ITTO20000137A1

ITTO20000137A1 - Composizione di fotoresist avente una eccellente resistenza all'effetto di ritardo da post esposizione.

Info

Publication number: ITTO20000137A1
Application number: IT2000TO000137A
Authority: IT
Inventors: Keun Kyu Kong; Geun Su Lee; Jae Chang Jung; Chi Hyeong Roh; Ki Ho Baik
Original assignee: Hyundai Electronics Ind
Priority date: 1999-02-19
Filing date: 2000-02-11
Publication date: 2001-08-11
Also published as: GB2347429A; NL1014417A1; DE10007429A1; JP2000241964A; CN1264060A; KR20000056355A; IT1319833B1; NL1014417C2; FR2790114A1; GB0001959D0

Description

D E S C R I Z I O N E

del brevetto per Invenzione Industriale

La presente invenzione si riferisce ad una composizione di fotoresist e ad un processo per la formazione di un modello di fotoresist utilizzando la stessa. Più in particolare, l’invenzione si riferisce ad una composizione di fotoresist con eccellente resistenza all’effetto di ritardo da post-esposizione e ad un processo per formare un modello di fotoresist impiegando la stessa.

Recentemente, fotoresist tipo DUV ad amplificazione chimica sono stati studiati allo scopo di ottenere una elevata sensibilità in processi di formazione di immagini piccole per la preparazione di dispositivi semiconduttori. Tali fotoresist vengono preparati mescolando un generatore fotoacido e un polimero di resina di matrice avente un gruppo acido labile.

Secondo il meccanismo di reazione di un tale fotoresist , il generatore fotoacido genera acido quando lo stesso viene illuminato da una sorgente luminosa, e la catena principale o la catena ramificata della resina viene fatta reagire con l'acido generato in modo da essere decomposta o reticolata. La variazione di polarità della resina provoca differenze di solubilità tra la porzione esposta e la porzione non esposta nella soluzione di sviluppo, così da formare un modello predeterminato..

Nel processo litografico, la risoluzione dipende dalla lunghezza d'onda della sorgente luminosa, quanto più corta è la lunghezza d’onda, tanto più può essere formato un modello piccolo.

In generale, un fotoresist (talvolta abbreviato qui come "PR") deve soddisfare a vari requisiti, quali eccellente resistenza all'attacco chimico, resistenza al calore e adesività e più preferibilmente dovrebbe essere sviluppabile in una soluzione acquosa di idrosisido di tetrametilammonio (TMAH) al 2,38% in peso. Tuttavia, è molto difficile sintetizzare un polimero che soddisfi a tutti questi requisiti. Per esempio, può essere facilmente sintetizzato un polimero avente una catena principale di poliacrilato , ma questo presenta una scarsa resistenza all'attacco chimico e manifesta difficoltà nel processo di sviluppo. Allo scopo di assicurare una resistenza all’attacco chimico, si è presa in considerazione l’aggiunta di una unità aliciclica alla catena principale del polimero PR. Tuttavia, in questo caso, si verifica un altro problema pratico nel processo per la produzione di semiconduttori. In particolare, l’acido generato per esposizione del fotoresist può reagire con composti amminici ambientali, così da essere ridotto durante il tempo tra l’esposizione e la cottura postesposizione ("effetto di ritardo da postesposizione”). Così, il modello può essere deformato oppure il modello formato può avere una forma a T (ad esempio "punta a T” del modello). Si richiede di minimizzare la concentrazione di ammina nell’ambiente di produzione poiché questi fenomeni diventano più gravi quando la concentrazione di ammina ambientale è superiore a 30 ppb.

Alcuni metodi per ovviare a questi fenomeni sono stati descritti nella tecnica precedente; per esempio (1) aggiunta di ammina alla composizione PR; (2) aggiunta di un generatore fotoacido "dolce” alla composizione PR [vedere Franck Houlihan ed al., "Journal of Photopolymer Science and Technology”, 11, No. 3, 419-439 (1998)], e (3) migliorare la resina PR stessa [vedere J. Byers ed al., "Journal of Photopolymer Science and Technolgoy ", 11, No. 3, 465-474 (1998)]. Tuttavia, questi metodi richiedono processi addizionali per controllare la concentrazione della ammina nell’ambiente, in quanto questi sono soltanto efficaci quando la concentrazione di ammina ambientale è inferiore a 5 ppb, risultando così in un elevato costo di fabbricazione .

Uno scopo della presente invenzione è quello di provvedere una composizione di fotoresist che possa provvedere un buon modello di fotoresist in presenza di una elevata concentrazione di ammina.

Le figure da 1 a 13 illustrano modelli di fotoresist ottenuti da forme di realizzazione della presente invenzione,

la figura 14 è un grafico che illustra dati che sono stati ottenuti nell'Esempio 11.

La presente invenzione provvede una composizione di fotoresist che contiene (i) un polimero di fotoresist, e (ii) un solvente organico non— Newtoniano che impartisce alla composizione caratteristiche di riduzione di viscosità.da sforzo.

"Caratteristica di riduzione di viscosità da sforzo" significa che la viscosità di un materiale si riduce quando viene applicata una sollecitazione al materiale. Un solvente non-Newtoniano è uno il cui comportamento di scorrimento si scosta da quello di un fluido Newtoniano, in modo che la velocità di scorrimento non è proporzionale alla sollecitazione corrispondente .

Solventi non Newtoniani preferiti comprendono solventi chetone e solventi estere. I solventi chetone maggiormente preferiti sono scelti dal gruppo costituito da cicloesanone , isobutil-metilchetone, 2-eptanone, 3-eptanone, 4-eptanone , ciclopentanone , 2-met i1cic1o-pentanone , 3-metilciclo-pentanone , 2-metilciclo-esanone , 3-metilcicloesanone e 2,4-dimetil-pentanone ; e i solventi estere maggiormente preferiti sono scelti dal gruppo costituito da lattato di etile e lattato di 2-metossietile.

E' preferibile impiegare un polimero contenente unità alicicliche nella sua catena principale come polimero di fotoresist nella composizione di fotoresist secondo la presente invenzione; più preferibilmente, il polimero rappresentato dalla seguente formula chimica 1:

<

in cui a, b, c e d rappresentano individualmente il rapporto di polimerizzazione di ciascun comonomero.

Come generatore fotoacido vengono preferibilmente impiegati composti di tipo solfuro o onio. Adatti generatori fotoacidi possono essere uno o più composti scelti dal gruppo costituito da difenilioduro di esafluoro-fosfato , difenilioduro di esafluoro-arseniato, difenilioduro di esafluoroantimonato , difenil-p-me tossi fenil-trifiato , difenil- p-toluenil-triflato, difenil- p-isobutilfenil-triflato, difenil- p- ter-butilfenil-triflato, esafluorofosfato di trifeni lsolfonio , esafluoroarseniato di trifenilsolfonio , esafluoroantimonato di trifenilsolfonio , triflato di trifenilsolfonio e triflato di dibutilnaftil-solfonio .

Allo scopo di formare un modello di fotoresist utilizzando la composizione di fotoresist secondo la presente invenzione, la composizione di fotoresist

viene applicata a rotazione su un wafer di silicio, e sottoposta a cottura blanda. Quindi, il fotoresist viene esposto a da 1 a 10 mJ/cm di energia luminosa impiegando una apparecchiatura di esposizione con radiazione ArF, KrF, fascio E, EUV o raggi X, e quindi post-cotto ad una temperatura da circa 90°C a 170°C per da circa 1 a 5 minuti. Successivamente, il wafer viene sviluppato in una soluzione di sviluppo, per esempio una soluzione acquosa di TMAH (idrossido di tetrametilammonio), per ottenere un micromodello, preferibilmente di 0,19 μm o inferiore.

I presenti Inventori hanno trovato che modificando la struttura tridimensionale delle molecole del polimero di fotoresist nella composizione di fotoresist che viene applicata è possibile produrre uno strato di fotoresist applicato avente eccellente stabilità all’effetto di ritardo da post-esposizione.

In generale, esistono parecchi spazi tra le molecole quando le resine di fotoresist contenenti unità alicicliche vengono applicate su un wafer come substrato per formare lo strato di fotoresist di un dispositivo semiconduttore. Questi spazi rendono facile scaricare gli acidi generati dallo strato di fotoresist mediante esposizione e permettono pure allo strato di fotoresist di essere permeato da ammine che reagiscono con e pertanto rimuovono gli acidi generati. E’ impossibile formare micromodelli se si verifica l’effetto di ritardo da postesposizione, poiché gli acidi generati vengono neutralizzati dalle ammine ambientali che permeano lo strato di fotoresist. Come risultato, non si può effettuare una amplificazione chimica mediante evaporazione degli acidi quando lo strato di fotoresist viene post-cotto, cioè cotto a una temperatura elevata allo scopo di diffondere l’acido prima dello sviluppo.

I precedenti problemi possono essere risolti riducendo gli spazi tra le molecole del polimero nello strato PR impiegando solventi organici specifici nella composizione PR applicata in accordo con la presente invenzione. I solventi organici non Newtoniani secondo la presente invenzione impartiscono caratteristiche di riduzione di viscosità da sforzo alla composizione di fotoresist. Si ritiene che i suddetti spazi tra le molecole del polimero vengano ridotti quando i solventi secondo la presente invenzione vengono impiegati poiché le molecole del polimero della soluzione di riduzione di viscosità da sforzo sono in forma di aste, ovali o eliche rigide. Queste forme si orientano parallelamente alla direzione di scorrimento e perciò vengono rivestite in una struttura più strettamente impaccata, producendo così pochi o nessuno spazio tra le molecole nello strato applicato e provvedendo buoni modelli di fotoresist anche quando vi è un ritardo da post-esposizione.

L’invenzione viene descritta in maggiore dettaglio facendo riferimento ai seguenti Esempi, ma si deve notare che la presente invenzione non è limitata in alcun modo agli Esempi.

Negli Esempi seguenti, i modelli ottenuti vengono confrontati tra loro, la sola variante essendo il solvente della composizione di fotoresist. La concentrazione delle animine ambientali viene mantenuta a 30 ppb in tutti gli Esempi seguenti.

Esempio rativo 1: Impiego di un solvente Newtoniano

( i) Una resina con la precedente formula chimica 1, contenente soltanto unità alicicliche (1 g), e (ii) triflato di trifenilsolfonio (0,012 g) come generatore fotoacido vengono sciolti in (iii) metiletere -acetato di propilen-glicol (7 g), un solvente Newtoniano, per ottenere una composizione PR.

Questa composizione viene applicata mediante rotazione su wafer pretrattati con esametildisilazano a temperatura ambiente (23°C) e cotta a 150’C per 90 secondi. Dopo cottura, 91 pastiglie vengono esposte alla luce impiegando un espositore laser ArF, aumentando la quantità di luce di esposizione per ogni successiva pastiglia di 1 mJ/cm da 10 mJ/cm a 100 mj/cm . Le pastiglie vengono quindi cotte nuovamente a 140°C per 90 secondi senza ritardo da post-esposizione.

Completata la cottura, i wafer vengono sviluppati in soluzione acquosa di idrossido di tetrametilammonio (TMAH) al 2,38% in peso, ma non si ottiene un modello, come illustrato nella figura 1, poiché gli acidi generati dalla esposizione sono stati rimossi dalle animine esistenti nell'ambiente dell 'espositore.

Esempio Comparativo 2: Impiego di un solvente Newtoniano

(i) Una resina con formula chimica 1 (1 g), e (ii) triflato di trifenilsolfonio (0,012 g) come generatore fotoacido vengono sciolti in (iii) 3-etossipropionato di etile (6 g), un solvente Newtoniano, per ottenere una composizione PR.

La composizione viene applicata mediante rotazione su wafer pretrattati con esametildisilazano a temperatura ambiente (23°C) e cottdl a 150°C per 90 secondi. Dopo cottura, 91 pastiglie vengono esposte alla luce impiegando un espositore laser ArF, aumentando la quantità di luce di esposizione per ciascuna pastiglia successiva di 1 mJ/cm da 10 mJ/cm a 100 mJ/cm . Le pastiglie vengono quindi cotte nuovamente a 140“C per 90 secondi senza ritardo da post-esposizione.

Completata la cottura, i wafer vengono sviluppati con soluzione acquosa di TMAH al 2,38% in peso, ma non si ottiene un modello, come illustrato nella figura 2.

Esempio 1 dell’Invenzione: Impiego di un solvente non -Newtoniano

(i) Una resina con formula chimica I (1 g) e (ii) triflato di trifeniIsolionio (0,012 g) come generatore di fotoacido vengono sciolti in (iii) lattato di etile (6 g), un solvente non- Newtoniano , per ottenere una composizione PR.

La composizione viene applicata mediante rotazione su wafer pretrattati con esametildisilazano a temperatura ambiente (23"C) e cotta a 150°C per 90 secondi. Dopo cottura, 91 pastiglie vengono esposte alla luce impiegando un espositore laser ArF aumentando la quantità di luce di esposizione per ciascuna pastiglia successiva di 1 mJ/cm da 10 a mJ/cm a 100 mJ/cm . Dopo un ritardo da post-esposizione di 30 minuti, i wafer vengono cotti nuovamente a 140°C per 9 secondi.

Completata la cottura, i wafer vengono sviluppati in soluzione acquosa di TMAH al 2,38% per ottenere un modello di 0,14 μm L/S, come illustrato nella figura 3.

Esempio 2 dell'Invenzione: Impiego di un solvente non-Newtoniano

di formula

(i) Una resina / chimica I (1 g), e (ii) triflato di trifenilsolfonio (0,012 g) come generatore fotoacido vengono sciolti in (iii) cicloesanone (6 g), un solvente non-Newtoniano, per ottenere una composizione PR.

La composizione viene applicata mediante rotazione su wafer pre-trattati con esametildisilazano a temperatura ambiente (23°C) e cotta a 150°C per 90 secondi. Dopo cottura, 91 pastiglie vengono esposte alla luce impiegando un espositore laser ArF aumentando la quantità di luce di esposizione per ogni successiva pastiglia di 1 mJ/cm da 10 mJ/cm a 100 mJ/cm . Dopo un ritardo da post-esposizione di 30 minuti, i wafer vengono nuovamente cotti a 140°C per 90 secondi.

Completata 'la cottura, i wafer vengono sviluppati in soluzione acquosa di TMAH al2,38% in peso per ottenere un modello di 0,13 p.m L/S, come illustrato nella figura 4.

Esempio 3 dell'Invenzione: Impiego di un solvente non-Newtoniano

Viene ripetuto il procedimento secondo l’Esempio 2 dell’invenzione, ma impiegando 2-metossieti 1-acetato (6 g) invece di cicloesanone (6 g) come solvente non-Newtoniano, per ottenere un modello di 0,13 μm /LS come illustrato nella figura 5 .

Esempio 4 dell’Invenzione: Impiego di un solvente non-Newtoniano

Viene ripetuto il procedimento secondo l’Esempio 2 dell’Invenzione ma impiegando 2-eptanone (6 g) invece di cicloesanone (6 g) come solvente non-Newtoniano, per ottenere un modello di 6,16 μm L/S come illustrato nella figura 6.

Esempio 5 dell’Invenzione: Impiego di un solvente non-Newtoniano

viene ripetuto il procedimento secondo l’Esempio 2 dell'Invenzione ma impiegando 3-eptanone (6 g) invece di cicloesanone (6 g) come solvente non-Newtoniano, per ottenere un modello di 0,15 μm L/S come illustrato nella figura 7.

Esempio 6 dell’Invenzione: Impiego di un solvente non Newtoniano

Viene ripetuto il procedimento secondo l'Esempio 2 dell'Invenzione, ma impiegando 4-eptanone (6 g) invece di cicloesanone (6 g) come solvente non-Newtoniano, per ottenere un modello di 0,19/μn L/S come illustrato nella figura 8.

Esempio 7 dell’Invenzione: Impiego di un solvente non-Newtoniano

Viene ripetuto il procedimento secondo l'Esempio 2 dell’Invenzione, ma impiegando isobutilmetil-chetone (8 g) invece di cicloesanone (6 g) come solvente non — Newtoniano, per ottenere un modello di 0,13μm L/S come illustrato nella figura 9 .

Esempio 8 dell’Invenzione; Impiego di un solvente non-Newtoniano

Viene ripetuto il procedimento secondo l'Esempio 2 dell'Invenzione, ma impiegando una miscela di cicloesanone (3 g) e isobutilmetilchetone (3 g) invece di cicloesanone (6 g) come solvente non-Newtoniano, per ottenere un modello di 0,15 μm L/S come illustrato nella figura 10

Esempio 9 dell'Invenzione: Impiego di un solvente non-Newtoniano

Viene ripetuto il procedimento secondo l’Esempio 2 dell’Invenzione, ma impiegando una miscela di cicloesanone (3 g) e di 2-eptanpne (3 g) invece, di cicloesanone (6 g) come solvente non Newtoniano, per ottenere un modello di 0,13 pm L/S come illustrato nella figura 11.

Esempio 10 dell'Invenzione: Impiego di un solvente non-Newtoniano

Viene ripetuto il procedimento secondo l’Esempio .2 dell’Invenzione, ma impiegando una miscela di cicloesanone (3 g) e di 2-metossietilacetato (3 g) invece di cicloesanone (6 g) come solvente non-Newtoniano, per ottenere un modello di 0,14 pm L/S come illustrato nella figura 12.

Esempio Comparativo 3: Impiego di un solvente Newtoniano e di un generatore fotoacido dolce

(i) Una resina con formula chimica 1 (1 g), (ii) triflato di trifenilsolfonio (0,01 g) come generatore fotoacido e (iii) un generatore fotoacido dolce con la seguente formula chimica 2 (0,01 g), vengono sciolti in (iv) propilenglicol-metiletereacetato (7 g), un solvente Newtoniano, in una atmosfera contenente più di 30 ppb di ammina per ottenere una composizione PR.

La composizione viene applicata mediante rotazione su wafer pre-trattati con esametildisilazano a 23"C e cotta a 150*C per 90 secondi. Dopo cottura, 91 pastiglie vengono esposte alla luce impiegando un espositore laser ArF aumentando la quantità di luce di esposizione per ciascuna successiva pastiglia di 1-mJ/cm da 10 mJ/cm a 100 mJ/cm . I wafer vengono quindi cotti nuovamente a 140°C per 90 secondi senza ritardo da postesposizione.

Completata la cottura, i wafer vengono sviluppati in soluzione acquosa di TMAH al2,38%, ma non si ottiene un modello, come illustrato nella figura 13.

Come dimostrato nei precedenti Esempi Comparativi 1, 2 e 3, non si ottengono modelli quando si utilizzano solventi Newtoniani, anche senza un ritardo da post-esposizione. In particolare, nell’Esempio Comparativo 3, non si ottiene un modello in presenza di una elevata concentrazione di ammina, nonostante l'impiego di un generatore fotoacido dolce.

Viceversa, si ottengono buoni modelli anche dopo ritardo da post-esposizione, quando si utilizzano solventi non- Newtoniani secondo la presente invenzione. Senza essere legati da una teoria, si ritiene che la struttura della molecola di polimero PR venga cambiata sotto sforzo in forme di asta, ovale o elica rigida quando il polimero PR viene mescolato con un solvente non-Newtoniano, così da permettere alle molecole del polimero di essere strettamente impaccate insieme quando rivestite e riducendo gli spazi tra le molecole del polimero nello strato applicato. La riduzione degli spazi riduce notevolmente la permeazione di ammine entro lo strato PR.

Gli Esempi da 1 a 10 secondo l’invenzione dimostrano che è più efficace impiegare i solventi non-Newtoniani secondo la presente invenzione nella composizione PR se la concentrazione della ammina ambientale è elevata durante il processo di fotolitografia.

Altri solventi chetone, quali 2-metilciclopentanone, 3-metilciclopentanone, 2-metilcicloesanone, 3-metilcicloesanone e 2,4-dimetilpentanone possono anche essere impiegati invece dei solventi impiegati negli Esempi da 1 a 10 secondo l’invenzione per provvedere una composizione PR con stabilità all'effetto di ritardo da post-esposizione in accordo con la presente invenzione.

Nel seguente Esempio 11, le viscosità delle soluzioni di polimero PR impiegando differenti solventi sono state misurate per esaminare in maggiore dettaglio perchè la dissoluzione del polimero PR nei solventi specifici secondo la presente invenzione provveda una composizione PR che forma uno strato PR stabile all'effetto di ritardo da post-esposizione.

Esempio 11

La viscosità di soluzioni comprendenti la resina con formula chimica 1 (10 g) sciolta in 40 g di quattro solventi, rispettivamente (1) 2-eptanone, (2) isobutilmetil-chetone, (3) 2-metossieti1-acetato (4) propilenglicol-raetiletereacetato , viene misurata a vari·, gradienti di. velocità. La forma delle molecole di resina nel solvente può essere immaginata confrontando la viscosità da sforzo con il gradiente di velocità (come illustrato nella figura 14), poiché le soluzioni che presentano caratteristiche di riduzione della viscosità posseggono notoriamente forme a barretta, ovali o elica rigida.

I risultati illustrati nella figura 14 dimostrano che la soluzione di propilenglicol-metiletere-acetato, che è instabile all’effetto di ritardo da post-esposizione presenta le caratteristiche di un fluido Newtoniano in quanto la sua viscosità non reagisce ad una variazione nel gradiente di velocità.

D’altra parte, le soluzioni in 2-eptanone, isobutil-metil-chetone e 2-metossietil-acetato, che sono stabili all’effetto di ritardo da postesposizione, presentano le caratteristiche di riduzione viscosità da sforzo del fluido non-Newtoniano in quanto le loro viscosità cambiano con un cambiamento nel graffiente Hi velocità."

Questi risultati stabiliscono indirettamente che la forma della molecola di polimero PR nelle composizioni PR secondo la presente invenzione è una barretta , un ovale o un'elica rigida e mettono in relazione questa forma con buoni modelli fotolitografici che sono stabili all'effetto di ritardo da post-esposizione. Selezionando un solvente non-Newtoniano per la composizione PR, il polimero PR assume una forma nelle condizioni di scorrimento che riduce gli spazi tra le molecole del polimero PR quando applicato come uno strato PR, così da impedire alle ammine di penetrare nello strato PR applicato.

Inoltre, la presente invenzione riduce il costo del processo fotolitografico poiché eccellenti modelli PR vengono ottenuti semplicemente selezionando un solvente specifico anziché impiegando un processo addizionale.

Claims

RIVENDICAZIONI 1. - Composizione di fotoresist che contiene (i) un polimero di fotoresist, e (ii) un solvente organico che impartisce una caratteristica di riduzione diviscositàdasfarzo alla composizione.
2. - Composizione di fotoresist secondo la rivendicazione 1, contenente inoltre (iii) un generatore di fotoacido per formare una composizione di fotoresist chimicamente amplificata.
3. - Composizione di fotoresist secondo la rivendicazione 1, in cui il solvente organico è un solvente non-Newtoniano.
4. - Composizione di fotoresist secondo la rivendicazione 3, in cui il solvente non- Newtoniano è un solvente chetone o un solvente estere.
5. - Composizione di fotoresist secondo la rivendicazione 4, in cui il solvente chetone è scelto dal gruppo costituito da cicloesanone, isobutil-metil-chetone, 2-eptanone, 3-eptanone, 4-eptanone, ciclopentanone, 2-metilciclo-pentanone, 3-metilciclo-pentanone, 2-metilciclo-esanone, 3-metilciclo-esanone e 2,4-dimetil-pentanone; e il solvente estere è acetato di etile o lattato di 2 metossietile.
6 Composizione di fotoresist secondo la rivendicazione 1, in cui il polimero di fotoresist comprende una unità aliciclica nella sua catena principale. .
7. - Composizione di fotoresist secondo la rivendicazione 6, in cui il polimero di fotoresist è un composto rappresentato dalla seguente formula chimica 1:

in cui a, b, c e d rappresentano individualmente il rapporto di polimerizzazione di ciascun comonomero.
8.- - Processo per formare un modello di fotoresist che comprende le fasi di (a) rivestire la composizione di fotoresist secondo la rivendicazione 1 su un wafer, (b) esporre il wafer a luce impiegando un espositore, e (c) sviluppare il wafer esposto.
9. - Processo secondo la rivendicazione 8, in cui la sorgente luminosa ha una lunghezza d'onda inferiore a 250 nm.
10. - Processo secondo la rivendicazione 8, in cui la fase di esposizione (b) viene effettuata impiegando una sorgente luminosa scelta dal gruppo costituito da ArF (193 nm), KrF (248 nm), un fascio di elettroni, raggi X , un fascio di ioni, EUV e DUV (ultravioletto profondo).
11. - Processo secondo la rivendicazione 8, in cui la fase di sviluppo (c) viene effettuata impiegando una soluzione di sviluppo alcalina.
12. - Processo secondo la rivendicazione 11, in cui detta soluzione di sviluppo alcalina è una soluzione acquosa di TMAH da 0,01 a 5% in peso.
13. - Processo secondo la rivendicazione 8, che comprende inoltre la fase di cottura prima e/oppure dopo la fase (b).
14. Processo secondo la rivendicazione 13, in cui la fase di cottura viene effettuata a 90-170°C per 1-5 minuti. 15. - Processo secondo la rivendicazione 13, in cui vi è un ritardo da post-esposizione tra la fase (b) e la fase di cottura. 16. - Processo secondo la rivendicazione 15, in cui la concentrazione della ammina ambientale è superiore a 30 ppb durante il ritardo da postesposizione . 17. - Elemento semiconduttore prodotto mediante il processo secondo la rivendicazione 8.