FR2709869A1 - Couche antiréfléchissante et procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur en utilisant une telle couche. - Google Patents
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Abstract
Procédé pour fabriquer une couche antiréfléchissante, comprenant les étapes suivantes: appliquer une solution polymère contenant, comme composant principal, au moins un composé choisi dans le groupe comprenant des résines à base de phénol, des résines solubles dans l'eau et des résines acryliques, et cuire ensuite à température élevée. Le procédé est simplifié et la réflectance de la couche est considérablement réduite.
Description
01 * X2709869
Couche antiréfléchissante et procédé pour fabriquer un dispositif semiconducteur en utilisant une telle couche La présente invention concerne une couche antiréfléchissante et un procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur en
utilisant une telle couche; elle concerne plus particulière-
ment une couche antiréfléchissante formée en utilisant une composition de réserve et un procédé pour fabriquer un
dispositif semi-conducteur en utilisant une telle couche.
On sait former par photolithographie de fins modèles d'un dispositif semi-conducteur. Un procédé schématique pour fabriquer des modèles en utilisant la photolithographie est
le suivant.
Tout d'abord, sur un substrat, tel qu'une pastille de semi-
conducteur, une couche diélectrique ou une couche conductri-
ce, on forme un film photorésistant en un matériau organique caractérisé en ce que sa solubilité à une solution alcaline change avant et après exposition à une lumière ultraviolette (UV), un rayonnement de rayons X, etc. Le film photorésistant est sélectivement exposé en employant un modèle de masquage au-dessus du film photorésistant, et il est ensuite développé pour enlever la portion ayant la solubilité la plus élevée (dans le cas d'un agent photorésistant positif, on enlève la portion exposée) et pour laisser la portion ayant la plus faible solubilité afin de former des modèles de réserve. La gravure du substrat de la portion sur laquelle a été enlevé
l'agent photorésistant pour former des modèles, et l'enlève-
ment ultérieur de l'agent photorésistant résiduel, donnent les modèles désirés pour le câblage, les électrodes, etc. Du fait qu'on peut obtenir de fins modèles de résolution élevée, on utilise largement le procédé de formation de modèles par la photolithographie décrit ci-dessus. Toutefois,
pour former des modèles plus fins, de nouveaux perfectionne-
ments du procédé de fabrication sont nécessaires.
La largeur des lignes des fins modèles formés après exposi-
tion et développement du film photorésistant doit être la même que celle du photomasque avec un rapport de réduction particulier. Toutefois, du fait que de nombreuses étapes sont nécessaires en photolithographie, il est difficile de maintenir constante la largeur de ligne des modèles. La variation de la largeur de ligne est principalement due à (a) la différence de la dose d'exposition résultant d'épaisseurs
différentes de l'agent photorésistant, et (b) des interféren-
ces de lumière résultant de la réflexion diffusée de la lumière sur la topographie (S. Wolf et R.N. Tauber, Silicon
Processing for the VLSI Era, Vol. 1, page 439, 1986).
Récemment, la miniaturisation des systèmes utilisant des circuits intégrés complexes a nécessité des circuits sur puce d'une dimension beaucoup plus faible. Une telle réduction de dimension ou une telle augmentation de capacité nécessite une miniaturisation du procédé de photolithographie, qui peut être satisfaite avec l'utilisation d'une topographie plus
régulière et d'une lumière de plus courte longueur d'onde.
Toutefois, l'utilisation d'une lumière de fréquence plus
élevée comme source d'exposition soulève un nouveau problème.
Par exemple, un laser à "excimère" (KrF) et une lumière DUV (UV profond), que l'on espère utiliser pour fabriquer des DRAM à 256 Mbits (dynamic random access memory: mémoire vive dynamique) ont une longueur d'onde plus courte que la raie g, la raie i, etc. Si on utilise une telle lumière comme source de lumière, certains défauts, à savoir ceux pouvant être attribués aux réflexions sur une sous-couche ayant une surface inégale, prendront de l'influence. Autrement dit, il apparaît la différence des distances critiques due à une interférence ou à une réflexion diffuse sur la surface ayant
une topographie irrégulière.
Pour résoudre les problèmes mentionnés ci-dessus, l'applica-
tion d'une couche antiréfléchissante est considérée comme
inévitable.
Le Brevet US No 4 910 122 décrit une couche antiréfléchissan-
te. La couche est employée sous une couche photosensible, telle qu'une couche photorésistante, et sert à éliminer les défauts attribués à la lumière réfléchie. La couche contient des composants colorants absorbant la lumière et elle est formée en tant que couche régulière et mince; ainsi, on peut fabriquer des modèles de couches photosensibles bien nets en employant une telle couche, du fait que celle-ci peut absorber la lumière réfléchie par le substrat, comme dans un
procédé conventionnel.
Toutefois, la couche antiréfléchissante conventionnelle pour la lumière DUV a des composants compliqués et des limites dans le choix des matériaux. Il en résulte une augmentation
des coûts de production et son application est difficile.
Comme exemple de la composition de revêtement antiréfléchis-
sant conventionnel, le Brevet US mentionné ci-dessus décrit une composition constituée par un mélange à six composants d'un acide polyamique, de curcumine, de bixine, d'orange
Soudan G, de cyclohexanone et de N-méthyl-2-pyrrolidone.
Cette composition comprend quatre composés de colorants absorbant la lumière d'une longueur d'onde spécifique et deux solvants pour dissoudre les quatre composés. On sait que cette composition est très compliquée et que sa préparation
n'est pas une tâche facile. En outre, du fait que la composi-
tion comprend de nombreux composants, on est confronté au problème de la mélanger avec la composition photorésistante appliquée sur la surface de la couche antiréfléchissante,
d'o il résulte un produit indésirable.
Sur la base de la considération des défauts mentionnés ci-
dessus de la composition de revêtement antiréfléchissante conventionnelle, tout en recherchant à éliminer la complexité des composants constituant la composition de revêtement antiréfléchissante conventionnelle et à permettre d'utiliser un système de composant unique, tout en réduisant les coûts de production, un but de la présente invention est de procurer une composition de revêtement antiréfléchissante contenant une résine à base de novolaque, une résine soluble
dans l'eau ou une résine à base de polyvinylphénol, lesquel-
les sont connues comme matériaux de base d'agents photorésis-
tants correspondant à la raie g et/ou la raie i.
Un autre but de la présente invention est de procurer une couche antiréfléchissante utilisant la composition de
revêtement de la présente invention.
Un autre but de la présente invention est de procurer un procédé pour fabriquer la couche antiréfléchissante de la
présente invention.
Un autre but de la présente invention est de procurer un procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur simple
et donnant de bons produits en employant la couche antiréflé-
chissante de la présente invention.
Dans ce but, la présente invention procure une composition de
revêtement antiréfléchissante pour un dispositif semi-
conducteur, comprenant une solution polymère contenant au moins un composé choisi dans le groupe constitué par les résines à base de phénol, les résines solubles dans l'eau et
les résines acryliques comme composant principal.
Un autre but de la présente invention est atteint par un
procédé pour fabriquer une couche antiréfléchissante compre-
nant les étapes suivantes: appliquer une solution polymère contenant au moins un composé choisi dans le groupe constitué par des résines à base de phénol, des résines solubles dans l'eau et des résines acryliques comme composant principal et
effectuer une cuisson à température élevée.
Un autre but de la présente invention est atteint par une couche antiréfléchissante fabriquée par le procédé mentionné ci-dessus. Un autre but de la présente invention est atteint par un
procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur compre-
nant les étapes suivantes: former une couche antiréfléchis-
sante par application d'une solution polymère contenant au moins un composé choisi dans le groupe constitué par des résines à base de phénol, des résines solubles dans l'eau et
des résines acryliques comme composant principal, et effec-
tuer ensuite une cuisson à température élevée, former une couche photosensible sur la surface de la couche antiréflé-
chissante et exposer et développer la couche photosensible.
Les buts précités de la présente invention seront mieux
compris à la lecture de la description détaillée d'une
réalisation préférée de l'invention, donnée à titre d'exemple seulement, en se reportant au dessin joint sur lequel: - la figure 1 est un graphique montrant la réflectance d'une lumière de 248 nm en fonction de la température de cuisson
après application d'une composition de revêtement antiréflé-
chissante pendant la fabrication d'une couche antiréfléchis-
sante selon la présente invention; - la figure 2 est un graphique montrant la variation de l'intensité relative de la transformée de Fourier du pic IR
en fonction de la température de cuisson pendant la fabrica-
tion d'une couche antiréfléchissante selon la présente invention, graphique sur lequel "a" correspond au pic d'environ 1500 cm-1, et "b" correspond à environ 1720 cm-1; - les figures 3A et 3B sont des graphiques montrant les transmittances des couches antiréfléchissantes en fonction
des longueurs d'ondes de la lumière UV pour diverses tempéra-
tures de cuisson, la figure 3A correspond à la couche antiréfléchissante de 150 nm d'épaisseur fabriquée à partir d'une composition polymère composée d'une résine à base de
novolaque + un composé photoactif (CAP) à base de diazonapth-
toquinone (DNQ) et la figure 3B correspondant à une couche antiréfléchissante de 500 nm d'épaisseur fabriquée en une résine à base de novolaque; - la figure 4 est un graphique montrant la réflectance pour une lumière de 248 nm, sur laquelle "a" correspond au cas o l'on n'emploie pas de couche photoréfléchissante, tandis que
"b" correspond au cas o on emploie une couche antiréfléchis-
sante fabriquée par le procédé de la présente invention; - la figure 5 est un graphique montrant la variation de la dimension critique (DC) des modèles formés en utilisant une lumière de 248 nm, figure sur laquelle "a" correspond au cas o l'on n'emploie pas de couche antiréfléchissante, tandis
que "b" correspond au cas ou on emploie une couche antiréflé-
chissante fabriquée par le procédé de la présente invention; - la figure 6 est un schéma de fabrication d'un dispositif semi-conducteur utilisant la couche antiréfléchissante selon une réalisation de la présente invention; - les figures 7A à 7D sont des photographies prises au microscope électronique à balayage de surface montrant les caractéristiques du modèle à pas de 300 nm fabriqué par le procédé conventionnel d'agent photorésistant unique, les largeurs des lignes des modèles sur les figures A, B, C et D étant respectivement 0,30 pm, 0, 32 pm, 0,34 pm et 0,36 pm, et l'épaisseur des agents photorésistants étant dans tous les cas 0,5 pm; et - les figures 8A et 8B sont des photographies prises au microscope électronique à balayage de surface montrant les caractéristiques du modèle à pas de 300 nm fabriqué en employant une couche antiréfléchissante selon la présente invention, les épaisseurs des agents photorésistants dans A et B étant 0,5 pm et 0,8 pm, et les largeurs des lignes des
modèles étant dans les deux cas 0,3 pm.
Une composition de revêtement antiréfléchissante pour un dispositif semiconducteur de la présente invention comprend une solution polymère contenant au moins un composé parmi des résines à base de phénol, des résines solubles dans l'eau et
des résines acryliques comme composant principal.
Les résines à base de phénol préférées comprennent des
résines à base de novolaque, des résines à base de polyvinyl-
phénol, un mélange de ces résines ou une résine à base de copolymère contenant au moins un composé de celles-ci et les résines solubles dans l'eau préférées comprenant une résine à base d'alcool polyvinylique. Le solvant pour la solution polymère peut être l'un quelconque des solvants pouvant dissoudre le composant résineux. On peut utiliser de façon souhaitable au moins un solvant choisi parmi le groupe comprenant des alcools, des hydrocarbures aromatiques, des
cétones, des esters et l'eau désionisée.
Pour fabriquer une couche antiréfléchissante selon la présente invention, une solution polymère contenant au moins un composé choisi dans le groupe comprenant des résines à base de phénol, des résines solubles dans l'eau et des résines acryliques comme composant principal est appliqué sur un substrat et la solution polymère appliquée est cuite à une
température élevée.
La cuisson à température élevée est de préférence conduite sous une atmosphère ambiante ou une atmosphère d'oxygène à une température comprise entre 2000C et 400 C pendant une durée de 30 secondes à 5 minutes; l'épaisseur préférée de la couche appliquée après la cuisson à haute température est
inférieure à 150 nm.
Un procédé de cuisson à température moyenne pour enlever le solvant peut être conduite après le procédé d'application pour former la couche antiréfléchissante, mais avant la
cuisson à température élevée, et elle s'effectue de préfé-
rence à une température comprise entre 100 et 250 C pendant
une durée de 30 secondes à 5 minutes.
L'opération de réglage de l'épaisseur de la couche de revête-
ment peut être prévue après la cuisson à température moyenne et elle est de préférence mise en oeuvre en enlevant la portion supérieure de la couche de revêtement avant la cuisson à température élevée en utilisant au moins un solvant
choisi dans le groupe comprenant des alcools, des hydrocarbu-
res aromatiques, des cétones, de l'ester et l'eau désionisée.
L'utilisation de la solution polymère contenant au moins l'une des résines telles que les résines à base de phénol,
les résines solubles dans l'eau tel qu'un alcool polyvinyli-
que et les résines acryliques comme composant principal, comme il est indiqué dans la présente invention, signifie qu'on peut utiliser l'agent photorésistant conventionnel. La présente invention se caractérise en ce qu'on emploie un procédé de cuisson pour impartir à la résine la fonction d'absorption de la lumière. La cuisson à température élevée induit une réaction thermique de chaque résine et, du fait de cette réaction thermique, la structure moléculaire de la résine change par oxydation et ensuite la résine peut absorber la lumière DUV. Grâce à la présente invention, on peut former un film mince de la résine appliquée et, du fait
qu'on peut régler l'épaisseur de la couche antiréfléchissan-
te, on peut optimiser spécialement par étapes l'efficacité de la couche antiréfléchissante et on peut minimiser les
difficultés survenant lors d'une opération de gravure.
Les étapes fondamentales particulières du procédé pour fabriquer la couche antiréfléchissante selon la présente invention sont les suivantes: Tout d'abord, on applique une résine sur un substrat par un
procédé de revêtement tel que le revêtement par centrifuga-
tion. De façon facultative, la résine peut être d'abord cuite pour éliminer le solvant et enlever la portion supérieure de la résine en utilisant un solvant tel que des alcools, des hydrocarbures aromatiques, des cétones, des esters, et l'eau désionisée. L'épaisseur de la résine peut être réglée en réglant la température de la première cuisson et la durée du traitement par solvant, si nécessaire. Si on obtient une couche de revêtement ayant l'épaisseur recherchée dans le stade d'application de la résine, cette opération peut être inutile. Ensuite, on effectue une cuisson à température
élevée de façon que la couche de résine acquiert des caracté-
ristiques d'absorption de la lumière. Grâce à cette cuisson à température élevée, la couche de résine acquiert les
caractéristiques antiréfléchissantes.
La couche antiréfléchissante et les résultats obtenus grâce à cette couche vont maintenant être décrits en détail en se
reportant au dessin joint.
La figure 1 représente la relation entre la température de
cuisson et la réflectance de la résine. La couche antiréflé-
chissante est fabriquée de la même manière qu'il est décrit dans l'exemple 1. Mais on fait varier la température de cuisson et on mesure ensuite la réflectance au niveau de 248 nm et on la trace en fonction de la température de cuisson. On voit sur la figure que la réflectance est maximale à environ 200'C et qu'elle se réduit progressivement lorsque la température de cuisson augmente. A 300 C, elle s'abaisse à environ 45% et la couche de revêtement change en un corps absorbant la lumière de 248 nm. On sait également que, lorsque la température de cuisson augmente, on peut fabriquer une couche ayant un meilleur pouvoir antiréfléchissant. Selon l'expérience des inventeurs, la température de cuisson préférée est comprise entre 200 et 400 C. Si la température de cuisson est supérieure à 400 C, la structure de la résine risque de passer dans un état indésirable du fait d'un
phénomène tel que le brûlage de la résine et, si la tempéra-
ture de cuisson est inférieure à 2000C, le solvant dans la couche de revêtement n'est pas complètement éliminé et il en résulte un mélange avec les composants photorésistants appliqués ensuite sur la couche antiréfléchissante. En conséquence, on préfère la plage des températures mentionnées ci-dessus, avec une plage encore plus préférée de 260 à
320 C.
La figure 2 est un graphique montrant la variation de l'intensité relative de la transformée de Fourier du pic IR (TF-IR) en fonction de la température de cuisson pendant la fabrication de la couche antiréfléchissante selon l'exemple 1 (décrit ci-après), figure sur laquelle "a" correspond à un pic d'environ 1500 cm-1 et "b" correspond à un pic d'environ
1720 cm-1.
La courbe "a" qui représente la variation du pic de 1500 cm-1 en fonction de la température de cuisson confirme que le pic diminue progressivement lorsque la température augmente et diminue brutalement au-dessus de 2600C. Du fait que le pic correspond à la double liaison carbone-carbone aromatique, ceci signifie que cette double liaison est réduite. De toute
façon, il est certain que la structure de la résine change.
Par ailleurs, la courbe "b", qui représente la variation du pic de 1720 cm-1 en fonction de la température de cuisson, montre que le pic augmente brusquement pour des températures supérieures à 260 C et, pour des températures supérieures à 300 C, le pic est maximal, au contraire de la courbe "a". Du fait que le pic IR à 1720 cm-1 correspond à la liaison C=0, on suppose que cette liaison C=O dans la structure de la résine novolaque augmente. Autrement dit, la quantité d'oxygène dans la résine augmente par la cuisson et ce type de changement dans la structure moléculaire de la résine novolaque conventionnelle produit une résine transformée qui a une caractéristique renforcée d'absorption de la lumière
de 248 nm.
Les figures 3A et 3B sont des graphiques montrant les transmittances pour diverses longueurs d'ondes des couches
antiréfléchissantes pour des températures de cuisson diffé-
rentes, la figure 3A correspondant à la couche antiréfléchis-
sante de 150 nm d'épaisseur fabriquée à partir d'une composi-
tion polymère comprenant une résine à base de novolaque et un composé photoactif à base de diazonaphtoquinone et la figure 3B correspondant à la couche antiréfléchissante de 500 nm d'épaisseur fabriquée à partir d'une résine à base de novolaque. Les figures 3A et 3B montrent que la transmittance diminue (ce qui signifie que l'absorbance de la résine augmente) lorsque la température de cuisson augmente. Cet effet
provient de la cuisson de la résine. La couche antiréfléchis-
sante de la présente invention formée par une cuisson à une l1
température particulièrement élevée a pour effet une absorp-
tion sur une large plage de longueurs d'ondes.
Les présents inventeurs ont observé les changements de transmittance des couches antiréfléchissantes formées à partir d'un polymère comprenant une résine novolaque et un composé photoactif à base de diazonapthtoquinone avec une épaisseur de 150 nm et à partir de résine novolaque avec une épaisseur de 500 nm. On a ainsi trouvé que la diminution de la transmittance n'était pas due au matériau photosensible, le diazonaphtoquinone, mais qu'elle était due à un changement de structure de la résine à base de novolaque provoqué par
une réaction thermique.
En conséquence, il n'est pas nécessaire d'inclure le matériau photosensible, qui constitue la dépense principale parmi les composants de la composition photorésistante conventionnelle, dans la composition de revêtement antiréfléchissante de la
présente invention.
La figure 4 est un graphique montrant la réflectance de l'agent photorésistant pour une longueur d'onde de 248 nm, "a" correspondant au cas o l'on n'emploie pas de couche antiréfléchissante et "b" correspondant au cas o l'on emploie une couche antiréfléchissante fabriquée par le
procédé de la présente invention.
La réflectance de la couche photorésistante sans utilisation d'une résine cuite comme couche antiréfléchissante est élevée et la variation de réflectance en fonction de l'épaisseur est
également importante, la différence maximale étant 43%.
Toutefois, la réflectance de la couche photorésistante employant la résine cuite comme couche antiréfléchissante est faible (moins de 30%) sur toute la plage des épaisseurs et la
variation maximale est 10%.
La figure 5 illustre des graphiques montrant la variation de la dimension critique (DC) du modèle formé en utilisant la longueur d'onde de 248 nm, "a" correspondant au cas o l'on
n'emploie pas de couche antiréfléchissante, et "b" correspon-
dant au cas o l'on emploie une couche antiréfléchissante
fabriquée par le procédé de la présente invention.
La figure 5 confirme que la variation de la dimension critique pour les modèles formés sans employer la couche antiréfléchissante est importante et que le maximum est 0,16 pm, tandis que la variation maximale de la dimension critique pour les modèles formés en employant la couche
antiréfléchissante est 0,04 pm.
La figure 6 illustre un schéma de fabrication d'un dispositif semiconducteur en utilisant la couche antiréfléchissante selon une réalisation de la présente invention. En se reportant à la figure 6, on va décrire le mode de fabrication préféré d'un dispositif semi- conducteur selon la présente
invention avec des valeurs numériques concrètes.
Tout d'abord, on forme une couche d'aluminium sur un substrat et on applique ensuite de la résine par un procédé de revêtement par centrifugation sur la couche d'aluminium. On effectue ensuite une cuisson douce (cuisson à température moyenne) à environ 210 C pendant environ 50 secondes et ensuite à environ 120 C pendant environ 50 secondes pour éliminer les solvants. Une telle cuisson douce à plusieurs
étapes augmente la régularité de la couche.
Ensuite, on enlève la portion supérieure de la couche de
résine en utilisant un solvant tel qu'un acétate d'éthylcel-
losolve par un procédé de puddlage et en séchant ensuite la couche résiduelle par centrifugation. Cette opération de
réglage d'épaisseur peut être supprimée si elle est inutile.
De façon habituelle, la couche dont l'épaisseur a été réglée par une opération d'enlèvement en surface a une régularité accrue. L'épaisseur de la couche peut être aisément réglée en réglant la température de cuisson en fonction du solvant utilisé. Après cela, on effectue une cuisson à température élevée pour impartir à la résine une fonction antiréfléchissante à 250'C ou davantage sur une plaque chaude pendant 50 secondes ou
davantage, par exemple à 300 C pendant environ 90 secondes.
Du fait de cette deuxième cuisson, la résine est oxydée et devient un corps absorbant la lumière. Lorsque la température
de cette deuxième cuisson augmente, la réflectance diminue.
On forme un modèle de réserve sur la couche antiréfléchis-
sante ainsi obtenue par un procédé de lithographie conven-
tionnel, comprenant une application d'agent photorésistant, une exposition, une cuisson (cuisson après exposition) et développement. A ce moment, le film photorésistant et la couche antiréfléchissante peuvent être modélisés séparément en modélisant l'agent photorésistant pour former des modèles de réserve et en gravant ensuite la couche antiréfléchissante en utilisant le modèle de réserve comme masque. Ensuite, la couche d'aluminium sous la couche antiréfléchissante peut être modélisée par gravure. La couche antiréfléchissante peut être gravée et modélisée pendant la gravure de la couche d'aluminium. On va décrire en détail ci-après les réalisations préférées
de la présente invention.
EXEMPLE 1
On applique par centrifugation à 5200 tours, pendant 30 se-
condes, sur un substrat de silicium, MC kasei BL-1, 2CP (nom commercial de Mitsubishi Kasei), un agent photorésistant à base de résine novolaque pour obtenir une épaisseur de nm. La couche de revêtement est soumise à une cuisson douce sur une plaque chaude à 210 C pendant 50 secondes et encore ensuite pendant 50 secondes à 100 C pour éliminer le solvant. L'épaisseur de la couche est réglée à 70 nm en utilisant de l'acétate d'éthylcellosolve par un procédé de puddlage pendant 60 secondes. Une opération de cuisson finale
à 300 C pendant 90 secondes donne une couche antiréfléchis-
sante selon la présente invention. La réflectance à une lumière de 248 nm après cuisson est abaissée à 45% d'une
pastille de silicium nue.
Un film d'agent photorésistant est formé par un procédé conventionnel et des modèles de réserve sont formés par exposition, développement, etc. On effectue ensuite une
opération de gravure.
On utilise XP89131 (nom commercial de Shipley Co.) comme
agent photorésistant et l'épaisseur du film d'agent photoré-
sistant est au moins 0,8 pm du fait que son épaisseur diminuera lors de la gravure. On utilise comme source de lumière un dispositif à laser accordable piloté par un moteur pas à pas Nikon EX1755 (nom commercial de Nikon Co., Ltd.) en utilisant un laser à excimère KrF. On utilise une solution aqueuse d'hydroxyde de tétraméthylammonium comme solution de développement et on emploie du chlore et de l'oxygène pour
graver la couche antiréfléchissante. En suivant les condi-
tions ci-dessus, on obtient une dimension de ligne L de 0,30
pm, même pour un pas de 300 nm.
EXEMPLE 2
On prépare une couche antiréfléchissante de la présente invention de la même manière que dans l'exemple 1, sauf qu'on utilise un agentphotorésistant à base de polyvinylphénol à la place d'un agent photorésistant à base de novolaque. La
réflectance est abaissée à 45% dans les mêmes conditions.
EXEMPLE 3
On prépare une couche antiréfléchissante de la présente invention de la même manière que dans l'exemple 1, sauf qu'on utilise une résine novolaque pure à la place d'un agent photorésistant à base de résine novolaque. Ici, le poids moléculaire moyen en poids (Mw) était 6000 et le rapport Mw/Mn (poids moléculaire moyen en poids/poids moléculaire moyen en nombre) était sept. On obtient le même effet que
dans l'exemple 1.
EXEMPLE COMPARATIF
On forme des modèles de réserve de la même manière que dans
l'exemple 1, sauf qu'on ne forme pas la couche antiréfléchis-
sante. Les figures 7A à 7D sont des photographies au microscope électronique à balayage montrant des caractéristiques de modèles pour un pas de 300 nm, fabriqués par le procédé conventionnel d'agents photorésistants uniques sans employer une couche antiréfléchissante, les largeurs des lignes des modèles étant respectivement 0,30 pim, 0,32 pm, 0,34 pm et
0,36 pm, et l'épaisseur de tous les films étant 0,5 pm.
Les figures 8A et 8B sont des photographies au microscope électronique à balayage montrant des caractéristiques de modèles pour un pas de 300 nm, fabriqués en employant une couche antiréfléchissante de la présente invention; sur la figure 8A, l'épaisseur du film d'agent photorésistant est 0,5 pm et sur la figure 8B il est de 0,8 pm; la largeur des
lignes des deux modèles est 0,3 pm.
Les figures 7A-7D et les figures 8A et 8B confirment que les
modèles de réserve fabriqués en utilisant la couche antiré-
fléchissante de la présente invention ont un profil régulier meilleur. Comme décrit ci-dessus, la présente invention concerne une couche antiréfléchissante employée pour éliminer
les défauts causés par la réflexion de la lumière d'exposi-
tion réfléchie par le substrat. Les problèmes de sélection de
composants complexes et de coût élevé pour la couche antiré-
fléchissante conventionnelle sont réduits et, du fait qu'on peut employer un composant unique, on peut choisir aisément le solvant. Par ailleurs, on obtient un modèle ayant un meilleur profil en utilisant la couche antiréfléchissante
fabriquée en utilisant la composition de la présente inven-
tion, qui rend finalement possible la production de disposi-
tifs semi-conducteurs de bonne qualité.
En outre, du fait que l'épaisseur du film peut être librement réglée pendant la formation d'une couche de revêtement, on peut optimiser l'effet de la couche antiréfléchissante, notamment par étapes, et on peut minimiser les problèmes survenant lors de la gravure après le procédé de photolitho- graphie. Bien que la présente invention ait été particulièrement représentée et décrite en se reportant à des réalisations particulières de celle-ci, l'homme de l'art comprendra aisément que l'on peut apporter divers changements dans la forme et les détails sans s'écarter de l'esprit et de la
portée de l'invention telle que définie par les revendica-
tions jointes.
Claims (21)
1.- Composition de revêtement antiréfléchissant pour un dispositif semiconducteur, caractérisée en ce qu'elle comprend une solution polymère contenant comme composant
principal au moins un composé choisi dans le groupe compre-
nant des résines à base de phénol, des résines solubles dans
l'eau et des résines acryliques.
2.- Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la résine à base de phénol est une résine à base de novolaque, une résine à base de polyvinylphénol, un mélange de ces résines ou une résine à base d'un copolymère contenant
au moins un composé de ces résines.
3.- Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la résine soluble dans l'eau est une résine à base
d'alcool polyvinylique.
4.- Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que le solvant de la solution polymère est au moins un solvant choisi dans le groupe comprenant des alcools, des hydrocarbures aromatiques, des cétones, des esters et l'eau désionisée.
5.- Procédé pour fabriquer une couche antiréfléchissante, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: appliquer sur un substrat une solution polymère contenant, comme composant principal, au moins un composé choisi dans le groupe comprenant des résines à base de phénol, des résines solubles dans l'eau et des résines acryliques, et
cuire à une température élevée la solution polymère appli-
quée.
6.- Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que
la résine à base de phénol est une résine à base de novola-
que, une résine à base de polyvinylphénol, un mélange de ces résines ou une résine à base d'un copolymère contenant au
moins un composé de ces résines.
7.- Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la résine soluble dans l'eau est une résine à base d'alcool polyvinylique.
8.Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le solvant de cette solution polymère est au moins un solvant
choisi dans le groupe comprenant des alcools, des hydrocarbu-
res aromatiques, des cétones, des esters et l'eau désionisée.
9.- Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la cuisson est effectuée à une température comprise entre 200 et 400 C pendant une durée comprise entre 30 secondes et minutes.
10.- Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que cette cuisson est effectuée dans une atmosphère ambiante ou
d'oxygène.
11.- Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la cuisson est effectuée à une température ambiante ou d'oxygène.
12.- Procéd6 selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche antiréfléchissante obtenue après
cette cuisson est inférieure à 150 nm.
13.- Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un stade de cuisson douce après le
stade d'application pour éliminer les solvants.
14.- Procédé selon la revendication 13, dans lequel la cuisson douce est effectuée à une température comprise entre
et 250 C pendant une durée de 30 secondes à 5 minutes.
15.- Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend le stade ou on règle l'épaisseur de la couche
de revêtement après cette cuisson douce.
16.- Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend le stade o on règle l'épaisseur de la couche
de revêtement après la cuisson douce.
17.- Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que le stade du réglage de l'épaisseur est effectué en enlevant la portion supérieure de la couche de revêtement en utilisant au moins un solvant choisi dans le groupe comprenant des alcools, des hydrocarbures aromatiques, des cétones, des
esters et l'eau désionisée.
18.- Couche antiréfléchissante, caractérisée en ce qu'elle
est fabriquée par le procédé selon la revendication 5.
19.- Couche antiréfléchissante selon la revendication 18, caractérisée en ce que cette couche absorbe la lumière DUV (UV profond) et la lumière autour de la longueur d'onde de
248 nm.
20.- Procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: former une couche antiréfléchissante en appliquant une solution polymère contenant, comme composant principal, au moins un composé choisi dans le groupe comprenant des résines à base de phénol, des résines solubles dans l'eau et des résines acryliques, et cuire ensuite la solution polymère appliquée à température élevée, former une couche photosensible sur la surface de cette couche antiréfléchissante, et
exposer et développer la couche photosensible.
21.- Procédé selon la revendication 20, caractéris6 en ce que la couche photosensible est exposée à une lumière dont la
longueur d'onde est inférieure ou égale à 300 nm.
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Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5597868A (en) * | 1994-03-04 | 1997-01-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Polymeric anti-reflective compounds |
| JP2762972B2 (ja) * | 1995-10-25 | 1998-06-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3316407B2 (ja) * | 1997-02-26 | 2002-08-19 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3202649B2 (ja) * | 1997-04-17 | 2001-08-27 | 日本電気株式会社 | 反射防止膜形成用材料およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US7804115B2 (en) * | 1998-02-25 | 2010-09-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions having antireflective portions |
| US6274292B1 (en) * | 1998-02-25 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
| US6297170B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-10-02 | Vlsi Technology, Inc. | Sacrificial multilayer anti-reflective coating for mos gate formation |
| US6379872B1 (en) * | 1998-08-27 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Etching of anti-reflective coatings |
| US6268282B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-07-31 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks |
| US6281100B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
| US6410209B1 (en) | 1998-09-15 | 2002-06-25 | Shipley Company, L.L.C. | Methods utilizing antireflective coating compositions with exposure under 200 nm |
| US6828683B2 (en) | 1998-12-23 | 2004-12-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, and semiconductor processing methods |
| US7235499B1 (en) | 1999-01-20 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
| US6110653A (en) * | 1999-07-26 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Acid sensitive ARC and method of use |
| US20040034134A1 (en) | 1999-08-26 | 2004-02-19 | Lamb James E. | Crosslinkable fill compositions for uniformly protecting via and contact holes |
| CN1658375B (zh) * | 1999-08-26 | 2011-03-30 | 布鲁尔科技公司 | 改进的用于双金属镶嵌方法中的填充物料 |
| US7067414B1 (en) | 1999-09-01 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Low k interlevel dielectric layer fabrication methods |
| CN1402840A (zh) * | 1999-11-30 | 2003-03-12 | 部鲁尔科学公司 | 用于聚合物防反射涂料的非芳族发色团 |
| US6440860B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride |
| KR100365434B1 (ko) * | 2000-10-26 | 2002-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 가장자리 부분의 환형 잔유물 제거 방법 |
| KR100503061B1 (ko) * | 2002-03-21 | 2005-07-25 | 삼성전자주식회사 | 유기 감광체용 오버코트 형성용 조성물 및 이로부터형성된 오버코트층을 채용한 유기 감광체 |
| JP2003318126A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2004037866A2 (fr) * | 2002-10-21 | 2004-05-06 | Shipley Company L.L.C. | Photoresists contenant un composant sulfonamide |
| US6960419B2 (en) * | 2003-12-12 | 2005-11-01 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Antihalation dye for negative-working printing plates |
| US7390709B2 (en) * | 2004-09-08 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode |
| KR100733920B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2007-07-02 | 주식회사 엘지화학 | 에칭 레지스트용 잉크 조성물, 이를 이용한 에칭 레지스트패턴 형성 방법 및 미세 유로 형성 방법 |
| US7262138B1 (en) * | 2004-10-01 | 2007-08-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Organic BARC with adjustable etch rate |
| SG159515A1 (en) * | 2005-02-17 | 2010-03-30 | Agency Science Tech & Res | Method of low temperature imprinting process with high pattern transfer yield |
| US8455178B2 (en) * | 2006-09-26 | 2013-06-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Llp | Coating compositions for photolithography |
| US8288073B2 (en) * | 2006-09-28 | 2012-10-16 | Jsr Corporation | Pattern forming method |
| US7718529B2 (en) * | 2007-07-17 | 2010-05-18 | Globalfoundries Inc. | Inverse self-aligned spacer lithography |
| KR100960464B1 (ko) | 2007-08-09 | 2010-05-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사방지막용 중합체, 이를 포함하는 반사방지막 조성물 및이를 이용한 패턴 형성방법 |
| KR100960463B1 (ko) | 2007-08-09 | 2010-05-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사방지막용 중합체, 이를 포함하는 반사방지막 조성물 및이를 이용한 패턴 형성방법 |
| WO2009119201A1 (fr) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Jsr株式会社 | Film de sous-couche de réserve, composition et procédé de formation de ce film |
| KR101037842B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2011-05-31 | 덕양산업 주식회사 | 태양 전지 모듈을 구비한 차량의 인스트루먼트 패널 |
| JP6375669B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2018-08-22 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| CN114686057B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-06-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906552A (en) * | 1988-02-22 | 1990-03-06 | Hughes Aircraft Company | Two layer dye photoresist process for sub-half micrometer resolution photolithography |
| EP0599762A1 (fr) * | 1992-09-30 | 1994-06-01 | International Business Machines Corporation | Procédé pour la formation d'un motif d'une largeur de moins d'un micromètre avec lithographie optique utilisant une réserve à deux couches |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE266430C (fr) * | ||||
| US4362809A (en) * | 1981-03-30 | 1982-12-07 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
| US4446171A (en) * | 1982-02-12 | 1984-05-01 | Owens-Illinois, Inc. | Process of making glass articles having antireflective coating |
| US4910122A (en) * | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
| JPS6083032A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ− |
| US4741926A (en) * | 1985-10-29 | 1988-05-03 | Rca Corporation | Spin-coating procedure |
| JPS62159143A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | レジストの下層材料用組成物 |
| US4863827A (en) * | 1986-10-20 | 1989-09-05 | American Hoechst Corporation | Postive working multi-level photoresist |
| US5008156A (en) * | 1986-11-07 | 1991-04-16 | Exion Technology, Inc. | Photochemically stable mid and deep ultraviolet pellicles |
| JP2611215B2 (ja) * | 1987-03-23 | 1997-05-21 | ソニー株式会社 | パターン形成方法 |
| JPH0259752A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
| US5110697A (en) * | 1988-09-28 | 1992-05-05 | Brewer Science Inc. | Multifunctional photolithographic compositions |
| US5026624A (en) * | 1989-03-03 | 1991-06-25 | International Business Machines Corporation | Composition for photo imaging |
| US5278010A (en) * | 1989-03-03 | 1994-01-11 | International Business Machines Corporation | Composition for photo imaging |
| US4940508A (en) * | 1989-06-26 | 1990-07-10 | Digital Equipment Corporation | Apparatus and method for forming die sites in a high density electrical interconnecting structure |
| JP2603148B2 (ja) * | 1990-06-08 | 1997-04-23 | 三菱電機株式会社 | パターン形成方法 |
| US5276126A (en) * | 1991-11-04 | 1994-01-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected novolak resin planarization layer for lithographic applications |
| US5286607A (en) * | 1991-12-09 | 1994-02-15 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. | Bi-layer resist process for semiconductor processing |
| US5234990A (en) * | 1992-02-12 | 1993-08-10 | Brewer Science, Inc. | Polymers with intrinsic light-absorbing properties for anti-reflective coating applications in deep ultraviolet microlithography |
| US5265177A (en) * | 1992-05-08 | 1993-11-23 | At&T Bell Laboratories | Integrated optical package for coupling optical fibers to devices with asymmetric light beams |
| US5294680A (en) * | 1992-07-24 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Polymeric dyes for antireflective coatings |
-
1993
- 1993-09-08 KR KR1019930018016A patent/KR970004447B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-10-15 JP JP28172893A patent/JP3440122B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-28 DE DE4414808A patent/DE4414808B4/de not_active Expired - Lifetime
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- 1994-05-13 CN CN94105508A patent/CN1053993C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-12 US US08/304,197 patent/US5593725A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-04-14 US US08/840,270 patent/US5759755A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906552A (en) * | 1988-02-22 | 1990-03-06 | Hughes Aircraft Company | Two layer dye photoresist process for sub-half micrometer resolution photolithography |
| EP0599762A1 (fr) * | 1992-09-30 | 1994-06-01 | International Business Machines Corporation | Procédé pour la formation d'un motif d'une largeur de moins d'un micromètre avec lithographie optique utilisant une réserve à deux couches |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ANONYMOUS: "Underlayer Resist for Improved Alignment Capability", RESEARCH DISCLOSURE, vol. 325, May 1991 (1991-05-01), HAVANT GB * |
| T. IWAYANAGI ET AL.: "Thermolysis of an Azide-Phenolic Resin Composite Film and Its Use as an Antireflective Bottom Layer in th Three-Layer Resist Process", JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, vol. 134, no. 4, April 1987 (1987-04-01), MANCHESTER, NEW HAMPSHIRE US, pages 963 - 967 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4414808B4 (de) | 2006-09-07 |
| KR970004447B1 (ko) | 1997-03-27 |
| FR2709869B1 (fr) | 1996-02-02 |
| CN1115496A (zh) | 1996-01-24 |
| US5759755A (en) | 1998-06-02 |
| TW289766B (fr) | 1996-11-01 |
| KR950009969A (ko) | 1995-04-26 |
| CN1053993C (zh) | 2000-06-28 |
| JP3440122B2 (ja) | 2003-08-25 |
| US5593725A (en) | 1997-01-14 |
| JPH0792684A (ja) | 1995-04-07 |
| DE4414808A1 (de) | 1995-03-09 |
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