FR2790114A1 - Composition photoresistante presentant une excellente resistance a l'effet retard de post-insolation - Google Patents

Composition photoresistante presentant une excellente resistance a l'effet retard de post-insolation Download PDF

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Geun Su Lee
Chi Hyeong Roh
Keun Kyu Kong
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Abstract

Réalisation d'une composition photorésistante présentant une excellente résistance à l'effet retard de post-insolation. La composition photorésistante comprend d'une part un polymère photorésistant, et d'autre part un solvant organique qui donnent à la composition une caractéristique d'amincissement de cisaillement.Obtention d'un bon motif photorésistant en présence d'une concentration d'amenée élevée.

Description

La présente invention se rapporte à une composition photorésistante ainsi
qu'à un procédé pour former un motif photorésistant utilisant cette composition. De manière plus particulière, l'invention se rapporte à une composition photorésistante présentant une excellente résistance vis-à-vis d'un retard de post-insolation ainsi qu'à un procédé pour former un motif photorésistant
utilisant cette composition.
Récemment, des agents photorésistants du type DUV (ultraviolet profond) à amplification chimique ont été étudiés de manière à atteindre une sensibilité élevée dans des procédés de formation de très petites images pour réaliser des dispositifs à semi-conducteur. De tels agents photorésistants sont préparés en mélangeant un générateur de photoacide et un polymère à résine
matricielle présentant un groupe acide instable.
Conformément au mécanisme de réaction d'un tel agent photorésistant, le générateur de photoacide produit un acide lorsqu'il est éclairé par une source de lumière, et la chaîne principale ou la chaîne ramifiée de la résine est amenée à réagir avec l'acide formé pour être décomposée ou réticulée. Le changement de polarité de la résine induit des différents de solubilité entre la partie exposée et la partie non exposée dans la solution
de développement, afin de former un motif prédétermine.
Dans le procédé lithographique, la résolution
dépend de la longueur d'onde de la source de lumière -
plus courte est la longueur d'onde et plus petits seront
les motifs pouvant être formés.
En général, un agent photorésistant (parfois abrégé ici en tant que "PR") doit satisfaire plusieurs exigences telles qu'une excellente résistance à la morsure, une excellente résistance à la chaleur ainsi qu'un excellent pouvoir d'adhésion et, de préférence, il devrait pouvoir être développé dans une solution aqueuse d'hydroxyde de tétraméthylammonium (HTAM) à 2,38 % en poids. Cependant, il est très difficile de synthétiser un polymère qui satisfasse à toutes ces exigences. Par exemple, un polymère présentant une chaîne principale de polyacrylate peut être facilement synthétisé, mais il a une mauvaise résistance à la morsure et présente des difficultés dans le processus de développement. De manière à fixer la résistance à la morsure, il a été considéré d'ajouter un ensemble alicyclique à la chaîne principale du polymère PR. Cependant, dans ce cas, un autre problème pratique se
produit dans le processus de fabrication du semi-
conducteur. Ainsi, l'acide formé par exposition de l'agent photorésistant peut réagir avec des composés amine du milieu en étant ainsi réduit pendant le temps entre l'insolation et la cuisson post- insolation ("effet retard de post-insolation"). Ainsi, le motif peut être déformé, ou le motif qui a été formé peut présenter une
forme en T (par exemple, un "surfaçage en T" du motif).
Il est nécessaire de minimiser la concentration d'amine dans le milieu de fabrication parce que ces phénomènes deviennent davantage sérieux lorsque la concentration de
l'amine du milieu est supérieure à 30ppb.
Certains procédés visant à surmonter ces phénomènes ont été décrits dans la technique antérieure. Les étapes suivantes ont par exemple été décrites à savoir (1) ajouter une amine à la composition PR, (2) ajouter un générateur de photoacide "doux" à la composition PR (voir l'article de Frank Houlihan et al., dans la revue "Journal of Photopolymer Science and Technology", Vol. 11, No. 3, 1998, 419-430), et (3) améliorer la résine PR elle-même (voir l'article de J. Byers et al., dans la revue "Journal of Photopolymer Science and Technology", Vol. 11, No. 3, 1998, 465-474). Cependant, ces procédés nécessitent des processus supplémentaires pour commander ou contrôler la concentration d'amine dans le milieu, parce qu'ils ne sont efficaces que lorsque la concentration d'amine du milieu est inférieure à 5ppb, ce qui a ainsi pour résultat des coûts de fabrication élevés. Un objet de la présente invention est de créer une composition photorésistante qui peut donner un bon motif photorésistant en présence d'une concentration d'amine élevée. Conformément à l'invention, la composition photorésistante est caractérisée en ce qu'elle comprend d'une part un polymère photorésistant, et d'autre part un solvant organique qui donne à la composition une
caractéristique d'amincissement de cisaillement.
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaîtront plus clairement dans la description
explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lesquels: - les figures 1 à 13 montrent des motifs photorésistants obtenus à partir de modes de réalisation de la présente invention; - la figure 14 est un graphique montrant des
données qui ont été obtenues dans l'Exemple 11.
La présente invention crée une composition photorésistante qui comprend d'une part un polymère
photorésistant, et d'autre part un solvant organique non-
Newtonien qui donne à la composition une caractéristique
d'amincissement de cisaillement.
L'expression "caractéristique d'amincissement de cisaillement" signifie que la viscosité de la matière est
réduite lorsqu'une contrainte est appliquée à la matière.
Un solvant non-Newtonien est un solvant dont l'écoulement a un comportement qui s'écarte de celui d'un fluide Newtonien, de sorte que le taux de cisaillement
n'est pas proportionnel à la contrainte correspondante.
Les solvants non-Newtoniens préférés comprennent des solvants à base de cétone et des solvants à base d'ester. Les solvants à base de cétone les plus préférés sont choisis dans le groupe se composant de:
cyclohexanone, isobutyl méthyl cétone, 2-heptanone, 3-
heptanone, 4-heptanone, cyclopentanone, 2-
méthylcyclopentanone, 3-méthylcyclo-pentanone, 2-
méthylcyclohexanone, 3-méthylcyclohexanone et 2,4-
diméthylpentanone. Les solvants à base d'ester les plus préférés sont choisis dans le groupe se composant de
lactate d'éthyl et lactate de 2-méthoxyéthyle.
On préfère utiliser un polymère comprenant des ensembles alicycliques dans sa chaîne principale en tant que polymère photorésistant dans la composition photorésistante de la présente invention; de manière davantage préférée, le polymère est représenté par la Formule Chimique 1 suivante: <Formule Chimique 1> -']a -]b]c o, d
C=O =0 C=O
1c= cl 1=
O OH O
OH o a, b, c et d représentent individuellement le
rapport de polymérisation de chaque copolymère.
Des composés à base de sulfure ou du type "onium" sont de préférence utilisés en tant que générateur de photoacide. Des générateurs de photoacide appropriés peuvent être un ou plusieurs composés choisis dans le groupe se composant de l'hexafluorophosphate d'iodure de diphényle, l'hexafluoroarsenate d'iodure de diphényle, l'hexafluoroantimonate d'iodure de diphényle, le triflate
de diphényl p-méthoxyphényle, le triflate de diphényl p-
toluényle, le triflate de diphényl p-isobutylphényle, le
triflate de diphényl p-tert-butylphényle, l'hexafluoro-
phosphate de triphénylsulfonium, l'hexafluoroarsenate de
triphénylsulfonium, l'hexafluoroantimonate de triphényl-
, sulfonium, le triflate de triphénylsulfonium et le
triflate de dibutylnaphthylsulfonium.
De manière à former un motif photorésistant en utilisant la composition photorésistante de la présente invention, la composition photorésistante est appliquée par centrifugation sur une pastille de silicium, et "doucement cuite". Ensuite, l'agent photorésistant est exposé à une énergie lumineuse de 1 à 30mJ/cm2 en utilisant un équipement ou une installation d'insolation d'une source de lumière présentant une longueur d'onde inférieure à 250 nm, avec un rayonnement d'ArF (193 nm), de KrF (248nm), de faisceau E, d'EUV, de DUV ou de rayons X, et ensuite "post-cuit" à une température d'environ 90 C à 170 C pendant environ 1 à 5 minutes. La pastille est ensuite développée dans une solution de développement, par exemple une solution aqueuse de HTMA (hydroxyde de tétraméthylammonium) de 0,01 à 5 % en poids, pour obtenir un micro-motif, de
préférence de 0,19 Mm ou moins.
Il a été trouvé que le fait de changer la structure tridimensionnelle des molécules du polymère photorésistant présent dans la composition photorésistante en cours d'application peut produire une couche photorésistante de recouvrement présentant une excellente stabilité à l'effet retard de
post - insolation.
De manière générale, il existe de nombreux écarts entre les molécules lorsque des résines photorésistantes contenant des ensembles alicycliques sont appliquées sur le substrat d'une pastille pour former la couche photorésistante d'un dispositif à semi-conducteur. Ces écarts permettent une évacuation facile des acides produits à partir de la couche photorésistante par insolation et permettent également à la couche photorésistante d'être pénétrée par des amines qui réagissent avec eux et d'ainsi éliminer les acides produits. Il est impossible de former des micro-motifs si l'effet retard de post-insolation se produit, car les acides traités sont neutralisés par les amines du milieu qui imprègnent la couche photorésistante. Il en résulte qu'une amplification chimique ne peut pas être mise en oeuvre par évaporation des acides lorsque la couche photorésistante est post-cuite, c'est-à- dire cuite à une température élevée de manière à diffuser l'acide avant le développement. Les problèmes ci-dessus peuvent être résolus en réduisant les écarts entre les molécules du polymère de la couche PR par l'utilisation de solvants organiques spécifiques dans la composition PR appliquée conformément
à la présente invention. Des solvants organiques non-
Newtoniens de la présente invention donnent à la composition photorésistante des caractéristiques d'amincissement de cisaillement. Il est estimé que les intervalles mentionnés ci-dessus entre les molécules du polymère sont réduits lorsque l'on utilise les solvants de la présente invention parce que les molécules du polymère d'une solution d'amincissement de cisaillement sont dans des formes de tiges, d'ovales ou d'hélices rigides. Ces formes s'orientent parallèlement à la direction de cisaillement et, par conséquent, sont appliquées en une structure plus compacte, en produisant ainsi peu d'intervalle, sinon aucun, entre les molécules de la couche appliquée et en créant de bons motifs
photorésistants même s'il existe un retard de post-
insolation.
L'invention est décrite de manière plus détaillée en se référant aux Exemples ci-dessous, mais il y a lieu de noter que la présente invention n'est nullement
limitée à ces exemples.
Dans les exemples ci-après, les motifs qui sont obtenus sont comparés les uns avec les autres, le seul changement étant dans le solvant de la composition photorésistante. La concentration des amines du milieu
est maintenue à 30ppb dans tous les exemples.
Exemple Comparatif 1: Utilisation d'un solvant Newtonien On a dissous d'une part une résine de la Formule Chimique 1 ci-dessus, ne comprenant que des ensembles alicycliques (lg), et d'autre part du triflate de triphénylsulfonium (0,012g) en tant que générateur de photoacide, dans de l'acétate de propylène glycol méthyl éther (7g), à savoir un solvant Newtonien, pour obtenir
une composition PR.
Cette composition a été appliquée par centrifugation sur des pastilles prétraitées avec de l'hexaméthyldisilazane à température ambiante (23 C) et cuite à 150 C pendant 90 secondes. Après cuisson, 91 plaquettes ont été exposées à la lumière en utilisant un dispositif d'insolation à laser ArF, en augmentant de 1 mJ/cm2 la quantité de lumière d'insolation pour chaque
2 2
plaquette successive depuis 10 mJ/cm jusqu'à 100 mJ/cm2.
Les plaquettes ont ensuite été à nouveau cuites à 140 C
pendant 90 secondes sans retard de post-insolation.
Lorsque la cuisson a été achevée, les pastilles ont été développées dans une solution aqueuse d'hydroxyde de tétraméthylammonium (HTMA) à 2,38 % en poids, mais aucun motif n'a été obtenu, comme montré à la figure 1, car les acides produits par l'insolation étaient enlevés par les amines existant dans le milieu du dispositif d'insolation. Exemple Comparatif 2: Utilisation d'un solvant Newtonien On a dissous d'une part une résine de Formule Chimique 1 (lg), et d'autre part du triflate de triphénylsulfonium (0, 012g) en tant que générateur de photoacide, dans du propionate d'éthyl 3- éthoxy (6g), à savoir un solvant Newtonien, pour obtenir une composition PR. La composition a été appliquée par centrifugation sur des pastilles prétraitées avec de l'hexaméthyldisilazane à température ambiante (23 C) et cuite à 150 C pendant 90 secondes. Après cuisson, 91 plaquettes ont été exposées à la lumière en utilisant un dispositif d'insolation à laser ArF, en augmentant de 1 mJ/cm2 la quantité de lumière d'insolation pour chaque
2 2
plaquette successive depuis 10 mJ/cm jusqu'à 100 mJ/cm2. Les plaquettes ont ensuite été à nouveau cuites à 140 C
pendant 90 secondes sans retard de post-insolation.
Lorsque la cuisson a été achevée, les pastilles ont été développées dans une solution aqueuse de HTMA à 2,38 % en poids, mais aucun motif n'a été obtenu, comme
montré à la figure 2.
Exemple Inventif 1: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a dissous d'une part une résine de Formule Chimique 1 (lg), et d'autre part du triflate de triphénylsulfonium (0,012g) en tant que générateur de photoacide, dans du lactate d'éthyle (6g), à savoir un
solvant non Newtonien, pour obtenir une composition PR.
La composition a été appliquée par centrifugation sur des pastilles prétraitées avec de l'hexaméthyldisilazane à température ambiante (23 C) et cuite à 150 C pendant 90 secondes. Après cuisson, 91 plaquettes ont été exposées à la lumière en utilisant un dispositif d'insolation à laser ArF, en augmentant de 1 mJ/cm2 la quantité de lumière d'insolation pour chaque
2 2
plaquette successive depuis 10 mJ/cm jusqu'à 100 mJ/cm2.
Après un retard de post-insolation de 30 minutes, les pastilles ont été à nouveau cuites à 140 C pendant 90 secondes. Lorsque la cuisson a été achevée, les pastilles ont été développées dans une solution aqueuse de THMA à 2,38 % en poids pour obtenir un motif de 0,14 Mm L/S,
comme montré à la figure 3.
Exemple Inventif 2: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a dissous d'une part une résine de Formule Chimique 1 (lg), et d'autre part du triflate de triphénylsulfonium (0,012g) en tant que générateur de photoacide, dans du cyclohexanone (6g), à savoir un
solvant non Newtonien, pour obtenir une composition PR.
La composition a été appliquée par centrifugation sur des pastilles prétraitées avec de l'hexaméthyldisilazane à température ambiante (23 C) et cuite à 150 C pendant 90 secondes. Après cuisson, 91 plaquettes ont été exposées à la lumière en utilisant un dispositif d'insolation à laser ArF, en augmentant de 1 mJ/cm2 la quantité de lumière d'insolation pour chaque
2 2
plaquette successive depuis 10 mJ/cm jusqu'à 100 mJ/cm2.
Après un retard de post-insolation de 30 minutes, les pastilles ont été à nouveau cuites à 140 C pendant 90 secondes. Lorsque la cuisson a été achevée, les pastilles ont été développées dans une solution aqueuse de HTMA à 2,38 % en poids pour obtenir un motif de 0,13 pm L/S,
comme montré à la figure 4.
Exemple Inventif 3: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a répété le processus selon l'Exemple Inventif 2, mais en utilisant de l'acétate de 2-méthoxyéthyle (6g) à la place du cyclohexanone (6g) en tant que solvant non Newtonien, pour obtenir un motif de 0,13 lm L/S comme
montré à la figure 5.
Exemple Inventif 4: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a répété le processus selon l'Exemple Inventif 2, mais en utilisant du 2- heptanone (6g) à la place du cyclohexanone (6g) en tant que solvant non Newtonien, pour obtenir un motif de 0,16 Mm L/S comme montré à la
figure 6.
Exemple Inventif 5: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a répété le processus selon l'Exemple Inventif 2, mais en utilisant le 3- heptanone (6g) à la place du cyclohexanone (6g) en tant solvant non Newtonien, pour obtenir un motif de 0,15 Mm L/S comme montré à la figure 7. Exemple Inventif 6: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a répété le processus selon l'Exemple Inventif 2, mais en utilisant du 4- heptanone (6g) à la place du cyclohexanone (6g) en tant que solvant non Newtonien, pour obtenir un motif de 0,19 pm L/S comme montré à la
figure 8.
Exemple Inventif 7: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a répété le processus selon l'Exemple Inventif 2, mais en utilisant de l'isobutyl méthyl cétone (8g) à la place du cyclohexanone (6g) en tant que solvant non Newtonien, pour obtenir un motif de 0,13 jm L/S comme
montré à la figure 9.
Exemple Inventif 8: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a répété le processus selon l'Exemple Inventif 2, mais en utilisant un mélange de cyclohexanone (3g) et d'isobutyl méthyl cétone (3g) à la place du cyclohexanone (6g) en tant que solvant non Newtonien, pour obtenir un
motif de 0,15 Mm L/S comme montré à la figure 10.
Exemple Inventif 9: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a répété le processus selon l'Exemple Inventif 2, mais en utilisant un mélange de cyclohexanone (3g) et de 2-heptanone (3g) à la place du cyclohexanone (6g) en tant que solvant non Newtonien, pour obtenir un motif de
0,13 gm L/S comme montré à la figure 11.
Exemple Inventif 10: Utilisation d'un solvant non Newtonien On a répété le processus selon l'Exemple Inventif 2, mais en utilisant un mélange de cyclohexanone (3g) et d'acétate de 2-méthoxyéthyle (3g) à la place du cyclohexanone (6g) en tant que solvant non Newtonien pour obtenir un motif de 0,14 Mm L/S comme montré à la figure 12. Exemple Comparatif 3: Utilisation d'un solvant Newtonien et d'un générateur de photoacide doux On a dissous d'une part une résine de Formule Chimique 1 (lg), et d'autre part du triflate de triphénylsulfonium (0,01 g) en tant que générateur de photoacide ainsi qu'un générateur de photoacide doux de Formule Chimique 2 ci-dessous (0, 01 g), dans de l'acétate de propylène glycol méthyle éther 7g), à savoir un solvant Newtonien, dans une atmosphère ayant plus de 30
ppb d'amine pour obtenir une composition PR.
<Formule Chimique 2> o \ II_ <ED' O H La composition a été appliquée par centrifugation sur des pastilles prétraitées avec de l'hexaméthyldisilazane à 23 C et cuite à 150 C pendant 90 secondes. Après cuisson, 91 plaquettes ont été exposées à la lumière en utilisant un dispositif d'insolation à laser ArF, en augmentant de 1 mJ/cm2 la quantité de lumière d'insolation pour chaque plaquette successives
2 2
depuis 10 mJ/cm jusqu'à 100 mJ/cm. Les pastilles ont alors été à nouveau cuites à 140 C pendant 90 secondes
sans retard de post-insolation.
Lorsque la cuisson a été achevée, les pastilles ont été développées dans une solution aqueuse de HTMA à 2,38 % en poids, mais aucun motif n'a été obtenu, comme
montré à la figure 13.
Comme cela est prouvé par les Exemples Comparatifs 1, 2 et 3 ci-dessus, aucun motif n'a été obtenu lorsqu'on a utilisé des solvants Newtoniens, même sans retard de post-insolation. En particulier, dans l'Exemple Comparatif 3, aucun motif n'a été obtenu en présence d'une concentration élevée d'amine, malgré l'utilisation
d'un générateur de photoacide doux.
Par ailleurs, de bons motifs ont été obtenus même après un retard de post-insolation, lorsque l'on a utilisé des solvants non Newtoniens selon la présente invention. Sans être lié par une théorie quelconque, il est estimé que la structure de la molécule de polymère PR est modifiée sous un effet de cisaillement en des formes de tiges, d'ovales ou d'hélices rigides lorsque le polymère PR est mélangé avec un solvant non Newtonien, en permettant ainsi aux molécules de polymère d'être étroitement serrées entre elles lors de l'application et en réduisant les intervalles entre les molécules de polymère de la couche de recouvrement. La réduction des intervalles réduit de manière significative la
pénétration d'amines dans la couche PR.
Les Exemples Inventifs 1 à 10 prouvent qu'il est plus efficace d'utiliser des solvants non Newtoniens selon la présente invention dans la composition PR si la concentration de l'amine du milieu est élevée pendant le
processus photolithographique.
Des solvants supplémentaires à base de cétone tels que les 2méthylcyclopentanone, 3-méthylcyclopentanone,
2-méthylcyclohexanone, 3-méthylcyclo hexanone et 2,4-
diméthylpentanone peuvent également être utilisés à la place des solvants employés dans les Exemples Inventifs 1 à 10 pour créer une composition PR présentant une stabilité à l'effet retard de post-insolation conformément à la présente invention. Dans l'Exemple 11 suivant, on a mesuré les viscosités de solutions de polymère PR en utilisant différents solvants afin d'examiner de manière plus détaillée pourquoi la dissolution du polymère PR dans les solvants spécifiques de la présente invention crée une composition PR qui forme une couche PR stable vis-à-vis
de l'effet retard de post-insolation.
ExemDle 11 La viscosité de solutions comprenant la résine de la Formule Chimique 1 (lOg) dissoute dans 40g des quatre solvants suivants respectivement: (1) le 2-heptanone,
(2) l'isobutylméthyl cétone, (3) l'acétate de 2-
méthoxyéthyle et (4) l'acétate de propylène glycol méthyl éther, est mesurée à différents taux de cisaillement. La forme de la molécule de résine dans le solvant peut être estimée en comparant la viscosité de cisaillement avec le taux de cisaillement, (comme montré à la figure 14), parce que celles des solutions qui présente des caractéristiques d'amincissement de cisaillement sont connus pour présenter des formes de tiges, d'ovales ou
d'hélices rigides.
Les résultats montrés à la figure 14 prouvent que la solution d'acétate de propylène glycol méthyle, laquelle est instable vis-à-vis de l'effet retard de post-insolation, présente les caractéristiques d'un fluide Newtonien en ce que sa viscosité ne réagit pas à
un changement dans le taux de cisaillement.
Par ailleurs, les solutions de 2-heptanone, d'isobutylméthyl cétone et d'acétate de 2-méthoxyéthyle, lesquels sont stables vis-à-vis de l'effet retard de post-insolation, présentent les caractéristiques d'amincissement de cisaillement d'un fluide non Newtonien en ce que leurs viscosités changent avec un changement du
taux de cisaillement.
Ces résultats établissent de manière indirecte que la forme de la molécule de polymère PR dans les compositions PR de la présente invention est celle d'une tige, d'un ovale ou d'une hélice rigide, et montrent une corrélation entre cette forme et les bons motifs photolithographique qui sont stables vis-à-vis de l'effet retard de post- insolation. En choisissant un solvant non Newtonien pour la composition PR, le polymère PR prend une forme, sous les conditions de cisaillement, qui réduit les intervalles entre les molécules de polymère PR lorsqu'elles sont appliquées sous la forme d'une couche PR, en empêchant ainsi aux amines de pénétrer dans la
couche PR appliquée.
En outre, la présente invention réduit les coûts du processus photolitographique car d'excellents motifs PR sont obtenus simplement en choisissant un solvant spécifique plutôt qu'en utilisant un processus
supplémentaire.
L'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation représentés et décrits en détail car diverses modifications peuvent y être apportées sans sortir du cadre de la présente invention tel que défini dans les
revendications ci-après.

Claims (17)

REVENDICATIONS
1. Composition photorésistante, caractérisée en ce qu'elle comprend d'une part un polymère photorésistant, et d'autre part un solvant organique qui donne à la composition une caractéristique d'amincissement de cisaillement.
2. Composition photorésistante selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre un générateur de photoacide pour former une
composition photorésistante chimiquement amplifiée.
3. Composition photorésistante selon la revendication 1, caractérisée en ce que le solvant
organique est un solvant non Newtonien.
4. Composition photorésistante selon la revendication 3, caractérisée en ce que le solvant non Newtonien est un solvant à base de cétone ou un solvant à
base d'ester.
5. Composition photorésistante selon la revendication 4, caractérisée en ce que le solvant à base de cétone est choisi dans le groupe se composant de
cyclohexanone, isobutyl méthyl cétone, 2-heptanone, 3-
heptanone, 4-heptanone, cyclopentanone, 2-méthylcyclo pentanone, 3méthylcyclopentanone, 2-méthylcyclohexanone, 3-méthylcyclohexanone et 2,4-diméthylpentanone; le solvant à base d'ester étant le lactate d'éthyle ou le
lactate de 2-méthoxyéthyle.
6. Composition photorésistante selon la revendication 1, caractérisée en ce que le polymère photorésistant comprend un ensemble alicyclique dans sa
chaîne principale.
7. Composition photorésistante selon la revendication 6, caractérisée en ce que le polymère photorésistant est un composé représenté par la Formule
Chimique 1 ci-après.
<Formule Chimique 1> f 9 dal 8 b LI C WAO> d
C=OC =
Ti OH O OH o a, b, c et d représentent individuellement le
rapport de polymérisation de chaque comonomère.
8. Procédé de réalisation d'un motif photorésistant, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à appliquer la composition photorésistante de la revendication 1 sur une pastille, exposer la pastille à de la lumière en utilisant un dispositif d'insolation et enfin développer la pastille exposée.
9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la source de lumière présente une longueur d'onde
inférieure à 250 nm.
10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape d'exposition est mise en oeuvre en utilisant une source de lumière choisie dans le groupe se composant de ArF (193 nm), de KrF (248 nm), d'un faisceau E, de rayons X, d'un faisceau ionique, EUV et du DUV
(ultra violet profond).
11. Procédé selon la revendication 8 caractérisé en ce que l'étape de développement est mise en oeuvre en
utilisant une solution de développement alcaline.
12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite solution de développement alcaline est
une solution aqueuse de HTMA de 0,01 à 5 % en poids.
13. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une ou plusieurs étapes de
cuisson avant et/ou après l'étape d'exposition.
14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'étape ou les étapes de cuisson sont mises en
oeuvre à 90-170 C pendant 1 à 5 minutes.
15. Procédé selon la revendication 13 caractérisé en ce qu'il existe un retard de post-insolation entre
l'étape d'exposition et l'étape de cuisson.
16. Procédé selon la revendication 15 caractérisé en ce que la concentration de l'amine du milieu est
supérieure à 30 ppb pendant le retard de post-exposition.
17. Elément à semi-conducteur fabriqué par le
procédé selon l'une des revendications 8 à 16.
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