1) FR3009479B1 (fr)
TW (1) TWI554196B (fr)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180090466A1 (en) * 2016-09-29 2018-03-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
KR102408079B1 (ko) * 2017-06-29 2022-06-13 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈
CN109300793B (zh) * 2018-10-10 2024-01-19 环维电子(上海)有限公司 具有电磁屏蔽结构的Sip模组的制作方法及装置
CN113811078A (zh) * 2020-06-12 2021-12-17 深南电路股份有限公司 封装结构的制作方法及封装结构
CN113611688A (zh) * 2021-08-03 2021-11-05 东莞记忆存储科技有限公司 一种芯片结构及其加工方法
CN113784539B (zh) * 2021-09-08 2023-06-23 深圳市鸿利泰光电科技有限公司 一种pcb贴片接收头工艺
CN114678298B (zh) * 2022-03-14 2022-09-09 珠海市众知科技有限公司 一种集成电路块引脚封装装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1450400A1 (fr) * 2002-08-29 2004-08-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Partie de module
EP1631137A1 (fr) * 2004-03-30 2006-03-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composant modulaire et procédé pour la fabrication de celui-ci
CN102054821A (zh) * 2009-10-30 2011-05-11 日月光半导体制造股份有限公司 具有内屏蔽体的封装结构及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI278028B (en) * 2002-08-02 2007-04-01 Skc Co Ltd Method for fabricating polishing pad using laser beam and mask
EP2212726A1 (fr) * 2007-10-30 2010-08-04 3M Innovative Properties Company Film passe-bande optique multicouche avec blindage anti-interférence électromagnétique pour filtres d'affichage optique
US8022511B2 (en) * 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
TWI393239B (zh) * 2009-10-16 2013-04-11 Advanced Semiconductor Eng 具有內屏蔽體之封裝結構及其製造方法
MY171813A (en) * 2009-11-13 2019-10-31 Semiconductor Components Ind Llc Electronic device including a packaging substrate having a trench
US8030750B2 (en) * 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
TWI438885B (zh) * 2011-03-18 2014-05-21 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件及其製法
TWI417040B (zh) * 2011-05-02 2013-11-21 Powertech Technology Inc 形成雙面電磁遮蔽層之半導體封裝方法及構造
JP5480923B2 (ja) * 2011-05-13 2014-04-23 シャープ株式会社 半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1450400A1 (fr) * 2002-08-29 2004-08-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Partie de module
EP1631137A1 (fr) * 2004-03-30 2006-03-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composant modulaire et procédé pour la fabrication de celui-ci
CN102054821A (zh) * 2009-10-30 2011-05-11 日月光半导体制造股份有限公司 具有内屏蔽体的封装结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5904674B2 (ja) 2016-04-20
TWI554196B (zh) 2016-10-11
DE102013110537A1 (de) 2015-02-05
JP2015032823A (ja) 2015-02-16
FR3009479B1 (fr) 2021-04-02
DE102013110537B4 (de) 2023-12-28
TW201505535A (zh) 2015-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR3009479A1 (fr) Structure de blindage de compartiments contre les emi et procede de fabrication de celle-ci
EP1715520B1 (fr) Dispositif de protection d'un circuit électronique
US7198987B1 (en) Overmolded semiconductor package with an integrated EMI and RFI shield
US8461689B2 (en) Packaging structure having embedded semiconductor element
US9144183B2 (en) EMI compartment shielding structure and fabricating method thereof
TWI546907B (zh) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8772088B2 (en) Method of manufacturing high frequency module and high frequency module
US9418931B2 (en) Package structure and manufacturing method thereof
US9674991B2 (en) Electronic packaged device
US20100109132A1 (en) Chip package and manufacturing method thereof
US20080272469A1 (en) Semiconductor die package and integrated circuit package and fabricating method thereof
US20120235259A1 (en) Semiconductor package and method of fabricating the same
FR2996054A1 (fr) Module electronique et procede connexe
FR2940588A1 (fr) Ensemble multicomposant blinde a montage en surface
EP3261116B1 (fr) Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d
FR3040535B1 (fr) Dispositif electronique muni d'un element conducteur integre et procede de fabrication
WO1999008318A1 (fr) Procede d'interconnexion a travers un materiau semi-conducteur
JP2021508409A (ja) フラットケーブルおよびフラットケーブルの製造方法
US20200260581A1 (en) Circuit module
EP2498287B1 (fr) Procédé de réalisation d'interconnexions verticales à travers des couches structurées.
EP3020068B1 (fr) Module electronique et son procede de fabrication
CN105408998B (zh) 裸片封装体所用的涂布焊线和所述涂布焊线的制造方法
US9265154B2 (en) Packaging substrate and fabrication method thereof
EP3319115A1 (fr) Procédé de réalisation d'une connexion électrique entre une puce électronique et une plaque de support et dispositif électronique
EP3821458A1 (fr) Procédé de fabrication de boîtiers de composant électronique et boîtier de composant électronique obtenu par ce procédé

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 4

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLSC Publication of the preliminary search report

Effective date: 20180323

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 8

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 9

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 10

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 11