KR20070106213A - 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열에 의해 가교 결합을 형성할 수 있는 화합물 및 유기용매를 함유하는 혼합 방지용 조성물을 제공하고, 이를 이용하여 다기능 하드마스크막과 포토레지스트막 사이에 혼합(intermixing) 방지막을 형성함으로써, 포토레지스트 패턴 하부에서 발생하는 푸팅(footing) 현상을 방지할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
도 1은 종래 다층 하드마스크막을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 도시한 공정 도면의 개략도.
도 2는 다기능 하드마스크막을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 도시한 공정 도면의 개략도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 혼합 방지막을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예 3에 의해 형성된 포토레지스트 패턴 사진.
도 5는 본 발명의 실시예 3의 식각 공정 후 피식각층 패턴 사진.
< 도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명 >
1, 21, 121: 반도체 기판 3, 23, 123: 피식각층
5: 비정질(amorphous) 탄소막 7: 절연막
9: 반사방지막 11, 29, 129: 포토레지스트 패턴
25: 제 1 다기능 하드마스크막 27: 제2 다기능 하드마스크막
31: 푸팅(footing) 현상 123-1: 피식각층 패턴
125: 다기능 하드마스크막 125-1: 다기능 하드마스크막 패턴
127: 혼합(intermixing) 방지막 127-1: 혼합 방지막 패턴
131: 포토레지스트 패턴 하부
본원 발명은 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 메모리 소자의 응용 분야가 확장되어 감에 따라, 집적도가 향상된 대용량의 메모리 소자를 제조하기 위한 공정 개발이 절실히 요구되고 있다.
이에 따라 일반적인 반도체 제조 공정은 게이트 라인 (gate-line) 패턴이나, 비트 라인 콘택홀 (bit-line contact hole) 패턴을 형성하기 위한 리소그라피 공정을 필수로 포함한다.
상기 리소그라피 공정은 0.07㎛ 이하의 패턴 선폭(critical dimension; CD)을 형성하기 위하여 노출 광원으로 I-line 또는 KrF(248nm)과 같은 장파장 광원 대신 ArF(193nm) 또는 VUV(157nm)와 같은 단파장 광원과 이에 적합한 포토레지스트 물질을 사용하도록 개발되었다.
한편, 상기 리소그라피 공정을 수행하는 동안 포토레지스트 패턴이 쓰러지는 것을 방지하기 위하여 포토레지스트막의 코팅 두께가 감소하였는데, 이로 인해 식 각 공정 시에 포토레지스트 패턴의 식각 선택비를 확보하는 것이 어려워졌다.
이를 해결하기 위하여 종래 반도체 소자 제조 방법은 피식각층과 포토레지스트 패턴 사이에 포토레지스트 패턴보다 상대적으로 큰 식각 선택비를 가지는 다층 하드마스크막을 이용하였다. 예를 들면, 반도체 기판(1) 상의 피식각층(3) 상부에 비정질 탄소막(5)과 절연막(7)등 하나 이상의 층으로 구성된 복잡한 다층 구조의 하드마스크막을 형성한 다음, 그 상부에 반사방지막(9)과 소정 영역이 개구된 포토레지스트 패턴(11)을 순차적으로 형성하는 방법을 수행한다(도 1 참조).
이때 상기 비정질 탄소막이나, 절연막 또는 반사방지막은 포토레지스트 코팅 공정에 사용되는 공정 장비와 별도의 증착 장비를 사용해야 하는데, 이 증착 장비의 생산량(throughput)은 시간당 50장 이하로, 시간당 150장을 형성하는 포토레지스트 코팅 공정의 생산량보다 낮기 때문에, 생산성 증대를 위해서 보다 많은 증착 장비가 필요하고, 공정 비용이 증가한다.
이에 공정을 단순화시켜 원가 절감 및 설비 공간을 감소시키기 위하여 유기 반사방지층의 역할을 수행함과 동시에 하드마스크막으로도 사용할 수 있는 다기능 하드마스크막이 도입되었다.
즉, 상기 다기능 하드마스크막을 도입한 방법은 도 2에 도시한 바와 같이 반도체 기판(21) 상의 피식각층(23) 상부에 일반적인 유기 중합체로 이루어진 제1 다기능 하드마스크막(25)과 유기반사방지막의 기능을 가지는 제2 다기능 하드마스크막(27)을 형성한 다음, 그 상부에 소정 영역이 개구된 포토레지스트 패턴(29)을 순차적으로 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 유기반사방지막의 기능을 가지는 제2 다기능 하드마스크막은 하부 층에 대한 식각 내성을 확보하기 위하여 충분한 양의 규소(Si)를 포함해야 한다. 하지만, 이로 인하여 하드마스크막과 포토레지스트막과의 계면에서 상호 혼합(intermixing) 반응이 야기되어 포토레지스트 패턴의 프로파일이 수직으로 형성되지 않고 하부가 완만하게 퍼지는 푸팅(footing) 현상(31)이 발생한다. 결국, 피식각층에 대한 식각 공정 시에 하부 피식각층으로 수직의 프로파일을 전사하기 어렵고, 선폭(critical dimension) 제어가 어렵게 된다.
이러한 단점을 극복하기 위하여 본 발명자들은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여, 반사방지막과 포토레지스트막 계면에서 발생하던 상호 혼합반응을 방지하면서, 하부 피식각층에 대한 식각 선택비를 확보할 수 있는 새로운 개념의 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 개발하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명에서는 반도체 소자의 제조 공정 시에, 반사방지막과 포토레지스트 게면 사이에서 상호 혼합반응을 방지할 수 있는 혼합 방지용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 혼합 방지용 조성물을 이용하여 균일한 패턴을 형성할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 열에 의해 가교 결합을 형성할 수 있는 하기 화학식 1의 화합물과 유기용매를 포함하는 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
상기 식에서,
R1 및 R2는 C1~C20의 치환 또는 비치환된 알킬렌이고,
R3 는 C1~C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬이며,
R4는 C1~C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬렌이고, n은 1 내지 10의 정수이다.
바람직하게, 상기 R1 및 R2는 C1~C10 의 치환 또는 비치환된 알킬렌이다.
상기 유기 용매는 통상적인 반사방지막 용매로 사용되는 유기 용매라면 특별히 제한을 두지않으며, 예컨대 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 2-헵타논 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 용매이다. 상기 유기용매는 상기 화학식 1의 화합물 100중량부에 대하여 2,000∼10,000 중량부, 바람직하게는 5,000∼10,000 중량부로 포함되는데, 유기용매의 함량이 10,000 중량부 를 초과할 경우에는 충분한 두께의 혼합 방지막을 얻을 수 없고, 2,000 중량부 미만일 경우에는 혼합 방지막이 두껍게 형성되어 패턴을 수직으로 식각하기 어렵다.
상기 화학식 1의 화합물은 고온에서 가교 결합이 형성되어 고분자 형태가 되면 아크릴이 경화되는 것과 같이 경화가 이루어지기 때문에, 후속 공정인 포토레지스트막 형성 공정 시에 포토레지스트 용매에 용해되지 않는다. 그뿐만 아니라, 식각 공정 시에 포토레지스트막에 비해 더 빠르게 식각되고 하부 다기능 하드마스크막에 대해선 더 느리게 식각 되기 때문에, 다기능 하드마스크막에 대한 식각 선택비를 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물은 베이크 시에 화학식 1의 화합물 간 가교 결합의 밀도를 더욱 높이기 위하여 수산기를 포함하는 노볼락계 수지와 같은 가교제나 촉매제를 1 이상 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 노볼락계 수지는 분자량 100∼5,000이며, 상기 화학식 1의 화합물 100중량부에 대하여 1∼20중량부로 포함한다.
상기 노볼락계 수지는 DUV 광원, 특히 193nm의 ArF 광원에 대해 높은 흡광도를 나타내므로, 하부층으로부터의 발생하는 반사광 및 정재파 등을 제거 효과를 증가시킬 수 있다. 상기 노볼락계 수지는 하기 화학식 2a의 화합물 또는 화학식 2b의 화합물로 나타낼 수 있으며,
[화학식 2a]
[화학식 2b]
상기 식에서,
n은 1 내지 500, 바람직하게 1 내지 200의 정수이다.
또한, 상기 촉매제는 열산발생제 및 광산발생제를 사용할 수 있다.
이때 상기 촉매제의 함량은 촉매 기능을 수행할 수 있는 범위내에서 적절히 선택할 수 있는데, 예를 들면 상기 화학식 1의 화합물 100중량부에 대하여 0.1∼10 중량부로 첨가할 수 있다.
상기 열산발생제는 종래 열산발생제로 사용되던 물질을 일반적으로 사용할 수 있으며, 구체적으로는 하기 화학식 3a 및 화학식 3b로 이루어진 군으로부터 1 이상 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
[화학식 3a]
[화학식 3b]
상기 식에서, A 는 설포닐기를 포함하는 작용기로서,
바람직하게는 
또는 
이고,
n 은 0 또는 1 이다.
또한, 상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디설폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐파라메톡시페닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 설포늄트리플레이트, 트리페닐 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 등을 예로 들 수 있다.
만약, 본 발명의 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물에 상기 열산발생제 또는 광산발생제를 포함하는 경우, 베이크 공정이나 노광 공정 시에 열산발생제 또는 광산발생제로부터 산이 발생하고, 이렇게 발생한 산의 존재 하에 상기 화학식 1의 화합물과 가교제 간 가교 반응이 더 활성화되어, 포토레지스트의 용매에 용해되지 않는 혼합 방지막이 더 용이하게 형성된다.
또한, 본 발명에서는
(a) 피식각층 상부에 하드마스크막을 형성하는 단계;
(b) 상기 하드마스크막 상부에 본원 발명의 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물을 코팅하고, 베이크하여 혼합 방지막을 형성하는 단계;
(c) 상기 혼합 방지막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(d) 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 혼합 방지막과 다기능 하드마스크막을 패터닝 하여 다기능 하드마스크막 패턴과 혼합 방지막 패턴이 순차적으로 형성된 적층 패턴을 형성하는 단계; 및
(e) 상기 적층 패턴을 식각 마스크로 이용하여 피식각층을 패터닝하여 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다.
이때, 상기 다기능 하드마스크막은 비정질 카본층이나, 절연막, 탄소 함량이 높은 폴리머층 및 유기반사방지막으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상으로 형성할 수 있다.
상기 (b) 단계의 베이크 공정은 100∼300℃의 온도에서 1∼5 분간 수행하여 본원 발명의 조성물 내에서 화합물 간 가교 결합을 활성화시킴으로써, 후속 포토레지스트 코팅 공정 시에 포토레지스트에 포함된 용매에 용해되지 않고, 다기능 하드마스크막과 반응이 일어나지 않는 혼합 방지막을 형성할 수 있다.
만약, 본원 발명의 혼합 방지용 조성물 내에서 가교 결합이 충분히 형성되지 않으면 혼합 방지막이 포토레지스트 용매에 용해되기 쉽고, 가교 결합이 과다하게 형성되면 가교 밀도가 높아져 포토레지스트막에 비해 혼합 방지막이 더 늦게 식각 되기 때문에 식각 속도가 감소한다.
이와 같이 본 발명의 혼합 방지용 조성물을 이용해 형성된 혼합 방지막은 포토레지스트 용매에 용해되지 않으므로 하드마스크막과 포토레지스트막의 계면 사이에서 상호 혼합 반응이 발생하는 것을 방지하므로, 포토레지스트 패턴 하부에서 발생하던 푸팅 현상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 혼합 방지막은 식각 공정 시에 하부 다기능 하드마스크막에 비해 더 늦게 식각되므로 다기능 하드마스크막이나 피식각층에 대한 식각 선택비를 확보할 수 있고, 종래 포토레지스트막 형성용 장비(track)를 이용하여 형성할 수 있으므로 생산성이 향상되어 투자 비용을 감소시킬 수 있다. 그뿐만 아니라, 통상의 제거 공정, 가스를 사용하는 식각 공정을 통해 쉽게 제거할 수 있다.
이하, 본 발명의 반도체 소자의 패턴 형성 방법을 도면을 들어 더욱 상세히 설명한다.
도 3a를 참조하면, 반도체 기판(121) 상부에 피식각층(123)을 형성하고, 그 상부에 다기능 하드마스크막(125)을 증착한다.
상기 피식각층은 실리콘산화질화막 또는 실리콘산화막 등을 이용하여 형성한다.
또한, 상기 다기능 하드마스크막은 비정질 카본층이나, 절연막, 탄소 함량이 높은 폴리머층 및 유기반사방지막으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 막으로 형성한다.
이어서, 상기 다기능 하드마스크막(125) 상부에 본 발명의 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물을 코팅한 다음, 베이크 공정을 수행하 여 혼합 방지막(127)을 형성한다.
이때, 상기 베이크 공정은 100∼300℃에서 1∼5분간 수행하며, 상기 혼합 방지막은 약 500∼1500Å 두께로 형성된다.
그 다음, 본원 발명의 혼합 방지막(127) 상부에 통상적인 화학증폭형 포토레지스트막을 형성한 다음 패터닝하여 포토레지스트 패턴(129)을 형성한다. 이때 포토레지스트 하부(131)에서는 푸팅 현상이 발생하지 않는다.
상기 도 3a의 포토레지스트 패턴(129)을 식각 마스크로 이용하여 본원 발명의 혼합 방지막(127)과 다기능 하드마스크막(125)에 대한 패터닝 공정을 수행하여 도 3b에 도시한 바와 같이 다기능 하드마스크막 패턴(125-1), 혼합 방지막 패턴(127-1) 및 포토레지스트 패턴(129)이 순차적으로 적층되어 있는 패턴을 형성한다.
이때, 상기 패터닝 공정은 Cl2, Ar, N2O2, CF4 및 C2F6 로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 가스를 이용한다.
이어서, 상기 도 3b의 적층 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하부 피식각층(123)에 대한 식각 공정을 수행하여 도 3c에 도시한 바와 같이 피식각층 패턴(123-1)을 형성한다.
상기 도 3c의 결과물에 대해 통상의 제거 공정을 이용하여 상기 식각 마스크로 이용된 적층 패턴을 모두 제거함으로써, 도 3d에 도시한 바와 같이 기판(121) 상부에 균일한 피식각층 패턴(123-1)을 형성한다.
본 발명에 의한 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물 및 반도체 소자 제조 방법은 KrF, VUV, EUV, E-빔, X-선 또는 이온빔과 같은 단파장, 바람직하게는 ArF 광원을 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 패턴 형성 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 한정되지 않는다.
I. 본원 발명의 조성물의 제조
실시예 1
상기 화학식 1의 화합물(R1, R2 및 R4=CH2, R3=CH2CH3, n=1, Toagosei Co. Ltd. (M408), Tg>250℃)(1g)을 메틸 3-메톡시 프로피오네이트 (70ml)에 첨가한 후, 상온에서 60분간 교반시켰다. 상기 반응 용액을 0.2㎛의 미세필터를 통과시켜 본 발명의 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물을 제조하였다.
실시예 2
상기 화학식 1의 화합물(R1, R2 및 R4=CH2, R3=CH2CH3, n=1, Toagosei Co. Ltd. (M408), Tg>250℃)(1g), 평균 분자량이 2,000인 상기 화학식 2b의 화합물(0.2g)과 열산발생제인 2-하이드록시헥실 파라톨루에닐설포네이트(0.02g) 및 광산발생제인 트레페닐설포늄 트리플레이트(0.03g)을 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA)(70g)에 용해시킨 다음, 0.2㎛의 미세필터를 통과시켜 본 발명의 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물을 제조하였다.
II. 패턴 형성 방법
실시예 3
헥사메틸디실라잔(HMDS) 처리된 실리콘 웨이퍼에 피식각층으로 산화질화막(2000Å)과 SOC 막 (Nissan Chemical, NCA9004A)(2000Å)를 코팅한 다음, 다기능하드마스크막(Nissan Chemical, NCH087)(800Å)을 증착하였다.
그 상부에 상기 실시예 1의 혼합 방지용 조성물(5ml)을 3000rpm 속도로 스핀 코팅한 다음, 200℃ 온도에서 90초간 베이크하여 110Å 두께의 혼합 방지막을 형성하였다,
상기 혼합 방지막 상부에 193nm용 포토레지스트막(Shin-Etsu사, RHR4473)을 1400Å 두께로 코팅하고, 120℃에서 90초간 베이크한 다음, ArF 스캐너(NA=0.85, ASML사)를 사용하여 노광하고, 다시 120℃에서 90초간 베이크 하였다. 베이크 종료 후, 2.38중량% TMAH 현상액으로 현상하여 70nmL/S 의 포토레지스트 패턴을 형성하였다(도 4 참조).
이어서 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 혼합 방지막 및 하드마스크막을 순차적으로 식각하여 혼합 방지막 패턴 및 하드마스크막 패턴이 적층되어 있는 패턴을 형성한 다음, 동일한 식각 공정 조건 하에서 상기 적층 패턴을 식각 마스크로 이용하여 피식각층에 대한 식각 공정을 수행하여 70nmL/S 의 피식각층 패턴을 형성하였다(도 5 참조). 이때 각각의 식각 공정은 CF4/O2 혼합 식각 가스(RF 전력: 약 700 W, 바이어스 전력: 약 150 W)를 이용하였다.
실시예 4
상기 실시예 3에서 사용하는 실시예 1의 조성물 대신 상기 실시예 2의 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 3과 동일한 방법으로 70nmL/S 의 피식각층 패턴을 얻었다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는 다기능 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물을 이용하는 경우 후속 포토레지스트막 형성 공정 시에 하드마스크막과 포토레지스트막간 계면 사이에서 상호 혼합 반응이 발생하지 않기 때문에, 포토레지스트 패턴 하부에 푸팅 현상이 발생하는 것을 방지하여 수직의 균일한 패턴 형상을 하부 층으로 전사할 수 있다.
Claims (15)
- (i) 하기 화학식 1의 화합물 및 (ii) 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물:[화학식 1]
상기 식에서,R1 및 R2는 C1~C20의 치환 또는 비치환된 알킬렌이고,R3 는 C1~C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬이며,R4는 C1~C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬렌이고,n은 1 내지 10의 정수이다. - 제1항에 있어서,상기 R1 및 R2는 C1~C10 의 치환 또는 비치환된 알킬렌인 것을 특징으로 하는 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물.
- 제1항에 있어서,상기 유기 용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 2-헵타논 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 용매인 것을 특징으로 하는 혼합 방지용 조성물.
- 제1항에 있어서,상기 유기용매는 상기 화학식 1의 화합물 100중량부에 대하여 2,000∼10,000중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 혼합 방지용 조성물.
- 제4항에 있어서,상기 유기용매는 상기 화학식 1의 화합물 100중량부에 대하여 5,000∼10,000중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 혼합 방지용 조성물.
- 제1항에 있어서,상기 혼합 방지용 조성물은 가교제 및 촉매제로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합 방지용 조성물.
- 제6항에 있어서,상기 가교제는 분자량 100∼5,000의 노볼락계 수지인 것을 특징으로 하는 혼합 방지용 조성물.
- 제7항에 있어서,상기 노볼락계 수지는 하기 화학식 2a의 화합물 또는 화학식 2b의 화합물인 것을 특징으로 하는 혼합 방지용 조성물:[화학식 2a]
[화학식 2b]
상기 식에서,n은 1 내지 500의 정수이다. - 제6항에 있어서,상기 촉매제는 열산발생제 및 광산발생제로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상인 것을 특징으로 하는 혼합 방지용 조성물.
- 제9항에 있어서,상기 열산발생제는 하기 화학식 3a 및 화학식 3b로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상인 것을 특징으로 하고,상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디설폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐파라메톡시페닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 설포늄트리플레이트, 트리페닐 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 및 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상인 것을 특징으로 하는 혼합 방지용 조성물:[화학식 3a]
[화학식 3b]
상기 식에서,A 는 설포닐기를 포함하는 작용기이고, n 은 0 또는 1 이다. - 제6항에 있어서,상기 가교제는 화학식 1의 화합물 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부로 포함되고, 상기 촉매제는 화학식 1의 화합물 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 혼합 방지용 조성물.
- (a) 피식각층 상부에 하드마스크막을 형성하는 단계;(b) 상기 하드마스크막 상부에 제1항 기재의 혼합 방지용 조성물을 코팅하고, 베이크하여 혼합 방지막을 형성하는 단계;(c) 상기 혼합 방지막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 혼합 방지막과 다기능 하드마스크막을 패터닝 하여 다기능 하드마스크막 패턴과 혼합 방지막 패턴이 순차적으로 형성된 적층 패턴을 형성하는 단계; 및(e) 상기 적층 패턴을 식각 마스크로 이용하여 피식각층을 패터닝하여 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 하드마스크막은 비정질 카본층이나, 절연막, 탄소 함량이 높은 폴리머 층 및 유기반사방지막으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 (b) 단계의 베이크 공정은 100∼300℃의 온도에서 1∼5 분간 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 혼합 방지막의 두께는 500∼1500Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
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