FR2807426A1 - Ceramique dielectrique non reductrice, condensateur en ceramique monolithique l'utilisant et procede de fabrication d'une ceramique dielectrique non reductrice - Google Patents
Ceramique dielectrique non reductrice, condensateur en ceramique monolithique l'utilisant et procede de fabrication d'une ceramique dielectrique non reductrice Download PDFInfo
- Publication number
- FR2807426A1 FR2807426A1 FR0104702A FR0104702A FR2807426A1 FR 2807426 A1 FR2807426 A1 FR 2807426A1 FR 0104702 A FR0104702 A FR 0104702A FR 0104702 A FR0104702 A FR 0104702A FR 2807426 A1 FR2807426 A1 FR 2807426A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- powder
- dielectric ceramic
- calcined
- primary
- perovskite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 91
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 56
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 229910016523 CuKa Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 76
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 6
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 2
- 229940093474 manganese carbonate Drugs 0.000 description 2
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033558 biomineral tissue development Effects 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Une céramique diélectrique non réductrice comprend du Ca, du Zr et du Ti en tant qu'éléments métalliques et ne contient pas de Pb. Dans un motif de diffraction rayons X CuKalpha, le rapport de l'intensité de crête maximum de phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 theta = 25degre à 35degre d'une phase cristalline primaire de perovskite est de 12 % ou moins, les phases cristallines secondaires incluant toutes les phases cristallines autres que la phase cristalline primaire de perovskite. La céramique diélectrique non réductrice présente des caractéristiques supérieures en termes de résistance d'isolation et de perte diélectrique après cuisson dans une atmosphère neutre ou réductrice et une fiabilité élevée lors d'un test de durée de vie en charge haute température, et elle est utile pour fabriquer des condensateurs en céramique monolithiques à valeur de capacité élevée et compacts.
Description
ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION
1. Domaine de l'invention La présente invention concerne des céramiques diélectriques non réductrices, des condensateurs en céramique monolithiques qui les utilisent ainsi que des procédés de fabrication de céramiques
diélectriques non réductrices.
2. Description de l'art antérieur
Dans divers dispositifs électroniques, des tendances fortes vers une réduction de la dimension et une densité de mise sous module plus importante sont en train de générer une demande croissante pour des condensateurs en céramique monolithiques qui satisfassent de telles tendances. Par ailleurs, I'utilisation de condensateurs en céramique monolithiques fait l'objet présentement d'investigations dans le domaine industriel, y compris pour une utilisation dans des véhicules et similaire. D'autres exigences pour les condensateurs en céramique monolithiques incluent un coût davantage réduit et une fiabilité
davantage élevée.
Ces exigences favorisent le développement de matériaux de céramiques diélectriques non réductrices qui utilisent des métaux de base peu coûteux en tant que matériaux d'électrodes internes, qui ne sont pas changés selon des matériaux semiconducteurs pendant une cuisson dans une atmosphère neutre ou réductrice avec une pression partielle d'oxygène faible de manière à ne pas oxyder les matériaux d'électrodes internes et qui présentent des caractéristiques
diélectriques supérieures.
Par exemple, en tant que matériaux de céramiques diélectriques non réductrices, les publications de demandes de brevet non examinées du Japon numéros 60-131 708, 63-126 117, 5-217 426, -335 169, 10-330 163 et 11-106 259 décrivent des compositions à base de (Cal-xSrx)m(Zrl.yTiy)O3, à base de [(CaxSr1.x)O] [(Zr1.yTiy)O2] et à
base de (CaO)x(Zri.yTiy)O2.
L'utilisation de ces matériaux de céramiques diélectriques non réductrices permet la fabrication de condensateurs en céramique monolithiques fiables et peu coûteux qui ne sont pas convertis selon des matériaux semiconducteurs pendant une cuisson dans des atmosphères réductrices et qui utilisent des métaux de base tels que le
nickel et le cuivre en tant qu'électrodes internes.
Dans les céramiques diélectriques non réductrices décrites dans les publications de demandes de brevet non examinées du Japon numéros 60-131 708 et 63-126 117, des matériaux constitutifs principaux, par exemple du carbonate de calcium (CaCO3), du carbonate de strontium (SrCO3), du dioxyde de titane (TiO2) et du dioxyde de zirconium (ZrO2), un matériau constitutif subsidiaire, par exemple du dioxyde de manganèse (MnO2) et un agent de minéralisation, par exemple du dioxyde de silicium (SiO2) sont simultanément calcinés afin de préparer des céramiques qui sont représentées par (Cal.xSrx)m(Zrl.yTiy)O3. Ainsi, des poudres de matériau brut calcinées ne présentent pas une unique structure de perovskite et en lieu et place, elles présentent un système cristallin mixte qui contient la phase cristalline primaire de perovskite et d'autres phases cristallines secondaires conformément à un motif de diffraction rayons X. Par ailleurs, une céramique diélectrique qui est obtenue en cuisant cette poudre de matériau brut calcinée dans une atmosphère réductrice présente un système cristallin mixte. Une telle structure cristalline inhomogène dans la céramique diélectrique tend à réduire la fiabilité du dispositif qui présente une épaisseur réduite pour fabriquer des condensateurs en céramique monolithiques à valeur de capacité élevée et compacts, cette fiabilité étant appréciée par soumission à un
test de durée de vie en charge haute température.
Dans les céramiques diélectriques non réductrices décrites dans les publications de demandes de brevet non examinées du Japon numéros 5-217 426 et 10-335 169, des poudres de titanate de calcium (CaTiO3), de titanate de strontium (SrTiO3), de zirconate de strontium (SrZrO3) et de zirconate de calcium (CaZrO3) sont utilisées en tant que matériaux de départ afin de préparer des céramiques qui sont
représentées par (Ca1_xSrx)m(Zri.yTiy)03 et [(CaxSrx)O] [(Zr1 yTiy)O2].
Après pesée de ces poudres, la céramique résultante est obtenue par l'intermédiaire d'un mixage ou mélange par voie humide, d'un moulage, d'un enlèvement d'agent de liaison ou liant et d'une cuisson. Selon ce procédé cependant, CaTiO3, SrTiO3, SrZrO3 et CaZrO3 qui présentent des structures de perovskite se dissolvent légèrement les uns dans les autres. Par conséquent, la céramique diélectrique résultante présente un système cristallin mixte incluant une pluralité de phases cristallines de perovskite. Lorsque l'épaisseur des éléments est réduite afin de produire des condensateurs en céramique monolithiques à valeur de capacité élevée et compacts, les durées de vie des condensateurs en céramique monolithiques lors d'un test de durée de vie en charge haute
température varient et la fiabilité afférente tend à être altérée.
En ce qui concerne les céramiques diélectriques non réductrices décrites dans les publications de demandes de brevet non examinées du Japon numéros 10-330 163 et 11-106 259, des quantités prédéterminées de carbonate de calcium (CaCO3), de dioxyde de titane (TiO2), de dioxyde de zirconium (ZrO2) et de carbonate de manganèse (MnCO3) sont pesées en tant que matériaux de départ, une quantité prédéterminée de composant de verre est pesée et tous ces matériaux sont mélangés, moulés, soumis à un enlèvement d'agent de liaison ou liant et soumis à cuisson afin de préparer des céramiques qui sont représentées par (CaO)x(Zr1.yTiy)O2. Cependant, selon ce procédé, la formation de la phase cristalline de perovskite en tant que phase cristalline primaire est altérée et la céramique diélectrique résultante présente un système cristallin mixte ou mélangé qui inclut la phase cristalline primaire de perovskite et d'autres phases cristallines secondaires. Lorsque l'épaisseur des éléments est réduite afin de produire des condensateurs en céramique monolithiques à valeur de capacité élevée et compacts, la fiabilité du condensateur en céramique
monolithique tend à être réduite.
RÉSUMÉ DE L'INVENTION
Par conséquent, un objet de la présente invention consiste à proposer une céramique diélectrique non réductrice qui ne génère pas une détérioration d'une résistance d'isolation et une perte diélectrique pendant la cuisson dans une atmosphère neutre ou réductrice et qui présente une durée de vie prolongée avec une variation réduite lors d'un test de durée de vie en charge haute température lorsque
l'épaisseur des éléments est réduite, et une fiabilité élevée.
Un autre objet de la présente invention consiste à proposer un condensateur en céramique monolithique qui utilise la céramique
diélectrique non réductrice.
Encore un autre objet de la présente invention consiste à proposer un procédé permettant de fabriquer une céramique
diélectrique non réductrice.
Une céramique diélectrique non réductrice conformément à la présente invention comprend du Ca, du Zr et du Ti en tant qu'éléments métalliques et ne contient pas de Pb. Dans un motif de diffraction rayons X CuKa, le rapport de l'intensité de crête maximum de phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 à d'une phase cristalline primaire de perovskite est de 12 % ou moins, les phases cristallines secondaires incluant toutes les phases
cristallines autres que la phase cristalline primaire de perovskite.
Le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum de la phase cristalline primaire de perovskite est de préférence de 5 % ou moins et
de façon davantage préférable, de 3 % ou moins.
Puisque le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum de la phase cristalline primaire de perovskite est de 12 % ou moins, la teneur en phases cristallines secondaires est faible dans les phases cristallines globales. Par conséquent, la céramique diélectrique résultante ne génère ni une détérioration d'une résistance d'isolation, ni une perte diélectrique pendant une cuisson dans une atmosphère neutre ou réductrice et présente une durée de vie prolongée avec une variation réduite lors d'un test de durée de vie en charge haute température lorsque l'épaisseur de la couche en céramique diélectrique est réduite
jusqu'à 5 pmn ou moins, et une fiabilité élevée.
Un condensateur en céramique monolithique conformément à la présente invention comprend une pluralité de couches en céramique diélectrique, des électrodes internes prévues entre les couches en céramique diélectrique et des électrodes externes connectées électriquement aux électrodes internes, les couches en céramique diélectrique comprenant la céramique diélectrique mentionnée ci-avant et les électrodes internes comprenant un métal de base. Le métal de base est de préférence un nickel élémentaire, un alliage de nickel, un
cuivre élémentaire ou un alliage de cuivre.
Puisque le condensateur en céramique monolithique conformément à la présente invention utilise la céramique diélectrique non réductrice mentionnée ci-avant, le condensateur en céramique monolithique ne génère ni une détérioration de la résistance d'isolation, ni une perte diélectrique pendant une cuisson dans une atmosphère neutre ou réductrice et présente une durée de vie prolongée avec une variation réduite lors d'un test de durée de vie en charge haute température lorsque l'épaisseur de la couche en céramique diélectrique
est réduite jusqu'à 5 gm ou moins, et une fiabilité élevée.
Selon un procédé permettant de fabriquer une céramique diélectrique non réductrice comprenant du Ca, du Zr et du Ti en tant qu'éléments métalliques et ne contenant pas de Pb, o, dans un motif de diffraction rayons X CuKa, le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 à 35 d'une phase cristalline primaire de perovskite vaut 12 % ou moins, o les phases cristallines secondaires incluent toutes les phases cristallines autres que la phase cristalline primaire de perovskite, le procédé comprend les étapes de: (A) calcination d'une poudre constitutive de site B non calcinée afin de préparer une poudre constitutive de site B calcinée o la céramique diélectrique est représentée par la formule générale ABO3; (B) préparation d'une poudre constitutive de site A à partir de matériaux constitutifs de site A; (C) mélange de la poudre constitutive de site B et de la poudre constitutive de site A afin de préparer une poudre de matériau primaire non calcinée; (D) calcination de la poudre de matériau primaire non calcinée afin de préparer une poudre de matériau primaire calcinée; (E) addition d'au moins une poudre prise parmi la poudre constitutive de site A et la poudre constitutive de site B à la poudre de matériau primaire calcinée afin de régler de façon fine la composition de la poudre de matériau primaire calcinée afin de préparer une poudre de matériau secondaire; et (F) moulage et cuisson de la poudre de matériau secondaire
sous une atmosphère neutre ou réductrice.
Ce procédé permet de produire des céramiques diélectriques
selon une reproductibilité élevée et selon un rendement élevé.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
La figure 1 représente un motif de diffraction rayons X d'une céramique diélectrique d'un échantillon 24; la figure 2 représente un motif de diffraction rayons X d'une céramique diélectrique d'un échantillon 23; la figure 3 représente un motif de diffraction rayons X d'une céramique diélectrique d'un échantillon 43; et la figure 4 représente un motif de diffraction rayons X d'une
céramique diélectrique d'un échantillon 54.
DESCRIPTION DES MODES DE RÉALISATION PRÉFÉRÉS
La présente invention sera maintenant décrite par report aux
exemples non limitatifs qui suivent.
Exemple 1
Des poudres de CaCO3, SrCO3, BaCO3, ZrO2, TiO2 et HfO2 dont chacune présente une pureté de 99 % ou plus ont été préparées en tant
que matériaux de départ.
Le ZrO2, le TiO2 et le HfO2 ont été pesés en tant que poudres de matériaux bruts pour le composant de site B dans la phase cristalline primaire de perovskite représentée par ABO3 de telle sorte que x et y sont devenus les valeurs représentées au niveau du tableau 1 dans la formule (Zr1.xyTixHfy)O3. Ces poudres de matériaux bruts ont été mélangées ou mixées par voie humide et pulvérisées dans un broyeur à billes pendant au moins 16 heures et ont été séchées afin de
préparer une poudre composite de site B non calcinée.
La poudre composite de site B non calcinée a été calcinée à chacune des températures qui sont représentées au niveau du tableau 1 pendant 1 heure à 2 heures dans l'air afin de préparer une poudre
composite de site B calcinée.
Puis le CaCO3, le SrCO3 et le BaCO3 ont été pesés en tant que poudres de matériaux bruts pour le composant de site A de telle sorte que w et k sont devenues les valeurs représentées au niveau du
tableau 1 dans la formule (Cal.vwSrvBaw)k(Zr. x-yTixHfy)O3.
Ces poudres de matériaux bruts pour le composant de site A ont été ajoutées au composant de site B calciné afin de préparer une poudre de matériau primaire non calcinée. La poudre de matériau primaire non calcinée a été mélangée ou mixée par voie humide et pulvérisée pendant au moins 16 heures dans un broyeur à billes, a été séchée et a été calcinée entre 1000 C et 1200 C pendant 2 heures dans l'air afin de préparer une poudre de matériau primaire calcinée. La poudre de matériau primaire calcinée résultante présentait un diamètre
de particule moyen de 0,8 gim ou moins.
Au niveau de l'échantillon 34 du tableau 1, le CaZrO3 et le SrTiO3 qui présentaient des structures cristallines de perovskite ont été utilisés en tant que matériaux de départ. Ces matériaux ont été pesés sur la base de la formulation qui est représentée au niveau du tableau 1 et ont été mixés ou mélangés par voie humide afin de préparer une poudre de matériau primaire contenant les composants de site A et de
site B sans calcination.
Afin de régler de façon fine la composition, le CaCO3, le SrCO3, le BaCO3, le ZrO2, le TiO2 et le HfO2 ont été pesés de telle sorte que la valeur k dans la formule (Calv.wSrvBaw)k(Zrlx.yTixHfy)O3 est devenue la valeur qui est représentée au niveau du tableau 1 et l'ensemble s'est vu additionner 100 moles de la poudre de matériau primaire calcinée de chacun des échantillons 1 à 34. Des poudres de matériau secondaire présentant des compositions réglées de façon fine représentées par la
formule (Ca l-v-wSrvBaw)k(Zrl-x -yTixHfy)O3 ont été préparées.
Puis afin de préparer une poudre de matériau secondaire contenant un composant subsidiaire MnO, du MnCO3 présentant une pureté de 99 % ou plus a été pesé et a été ajouté à chaque poudre de matériau secondaire de telle sorte que du MnO à 2 moles était présent
par rapport à 100 moles de la poudre de matériau secondaire.
A 100 parties en poids de poudre de matériau secondaire contenant du MnO, soit un auxiliaire de frittage (auxiliaire de frittage A) constitué par 25 % en poids de Li20, par 2 % en poids de MgO, par 6 % en poids de CaO, par 6 % en poids de SrO, par 6 % en poids de BaO, par 48 % en poids de SiO2, par 5 % en poids de TiO2 et par 2 % en poids de A1203, soit un auxiliaire de frittage (auxiliaire de frittage B) constitué par 36 % en poids de (Sio,98Tio,o2)02, par 55 % en poids de (Mno,8Nio,2)O et par 9 % en poids de CaO a été ajouté selon une quantité de une partie en poids de manière à préparer des poudres formulées.
Tableau 1
Echantil- Composition de poudre de matériau Dimension de Température de cuisson Composition du Ion primaire calcinée particule du du composant de site B matériau formulé (Cal.v.wSrvBaw)k(Zr-x.-yTixHfy)03 composant de site non calciné B non calciné _ v w x y k (im) ( C) p Auxiliaire de ______ ____________ _______ frittage
1 0,01 0 0,01 0,01 0,985 0,10 1150 0,990 A
2 0,01 0 0,01 0,01 0,995 0,07 1150 1,000 A
3 0,01 0 0,01 0,01 0,990 0,10 1150 0,995 A
4 0,01 0 0,01 0,01 0,990 0,10 1150 0,995 B
0,01 0 0,01 0,01 0,975 0,15 1150 1,000 A
6 0,01 0 0,01 0,01 0,990 0,12 900 1,000 A
7 0,01 0 0,01 0,01 0,930 0,35 1150 0,980 A
8 0,01 0 0,01 0,01 1,020 0,20 1100 1,020 A
9 0,01 0 0,01 0,01 0,950 0,10 1150 0,940 A
0,01 0 0,01 0,01 0,990 0,10 1150 1,040 A
1 1 0,05 0,08 0,05 0,02 0,990 0,15 1100 1,000 A
12 0,05 0,08 0,05 0,02 0,990 0,14 1100 1,000 B
13 0,05 0,08 0,05 0,02 0,995 0,10 1100 1,010 A
14 0,05 0,08 0,05 0,02 0,940 0,40 1100 0,995 A
1 5 0,04 0,330,04 0,01 0,980 0,20 1100 0,995 B r
16 0,04 0,33 0,04 0,01 0,980 0,20 1100 0,995 A
16 0,04 0,33 0,04 0,01 0,980 1 0,20 1100 0 995A
17 0,04 0,33 0,04 0,01 0,985 0,10 1150 1,000 A
18 0,04 0,33 0,04 0,01 0,985 0,08 900 0,995 A
(à suivre) Tableau 1 (suite) Echantil- Composition de poudre de matériau Dimension de Température de cuisson Composition du Ion primaire calcinée particule du du composant de site B matériau formulé (Calv.wSrvBaw) k(ZrlxyTixHfy)O3 composant de site non calciné B non calciné v w x y k (izm) ( C) p Auxiliaire de _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ fritta g e
19 0 0,01 0,40 0,01 0,970 0,30 1200 0,990 A
0 0,01 0,40 0,01 0,980 0,15 1150 0,990 A
21 0 0,01 0,40 0,01 0,980 0,15 1150 0,990 B
22 0 0,01 0,40 0,01 0,980 0,15 1150 0,995 A
23 0 0,01 0,40 0,01 0,950 0,35 1150 0,950 A
24 0,15 0,01 0,02 0,01 0,998 0,15 1150 1,000 A o
0,15 0 0,29 0,01 0,975 0,25 1100 0,980 A
26 0,15 0 0,29 0,01 0,990 0,10 1050 0,995 A
27 0,15 0 0,29 0,01 0,975 0,15 1050 1,000 A
28 0,15 0 0,29 0,01 0,975 0,15 1050 1,000 B
29 0,15 0 0,29 0,01 0,975 0,15 1100 0,940 A
0 O 0,27 0,01 1,000 0,25 1150 1,030 A
31 0 0 0,27 0,01 0,990 0,09 1150 1,000 A
32 0 0 0,27 0,01 0,990 0,12 1100 0,995 A o
33 O O 0,27 0,01 0,970 40 1100 0,990 A
34 0,20 0,20 0,01 _ 0,995 A.
Ces poudres formulées ont été mixées ou mélangées par voie humide avec un agent de liaison ou liant constitué par du butyral polyvinylique et avec un solvant organique tel que de l'éthanol pendant au moins 16 heures dans un broyeur à billes afin de préparer des boues de céramique. Pour chaque boue de céramique, une feuille a été formée au moyen d'un procédé par lame et a été découpée selon des feuilles de base en céramique rectangulaires dont chacune présentait
une épaisseur de 5 zm.
Les feuilles de base en céramique ont été empilées et ont été liées par compression thermique afin de former des empilements de base en céramique. Chaque empilement de base en céramique a été conformé selon un rectangle présentant une dimension prédéterminée, a été chauffé à 350 C dans une atmosphère d'azote afin d'évacuer par combustion l'agent de liaison ou liant et a été soumis à cuisson à chacune des températures qui sont présentées dans le tableau 2 dans une atmosphère réductrice constituée par de l'hydrogène-azote-eau
afin de former un compact fritté en céramique.
Tableau 2
Echan- Tempé- Rapport d'intensité Perte Capacité Produit TC MTTF Valeur Temps jusqu'à tillon rature de maximum de diélec- inductive CR (ppm/ C) (heures) de m défaillance du cuisson phases cristallines trique spécifique ( . F) premier échantillon (o C) secondaires (%) défaillant (%) (heures)
1 1250 < 1,0 0,01 30 125000 + 4 550 3,5 460
2 1300 1,0 0,01 31 64000 +28 540 2,5 310
3 1250 < 1,0 0,01 30 420000 +5 460 3,2 285
4 1280 1,0 0,01 31 445000 + 8 510 3,7 370
1300 1,5 0,01 31 345000 + 10 480 4,1 420
6 1300 12,5 0,11 31 214000 -1 655 0,5 90
7 1300 13,0 0,01 31 250000 + 2 160 0,8 10
8 1350 13,5 0,15 28 70000 + 24 780 0,4 20
9 1250 16,0 0,02 30 59000 -15 90 2,1 5
1350 Non fritté
11 1200 1,5 0,02 40 28000 -180 420 3,3 300
12 1250 2,0 0,03 41 28000 -175 475 3,4 375
13 1250 3,5 0,02 41 12000 -160 305 2,1 140
14 1200 12,5 0,03 39 8000 -175 330 0,6 5
1290 3,5 0,03 34 14000 -395 410 3,8 310
16 1250 4,0 0,04 34 11000 -400 375 4,1 315
17 1250 6,5 0,02 33 10000 -385 310 2,2 165
18 1300 13,0 0,25 33 4500 -360 410 0,4 10
(à suivre) Tableau 2 (suite) Echan- Tempé- Rapport d'intensité Perte Capacité Produit TC MTTF Valeur Temps jusqu'à tillon rature de maximum de diélec- inductive CR (ppm/ C) (heures) de m défaillance du cuisson phases cristallines trique spécifique (n. F) premier échantillon (O C) secondaires (%) défaillant (%) (heures)
19 1280 1,5 0,02 87 392000 -980 345 3,2 245
1280 2,5 0,02 85 350000 -985 380 3,5 300
21 1300 2,0 0,01 86 450000 -1000 420 3,7 350
22 1300 < 1,0 0,01 82 70000 -950 320 2,8 225
23 1300 16,0 0,20 81 51000 -950 20 1,8 1
24 1280 7,1 0,01 34 680000 -11 520 3,8 380
1260 6,0 0,02 69 200000 -740 300 1,7 120
26 1260 2,0 0,02 70 250000 -740 350 2,8 235
27 1280 1,5 0,02 70 180000 -755 410 2,6 230
28 1290 1,0 0,01 69 285000 -765 455 3,3 355
29 1300 14,5 0,03 73 90000 -760 35 2,3 3
1350 Non fritté
31 1300 1,5 0,02 46 81000 -700 415 3,8 325
32 1300 1,0 0,02 46 78000 -690 365 3,2 280
33 1250 2,5 0,02 47 102000 -720 330 2,9 200 &
34 1250 30,0 0,01 56 26000 -620 35 1,8 1
1a Le compact fritté en céramique a été pulvérisé à l'aide d'un mortier pour une diffractométrie rayons X CuKa. Au niveau du motif de diffraction rayons X, le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 à 35 de la phase cristalline primaire de perovskite a été déterminé à une tension de tube de 40 kV et à un courant de tube de mA, les phases cristallines secondaires incluant toutes les phases
cristallines autres que la phase cristalline primaire de perovskite.
Des condensateurs en céramique monolithiques ont été formés comme suit. Une pâte conductrice essentiellement constituée par du Ni a été appliquée par impression sur les feuilles de base en céramique mentionnées ci-avant afin de former des couches de pâte conductrice
pour constituer des électrodes internes.
Les feuilles de base en céramique résultantes munies des couches de pâte conductrice ont été empilées de telle sorte que des couches de pâte conductrice ont été exposées en alternance au niveau des deux côtés. Un empilement de feuilles de base en céramique a été
ainsi formé.
L'empilement de feuilles de base en céramique a été découpé selon des rectangles présentant une dimension prédéterminée, a été chauffé à 350 C dans une atmosphère d'azote afin d'évacuer par combustion l'agent de liaison ou liant et a été soumis à cuisson dans une atmosphère réductrice constituée par hydrogène-azote-eau afin de
former un compact fritté en céramique monolithique.
Une pâte d'électrodes externes a été déposée sur les deux côtés du compact en céramique monolithique résultant et a été soumise à cuisson à une température de 600 C à 800 C dans une atmosphère d'azote afin de former un condensateur en céramique monolithique muni d'électrodes externes connectées électriquement aux électrodes internes. Une couche de revêtement peut être de préférence formée sur les surfaces des électrodes externes par
placage ou similaire si nécessaire.
Le condensateur en céramique monolithique résultant présentait une largeur de 1,6 mm, une longueur de 3,2 mm et une épaisseur de 1,2 mm, I'épaisseur de la couche en céramique diélectrique était de 3 !um et le nombre de couches en céramique diélectrique effectives était
de 80.
Les propriétés électriques du condensateur en céramique monolithique ont été mesurées. La valeur de capacité électrostatique et la perte diélectrique ont été mesurées à une fréquence de 1 MHz et à une température de 25 C afin de calculer la capacité inductive spécifique. La résistance d'isolation a été mesurée au moyen d'une tension continue de 50 V qui a été appliquée sur le condensateur en céramique monolithique à 25 C pendant 2 minutes afin de calculer le
produit CR.
Les variations au niveau de la valeur de capacité électrostatique en fonction de la température à une fréquence de 1 MHz ont été mesurées à 125 C et à 25 C et le taux de variation afférent (TC) a été calculé sur la base de l'équation (1): TC = {(C125 - C25)/C25} x {1/(125 - 25)} x 106 [ppm/ C] o C125 et C25 représentent respectivement les valeurs de capacité
électrostatique (pF) à 125 C et à 25 C.
Lors du test de durée de vie en charge haute température, une tension continue de 200 V a été appliquée sur 72 échantillons pour chaque condensateur en céramique monolithique à une température de C afin de mesurer les variations de la résistance d'isolation au fil du temps. La durée de vie a été définie en tant que temps pour lequel la résistance d'isolation de l'échantillon devenait égale à 106 Q ou moins. Le temps moyen jusqu'à défaillance (MTTF) et le paramètre de forme m qui était un indice de la variation de la fiabilité ont été calculés sur la base de la distribution de probabilité de Weibull. Par ailleurs, le temps jusqu'à défaillance du premier échantillon tombant en défaillance
a été enregistré.
Ces résultats sont présentés au niveau du tableau 2. Le tableau 2 démontre que, dans la couche en céramique diélectrique non réductrice de chacun des condensateurs en céramique monolithiques des échantillons 1 à 4,11 à 13, 15 à 17,19 à 22, 24 à 28 et 31 à 33, le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 à 35 d'une phase cristalline primaire de perovskite est de 12 % ou moins dans un motif de diffraction rayons X mesuré en utilisant des rayons CuKa, les phases cristallines secondaires incluant toutes les phases cristallines
autres que la phase cristalline primaire de perovskite.
Chaque condensateur en céramique monolithique présente un produit CR important (le produit de la valeur de capacité électrostatique et de la résistance d'isolation) d'au moins 1000, une perte diélectrique de 0,1 % ou moins et un faible taux de variation de la résistance électrostatique en fonction de la température (TC) de -1000 ppm/ C ou moins. Le temps moyen jusqu'à défaillance (MTTF) lors du test de durée de vie en charge haute température à 150 C et 200 V est aussi long que 300 heures ou plus. La durée de vie du premier échantillon tombé en défaillance est longue et la variation de la durée de vie entre
les échantillons est faible, d'o ainsi l'obtention d'une fiabilité élevée.
Des explications concernant le rapport de l'intensité de crête maximum de 12 % ou moins des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 à 35 de la phase cristalline primaire de perovskite dans le motif de diffraction rayons X seront
maintenant présentées.
Pour un rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum de la phase cristalline primaire de perovskite excédant 12 %, le condensateur en céramiquemonolithique présente une perte diélectrique aussi élevée que 0,11 à 0,25 % et une durée de vie aussi faible que 10 à 90 heures pour le premier échantillon tombé en défaillance, comme représenté au niveau des échantillons 6, 8 et 18. Selon une variante, la durée de vie du premier condensateur en céramique monolithique tombé en défaillance est aussi faible que 5 à 10 heures pour les échantillons 7 et 14 bien que la perte diélectrique afférente n'augmente pas. En outre, le MTTF est aussi court que 20 à 90 heures et la durée de vie du premier échantillon tombé en défaillance est de 1 à 5 heures pour les échantillons 9, 29, 39 et 34. Par conséquent, ces échantillons présentent des variations importantes en termes de durée de vie et une détérioration des propriétés électriques dans des périodes relativement courtes. A l'opposé, pour un rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum de la phase cristalline primaire de perovskite de 12 % ou moins, la perte diélectrique peut être atténuée jusqu'à 0,1 % ou moins du fait de la faible teneur en phases cristallines secondaires, ce qui conduit à des propriétés électriques améliorées au niveau du test de durée de vie en charge haute température. De façon détaillée, le MTTF est d'au moins 300 heures et la durée de vie du premier échantillon tombé en défaillance est d'au moins 120 heures avec une variation réduite de la durée de vie, d'o ainsi l'assurance d'une fiabilité élevée des
condensateurs en céramique monolithiques.
La couche en céramique diélectrique non réductrice peut contenir des impuretés telles que de l'aluminium, du fer et du magnésium. En outre, du CoO, du NiO, du FeO, de l'AI203, du MgO, du Sc203 et des oxydes des terres rares incluant Y203 peuvent être additionnés en tant que composants subsidiaires en plus du MnO décrit ci-avant aussi longtemps que le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum de la phase cristalline primaire de perovskite est de 12 % ou moins au niveau du motif de diffraction rayons X. Par ailleurs, dans ce cas, les condensateurs en céramique monolithiques résultants
présentent des propriétés électriques supérieures.
La figure 1 représente un motif de diffraction rayons X de la céramique diélectrique dans le condensateur en céramique monolithique de l'échantillon 24, le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête
maximum de la phase cristalline primaire de perovskite étant de 7,1 %.
La figure 2 représente un motif de diffraction rayons X de la céramique diélectrique dans le condensateur en céramique monolithique de l'échantillon 23, o le rapport est de 16,0 %. Sur ces dessins, des crêtes pourvues d'astérisques (*) sont assignées à la phase cristalline primaire de perovskite et les autres crêtes sont assignées aux phases
cristallines secondaires.
La dimension de particule moyenne de la poudre constitutive de site B non calcinée est de préférence de 0,5 pm ou moins et de façon davantage préférable, de 0,3 fim. La limite inférieure afférente n'est pas
limitée et est de préférence de 0,01 Nm ou moins.
En tant que première raison pour limiter la dimension de particule, un diamètre de particule moyen excédant 0,5,tm empêche
une réaction en phase solide, c'est-à-dire la synthèse de (Zr1-x-
yTixHfy)204 dans la poudre constitutive de site B calcinée, ce qui conduit
à des quantités importantes de ZrO2, de TiO2 et de HfO2 résiduelles.
Lorsque cette poudre constitutive de site B calcinée est utilisée, la phase cristalline de perovskite (la phase cristalline primaire) est synthétisée de façon insuffisante pendant la calcination de la poudre constitutive de site B avec la poudre constitutive de site A. Cependant,
les phases cristallines secondaires sont aisément formées.
En tant que seconde raison, la formation de la solution solide des phases cristallines secondaires et des phases cristallines primaires est insuffisante dans une céramique diélectrique qui utilise la poudre de matériau primaire calcinée du fait de la synthèse insuffisante de la phase cristalline primaire, et les phases cristallines secondaires subsistent également après la calcination. Par conséquent, la céramique diélectrique présente une structure cristalline inhomogène, ce qui génère une variation importante en termes de temps jusqu'à défaillance lors du test de durée de vie en charge haute température du
condensateur en céramique monolithique.
La poudre constitutive de site B est de préférence calcinée à une température entre 1050 C et 1200 C pendant une à deux heures puisque la réaction de phase solide pour former (Zr1x.yTixHfy)204 se produit faiblement à une température de calcination inférieure à 1050 C dans la poudre constitutive de site B. Lorsque la température de calcination excède 1200 C, le diamètre de particule moyen de la poudre constitutive de site B calcinée croît de façon non souhaitable indépendamment du degré élevé de synthèse de (Zr1.xyTixHfy)204. Une telle poudre constitutive de site B calcinée empêche la réaction de phase solide pendant la calcination avec la poudre constitutive de site A, ce qui conduit à la formation en quantité insuffisante de la phase
cristalline primaire de perovskite.
Dans la composition (Ca.v.wSrvBaw)k(Zrl.xyTixHfy)O3 de la poudre de matériau primaire calcinée, la valeur de k est dans la plage de préférence de 0,95 < k < 1,00, et de façon davantage préférable, dans la plage de 0,975 < k < 0,995. A une valeur de k inférieure à 0,95, une croissance de grains excessive se produit pendant la calcination, ce qui conduit à une augmentation du diamètre de particule moyen de la poudre de matériau primaire calcinée. A une valeur de k qui excède 1,00, la formation de la phase cristalline primaire de perovskite ne se déroule pas de façon suffisante pendant la calcination de la poudre de
matériau primaire.
Dans la composition (Cal.v.wSrvBaw)p(Zri-x.yTixHfy)O3 de la poudre de matériau secondaire, la valeur de p est de préférence dans la plage de 0, 98 < p < 1,02, et de façon davantage préférable, dans la plage de 0,99 < p < 1,01. Pour une valeur de p inférieure à 0,98, les phases cristallines secondaires en plus de la phase cristalline primaire de perovskite sont formées dans la structure cristalline de la céramique diélectrique frittée. La formation des phases cristallines secondaires conduit à la réduction de la fiabilité des condensateurs en céramique monolithiques lors du test de durée de vie en charge haute température lorsque l'épaisseur de la couche en céramique diélectrique dedans est de 5 lm ou moins. Une valeur de p qui excède 1,02 empêche de façon significative la formation de la phase cristalline primaire de perovskite et la frittabilité, ce qui conduit à un frittage non couronné de succès de la composition et à une détérioration de la fiabilité du condensateur en
céramique monolithique.
Selon cet exemple, du nickel élémentaire a été utilisé dans I'électrode interne du condensateur en céramique monolithique. Un
alliage de nickel procure également les mêmes effets.
Exemple 2
Les mêmes matériaux que ceux de l'exemple 1 ont été préparés afin de préparer des poudres de matériau primaire calcinées dont chacune présentait la structure de perovskite ABO3 et était composée d'un composant de site A et d'un composant de site B. Une poudre de matériau primaire d'un échantillon 54 a été préparée en mélangeant par voie humide sans calcination des quantités prédéterminées de CaZrO3, de SrTiO3 et de BaZrO3 présentant des structures cristallines de perovskite sur la base de la formulation qui est représentée au niveau
du tableau 3.
Afin de préparer les poudres de matériau secondaire, du CaCO3, du SrCO3, du BaCO3, du ZrO2, du TiO2 et du HfO2 se sont vus additionner 100 moles de poudres de matériau primaire des échantillons 41 à 54 de telle sorte que les échantillons présentaient des valeurs de p qui sont représentées au niveau du tableau 3 dans la
composition (Cal v wSrvBaw)p(Zr-x yTixHfy)O3.
Du MnCO3 présentant une pureté d'au moins 99 % a été additionné aux poudres de matériau secondaire afin de préparer une poudre de matériau secondaire contenant un composant secondaire de MnO de telle sorte que la teneur en MnO était de 4 moles pour 100
moles des poudres de matériau secondaire.
A 100 parties en poids de poudre de matériau secondaire contenant du MnO, un auxiliaire de frittage (auxiliaire de frittage C) constitué par 60 % en poids de BaO, par 5 % en poids de Li20, par 15 % en poids de Ba203 et par 20 % en poids de SiO2 a été ajouté selon une quantité de 10 parties en poids de manière à préparer des poudres formulées.
Tableau 3
Echantil- Composition de poudre de matériau Dimension de Température de Composition du matériau Ion primaire calcinée particule du cuisson du formulé (Ca:.v.wSrvBaw)k(Zrx-yTixHfy)03 composant de site composant de site B non calciné B non calciné v w x y k ( gym) ( C) p Auxiliaire de frittage
41 0,02 0 0,02 0,01 0,985 0,10 1150 0,990 C
42 0,02 0 0,02 0,01 0,995 0,07 1150 1,000 C
43 0,02 0 0,02 0,01 0,990 0,10 1150 0,995 C
44 0,02 0 0,02 0,01 0,990 0,10 1250 1,000 C
0,02 0 0,02 0,01 0,930 0,35 1150 1,000 C
46 0,02 0 0,02 0,01 0,990 0,10 1100 1,040 C
47 0,05 0,08 0,05 0,02 0,990 0,15 1150 1,000 C
48 0,05 0,08 0,05 0,02 0,980 0,14 1150 1,005 C
49 0,05 0,08 0,05 0,02 0,940 0,40 1150 0,985 C
0 0,01 0,40 0,01 0,980 0,11 900 0,990 C
51 0 0,01 0,40 0,01 0,980 0,15 1150 0,990 C
52 O 0,01 0,40 0,01 0,995 0,09 1150 0,995 C
À 03
53 0 0,01 0,40 0,01 0,970 0,15 1150 0,970 C o
54 0,06 0,09 0,06 0,02 - - 0,995 C
-.a Comme dans l'exemple 1, des boues de céramique ont été préparées en utilisant ces poudres formulées et une feuille a été préparée en utilisant chaque boue de céramique et a été découpée selon des feuilles de base en céramique rectangulaires présentant la même épaisseur que dans le cas de l'exemple 1. Des compacts frittés en céramique ont été préparés en utilisant
ces feuilles de base en céramique comme dans l'exemple 1.
Le compact fritté en céramique a été pulvérisé avec un mortier pour une diffractométrie par rayons X CuKa de la poudre comme dans I'exemple 1. Au niveau du motif de diffraction rayons X, le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 o à 35 o de la phase cristalline
primaire de perovskite a été déterminé comme dans l'exemple 1.
Des condensateurs en céramique monolithiques ont été formés comme suit. Une pâte conductrice essentiellement constituée par du Cu a été appliquée par impression sur les feuilles de base en céramique mentionnées ci-avant afin de former des couches de pâte
conductrice pour constituer des électrodes internes.
Les feuilles de base en céramique résultantes formées par les couches de pâte conductrice ont été empilées comme dans l'exemple 1
afin de former l'empilement de feuilles de base en céramique.
L'empilement de feuilles de base en céramique a été découpé en rectangles ayant une dimension prédéterminée et une pâte conductrice essentiellement constituée par du Cu en tant que pâte d'électrodes externes a été appliquée sur les deux côtés de
l'empilement au niveau desquels la pâte conductrice a été exposée.
Après que le liant dans l'empilement a été brulé, l'empilement a été soumis à cuisson dans une atmosphère réductrice comme dans
l'exemple 1 afin de former un compact fritté en céramique monolithique.
Le condensateur en céramique monolithique résultant présentait les mêmes dimensions que celles de l'exemple 1, l'épaisseur de la couche en céramique diélectrique était de 4!tm et le nombre des
couches en céramique diélectrique effectives était de 80.
Les propriétés électriques du condensateur en céramique monolithique ont été mesurées comme dans l'exemple 1. Ces résultats
sont présentés au niveau du tableau 4.
Tableau 4
Echan- Tempé- Rapport d'intensité Perte Capacité Produit TC MTTF Valeur Temps jusqu'à tillon rature de maximum de diélec- inductive CR (ppm/ C) (heures) de m défaillance du premier cuisson phases cristallines trique spécifique (. F) échantillon défaillant (o C) secondaires (%) (heures) (%)
41 950 9,5 0,01 29 62000 + 4 410 3,5 285
42 980 10,5 0,02 29 40000 + 28 345 2,5 140
43 950 11,0 0,01 28 55000 + 5 360 3,2 205
* 44 980 12,5 0,01 27 35000 + 10 480 0,9 30
970 14,0 0,01 29 16000 -1 360 0,8 15
46 1020 Non fritté
47 1000 6,0 0,01 38 21000 -180 390 2,7 235
48 1000 8,5 0,01 37 12000 -160 310 2,1 125
49 1000 15,0 0,03 39 6000 -175 75 2,4 15
1000 13,0 0,05 78 5000 -990 240 0,9 15
51 1000 4,0 0,02 81 25000 - 985 380 3,8 330
52 1000 3,5 0,03 80 12000 -995 305 2,2 185
53 1000 18,0 0,20 82 1500 -980 30 1,5 5 o
54 1000 29,0 0,02 40 35000 -180 220 0,4 2
b Le tableau 4 démontre que, dans la couche en céramique diélectrique non réductrice de chacun des condensateurs en céramique monolithiques des échantillons 41 à 43, 47 et 48 et 51 et 52, le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur I'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 o à 35 o d'une phase cristalline primaire de perovskite est de 12 % ou moins dans un motif de diffraction rayons X CuKac o les phases cristallines secondaires incluent toutes les phases cristallines autres que la phase cristalline
primaire de perovskite.
Chaque condensateur en céramique monolithique présente un produit CR important (le produit de la capacité électrostatique et de la résistance d'isolation) d'au moins 1000, une perte diélectrique de 0,1 % ou moins et un faible taux de variation de la résistance électrostatique en fonction de la température (TC) de -1000 ppm/ C ou moins. Le temps moyen jusqu'à défaillance (MTTF) au niveau du test de durée de vie en charge haute température à 150 C et 200 V est aussi long que 300 heures ou plus. La durée de vie du premier échantillon tombé en défaillance est longue et la variation de la durée de vie entre les
échantillons est faible, ce qui démontre une fiabilité élevée.
Pour un rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 o à de la phase cristalline primaire de perovskite excédant 12 %, le condensateur en céramique monolithique ne présente pas des propriétés électriques supérieures comme démontré au niveau des échantillons 44, 45, 49, 50, 53 et 54. C'est-à-dire que dans les échantillons 44 et 45, la durée de vie du premier condensateur en céramique monolithique tombé en défaillance est aussi faible que 15 à heures et la durée de vie varie entre les échantillons bien que le MTTF soit aussi long que 360 à 480 heures lors du test de durée de vie en charge haute température. En outre, le MTTF est aussi court que 30 à 240 heures et la durée de vie du premier échantillon tombé en défaillance s'inscrit dans la plage qui va de 2 à 15 heures pour les échantillons 49, 50, 53 et 54. Par conséquent, ces échantillons présentent des variations importantes de durée de vie et une détérioration des propriétés électriques dans des périodes relativement courtes. La figure 3 représente un motif de diffraction rayons X de la céramique diélectrique dans le condensateur en céramique monolithique de l'échantillon 43, o le rapport de l'intensité de crête maximum des phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête
maximum de la phase cristalline primaire de perovskite est de 11,0 %.
La figure 4 représente un motif de diffraction rayons X de la céramique diélectrique dans le condensateur en céramique monolithique de l'échantillon 54, o le rapport est de 29,0 %. Sur ces dessins, les crêtes munies d'astérisques (*) sont assignées à la phase cristalline primaire de perovskite et les autres crêtes sont assignées aux phases
cristallines secondaires.
Dans cet exemple, du cuivre élémentaire a été utilisé dans l'électrode interne du condensateur en céramique monolithique. Un
alliage de cuivre procure également les mêmes effets.
Comme décrit ci-avant, les condensateurs en céramique monolithiques qui utilisent les céramiques basées sur les exemples présentés ci-avant présentent des propriétés électriques supérieures, c'est-à-dire un produit CR important d'au moins 1000, une perte diélectrique de 0,1 % ou moins et un faible taux de variation de résistance électrostatique en fonction de la température (TC) de -1000 ppm/ C ou moins. Le temps moyen jusqu'à défaillance (MTTF) au niveau du test de durée de vie en charge haute température est d'au moins 300 heures même lorsque l'épaisseur de la couche en céramique diélectrique est de 5 gm ou moins. En outre, la durée de vie du premier échantillon tombé en défaillance est longue et la variation de la durée de vie entre les échantillons est faible, ce qui démontre une
fiabilité élevée.
En outre, des métaux de base peu coûteux peuvent être utilisés en tant que matériaux d'électrodes internes pour le condensateur en céramique monolithique. Par conséquent, des condensateurs en céramique monolithiques haute performance et compacts peuvent être constitués en utilisant du nickel élémentaire ou un alliage de nickel ou du cuivre élémentaire ou un alliage de cuivre présentant des
caractéristiques hautes fréquences supérieures.
La céramique diélectrique non réductrice de la présente invention est utile en tant que matériau de condensateur pour une
compensation de température et en tant que matériau de résonateur diélectrique pour des micro-ondes ou hyperfréquences. La céramique5 diélectrique non réductrice est également utile en tant que matériau pour un condensateur mince à valeur de capacité importante.
Claims (9)
1. Céramique diélectrique non réductrice comprenant Ca, Zr et Ti en tant qu'éléments métalliques et ne contenant pas de Pb, caractérisée en ce que, dans un motif de diffraction rayons X CuKa(, le rapport de l'intensité de crête maximum de phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 à 35 d'une phase cristalline primaire de perovskite est de 12 % ou moins, les phases cristallines secondaires incluant toutes les phases cristallines
autres que la phase cristalline primaire de perovskite.
2. Condensateur en céramique monolithique, comprenant: une pluralité de couches en céramique diélectrique; des électrodes internes prévues entre les couches en céramique diélectrique; et des électrodes externes connectées électriquement aux électrodes internes, caractérisé en ce que les couches en céramique diélectrique comprennent une céramique diélectrique non réductrice selon la revendication 1 et les électrodes internes comprennent un métal de base.
3. Condensateur en céramique monolithique selon la revendication 2, caractérisé en ce que le métal de base est au moins un métal choisi parmi le groupe comprenant un nickel élémentaire, un
alliage de nickel, un cuivre élémentaire et un alliage de cuivre.
4. Procédé de fabrication d'une céramique diélectrique non réductrice comprenant du Ca, Zr et Ti en tant qu'éléments métalliques et ne contenant pas de Pb, caractérisé en ce que, dans un motif de diffraction rayons X CuKa, le rapport de l'intensité de crête maximum de phases cristallines secondaires sur l'intensité de crête maximum à 2 0 = 25 à 35 d'une phase cristalline primaire de perovskite est de 12 % ou moins, les phases cristallines secondaires incluant toutes les phases cristallines autres que la phase cristalline primaire de perovskite, et en ce que le procédé comprend les étapes de: (A) calcination d'une poudre constitutive de site B non calcinée afin de préparer une poudre constitutive de site B calcinée o la céramique diélectrique est représentée par la formule générale ABO3; (B) préparation d'une poudre constitutive de site A à partir de matériaux constitutifs de site A; (C) mélange de la poudre constitutive de site B et de la poudre constitutive de site A afin de préparer une poudre de matériau primaire non calcinée; (D) calcination de la poudre de matériau primaire non calcinée afin de préparer une poudre de matériau primaire calcinée; (E) addition d'au moins une poudre prise parmi une poudre constitutive de site A et une poudre constitutive de site B à la poudre de matériau primaire calcinée afin de régler de façon fine la composition de la poudre de matériau primaire calcinée afin de préparer une poudre de matériau secondaire; et (F) moulage et frittage de la poudre de matériau secondaire
sous une atmosphère neutre ou réductrice.
5. Procédé de fabrication d'une céramique diélectrique non réductrice selon la revendication 4, caractérisé en ce que la poudre constitutive de site B avant calcination présente un diamètre de
particule moyen de 0,5 Ulm ou moins.
6. Procédé de fabrication d'une céramique diélectrique non réductrice selon la revendication 4, caractérisé en ce que la poudre constitutive de site B non calcinée est calcinée à une température de
1050 C à 1200 C pendant une à deux heures.
7. Procédé de fabrication d'une céramique diélectrique non réductrice selon la revendication 4, caractérisé en ce que la poudre de matériau primaire calcinée présente un diamètre de particule moyen de
0,8 gm ou moins.
8. Procédé de fabrication d'une céramique diélectrique non réductrice selon la revendication 4, caractérisé en ce que la poudre de matériau primaire calcinée est une poudre de céramique qui présente une composition qui est représentée par (Cal-v-wSrvBaw)k(Zrl.x.yTixHfy)O3
o 0,95 < k < 1,00.
9. Procédé de fabrication d'une céramique diélectrique non réductrice selon la revendication 8, caractérisé en ce que la poudre de matériau secondaire est une poudre de céramique qui présente une composition qui est représentée par (Ca1 vwSrvBaw)p(Zrl-x yTixHfy)O3 o
0,98 < p < 1,02.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000106907A JP3503568B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2807426A1 true FR2807426A1 (fr) | 2001-10-12 |
| FR2807426B1 FR2807426B1 (fr) | 2006-09-22 |
Family
ID=18620001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR0104702A Expired - Lifetime FR2807426B1 (fr) | 2000-04-07 | 2001-04-06 | Ceramique dielectrique non reductrice, condensateur en ceramique monolithique l'utilisant et procede de fabrication d'une ceramique dielectrique non reductrice |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6617273B2 (fr) |
| JP (1) | JP3503568B2 (fr) |
| KR (1) | KR100418601B1 (fr) |
| CN (1) | CN1317457A (fr) |
| FR (1) | FR2807426B1 (fr) |
| GB (1) | GB2361002B (fr) |
| TW (1) | TW523500B (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2807425A1 (fr) * | 2000-04-07 | 2001-10-12 | Murata Manufacturing Co | Ceramique dielectrique non reductrice et condensateur en ceramique monolitique l'utilisant |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3503568B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2004-03-08 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| US9788058B2 (en) | 2000-04-24 | 2017-10-10 | Comcast Cable Communications Management, Llc | Method and system for automatic insertion of interactive TV triggers into a broadcast data stream |
| US7668963B1 (en) * | 2000-04-24 | 2010-02-23 | Tvworks, Llc | News architecture for iTV |
| US8936101B2 (en) | 2008-07-17 | 2015-01-20 | Halliburton Energy Services, Inc. | Interventionless set packer and setting method for same |
| US20020010928A1 (en) * | 2000-04-24 | 2002-01-24 | Ranjit Sahota | Method and system for integrating internet advertising with television commercials |
| US7702995B2 (en) | 2000-04-24 | 2010-04-20 | TVWorks, LLC. | Method and system for transforming content for execution on multiple platforms |
| US8296792B2 (en) | 2000-04-24 | 2012-10-23 | Tvworks, Llc | Method and system to provide interactivity using an interactive channel bug |
| KR100444230B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 내환원성 유전체 자기 조성물 |
| JP4506084B2 (ja) | 2002-04-16 | 2010-07-21 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
| JP4729847B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2011-07-20 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| WO2004063119A1 (fr) * | 2002-12-24 | 2004-07-29 | Tdk Corporation | Composition de porcelaine dielectrique, composant electronique et procedes servant a les fabriquer |
| US7172985B2 (en) * | 2005-06-07 | 2007-02-06 | Kemet Electronics Corporation | Dielectric ceramic capacitor comprising non-reducible dielectric |
| WO2008018408A1 (fr) * | 2006-08-09 | 2008-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composition de vitrocéramique , vitrocéramique frittée, et composants électroniques céramiques stratifiés |
| JP4786604B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2011-10-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| DE112008002499T5 (de) * | 2007-09-26 | 2010-09-02 | Universal Entertainment Corporation | Verfahren zur Herstellung eines Sinterkörpers eines komplexen Metalloxids |
| JP4678022B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2011-04-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
| JP5278092B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-09-04 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜コンデンサ、及び薄膜コンデンサの製造方法 |
| US8935719B2 (en) | 2011-08-25 | 2015-01-13 | Comcast Cable Communications, Llc | Application triggering |
| WO2013047646A1 (fr) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 株式会社村田製作所 | Condensateur céramique multicouches et son procédé de fabrication |
| US9414114B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-08-09 | Comcast Cable Holdings, Llc | Selective interactivity |
| JP5445704B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-03-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
| US11076205B2 (en) | 2014-03-07 | 2021-07-27 | Comcast Cable Communications, Llc | Retrieving supplemental content |
| KR102183423B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2020-11-26 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
| CN110818409B (zh) * | 2019-12-25 | 2022-03-08 | 内蒙古工业大学 | 制备SrZrO3的方法以及SrZrO3陶瓷 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04114919A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 複合ペロブスカイト型誘電体磁器粉末の製造方法 |
| EP0978853A1 (fr) * | 1998-08-07 | 2000-02-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composition diélectrique céramique résistante à la réduction, et condensateur céramique monolithique utilisant celle-ci |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131708A (ja) | 1983-12-19 | 1985-07-13 | 株式会社村田製作所 | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 |
| JPS6131345A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-13 | 堺化学工業株式会社 | 組成物の製造方法 |
| JPS61147404A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH0831284B2 (ja) * | 1986-11-14 | 1996-03-27 | 株式会社村田製作所 | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 |
| JP3182772B2 (ja) | 1991-01-11 | 2001-07-03 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物の製造方法 |
| JP2871135B2 (ja) * | 1991-02-16 | 1999-03-17 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物の製造方法 |
| JP3028503B2 (ja) | 1992-01-31 | 2000-04-04 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JP2997236B2 (ja) | 1997-03-31 | 2000-01-11 | ティーディーケイ株式会社 | 非還元性誘電体磁器材料 |
| DE69833427T2 (de) * | 1997-03-31 | 2006-09-28 | Tdk Corp. | Nichtreduzierendes keramisches dielektrium |
| JP3605260B2 (ja) | 1997-05-28 | 2004-12-22 | 京セラ株式会社 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JP3638414B2 (ja) | 1997-09-30 | 2005-04-13 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JP3814401B2 (ja) | 1998-01-30 | 2006-08-30 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
| JP3470703B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2003-11-25 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体セラミックおよびそれを用いた積層セラミックコンデンサ、ならびに非還元性誘電体セラミックの製造方法 |
| JP3503568B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2004-03-08 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000106907A patent/JP3503568B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-20 GB GB0106939A patent/GB2361002B/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-05 CN CN01116312A patent/CN1317457A/zh active Pending
- 2001-04-06 FR FR0104702A patent/FR2807426B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-06 TW TW090108297A patent/TW523500B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-06 US US09/828,013 patent/US6617273B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-07 KR KR10-2001-0018465A patent/KR100418601B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-05-02 US US10/427,978 patent/US6730624B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04114919A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 複合ペロブスカイト型誘電体磁器粉末の製造方法 |
| EP0978853A1 (fr) * | 1998-08-07 | 2000-02-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composition diélectrique céramique résistante à la réduction, et condensateur céramique monolithique utilisant celle-ci |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| COUGHANOUR L W ET AL: "SOLID-STATE REACTIONS AND DIELECTRIC PROPERTIES IN THE SYSTEMS MAGNESIA-ZIRCONIA-TITANIA AND LIME-ZIRCONIA-TITANIA", JOURNAL OF RESEARCH OF THE NATIONAL BUREAU OF STANDARDS, WASHINGTON, DC, US, vol. 54, no. 4, April 1955 (1955-04-01), pages 191 - 199, XP008030127, ISSN: 0160-1741 * |
| HENNINGS D ET AL: "Temperature dependence of the segregation of calcium titanate from solid solutions of (Ba, Ca) (Ti, Zr)O/sub 3/ and its effect on the dielectric properties", MATER. RES. BULL. (USA), MATERIALS RESEARCH BULLETIN, DEC. 1977, USA, vol. 12, no. 12, 1977, pages 1221 - 1226, XP002278133, ISSN: 0025-5408 * |
| KELL R C ET AL: "High-permittivity temperature-stable ceramic dielectrics with low microwave loss", J. AM. CERAM. SOC. (USA), JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, JULY 1973, USA, vol. 56, no. 7, 1973, pages 352 - 354, XP002278134, ISSN: 0002-7820 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 362 (C - 0971) 5 August 1992 (1992-08-05) * |
| TOYODA M ET AL: "Preparation and characterization of (Ba,Ca)(Ti,Zr)O/sub 3/ thin films through sol-gel processing", J. SOL-GEL SCI. TECHNOL. (NETHERLANDS), JOURNAL OF SOL-GEL SCIENCE AND TECHNOLOGY, OCT. 1999, KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS, NETHERLANDS, vol. 16, no. 1-2, 1999, pages 7 - 12, XP002278132, ISSN: 0928-0707 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2807425A1 (fr) * | 2000-04-07 | 2001-10-12 | Murata Manufacturing Co | Ceramique dielectrique non reductrice et condensateur en ceramique monolitique l'utilisant |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001291632A (ja) | 2001-10-19 |
| US6730624B2 (en) | 2004-05-04 |
| KR100418601B1 (ko) | 2004-02-11 |
| US6617273B2 (en) | 2003-09-09 |
| US20010039239A1 (en) | 2001-11-08 |
| KR20010090764A (ko) | 2001-10-19 |
| FR2807426B1 (fr) | 2006-09-22 |
| JP3503568B2 (ja) | 2004-03-08 |
| GB0106939D0 (en) | 2001-05-09 |
| GB2361002A (en) | 2001-10-10 |
| GB2361002B (en) | 2002-04-03 |
| TW523500B (en) | 2003-03-11 |
| US20030210512A1 (en) | 2003-11-13 |
| CN1317457A (zh) | 2001-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2807426A1 (fr) | Ceramique dielectrique non reductrice, condensateur en ceramique monolithique l'utilisant et procede de fabrication d'une ceramique dielectrique non reductrice | |
| KR100242590B1 (ko) | 유전체 세라믹 및 이것을 이용한 모놀리식 세라믹 전자 부품 | |
| KR100418599B1 (ko) | 페로브스카이트 구조를 갖는 산화물과 티탄산바륨, 그리고 그 제조방법 및 이를 이용한 유전체 세라믹과 세라믹 전자부품 | |
| JP4935671B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、およびこれを用いたコンデンサの製造方法 | |
| FR2815630A1 (fr) | Ceramique dielectrique, son procede de production et condensateur ceramique multicouche l'utilisant | |
| FR2807425A1 (fr) | Ceramique dielectrique non reductrice et condensateur en ceramique monolitique l'utilisant | |
| JP4587924B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| WO2006082833A1 (fr) | Condensateur céramique empilé et procédé de fabrication dudit condensateur céramique empilé | |
| EP0865052A2 (fr) | Matériau céramique à constante diélectrique élevée et son procédé de fabrication | |
| JPH1074660A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR20030056175A (ko) | 내환원성 유전체 자기 조성물 | |
| JP4513278B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミックの製造方法、非還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| CN112979308A (zh) | 电介质组合物及电子部件 | |
| JP5506731B2 (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
| JP7037945B2 (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| US9082553B2 (en) | Laminated ceramic capacitor and manufacturing method therefor | |
| JP4471453B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
| JP7262640B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP3856984B2 (ja) | 誘電体磁器およびその製法 | |
| JP2019129232A (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| KR100533639B1 (ko) | 내환원성 유전체 조성물 및 그 제조방법 | |
| JP2023149630A (ja) | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法及び多層積層セラミックキャパシタ | |
| JP2024048975A (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JPH0987014A (ja) | 高誘電率磁器組成物の製造方法 | |
| JP2605611B2 (ja) | 磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 16 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 17 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 18 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 19 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 20 |