FR2798130A1 - Compose, composition organique pour film anti-reflechissant et procede de formation d'un motif de film anti-reflechissant - Google Patents
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Abstract
La présente invention concerne un composé chromophore représenté par la formule chimique 14 suivante : (CF DESSIN DANS BOPI) dans laquelle :b et c représentent des nombres de moles, remplissant la condition que le rapport de b/ c varie de 0, 1 à 1, 0 / 0, 1 à 1, 0;R " est un atome d'hydrogène ou un groupement méthyle;R4 représente un groupement alkyle, substitué ou non, linéaire ou ramifié, contenant de 1 à 5 atomes de carbone. L'invention concerne également un procédé de préparation d'un tel composé, un composition organique pour film anti-réfléchissant comprenant ce composé, ainsi qu'un procédé de formation d'un motif de film anti-réfléchissant utilisant cette composition organique. Un tel motif convient à une utilisation dans la haute intégration de dispositifs à semi-conducteur.
Description
COMPOSE, COMPOSITION ORGANIQUE POUR FILM ANTI-
REFLECHISSANT ET PROCEDE DE FORMATION D'UN MOTIF DE FILM
ANTI-REFLECHISSANT
La présente invention se rapporte à une composition organique pour film anti-
réfléchissant convenant pour une utilisation en sub-microlithographie. Plus particulièrement, la présente invention concerne une composition organique pour film anti-réfléchissant qui contient un composé chromophore à haute absorption aux longueurs d'onde utiles en sub- microlithographie, de manière à permettre la formation stable de motifs ultra-fins convenant à une utilisation dans la haute intégration de dispositifs à semi-conducteur. La présente invention concerne également un procédé pour former des motifs ultra-fins en utilisant une telle
composition pour film anti-réfléchissant.
Au cours d'un procédé de sub-microlithographie, il se produit inévitablement des ondes stationnaires et des interférences en réflexion des réfléchissant les ondes du fait des propriétés optiques des couches inférieures appliquées sur la tranche et des variations d'épaisseur de la couche photosensible appliquée dessus ainsi que l'altération de la CD (dimension critique) par la lumière diffractée et réfléchie
provenant des couches inférieures.
Pour résoudre ces problèmes, on a déjà proposé d'introduire dans la partie inférieure du film photorésistant, une couche anti-réfléchissante d'un matériau présentant une absorption élévée de la lumière dont les domaines de longueurs
d'ondes conviennent à une utilisation en sub-microlithographie.
En l'absence d'une telle couche anti-réfléchissante, la lumière, quand elle est projetée sur le film photorésistant à partir d'une source d'UV, pénètre dans le film photorésistant et est réfléchie ou diffusée à partir des ses couches inférieures ou de la surface de la puce semi-conductrice. La couche anti-réfléchissante est ainsi introduite pour éviter la réflexion ou diffusion de la lumière, ce qui a une influence directe sur
la sub-microlithographie des films photorésistants.
De nature minérale ou organique selon le matériau utilisé, le film anti-
réfléchissant est généralement divisé en un film anti-réfléchissant absorbant et un
film anti-réfléchissant interférentiel sur la base du mécanisme.
Dans le cas d'une microlithographie utilisant une ligne i (365 nm) en tant que source de lumière, des films inorganiques anti-réfléchissants sont généralement utilisés. Parmi ceux-ci, des couches absorbantes antiréfléchissantes sont largement
fabriquées à partir de TiN ou de carbone amorphe, tandis que les couches anti-
réfléchissantes interférentielles sont la plupart du temps à base de SiON. Ces films anti-réfléchissants à base de SION sont également utilisés pour la formation de motifs ultra-fins pour lesquels du KrF (248 nm) est utilisé en tant que source de lumière. Pour ce qui est de la lumière de ArF, qui a une longueur d'onde plus courte que les deux sources de lumière citées ci-dessus, il n'a pas encore été mis au point de films anti-réfléchissants appropriés pour la sub-microlithographie, qui tirent profit de la lumière à courte longueur d'onde. Aucun film antiréfléchissant minéral n'a été
décrit pour contrôler l'interférence à la longueur d'onde de ArF, à savoir, 193 nm.
Récemment, des recherches intensives ont été effectuées et continuent de l'être, pour mettre au point des surfaces anti-réfléchissantes organiques qui soient
applicables à des films anti-réfléchissants appropriés pour une utilisation en sub-
microlithographie mettant en oeuvre de la lumière ArF.
Les exigences fondamentales concernant les couches anti-réfléchissantes
organiques sont exposées ci-après.
Premièrement, le pelage de la couche photorésistante, en raison d'une dissolution dans des solvants de la couche anti-réfléchissante organique ne devra pas
se produire au cours d'un procédé de lithographie. A cet égard, la surface anti-
réfléchissante organique devra être conçue de sorte que les films durcis aient une
structure réticulée sans produire de produits secondaires.
Deuxièmement, il ne devra pas y avoir de migration des substances chimiques,
telles que les acides ou les amines, ni dans, ni à partir des couches anti-
réfléchissantes. Si des acides migrent de la couche anti-réfléchissante vers une zone non exposée du film photorésistant positif, les motifs photorésistants sont sous gravés tandis que l'exsudation de bases, telles que les amines, cause un phénomène
d'élargissement au pied.
Troisièmement, on devra obtenir des vitesses de gravure plus élevées dans la couche anti-réfléchissante que dans le film photosensible supérieur, ce qui permettra de mettre en oeuvre un procédé de gravure correctement, le film photosensible
servant de masque.
Enfin, les couches organiques anti-réfléchissantes devraient être aussi minces que possible tout en ayant une aptitude supérieure à empêcher le réflexion de la lumière. Les recherches intensives menées par la Demanderesse ont débouché sur la mise au point de la résine antiréfléchissante selon l'invention, qui satisfait aux exigences et qui convient à une utilisation pour former des motifs ultra-fins par
utilisation d'un rayonnement ArF.
Ainsi, un objet de la présente invention est de surmonter les problèmes rencontrés dans l'art antérieur et de proposer un nouveau composé organique qui puisse être utilisé comme surface anti-réfléchissante pour sub-microlithographie
utilisant un laser à l'ArF (193 nm).
Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de préparation d'un composé organique qui empêche la diffusion et la réflexion causées par une exposition à un rayonnement en submicrolithographie. Un autreobjet, encore, de la présente invention de de proposer une composition anti-réfléchissante contenant tel composé organique empêchant la diffusion et la
réflexion et un procédé pour sa préparation.
Encore un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé pour former sur un dispositif à semi-conducteur un motif avec un effet d'onde stationnaire notablement réduit lorsque la sub-microlithographie est mise en oeuvre en utilisant un
laser à l'ArF.
Un autre objet de la présente invention est de proposer un dispositif à semi-
conducteurs sur lequel un motif est formé à partir d'une composition anti-
réfléchissante par sub-microlithographie. La figure 1 est une photographie montrant des motifs perpendiculaires bien définis constitués de la composition organique pour film anti-réfléchissant selon la
présente invention.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, il est proposé un composé représenté par la formule chimique suivante 13 et un composé représenté par la formule chimique suivante 14 formule 13 R'
C
R3 l c
R, R2
formule 14
R'
H2 H H2 //.
R.
OH
dans lesquelles b et c représentent des nombres de moles, remplissant la condition que le rapport de b/c varie de 0,1 à 1,0 / 0,1 à 1,0; R' et R" sont indépendamment l'un de l'autre un atome d'hydrogène ou un groupement méthyle; Ri, R2 et R4, qui sont identiques ou différents, représentent chacun un groupement alkyle, substitué ou non, linéaire ou ramifié, contenant de 1 à 5 atomes de carbone; et R3 est un atome d'hydrogène ou un groupement alkyle, substitué ou non,
linéaire ou ramifié, contenant de 1 à 5 atomes de carbone.
Selon un autre mode de réalisation de la présente invention, il est proposé un procédé pour préparer le composé selon la formule chimique 14, par dissolution des monomères contituant le composé de cette formule dans un solvant organique et faisant réagir la solution obtenue en présence d'un amorceur de polymérisation sous atmosphère d'azote ou d'argon. Selon une version préférée de ce mode de réalisation, les monomères constituant le composé selon la formule chimique 14 sont un composé représenté par la formule chimique 3 suivante et un composé représenté par la formule 4 ou 5 suivantes: formule 3 formule 4 C==O I O
CH
CH2 OH formule 5 c=-O CH2 CH2 CH2
OH
Selon une autre version préférée de ce mode de réalisation, le solvant est un ou plusieurs des solvants choisis dans le groupe constitué par le tétrahydrofuranne, le
toluène, le benzène, la méthyl-éthyl cétone et le dioxane.
Selon une autre version, l'amorceur de polymérisation est un ou plusieurs des solvants choisis dans le groupe constitué par le 2,2azobisisobutyronitrile (AIBN), le
peroxyde de benzoyle, le peroxyde d'acétyle, le peroxyde de lauryle et le t-
butyloxyde. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, il est proposé une composition organique pour film anti-réfléchissant comprenant un composé selon la formule chimique 13, un composé selon la formule chimique 14, un générateur d'acide à chaud et un solvant organique. Selon une version préférée de ce mode de réalisation, la masse moléculaire du composé de la formule chimique 13 varie de 4000 à 12000, tandis que le composé selon la formule chimique 14 a une masse
moléculaire variant de 4000 à 15000.
Sont utiles, dans la composition pour film anti-réfléchissant selon la présente
invention, un ou plusieurs des solvants choisis dans le groupe constitué par le 3-
méthoxyproprionate de méthyle, le 3-éthoxypropionate d'éthyle, le méthyl-
étheracétate de propylèneglycol, la 2-heptanone et le tétrahydrofuranne. De préférence, le solvant organique est utilisé en une quantité variant de 2000 à 4000 %
en poids par rapport au poids du composé selon la formule chimique 13 ou 14.
Sachant qu'il est de préférence utilisé en une quantité de 0,1 à 10% en poids par rapport au poids total des composés selon les formules chimiques 13 et 14, le générateur d'acide à chaud convenant à une utilisation dans la composition pour film anti-réfléchissant est un ou plusieurs des composés choisis dans le groupe constitué par les composés représentés par les formules chimiques suivantes 8 à 12 Formule 8 OH
-O S CF3
Formule 9 OH
X 11I
O -S-CF3
Formule 10 OH
0
( X-S-CF3
il Formule I l x, o o N 0 CF3 Formule 12 OH O-s-OF Selon encore un autre mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé pour former un motif de film anti-réfléchissant utilisant la composition organique pour film anti-réfléchissant. Le procédé comprend les étapes d'application d'une composition organique pour film anti-réfléchissant sur une couche devant être gravée; cuisson de la couche obtenue par application de la composition organique pour film anti-réfléchissant; création d'un motif photorésistant par revêtement d'un film photorésistant sur le film organique anti-réfléchissant, exposition du film photorésistant à une source de rayonnement et développement du film photorésistant ayant été exposé à la lumière; et gravure séquentielle du film anti-réfléchissant organique et de la couche devant être gravée, le motif photorésistant servant de
masque de gravure.
Dans le procédé pour former un motif de film anti-réfléchissant, l'étape de
cuisson est préférablement mise en oeuvre à 100-250 C pendant I à 5 minutes.
Selon une version de ce mode de réalisation, le procédé pour former un motif de film anti-réfléchissant peut comprendre en outre une étape de cuisson préalable et postérieure à l'étape d'exposition. Dans ce cas, l'étape de cuisson est préférablement
mise en oeuvre à 70-200 C.
Selon une autre version, la source de rayonnement est choisie dans le groupe constitué par les faisceaux ultra-violet lointain, comprenant l'ArF, le KrF et EUV, les faisceaux d'électrons, les rayonnements X, les faisceaux d'ions et leurs combinaisons. De préférence, l'étape d'exposition est mise en oeuvre sous une source
de rayonnement ayant une énergie de 0,1 à 20 mJ/cm2.
Selon un autre mode de réalisation de la présente invention, il est proposé un
dispositif à semiconducteurs qui est fabriqué à l'aide d'un motif de film anti-
réfléchissant préparé ci-dessus.
L'invention sera mieux comprise à la lumière des exemples suivants qui sont
fournis à titre d'illustration, et non de limitation, de la présente invention.
Exemple 1 synthèse du composé selon la formule 6 Formule 6
H2 H H2 H
( c- c-i-c CH2 OH Dans un ballon à fond rond de 250 ml, on dissout 0,1 mole (10,4 g) d'un monomère selon la formule chimique 3 et 0,1 mole (11,6 g) d'un monomère selon la formule chimique 4 dans un mélange de solvants constitué de 66 g d'isobutylméthyl cétone et 66 g de tétrahydrofuranne. Ensuite, on laisse réagir la solution obtenue à C pendant six heures en présence de 0,44 g de 2,2-azobisisobutyronitrile (AIBN) qui sert d'amorceur de polymérisation, sous atmosphère inerte, par exemple d'azote ou d'argon. Après achèvement de la réaction le produit est précipité dans l'éther éthylique et séché pour donner le composé souhaité en une quantité de 9g, soit un
rendement de 40%.
Exemple 2 synthèse du composé selon la formule chimique 7 Formule 7
H2 H H2 H
t TeCH2 CH2 OH Dans un ballon à fond rond de 250 ml, on dissout 0,1 mole (10,4 g) d'un monomère selon la formule chimique 3 et 0,1 mole (13 g) d'un monomère selon la formule chimique 5 dans un mélange de solvants constitué de 66 g d'isobutylméthyl cétone et 66 g de tétrahydrofuranne. Ensuite, on laisse réagir la solution obtenue à C pendant six heures en présence de 0,44 g de 2,2-azobisisobutyronitrile (AIBN) qui sert d'amorceur de polymérisation, sous atmosphère inerte, par exemple d'azote ou d'argon. Après achèvement de la réaction le produit est précipité dans l'éther
éthylique et séché pour donner le composé souhaité.
Exemple 3: préparation d'une composition pour film anti-réfléchissant à partir de la combinaison de composés selon les formules chimiques I et 6, et formation de motifs à partir de cette composition Dans 1,050 g d'acétate de propylèneglycol méthyléther, on dissout 14 g d'un composé selon la formule chimique 1 suivante et 21 g d'un composé selon la formule chimique 6. Après mélange intime avec 0,35 g d'un générateur d'acide à chaud selon la formule chimique 8, la solution est filtrée à travers un filtre fin de 0,2 plm pour donner une composition organique pour film anti-réfléchissant. Cette solution est appliquée par centrifugation sur une tranche de silicium et ensuite durcie par cuisson à 205 C pendant 120 secondes. Sur le film anti-réfléchissant durci est appliqué
l'agent photosensible DHA1001 qui est ensuite cuit à 110 C pendant 90 secondes.
Ensuite, la tranche plusieurs fois revêtue est exposée à l'aide d'un appareil à ArF appelé << ArF Microstepper ", tel que celui fabriqué par ISI, puis soumise à une cuisson à 110 C pendant 90 secondes. La tranche est développée en utilisant une solution aqueuse d'hydroxyde de méthylammonium à 2,38 % en poids et son observation fait apparaître des motifs perpendiculaires bien définis, comme montré
sur la figure 1.
Formule I
H2 H
o oCH3
C H3 CH3
Exemple 4: préparation d'une composition de film anti-réfléchissant à partir d'une composition de composés selon les formules chimiques 1 et 7, et formation de motifs à partir de cette composition Dans 1,050 g d'acétate de propylèneglycol méthyléther, on dissout 14,0 g d'un composé selon la formule chimique I et 21,0 g d'un composé selon la formule chimique 7. Après mélange intime avec 0,35 g d'un générateur d'acide à chaud selon la formule chimique 8, la solution est filtrée à travers un filtre fin de 0,2 p.m pour donner une composition organique pour film anti-réfléchissant. Cette solution est appliquée par centrifugation sur une tranche de silicium et ensuite durcie par cuisson à 205 C pendant 120 secondes. Sur le film anti-réfléchissant durci est appliqué
l'agent photosensible DHAOO11 qui est ensuite cuit à 110 C pendant 90 secondes.
Ensuite, la tranche plusieurs fois revêtue est exposée à l'aide d'un appareil à ArF appelé " ArF Microstepper ", tel que celui fabriqué par ISI, puis soumise à une cuisson à 110 C pendant 90 secondes. La tranche est développée en utilisant une solution aqueuse d'hydroxyde de méthylammonium à 2,38 % en poids et son
observation fait apparaître des motifs perpendiculaires bien définis.
Exemple 5: préparation d'un composition de film anti-réfléchissant à partir d'une composition de composés selon les formules chimiques 2 et 6, et formation de motifs à partir de cette composition Dans 1,050 g d'acétate de propylèneglycol méthyléther, on dissout 14,0 g d'un composé selon la formule chimique 2 suivante et 21,0 g d'un composé selon la formule chimique 6. Après mélange intime avec 0,35 g d'un générateur d'acide à chaud selon la formule chimique 8, la solution est filtrée à travers un filtre fin de 0,2 p.m pour donner une composition organique pour film anti-réfléchissant. Cette solution est appliquée par centrifugation sur une tranche de silicium et ensuite durcie par cuisson à 205 C pendant 120 secondes. Sur le film anti-réfléchissant durci est appliqué l'agent photosensible DHAIOO1 qui est ensuite cuit à 10 C pendant 90 secondes. Ensuite, la tranche plusieurs fois revêtue est exposée à l'aide d'un appareil à ArF appelé " ArF Microstepper ", tel que celui fabriqué par ISI, puis soumise à une cuisson à 110 C pendant 90 secondes. La tranche est développée en utilisant une solution aqueuse d'hydroxyde de méthylammonium à 2,38 % en poids et son
observation fait apparaître des motifs perpendiculaires bien définis.
Formule 2 H2 H ( c/Cin l l
CH CH2
CH3 CH3
Exemple 6: préparation d'un composition de film anti-réfléchissant à partir d'une composition de composés selon les formules chimiques 2 et 7 et formation de motifs à partir de cette composition Dans 1,050 g d'acétate de propylèneglycol méthyléther, on dissout 14 g d'un composé selon la formule chimique 2 et 21,0 g d'un composé selon la formule chimique 7. Après mélange intime avec 0,35 g d'un générateur d'acide à chaud selon la formule chimique 8, la solution est filtrée à travers un filtre fin de 0,2 pm pour donner une composition organique pour film antiréfléchissant. Cette solution est appliquée par centrigugation sur une tranche de silicium et ensuite durcie par cuisson à 205 C pendant 120 secondes. Sur le film anti-réfléchissant durci est appliqué
l'agent photosensible DHAI001 qui est ensuite cuit à 10 C pendant 90 secondes.
Ensuite, la tranche plusieurs fois revêtue est exposée à l'aide d'un appareil à ArF appelé "< ArF Microstepper ">, tel que celui fabriqué par ISI, puis soumise à une cuisson à 110 C pendant 90 secondes. La tranche est développée en utilisant une solution aqueuse d'hydroxyde de méthylammonium à 2,38 % en poids et son
observation fait apparaître des motifs perpendiculaires bien définis.
Formé d'un agent de réticulation représenté par la formule chimique 13 et un substrat organique anti-réfléchissant contenant une fonction alcool représenté par la formule chimique 14, comme décrit ci-dessus, le film anti-réfléchissant selon la présente invention n'est pas affecté par la solution photorésistante qui recouvrera le film anti-réfléchissant, c'està-dire qu'il n'est pas dissout par la solution photorésistante mais absorbe bien le rayonnement pénétrant à travers le film photorésistant, et reduit de ce fait notablement l'effet d'onde stationnaire. En conséquence, le film anti-réfléchissant organique selon la présente invention permet la formation de motifs dans une configuration ultra-fine bien définie, ce qui apporte
une grande contribution à la haute intégration des dispositifs à semiconducteur.
La présente invention a été décrite d'une manière illustrative, et elle en doit pas être considérée comme limitée par la terminologie utilisée. De nombreuses
modifications et variantes sont possibles à la lumière des enseignements données ci-
dessus. Par conséquent, il doit être entendu que l'invention peut être executée d'une manière différente de ce qui a été décrit sans pour autant sortir du cadre de l'invention. lI
Claims (15)
1. Composé représenté par la formule chimique 14 suivante: Formule 14 R'
H2 H H /
o 4, T=
1
Uio OH dans laquelle: b et c représentent des nombres de moles, remplissant la condition que le rapport de b/c varie de 0,1 à 1,0 / 0,1 à 1,0; R" est un atome d'hydrogène ou un groupement méthyle; R4 représente un groupement alkyle, substitué ou non, linéaire ou ramifié,
contenant de 1 à 5 atomes de carbone.
2. Composé selon la revendication I ayant une masse moléculaire variant de
4000 à 15000.
3. Composé selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel R" est un atome d'hydrogène et R4 est un groupement éthyle ou propyle, ce qui correspond aux formules 6 et 7 suivantes Formule 6
H2 H H2 H
----(--c-C c- C d
f C--O-
b CO I CH2
I
CH2 OH Formule 7
H2 H H2 H
-t-C-C 0-(C -6 i C 'O O CH2 CHz CH2
I
OH 4. Procédé de préparation d'un composé selon la formule 14, comprenantlesétapes de: dissolution des monomères contituant le composé selon la formule 14 dans un solvant organique; réaction de la solution obtenue en présence d'un amorceur de polymérisation
sous atmosphère d'azote ou d'argon.
5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel les monomères sont composé représenté par la formule chimique 3 suivante et un composé représenté par l'une ou l'autre des formules chimiques 4 et 5 suivantes Formule 3 Formule 4 C:O =O I=
c -o-
H
ru2 OH Formule 5 =O I CH, CH2 CH} OH 6. Procédé selon la revendication 4 ou la revendication 5, dans lequel le solvant est choisi dans le groupe constitué par le tétrahydrofuranne, le toluène, le benzène, la
méthyl-éthyl cétone, le dioxane et leurs mélanges.
7. Procédé selon l'une des revendications 4 à 6, dans lequel l'amorceur de
polymérisation est choisi dans le groupe constitué par le 2,2azobisisobutyronitrile
(AIBN), le peroxyde de benzoyle, le peroxyde d'acétyle, le peroxyde de lauryle, le t-
butyloxyde et leurs mélanges.
8. Composition organique pour film anti-réfléchissant, comprenant un composé selon la formule 14, et un composé représenté par la formule chimique 13 suivante Formule 13 0 o
RI R.
dans laquelle: R' est un atome d'hydrogène ou un groupement méthyle; RI et R2, qui sont identiques ou différents, représentent chacun un groupement alkyle, substitué ou non, linéaire ou ramifié, contenant de I à 5 atomes de carbone; et R3 est un atome d'hydrogène ou un groupement alkyle, substitué ou non,
linéaire ou ramifié, contenant de I à 5 atomes de carbone.
9. Composition organique pour film anti-réfléchissant selon la revendication 8,
comprenant en outre un solvant organique et un générateur d'acide à chaud.
10. Composition organique pour film anti-réfléchissant selon la revendication 9, dans laquelle le solvant organique est choisi dans le groupe constitué par le 3-
méthoxyproprionate de méthyle, le 3-éthoxypropionate d'éthyle, le méthyl-
étheracétate de propylèneglycol, la 2-heptanone, le tétrahydrofuranne et leurs mélanges. 1. Composition organique pour film anti-réfléchissant selon la revendication 9 ou 10, dans laquelle le solvant organique est utilisé en une quantité variant de 2000 à 4000 % en poids par rapport au poids du composé selon la formule chimique 13 ou 14. 12. Composition organique pour film anti-réfléchissant selon l'une des revendication 9 à 11, dans laquelle le générateur d'acide à chaud est choisi dans le groupe constitué par les composés représentés par les formules chimiques suivantes 8 à 12 et leurs mélanges: Formule 8 OH
OS CF3
Formule 9 OH
-OS CF3
iI
10
Formule 10 OH -CF3
II
Formule 10 O
0-SCF,
t5 Formule 1 1
N
CF3 Formule 12 OHS- 5 13. Composition organique pour film antiréfléchissant selon l'une des
revendications 9 à 12, dans laquelle le générateur d'acide à chaud est utilisé en une
quantité variant de 0,1 à 10% en poids par rapport au poids total des composés selon
les formules chimiques 13 et 14.
14. Procédé de formation d'un motif de film anti-réfléchissant utilisant la composition organique pour film anti-réfléchissant selon l'une des revendicationis 9 à 13, comprenant les étapes de: application d'une composition organique pour film anti-réfléchissant sur une couche devant être gravée; cuisson de la couche obtenue par application de la composition organique pour film anti-réfléchissant; création d'un motif photorésistant par revêtement d'un film photorésistant sur le film organique anti-réfléchissant, exposition du film photorésistant à une source de rayonnement et développement du film photorésistant ayant été exposé à la lumière; et gravure séquentielle du film anti-réfléchissant organique et de la couche devant
être gravée, le motif photorésistant servant de masque de gravure.
15.Procédé selon la revendication 14, dans lequel de cuisson est mise en
ceuvreà 100-250 C pendant I à 5 minutes.
16.Procédé selon la revendication 14 ou la revendication 15, comprenant en
outre une étape de cuisson préalable et/ou postérieure à l'étape d'exposition.
17.Procédé selon la revendication 16, dans lequel l'étape de cuisson est mise
en oeuvre à 70-200 C.
18.Procédé selon l'une des revendications 14 à 17, dans lequel l'exposition du
fim est mise en oeuvre sous un source de rayonnement choisie dans le groupe constitué par les faisceaux ultra-violet lointain, comprenant l'ArF, le KrF et EUV, les faisceaux d'électrons, les rayonnements X, les faisceaux d'ions et leurs
combinaisons.
19.Procédé selon l'une des revendications 14 à 18, dans lequel l'exposition est
mise en oeuvre sous une source de rayonnement ayant une énergie de 0,1 à 20 mJ/cm2.
20.Dispositif à semi-conducteurs fabriqué à l'aide d'un motif de film anti-
réfléchissant obtenu par le procédé selon l'une des revendications 14 à 19.
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