KR950009969A - 반사방지막 및 이를 사용한 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반사방지막 및 이를 사용한 반도체장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

반사방지막 제조용 조성물, 이를 사용한 반사방지막 및 이를 사용한 반도체장치의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 반사방지막은 주성분으로서 페놀계 수지, 아크릴 수지 및 수용성 수지로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 폴리머 용액을 소정의 기판 상부에 도포하고, 고온 베이크하여 제조한다. 제조가 용이하고 노광 광에 대하여 우수한 반사방지 특성을 가지며 양품의 수율이 높다.

Description

반사방지막 및 이를 사용한 반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반사방지막 제조시, 반사방지 조성물의 코팅후, 베이크 온도에 따른 반사방지막의 반사율 관계를 나타내는 그래프로서, 248㎚광에 대한 반사율을 나타내고,
제2도는 본 발명에 따른 반사방지막의 제조시, 베이크 온도에 따른 FT-IR 피크의 상대 강도변화를 나타내는 그래프로서, a는 약 1500㎝-1의 피크에 대한 것이고, b는 약 1720㎝-1의 피크에 대한 것이다.

Claims (19)

  1. 주성분으로서 페놀계 수지, 아크릴 수지 및 수용성 수지로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 폴리머 용액인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 반사방지막 제조용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 페놀계 수지가 노볼락계 수지, 폴리비닐페놀계 수지, 이들의 혼합체, 또는 이들중 적어도 하나를 포함하는 코폴리머계 수지인 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수용성 수지가 폴리비닐알콜인 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 폴리머 용액의 용매가 알콜, 방향족 탄화수소, 케톤, 에스테르 및 초순수로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 페놀계 수지, 아크릴 수지 및 수용성 수지로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 필수구성 성분으로 하는 폴리머 용액을 소정의 기판 상부에 도포하는 단계와; 고온 베이크하는 단계;를 통하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 페놀계 수지가 노볼라계 수지, 폴리비닐페놀계 수지 및 이들을 적어도 하나를 포함하는 코폴리머계 수지 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 폴리머 용액의 용매가 알콜, 방향족 탄화수소, 케톤, 에스테르 및 초순수로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  8. 내용없음.
  9. 제5항에 있어서, 상기 고온 베이크가 200 내지 400℃의 온도 범위에서 30초 내지 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  10. 제5항 또는 9항에 있어서, 상기 고온 베이크가 공기중에서, 또는 산소 분위기하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  11. 제5항에 있어서, 상기 고온 베이크 후 코팅막의 두께가 1500Å 이하인 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  12. 제5항에 있어서, 상기 도포 단계후에 용매 제거를 위한 소프트 베이크 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 소프트 베이크가 100 내지 250℃의 온도 범위에서 30초 내지 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  14. 제12항 또는 13항에 있어서, 상기 소프트 베이크후, 막의 두께를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 막의 두께를 조절하는 단계가 알콜, 방향족 탄화수소, 케톤, 에스테르 및 초순수로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 용매를 사용하여 막의 상부를 제거하는 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
  16. 제5항의 방법에 따라 제조되어 반사방지 효과를 갖는 반사방지막.
  17. 제16항에 있어서, 상기 반사방지막이 248㎚를 중심으로 한 DUV의 광을 흡수하는 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 반사방지막.
  18. 페놀계 수지, 아크릴 수지 및 수용성 수지로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 필수구성 성분으로 하는 폴리머 용액을 기판의 상부에 도포하는 단계, 및 고온 베이크하는 단계를 통하여 반사방지막을 제조하는 단계; 상기 반사방지막의 상부에 감광층을 형성하는 단계; 및 상기 감광층을 노광, 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 감광층을 300㎚이하의 광으로 노광하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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