ES2928618T3 - Material compuesto reflectante, en particular para componentes montados en superficie (SMD), y dispositivo emisor de luz con un material compuesto de este tipo - Google Patents

Material compuesto reflectante, en particular para componentes montados en superficie (SMD), y dispositivo emisor de luz con un material compuesto de este tipo Download PDF

Info

Publication number
ES2928618T3
ES2928618T3 ES17196142T ES17196142T ES2928618T3 ES 2928618 T3 ES2928618 T3 ES 2928618T3 ES 17196142 T ES17196142 T ES 17196142T ES 17196142 T ES17196142 T ES 17196142T ES 2928618 T3 ES2928618 T3 ES 2928618T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
layer
composite material
range
thickness
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES17196142T
Other languages
English (en)
Inventor
Stefan Ziegler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alanod GmbH and Co KG
Original Assignee
Alanod GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alanod GmbH and Co KG filed Critical Alanod GmbH and Co KG
Application granted granted Critical
Publication of ES2928618T3 publication Critical patent/ES2928618T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
    • G02B5/085—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal
    • G02B5/0858—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal the reflecting layers comprising a single metallic layer with one or more dielectric layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
    • G02B5/085—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/06—Metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer, layered thin film adhesion layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/202—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

La invención se refiere a un material compuesto reflectante (V) con un soporte (1) de aluminio, con una capa intermedia (2) de óxido de aluminio por una cara (A) del soporte (1) y con una capa aplicada sobre el capa intermedia (2). , sistema multicapa ópticamente eficaz que mejora la reflexión (3). Para crear dicho material compuesto (V) con alta reflectividad, que ha mejorado la conectividad eléctrica cuando se usa montaje en superficie, en particular tecnología de chip y alambre, se propone que la capa intermedia (2) que consiste en óxido de aluminio tenga un espesor (D 2) en el rango de 5 nm a 200 nm y que una capa (9) de un metal o una aleación de metal se aplica superficialmente al lado (B) del soporte (1) opuesto al intensificador de reflexión, ópticamente sistema multicapa activo (3), que a 25 °C tiene una resistencia eléctrica específica de como máximo 1,2 * 10 -1 © mm 2/m, el espesor (D 9) de la capa aplicada superficialmente (9) en el rango de 10 nm a 5,0 μm. (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal)

Description

DESCRIPCIÓN
Material compuesto reflectante, en particular para componentes montados en superficie (SMD), y dispositivo emisor de luz con un material compuesto de este tipo
La presente invención se refiere a un material compuesto reflectante, con un soporte compuesto de aluminio, con una capa intermedia de óxido de aluminio situada sobre el soporte y con un sistema multicapa ópticamente activo, amplificador de reflexión, aplicado encima de la capa intermedia. Por un "soporte compuesto de aluminio" se entienden adicionalmente también aleaciones de aluminio.
Además, la presente invención se refiere a un dispositivo emisor de luz con un material compuesto reflectante de este tipo.
Un material compuesto del tipo mencionado al principio se conoce, por ejemplo, por el documento WO 00/29784 A1. El enfoque de esta solicitud es una capa de protección situada en la superficie del sistema ópticamente activo. El sistema multicapa ópticamente activo, amplificador de reflexión, que también se denomina revestimiento funcional, contiene una capa reflectante, como por ejemplo una capa de aluminio, plata, cobre, oro, cromo, níquel o sus aleaciones. Entre el soporte y el recubrimiento funcional puede estar dispuesta como capa intermedia al menos una capa de pretratamiento que, en el caso de un soporte de aluminio, puede ser, por ejemplo, una capa producida por oxidación anódica del soporte. A este respecto, se señala que es generalmente conocido que bandas hechas de materiales brillantes, por ejemplo, de aluminio ultrapuro a base de aluminio con un grado de pureza del 99,8 % y superior, como por ejemplo 99,9%, o de aleaciones de AlMg, también para producir superficies laminadas con reflexión de luz difusa o dirigida. También es conocido el modo de abrillantar química o electrolíticamente las superficies de tales bandas para aumentar la reflexión dirigida y, a continuación, aplicar mediante oxidación anódica una capa de protección de óxido de aluminio de, por ejemplo, 1,5 pm de espesor de capa. En cambio, una capa de óxido formada naturalmente sobre el aluminio alcanza solo un espesor de alrededor de 0,005 pm.
En el documento DE 10340 005 A1 se describe un dispositivo emisor de luz para la emisión de luz blanca, que comprende un sustrato eléctricamente aislante, no especificado en detalle, con dos electrodos de conexión previstos en la superficie superior y en el lado inferior del sustrato. El dispositivo conocido comprende un diodo emisor de luz (LED) colocado sobre el sustrato y realizado como chip. El cátodo de este diodo emisor de luz está conectado a uno de los electrodos mediante un adhesivo y el ánodo está conectado al otro electrodo mediante un cable de unión. El LED y la superficie superior del sustrato están cubiertos por una resina transparente.
Una característica del modo de montaje practicado en el documento DE 10340 005 A1 es el llamado montaje en superficie del chip LED que también se denomina "Die" (dado o plaquita en inglés). Esta técnica de montaje se denomina en inglés "surface-mounting technology" "SMT" (tecnología de montaje en superficie). La abreviatura "SMD" que igualmente se usa en este contexto (inglés: "Surface-mounted device" / dispositivo montado en superficie) describe el componente montado en superficie que, a diferencia de los componentes del montaje con orificio pasante ("Through Hole Technology" THT) convencional con "componentes alambrados", no presenta conexiones por hilo, sino que se monta directamente sobre una placa de circuito impreso por medio de superficies de conexión en particular soldables (aquí en el documento DE 10340005 A1, sin embargo, con un adhesivo) como denominado módulo plano.
Para estructuras de electrodos de conexión de este tipo también es común la denominación inglesa "lead frame" (bastidor de conductores), para lo que se remite a modo de ejemplo al documento US 6,407,411 B1. En este contexto, cabe mencionar que en el campo de los LED SMD, hoy en día se suele utilizar cobre plateado como material para los "lead frames" (bastidores de conductores), que, sin embargo, presenta de manera desventajosa una baja estabilidad frente al sulfuro de hidrógeno y una reflectividad del orden de solo aprox.93%.
En el caso del modo de montaje descrito en el documento DE 10340005 A1 se trata además de la aplicación de la llamada "tecnología COB" (inglés: "Chip-on-Board-Technology" / Tecnología de chip a bordo), también conocida como montaje de chip desnudo. Esta es una tecnología para el montaje directo de chips semiconductores no empaquetados sobre pletinas para la fabricación de módulos electrónicos. Hoy en día, el término "COB" se usa para todos los módulos que contienen el semiconductor desnudo, mientras que originalmente se entendían por ello exclusivamente módulos elaborados según la llamada tecnología de chip y cable. De acuerdo con la solicitud, se toma como base el conocimiento más reciente y más amplio que abarca el contenido de la tecnología de chip y cable, tal como se prevé en el documento DE 10340005 A1 para el chip LED.
Una ventaja significativa de los dispositivos LED es su alto rendimiento de luz r|v (Inglés: "luminous efficacy" / eficacia luminosa). Por rendimiento de luz se entiende el cociente del flujo luminoso Ó emitido por una fuente de luzv y la potencia P consumida por la misma. La unidad SI del rendimiento de luz es lúmenes por vatio (lm/W). Cuanto mayor sea el valor del rendimiento de luz, mayor será también el flujo luminoso que puede ser utilizado por el ojo para un consumo de potencia P dado de la lámpara. El rendimiento de luz r|v de una lámpara se compone de dos factores: el rendimiento de radiación i> de la lámpara y la radiación fotométrica equivalente K de la radiación emitida: r|v = i> * K.
Mientras el rendimiento de luz de una lámpara incandescente convencional es de 10 a 30 Im/vatio, en las lámparas LED es de manera ventajosa más del doble, concretamente de 60 a 100 lm/vatio.
En el documento EP 2138761 A1 se explica que los reflectores de aluminio, en particular los reflectores recubiertos, se pueden usar para lograr intensidades de iluminación o rendimientos de luz r|v comparativamente altas es decir, altos grados de eficacia. El grado de reflexión total de un soporte altamente reflectante utilizado como reflector también conduce a un alto rendimiento de luz. De acuerdo con la solicitud, el término "altamente reflectante" se basa en el mismo conocimiento que se explica en el documento EP 2 138 761 A1 citado. Esto significa que, en lo sucesivo, por "altamente reflectante" se entienden materiales que, de acuerdo con DIN 5036, parte 3 (edición 11/79), tienen una reflectancia total de al menos 85 %, preferentemente al menos 90 %, de manera particularmente preferente al menos 95 %.
Como ya se ha mencionado, como material de soporte para reflectores con un alto grado de reflexión total se usa en gran medida aluminio laminado con una pureza mínima de 99,8 %, sobre el que, como base para capas de PVD superpuestas y como capa de protección química, se aplica la capa intermedia. Esta capa intermedia protectora se origina preferentemente en un proceso de anodización química húmeda, lo que asegura que la superficie tenga un nivel de rugosidad suficientemente bajo y una dureza suficiente y esté configurado sin defectos, pudiendo cerrarse poros todavía presentes eventualmente en la capa de óxido de aluminio, en gran medida mediante una compactación en caliente en la última fase de la cadena de proceso. Mediante modificaciones de la pureza y/o la rugosidad, se puede influir en el nivel de reflexión total, mientras que mediante modificaciones selectivas de la estructura de laminación del soporte de aluminio se puede influir en un la reflexión difusa. Cuando el material de soporte de aluminio que tiene especialmente forma de banda, se introduce en el baño para la oxidación anódica o el anodizado químico húmedo para producir la capa intermedia, se forman en su lado superior la capa intermedia de óxido de aluminio y, en su lado inferior, una capa de óxido de aluminio adicional sustancialmente con la misma estructura.
El sistema multicapa ópticamente activo que se aplica posteriormente encima de la capa intermedia puede componerse, por ejemplo, de al menos tres capas, siendo las capas superiores capas dieléctricas y/u oxídicas y siendo la capa inferior una capa metálica que forma una capa reflectante. La capa metálica puede ser, por ejemplo, una capa de plata ultrapura altamente reflectante, depositada sobre la capa anodizada. Es ópticamente densa y tiene una reflexión total extremadamente alta en el rango visible de la luz. Un material compuesto del tipo mencionado al principio como banda de aluminio tratada superficialmente bajo el nombre MlRO®-Silver encontró un amplio uso para la técnica de iluminación, sistemas de iluminación natural y aplicaciones decorativas.
En los documentos DE 10 2015 114 095 A1 y WO 2017/032809 A1 se describen otros materiales compuestos conocidos del tipo mencionado al principio con capas reflectantes de plata. Por su grado de reflexión total ventajosamente alto y su excelente estabilidad a largo plazo, parece deseable usar estos y otros materiales compuestos en el marco de las tecnologías de montaje en superficie y chip-a-bordo descritas anteriormente, como material de soporte, por ejemplo, como estructuras de bastidor de conductores para dispositivos montados en superficie (SMD), en particular para chips semiconductores LED. Por ejemplo, en los documentos DE 102015 114 095 A1 y WO 2017/032809 A1 se describe la colocación de fuentes de luz LED, por ejemplo en forma de un chip, sobre la superficie del material compuesto descrito allí como aplicación preferente. Sin embargo, se ha demostrado que los materiales compuestos conocidos en el marco de las tecnologías mencionadas, en particular cuando se usa la tecnología de chip y cable, pueden conducir a problemas en el contacto eléctrico de los s Md .
La presente invención tiene el objetivo de proporcionar un material compuesto del tipo descrito al principio con una alta reflectividad y preferentemente también una alta estabilidad a largo plazo, es decir, con una baja pérdida a largo plazo del grado de reflexión total de la luz, que en el caso de la aplicación de un montaje en superficie, en particular, en el caso de la aplicación de la tecnología de chip y cable, presenta una conectividad eléctrica mejorada.
Este objetivo se consigue de acuerdo con la invención mediante un material compuesto de acuerdo con la reivindicación 1.
De manera ventajosa, de acuerdo con la invención, en el marco del denominado "wire bonding" (unión por hilo), por un lado, se hace posible así sin problemas la soldadura de un hilo, en particular la soldadura por ultrasonidos de un hilo de oro, sobre el lado delantero o superior del material compuesto de acuerdo con la invención para establecer una unión entre la superficie del material compuesto y un componente aplicado sobre el material compuesto por montaje en superficie, y por otro lado, resulta que la resistencia de contacto eléctrico en el lado trasero o inferior del material compuesto de acuerdo con el invención es sorprendentemente despreciable. Por lo tanto, este lado puede soldarse sin problemas a una placa de circuito impreso (inglés: Printed Circuit Board - PCB) o aplicarse por medio de un procedimiento de unión de materiales similar, por ejemplo, usando un barniz o adhesivo conductores de electricidad. La selección del material y el espesor de la capa aplicada superficialmente de un metal o de una aleación de metal pueden coordinarse entre sí óptimamente de manera ventajosa bajo una amplia variedad de aspectos como, por ejemplo, el valor de la resistencia eléctrica específica, la estabilidad a la temperatura, en particular al soldar, la compatibilidad de soldadura, la disponibilidad, el precio, etc.
Bajo estos aspectos, la capa aplicada superficialmente de un metal o una aleación de metal puede ser preferentemente una capa de cobre con un espesor en el rango de 0,1 pm a 5,0 pm o una capa de plata con un espesor en el rango de 10 nm a 500 nm.
Un dispositivo emisor de luz de acuerdo con la invención comprende el material compuesto reflectante de acuerdo con la invención, que forma una estructura de bastidor de soporte ("lead frame") para un componente electrónico, tal como un diodo emisor de luz configurado como chip desnudo (Die), donde el componente electrónico yace y está fijado sobre el lado superior de la estructura de bastidor de soporte y está puesto en contacto eléctrico con la estructura de bastidor de soporte por medio de un hilo separado, y donde el conjunto formado por el componente electrónico (como SMD) y la estructura de bastidor de soporte ("lead frame") está unido de forma eléctricamente conductora por el lado inferior, mediante unión de materiales, a una placa de circuito impreso (PCB).
La sustitución de la estructura de marco habitual hecha de cobre plateado por el material compuesto de acuerdo con la invención, en particular si no hay plata en la capa aplicada superficialmente, provoca una mayor resistencia a la corrosión, en particular al sulfuro de hidrógeno, incrementándose en todo caso al mismo tiempo el rendimiento de luz pudiendo adoptar en particular valores muy superiores a 100 lm/W.
Otras realizaciones ventajosas de la invención están contenidas en las reivindicaciones dependientes y en la siguiente descripción detallada.
La invención se explicará con más detalle con la ayuda de un ejemplo de realización ilustrado por el dibujo adjunto. En este muestran:
La figura 1 una vista en sección esquemática ampliada a través de una forma de realización de un material compuesto de acuerdo con la invención, estando representados los espesores de capa contenidos en el mismo de forma puramente esquemática y no a escala,
la figura 2 una vista en planta desde arriba de una zona parcial de una forma de realización de un dispositivo emisor de luz de acuerdo con la invención,
la figura 3 una vista en planta desde arriba de una forma de realización de una estructura de bastidor de soporte formada a partir de un material compuesto de acuerdo con la invención para un dispositivo emisor de luz de acuerdo con la invención y
la figura 4 una sección transversal a través de una forma de realización de un dispositivo emisor de luz de acuerdo con la invención.
Con respecto a la siguiente descripción, se señala expresamente que la invención no se limita al ejemplo de realización ni tampoco se limita a todas o varias características de las combinaciones de características descritas. Más bien, cada característica parcial individual del ejemplo de realización también puede tener un significado inventivo, independientemente de todas las demás características parciales descritas en relación con la misma y también en combinación con otras características adicionales adecuadas.
En las diversas figuras del dibujo, las mismas piezas siempre están provistas de los mismos signos de referencia, de manera que, generalmente, también se describen respectivamente solo una vez.
Como resulta, en primer lugar, de la figura 1, un material compuesto V reflectante de acuerdo con la invención con un soporte 1 hecho de aluminio presenta una capa intermedia 2 hecha de óxido de aluminio situada en un lado A sobre el soporte 1 y un sistema multicapa 3 ópticamente activo, amplificador de reflexión y que está aplicado sobre la capa intermedia 2. El soporte 1 está configurado como bobina con un ancho de hasta 1600 mm, preferentemente 1250 mm, y con un espesor D1 de aproximadamente 0,1 a 1,5 mm, preferentemente de aproximadamente 0,2 a 0,8 mm.
Dado que todas las capas delgadas situadas sobre el soporte, en particular la capa intermedia 2 y las del sistema multicapa 3 ópticamente activo, son despreciablemente pequeñas en comparación, el tamaño del espesor del soporte D1 es al mismo tiempo también representativo de un espesor total DG del material compuesto V de acuerdo con la invención.
En particular, el aluminio del soporte 1 puede tener una pureza superior al 99,0%, lo que fomenta su conductividad térmica. De esta manera, se puede evitar la generación de picos de calor. Por ejemplo, el soporte 1 también puede ser una chapa de aluminio Al 98.3 en forma de banda, es decir, con una pureza del 98,3 por ciento. También es posible utilizar como soporte 1 aleaciones de aluminio, como por ejemplo una aleación de AlMg, siempre que a partir de las mismas pueda formarse mediante oxidación anódica la capa intermedia 2.
El sistema multicapa 3 ópticamente activo puede componerse a modo de ejemplo, tal como está representado, de al menos tres capas, de las cuales dos capas superiores 4, 5 son capas dieléctricas y/u oxídicas, y la capa inferior 6 subyacente es una capa metálica, por ejemplo, compuesta de aluminio o plata, que forma una capa reflectante 6. Adicionalmente, en el caso representado, está representada una capa de recubrimiento 7 no metálica, opcionalmente presente, de un material de baja absorción como, por ejemplo, dióxido de silicio. Una estructura de capas de este tipo es conocida por el modelo de utilidad alemán dE 29812559 U1, al que se remite en su totalidad en este contexto. Por ejemplo, las capas dieléctricas y/u oxídicas 4, 5 del sistema multicapa 3 óptico pueden tener respectivamente un espesor D4, D5 en el rango de 30 nm a 200 nm, midiendo este espesor D4, D5 respectivamente preferentemente un cuarto de la longitud de onda central del rango espectral de la radiación electromagnética que ha de ser reflejada, para que las capas 4, 5 puedan actuar como capas de interferencia amplificadoras de reflexión. Un espesor D7 de la capa de protección 7 puede estar situado en el rango de 0,5 nm a 20 nm, preferentemente en el rango de 0,5 nm a 10 nm. También puede estar previsto que sobre el sistema multicapa 3 óptico esté aplicada una capa de protección de nitruro de silicio como capa de recubrimiento 7.
El sistema multicapa 3 óptico, incluida la capa de recubrimiento 7 y de manera ventajosa también la capa 9 de un metal o una aleación de metal que se describe a continuación, en particular configurada como una capa de cobre, se puede aplicar de manera tecnológicamente ventajosa mediante un proceso continuo de recubrimiento de bandas al vacío. En particular, las capas 4, 5, 6, 7, 9 pueden ser capas de bombardeo iónico, en particular capas producidas por bombardeo iónico reactivo, capas CVD o PECVD o capas producidas por evaporación, en particular por bombardeo electrónico o a partir de fuentes térmicas.
La capa reflectante 6 puede unirse opcionalmente a la capa intermedia 2 a través de una capa de adhesión no representada, compuesta, por ejemplo, de aluminio-titanio y/u óxido de cromo. Además, la capa reflectante 6 puede estar encastrada opcionalmente en el lado superior y el lado inferior entre capas de barrera no representadas, por ejemplo, de níquel, aleaciones de níquel o paladio, para aumentar la estabilidad térmica.
La capa superior 4 dieléctrica y/u oxídica del sistema multicapa 3 óptico es una capa con una mayor refracción que la capa inferior 5 dieléctrica y/u oxídica del sistema multicapa 3 óptico, pudiendo componerse la capa superior 4 preferentemente de TiO2, Ta2O5, Nb2O5, MoO3 y/o ZrO2, y la capa inferior 5 preferentemente de AbO3 y/o SiO2. De acuerdo con la invención, está previsto que la capa intermedia 2 compuesta de óxido de aluminio, en particular de aluminio oxidado anódicamente, presenta un espesor D2 en el rango de 5 nm a 200 nm, preferentemente en el rango de 10 a 100 nm. Como ya se ha mencionado, como está representado en la figura 2, de manera ventajosa, de acuerdo con la invención, en el marco de una llamada unión por hilo, por un lado es posible la soldadura de un hilo D, en particular la soldadura por ultrasonidos de un hilo de oro, en el lado delantero o superior A del material compuesto V, de manera que es posible sin problemas una unión eléctrica (punto de soldadura SP) entre la superficie A del material compuesto V y un componente electrónico SMD aplicado sobre el material compuesto V por montaje en superficie.
A este respecto, resulta preferente que la superficie de la capa intermedia 2 tenga un valor de rugosidad media aritmética Ra del orden de menos de 0,05 pm, en particular menos de 0,01 pm, de manera particularmente preferente menos de 0,005 pm. Esto sirve para el ajuste de un grado de reflexión de luz difusa mínimo, determinada según DIN 5036, cuando existe el alto grado de reflexión total de luz mencionado anteriormente. Si se requiere un mayor grado de reflexión de luz difusa, se puede aumentar correspondientemente la rugosidad.
En el lado B del soporte 1, opuesto al sistema multicapa 3 ópticamente activo, amplificador de reflexión, se encuentra opcionalmente otra capa 8 compuesta de óxido de aluminio, que puede originarse simultáneamente, por ejemplo, durante el anodizado del lado superior A, debido al proceso de producción. Sin embargo, en caso de necesidad, se puede evitar su formación cubriendo el lado B. También se conocen procedimientos para, dado el caso, eliminar este tipo de capas. Si está presente la capa adicional 8 compuesta de óxido de aluminio, su espesor D8 debe situarse en el mismo rango que el espesor D2 de la capa intermedia 2, es decir, en el rango de 5 nm a 200 nm, preferentemente en el rango de 10 a 100 nm.
Otra característica esencial de la invención es que en el lado B del soporte 1, opuesto al sistema multicapa 3 ópticamente activo, amplificador de reflexión, está aplicada superficialmente una capa 9 de un metal o una aleación de metal, que a 25 ° C tiene una resistencia eléctrica específica de como máximo 1,2 * 10-1 O mm2 / m, situándose el espesor D9 de la capa 9 aplicada superficialmente en el rango de 10 nm a 5,0 pm.
En particular, puede ser una capa de cobre aplicada con un espesor Dg en el rango de 0,1 pm a 5,0 pm, preferentemente en el rango de 0,2 pm a 3,0 pm, de manera particularmente preferente en el rango de 0,5 pm a 1,5 pm.
Otra forma de realización preferente de la invención prevé que la capa 9 aplicada superficialmente es una capa de plata con un espesor D9 en el rango de 10 nm a 500 nm, en particular con un espesor Dg en el rango de 50 nm a 250 nm.
La resistencia eléctrica específica de la capa 9 de un metal o una aleación de metal, aplicada superficialmente, puede tener a 25 °C preferentemente un valor máximo de 2,7 * 10-2 O mm2 / m, de manera particularmente preferente un valor máximo de 1,8 * 10-2 O mm2 / m.
Con respecto a los valores de la resistencia eléctrica específica, que debe tomarse como base para diversos materiales, se remite a la siguiente tabla 1 compilada sobre la base de los valores indicados en diversas fuentes de literatura.
T l 1: V l r l r i n i l ri ífi 2 °
Figure imgf000006_0001
Una vista general de la resistividad eléctrica p de diez aleaciones binarias diferentes (Al/Cu, Al/Mg, Cu/Au, Cu/Ni, Cu/Pd, Cu/Zn, Au/Pd, Au/Ag, Fe/Ni, Ag/Pd) respectivamente con una composición diferente se halla, por ejemplo, en el artículo científico "Electrical resistivity of ten selected binary alloys systems", autor: Ho, C. Y. et al., en J. Phys. Chem. Ref. Data, Vol. 12 No. 2, 1983, págs. 183 a 322. Si se determina una composición química específica en la capa 9 prevista de acuerdo con la invención, se puede hacer referencia a estos valores.
Sin embargo, también es posible una medición directa de acuerdo con la norma ASTM F390-11 "Standard Test Method for Sheet Resistance of Thin Metallic Films With a Collinear Four-Probe-Array". Esta norma contiene también información sobre cómo una resistencia superficial ("Sheet Resistance") determinada en la unidad O o "O cuadrado" se puede convertir en una resistencia eléctrica específica, teniendo en cuenta la geometría de capa, es decir, su longitud, anchura y espesor.
En una configuración preferente, entre el soporte 1 compuesto de aluminio o la capa 8 adicional, presente opcionalmente, compuesta de óxido de aluminio, y la capa de cobre 9, puede estar prevista una capa de adhesión 10 compuesta, por ejemplo, de un metal de transición, en particular titanio, cromo o níquel, y cuyo espesor D10 puede estar situado preferentemente en el rango de 5 nm a 25 nm, de manera particularmente preferente en el rango de 10 nm a 20 nm.
Como también se mencionó ya, esto conduce de manera ventajosa a que la resistencia eléctrica de contacto en el lado trasero o inferior B del material compuesto V de acuerdo con la invención es despreciablemente pequeña. Por lo tanto, este lado B puede soldarse a una placa de circuito impreso PCB o aplicarse por medio de un procedimiento de unión similar que actúe como unión de materiales. En las figuras 1 y 4, la capa de unión que actúa como unión de materiales está designada respectivamente por el signo de referencia L. Para la soldadura pueden usarse de manera ventajosa, por ejemplo, soldantes eléctricos estándar que contienen estaño, como, por ejemplo, Sn96.5Ag3Cu0.5.
A pesar de una capa superficial 9 relativamente delgada del metal o la aleación de metal, en particular una capa de cobre, se ha demostrado que entre el material compuesto V de acuerdo con la invención y la soldadura no se produce una formación de fases intermetálicas espesas y quebradizas con respecto al espesor de capa D9, que por tensiones térmicas pudieran provocar un fallo mecánico y, en consecuencia, también eléctrico, del punto de soldadura. Por lo tanto, un almacenamiento de calor de hasta 1000 h solo condujo a la formación de una fase intermetálica de pocos 100 nm de espesor. También se demostró que la unión soldada de la capa de unión L superó de manera ventajosa las pruebas típicas en las que la fuerza de retirada o de cizallamiento entre los componentes unidos LF, COB se redujo solo en menos de un factor 2 después de un almacenamiento a temperatura, por ejemplo, a 120°C y 1000 h.
Sobre la capa 9 de un metal o una aleación de metal, aplicada superficialmente, en particular sobre la capa de cobre, puede encontrarse opcionalmente una capa de pasivación no representada. Esta puede estar compuesta preferentemente por Ag, Ni, Pd y/o Au (Ag/Ni/Pd/Au) y tener un espesor típico en el rango de 10 nm a 500 nm, preferentemente en el rango de 50 nm a 250 nm. Dicha capa también fomenta la soldabilidad del componente SMD acabado al PCB, a causa de una mejor humectabilidad con soldante de la superficie del metal noble.
Un dispositivo emisor de luz LV de acuerdo con la invención - véanse a este respecto las figuras 2 y 4 - comprende el material compuesto reflectante V de acuerdo con la invención, que tiene una estructura de bastidor de soporte LF ("lead frame") para el componente electrónico SMD, como uno diodo emisor de luz configurado como chip desnudo DIE. Una estructura de bastidor de soporte LF está representada en la figura 3. En la forma representada en la vista en planta desde arriba tiene la forma de una H, discurriendo su barra transversal Q entre las pistas designadas como dedos F, no en ángulo recto sino, como se muestra, frecuentemente de forma oblicua. Una estructura de bastidor de soporte LF de este tipo puede fabricarse, de manera tecnológicamente ventajosa, por ejemplo, como pieza punzonada o mediante corte por láser. En caso de necesidad, también es posible una realización adicional como pieza doblada, ya que el material compuesto V se puede doblar sin problemas sin pérdida de calidad.
Una multiplicidad de estructuras de bastidor de soporte LF pueden estar reunidas inicialmente en un dispositivo de bastidor configurado como pletina en forma de banda, en el que las estructuras de bastidor de soporte LF están integradas a través de almas en forma de campo, es decir, como elementos de fila y de columna. Las estructuras de bastidor de soporte LF pueden separarse fácilmente del dispositivo de bastidor, por ejemplo, por rotura o punzonado, de modo que una producción en masa en particular automatizada de dispositivos emisores de luz LV de acuerdo con la invención es posible ventajosamente de manera sencilla. Durante ello, las estructuras de bastidor de soporte LF ya pueden dotarse de chips electrónicos SMD en el lado superior.
En el dispositivo emisor de luz LV de acuerdo con la invención, el componente electrónico SMD/DIE yace en el lado superior, es decir, en el lado A, sobre la estructura de bastidor de soporte LF, y está puesto en contacto eléctrico con la estructura de bastidor de soporte LF por medio de al menos un hilo D separado. Al lado del DIE LED (signo de referencia: DIE) también se muestra en la figura 2 en la parte inferior derecha un diodo Zener Z como componente electrónico SMD adicional montado en superficie. El conjunto formado por el componente electrónico SMD o, en el caso ilustrado, los dos componentes electrónicos SMD (DIE y Z) representados, y la estructura de bastidor de soporte LF está unido por el lado inferior (lado B) de forma eléctricamente conductora a una placa de circuito impreso PCB.
Sobre el soporte 1 también pueden encontrarse otros sistemas 3 amplificadores de reflexión con capas adicionales, a diferencia del ejemplo de realización representado. A este respecto, cabe mencionar en particular el del documento DE 10 2015 114 095 A1 con la capa de plata amplificadora de reflexión, siempre que se realice de acuerdo con la invención. Por el contrario, el sistema descrito en el documento WO 2017/032809 A1 prevé en la capa intermedia 2 la presencia obligatoria de un barniz orgánico formador de capa con un espesor de hasta 5 pm, lo que debe evitarse de acuerdo con la invención. Según la solicitud, la expresión "capa intermedia 2 de óxido de aluminio" debe considerarse como concluyente preferentemente en el sentido de "compuesta exclusivamente por", sin embargo, de acuerdo con la solicitud, la existencia de capas parciales en la capa intermedia 2, dado el caso, no puede descartarse por completo. Sin embargo, bajo este aspecto, el espesor D2 de la capa intermedia 2 completa debería situarse en el rango de 5 nm a 200 nm. Aunque el sistema multicapa 3 óptico no solo puede tener las capas 4, 5, 6 descritas anteriormente, de acuerdo con la invención, sin embargo, no debe estar previsto que sobre estas se aplique como capa de recubrimiento 7 una capa de barniz orgánico u orgánico de silicio, por ejemplo, a base de una capa de sol-gel, como también se describe en el estado de la técnica.
En el marco de las reivindicaciones, el experto en la materia puede prever otras formas de realización convenientes de la invención sin abandonar el marco de la invención. Por ejemplo, en la figura 4, la superficie del dispositivo emisor de luz LV de acuerdo con la invención está cubierta con una masa transparente M, por ejemplo, con una resina epoxi. Alternativamente o adicionalmente, también podrían estar previstos sistemas de lentes ópticas encima del componente electrónico SMD configurado como chip LED DIE.
Cuando en lo que antecede se habla de una capa de plata, en particular como capa reflectante 6, esto incluye que dicha capa puede contener elementos de aleación en el rango de 0,001 por ciento en masa a 5,0 por ciento en masa, en particular en el rango de 0,5 por ciento en masa a 3,0 por ciento en masa. Los elementos de aleación pueden ser, por ejemplo, un elemento de tierras raras como el neodimio. Dichos elementos pueden, por ejemplo, migrar a los límites de grano de la plata y/o acumularse en la superficie de la capa de plata, de modo que se oxidan allí más bien como la plata más noble y forman una capa de protección microscópicamente delgada sobre los granos de plata. La eficacia de estos elementos de aleación puede aumentarse aún más mediante una aleación adicional de paladio, platino, oro y/o cobre. Esto también da como resultado una inhibición de la difusión y contrarresta la coalescencia de cristalitos de plata, en particular a temperaturas más altas, como pueden producirse en el estado de funcionamiento. Esto produce de manera ventajosa una desaceleración del envejecimiento de la capa reflectante, es decir, un retraso en la caída de la reflectividad a lo largo del tiempo y/o la temperatura.
El paladio también se puede alear con la plata como principal elemento de aleación, preferentemente en una proporción en masa en el rango de 0,5 por ciento en masa a 3,0 por ciento en masa de la aleación, pudiendo estar previstos adicionalmente, en menor o como máximo igual proporción, uno de los elementos aluminio, oro, platino, cobre, tantalio, cromo, titanio, níquel, cobalto o silicio.
Las capas de plata también se pueden alear con molibdeno, aunque en proporciones comparativamente más altas, en particular hasta un 70 por ciento en masa, preferentemente en el rango de 5 por ciento en masa a 30 por ciento en masa. Esto también provoca una inhibición de la difusión y además una mejor adherencia de la plata.
También pueden estar previstos indio, titanio y/o estaño como elementos de aleación para la plata. A este respecto parece adecuada, por ejemplo, una aleación que contenga preferentemente indio y/o estaño y/o también antimonio y/o bismuto en el rango de 0,5 por ciento en masa a 3,0 por ciento en masa, siendo el resto plata.
En el documento EP 3 196334 A1 también se describe un objetivo adecuado para producir capas de aleación de plata en un proceso de pulverización catódica.
La invención no se limita a las combinaciones de características definidas en las reivindicaciones independientes, sino que también puede estar definida por cualquier otra combinación de características determinadas de todas las características individuales divulgadas en conjunto.
Lista de signos de referencia
1 Soporte de V
2 Capa intermedia de V sobre 1 (lado A)
3 Sistema multicapa ópticamente activo de V sobre 2 (lado A)
4, 5 Capas superiores de 3 (lado A)
6 Capa inferior de 3, capa reflectante (lado A)
7 Capa superior de V encima de 3 (lado A)
8 Capa de AbO3 de V sobre 1 (lado B)
9 Capa de un metal o de una aleación de metal (lado B)
A Lado superior de 1
B Lado inferior de 1
D Hilo
D1 Espesor de 1
D2 Espesor de 2
D3 Espesor de 3
D4 Espesor de 4
D5 Espesor de 5
D6 Espesor de 6
D7 Espesor de 7
D8 Espesor de 8
D9 Espesor de 9
DG Espesor total de V
DIE Diodo emisor de luz, forma de realización de chip desnudo de SMD (figuras 2, 4)
F Dedo de H de LF (figuras 2, 3)
L Capa de unión entre V y PCB
LF Estructura de bastidor de soporte ("lead frame")
LV Dispositivo emisor de luz con V
M Masa transparente de LV (figura 4)
PB "Printed circuit board" (placa de circuito impreso)
Q Barra transversal de H de LF (figura 3)
SMD Componente electrónico ("surface mounted device" / dispositivo montado en superficie)
SP Punto de soldadura (figura 2)
V Material compuesto
Z Diodo Zener, forma de realización de SMD (figura 2)

Claims (21)

REIVINDICACIONES
1. Material compuesto (V) reflectante configurado en forma de bobina con un ancho de hasta 1600 mm, con un soporte (1) compuesto de aluminio que presenta un espesor (D1) en el rango de 0,1 a 1,5 mm, con una capa intermedia (2) de óxido de aluminio situada en un lado (A) sobre el soporte (1) y con un sistema multicapa (3) ópticamente activo, amplificador de reflexión, aplicado sobre la capa intermedia (2), en el cual la capa intermedia (2) compuesta de óxido de aluminio presenta un espesor (D2) en el rango de 5 nm a 200 nm, y en el cual en el lado (B) del soporte (1), opuesto al sistema multicapa (3) ópticamente activo, amplificador de reflexión, está aplicada superficialmente una capa (9) de un metal o una aleación de metal que a 25 °C presenta una resistencia eléctrica específica máxima de 1,2 * 10-1 O mm2 / m, y en el cual el espesor (D9) de la capa (9) aplicada superficialmente se sitúa en el rango de 10 nm a 5,0 pm.
2. Material compuesto (V) de acuerdo con la reivindicación 1,
caracterizado por que la capa (9) de un metal o de una aleación metálica, aplicada superficialmente sobre el lado (B) del soporte (1), opuesto al sistema multicapa (3) ópticamente activo, amplificador de reflexión, presenta a 25 °C una resistencia eléctrica específica de como máximo 2,7* 10-2 O mm2 / m, preferentemente como máximo 1,8 * 10-2 O mm2 / m.
3. Material compuesto (V) de acuerdo con la reivindicación 1 o 2,
caracterizado por que la capa intermedia (2) compuesta de óxido de aluminio tiene un espesor (D2) en el rango de 10 a 100 nm.
4. Material compuesto (V) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3,
caracterizado por que entre el soporte (1) compuesto de aluminio y la capa (9) de un metal o una aleación metálica (9), aplicada superficialmente, está dispuesta una capa de adhesión (10) compuesta de un metal de transición, en particular de titanio, cromo o níquel.
5. Material compuesto (V) de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 a 4,
caracterizado por que la capa (9) de un metal o una aleación metálica, aplicada superficialmente, es una capa de cobre, en particular con un espesor (D9) en el rango de 0,1 pm a 5,0 pm, preferentemente en el rango de 0,2 pm a 3,0 pm, de manera particularmente preferente en el rango de 0,5 pm a 1,5 pm.
6. Material compuesto (V) de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 a 4,
caracterizado por que la capa (9) de un metal o una aleación metálica, aplicada superficialmente, es una capa de plata, en particular con un espesor (D9) en el rango de 10 nm a 500 nm, preferentemente en el rango de 50 nm a 250 nm.
7. Material compuesto (V) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 6,
caracterizado por que sobre la capa (9) de un metal o una aleación metálica, aplicada superficialmente, está depositada una capa de pasivación que se compone preferentemente de Ag, Ni, Pd y/o Au y tiene un espesor en el rango de 10 nm a 500 nm, preferentemente en el rango de 50 nm a 250 nm.
8. Material compuesto (V) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7,
caracterizado por que una capa de plata está aleada como capa (9) de un metal o una aleación de metal, aplicada superficialmente y/o como capa de pasivación situada sobre la misma y/o como capa reflectante (6) del sistema multicapa (3) ópticamente activo, amplificador de reflexión, y como elemento(s) de aleación contiene uno o varios elementos de tierras raras y/o paladio, platino, oro, cobre, indio, titanio, estaño y/o molibdeno.
9. Material compuesto (V) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 8,
caracterizado por que una o varias de las capas (4, 5, 6, 7) dispuestas encima de la capa intermedia (2), en particular del sistema multicapa (3) óptico, así como la capa (9) de un metal o una aleación metálica, aplicada superficialmente, y/o la capa de pasivación son capas de bombardeo iónico, en particular capas producidas por bombardeo iónico reactivo, capas CVD o PECVD o capas producidas por evaporación, en particular por bombardeo electrónico o a partir de fuentes térmicas.
10. Material compuesto (V) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9,
caracterizado por que el aluminio del portador (1) tiene una pureza superior al 99,0%.
11. Material compuesto (V) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 10,
caracterizado por que el soporte (1) tiene un espesor (D1) de 0,2 a 0,8 mm.
12. Material compuesto (V) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 11,
caracterizado por que un grado de reflexión total de luz determinado de acuerdo con DIN 5036, parte 3 (edición 11/79) en el lado (A) del sistema óptico multicapa (3) es superior a 97 % y preferentemente de al menos 98 %.
13. Material compuesto (V) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 12,
caracterizado por estar configurado en forma de bobina con un ancho de 1250 mm.
14. Dispositivo emisor de luz (LV) que comprende un material compuesto (V) según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 13, que forma una estructura de bastidor de soporte (LF) para un componente electrónico (SMD), donde el componente electrónico (SMD) yace y está fijado sobre el lado superior (A) de la estructura de bastidor de soporte (LF) y está puesto en contacto eléctrico con la estructura de bastidor de soporte (LF) por medio de un hilo (D) separado, y donde el conjunto formado por el componente electrónico (SMD) y la estructura de bastidor de soporte (LF) está unido por el lado inferior (B), de forma eléctricamente conductora, mediante unión de materiales, a una placa de circuito impreso (PCB).
15. Dispositivo emisor de luz (LV) de acuerdo con la reivindicación 14,
caracterizado por que la estructura de bastidor de soporte (LF) está unida a la placa de circuito impreso (PCB) a través de una capa de soldadura (L) que contiene estaño.
16. Dispositivo emisor de luz (LV) de acuerdo con la reivindicación 15 con un material compuesto (V) de acuerdo con las reivindicaciones 4 y 5,
caracterizado por que entre el material compuesto (V) y la capa de soldadura (L) no existen fases intermetálicas que por tensiones térmicas conduzcan a un fallo mecánico y eléctrico del punto de soldadura.
17. Dispositivo emisor de luz (LV) de acuerdo con la reivindicación 14 o 15,
caracterizado por que el componente electrónico (SMD) es un diodo emisor de luz (LED) configurado como chip (DIE).
18. Uso de un material compuesto reflectante (V) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 13 para la fabricación de un dispositivo emisor de luz (LV) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 14 a 17, en el que, a diferencia del montaje con orificio pasante, un componente electrónico (SMD) que se puede montar en superficie se coloca sobre el lado superior (A) del material compuesto (V) configurado mediante punzonado o corte por láser, dado el caso, con una configuración adicional como pieza doblada, como estructura de bastidor de soporte (LF), y se fija allí y se pone en contacto eléctrico con la estructura de bastidor de soporte (LF) por medio de un hilo (D) separado, uniéndose el conjunto formado por del componente electrónico (SMD) y la estructura de bastidor de soporte (LF) por el lado inferior (B) de forma eléctricamente conductora a una placa de circuito impreso (PCB).
19. Uso de acuerdo con la reivindicación 18,
caracterizado por que el hilo separado (D) es un hilo de oro, por medio del cual se forma mediante soldadura ultrasónica a través de un punto de soldadura (SP) una unión eléctrica entre el lado superior (A) del material compuesto (V) y el componente electrónico (SMD) aplicado por montaje en superficie sobre el material compuesto (V ).
20. Uso de acuerdo con la reivindicación 18 o 19,
caracterizado por que, vista en planta desde arriba, la estructura de bastidor de soporte (LF) tiene la forma de una H, cuya barra transversal (Q) discurre oblicuamente entre pistas formadas por dedos (F).
21. Uso de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 18 a 20,
caracterizado por que una multiplicidad de estructuras de bastidor de soporte (LF) están reunidas inicialmente en un dispositivo de bastidor configurado como pletina en forma de banda, en el que las estructuras de bastidor de soporte LF están integradas a través de almas en forma de campo, es decir, como elementos de fila y de columna, y para una producción en masa automatizada de dispositivos emisores de luz (LV), las estructuras de bastidor (Lf ) se separan del dispositivo de bastidor, por ejemplo, por rotura o punzonado.
ES17196142T 2017-07-13 2017-10-12 Material compuesto reflectante, en particular para componentes montados en superficie (SMD), y dispositivo emisor de luz con un material compuesto de este tipo Active ES2928618T3 (es)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017115798.0A DE102017115798A1 (de) 2017-07-13 2017-07-13 Reflektierendes Verbundmaterial, insbesondere für oberflächenmontierte Bauelemente (SMD), und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Verbundmaterial

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2928618T3 true ES2928618T3 (es) 2022-11-21

Family

ID=60083810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES17196142T Active ES2928618T3 (es) 2017-07-13 2017-10-12 Material compuesto reflectante, en particular para componentes montados en superficie (SMD), y dispositivo emisor de luz con un material compuesto de este tipo

Country Status (11)

Country Link
US (2) US11444226B2 (es)
EP (2) EP3428696B9 (es)
JP (1) JP7137868B2 (es)
KR (1) KR102592772B1 (es)
CN (3) CN110870085B (es)
DE (2) DE102017115798A1 (es)
ES (1) ES2928618T3 (es)
PH (1) PH12020500088A1 (es)
PL (1) PL3428696T3 (es)
TW (2) TWI661153B (es)
WO (2) WO2019011456A1 (es)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017115798A1 (de) 2017-07-13 2019-01-17 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflektierendes Verbundmaterial, insbesondere für oberflächenmontierte Bauelemente (SMD), und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Verbundmaterial
DE102018107667A1 (de) * 2018-03-15 2019-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip
JP7177001B2 (ja) * 2019-05-23 2022-11-22 日本化薬株式会社 ジベンゾピロメテンホウ素キレート化合物、近赤外光吸収色素、光電変換素子、近赤外光センサー及び撮像素子
KR20220040849A (ko) * 2020-09-24 2022-03-31 삼성전자주식회사 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 패키지

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE58909875D1 (de) 1989-05-31 2000-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements
JPH08292308A (ja) * 1995-04-24 1996-11-05 Toshiba Lighting & Technol Corp 反射体およびこれを用いた反射形照明装置
DE29812559U1 (de) 1998-07-15 1999-11-25 Alanod Aluminium Veredlung Gmb Verbundmaterial für Reflektoren
WO2000029784A1 (de) 1998-11-12 2000-05-25 Alusuisse Technology & Management Ag Reflektor mit resistenter oberfläche
SE0000751D0 (sv) 2000-03-07 2000-03-07 Swetree Genomics Ab Transgenic trees and methods for their production
US6407411B1 (en) 2000-04-13 2002-06-18 General Electric Company Led lead frame assembly
DE20021660U1 (de) * 2000-12-20 2002-05-02 Alanod Aluminium Veredlung Gmb Verbundmaterial
DE10126100A1 (de) 2001-05-29 2002-12-05 Linde Ag Verfahren und Vorrichtung zum Kaltgasspritzen
DE10148567A1 (de) 2001-10-01 2003-07-31 Basf Ag Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung der Härtung härtbarer Formulierungen
JP4360788B2 (ja) 2002-08-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 液晶表示板用のバックライト及びそれに用いる発光ダイオードの製造方法
KR100854328B1 (ko) * 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP5262136B2 (ja) 2008-01-28 2013-08-14 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
CN102751272B (zh) 2008-03-26 2016-04-20 岛根县 半导体发光组件及其制造方法
DE102008029743A1 (de) 2008-06-25 2009-12-31 Manfred Grimm Verfahren zur Herstellung eines Downlight-Reflektors
CN102265417B (zh) * 2008-12-26 2013-10-23 古河电气工业株式会社 光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置
KR101077264B1 (ko) * 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
CN102369607A (zh) 2009-03-31 2012-03-07 东芝照明技术株式会社 发光装置及照明装置
TWI596796B (zh) 2010-03-30 2017-08-21 Dainippon Printing Co Ltd Light-emitting diode lead frame or substrate, semiconductor device, and light-emitting diode lead frame or substrate manufacturing method
DE102010013865B4 (de) * 2010-04-01 2015-12-31 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflektor mit hoher Resistenz gegen Witterungs- und Korrosionseinflüsse und Verfahren zu seiner Herstellung
US8933548B2 (en) * 2010-11-02 2015-01-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements
KR101836551B1 (ko) * 2010-11-12 2018-03-08 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 발광 소자용 반사막용 조성물, 발광 소자, 및 발광 소자의 제조 방법
JP5011445B1 (ja) * 2011-06-22 2012-08-29 パナソニック株式会社 実装基板および発光モジュール
DE202011050976U1 (de) * 2011-08-12 2012-11-15 Alanod Aluminium-Veredlung Gmbh & Co. Kg Hochreflektierendes Trägermaterial für lichtemittierende Dioden und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Trägermaterial
JP5935577B2 (ja) * 2011-08-23 2016-06-15 大日本印刷株式会社 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置
US9102851B2 (en) 2011-09-15 2015-08-11 Trillion Science, Inc. Microcavity carrier belt and method of manufacture
US8739391B2 (en) * 2011-09-21 2014-06-03 HGST Netherlands B.V. Silver alloy electrical lapping guides (ELGs) for fabrication of disk drive sliders with magnetoresistive sensors
DE202011051927U1 (de) * 2011-11-10 2013-02-11 Alanod Aluminium-Veredlung Gmbh & Co. Kg Laserschweißbares Verbundmaterial
JP5938912B2 (ja) * 2012-01-13 2016-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及び照明装置
WO2013179625A1 (ja) 2012-05-31 2013-12-05 パナソニック株式会社 Ｌｅｄモジュールおよびその製造方法、照明器具
KR101886157B1 (ko) * 2012-08-23 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명시스템
DE102012108719A1 (de) * 2012-09-17 2014-03-20 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflektor, Beleuchtungskörper mit einem derartigen Reflektor und Verwendung eines Basismaterials zu dessen Herstellung
TW201427113A (zh) * 2012-12-21 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 發光二極體封裝的固晶方法和固晶結構
US10295124B2 (en) * 2013-02-27 2019-05-21 Cree, Inc. Light emitter packages and methods
JP6291713B2 (ja) * 2013-03-14 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム
JP6032086B2 (ja) * 2013-03-25 2016-11-24 豊田合成株式会社 発光装置
CN203277501U (zh) * 2013-05-14 2013-11-06 李刚 带光反射层的基板结构及半导体发光光源
US9865783B2 (en) * 2013-09-09 2018-01-09 Luminus, Inc. Distributed Bragg reflector on an aluminum package for an LED
DE102013218541A1 (de) * 2013-09-16 2015-03-19 Osram Gmbh Leuchtmodul mit Halbleiterlichtquellen und Trägerplatte
US9691959B2 (en) 2013-12-19 2017-06-27 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device package
JP2015126137A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム、ｌｅｄパッケージ用基板、リフレクタ部材、ｌｅｄパッケージ、発光装置、発光システム、並びに、ｌｅｄパッケージ用基板及びｌｅｄパッケージの製造方法
JP2015169677A (ja) 2014-03-04 2015-09-28 コニカミノルタ株式会社 偏光性積層フィルムの製造方法及び偏光板の製造方法
JP2015201608A (ja) * 2014-04-10 2015-11-12 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP6366337B2 (ja) 2014-04-23 2018-08-01 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
US20150349221A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Bridgelux, Inc. Light-emitting device package
JP5975186B1 (ja) 2015-02-27 2016-08-23 三菱マテリアル株式会社 Ａｇ合金スパッタリングターゲット及びＡｇ合金膜の製造方法
US10559731B1 (en) * 2015-03-04 2020-02-11 Bridgelux Inc. Highly reliable and reflective LED substrate
EP3265251B1 (de) 2015-03-06 2021-08-11 Eisenbau Krämer GmbH Verfahren und beschichtungsvorrichtung zum aufbringen einer auflageschicht bei der herstellung eines mehrlagigen grossrohres
DE102015004633B4 (de) 2015-04-10 2017-07-13 Ellenberger & Poensgen Gmbh Stromverteilungssystem zum Anschluss an ein Wechselspannungsnetz
DE102015105596A1 (de) 2015-04-13 2016-10-13 Jürgen Buchstaller Vorrichtung zur Halterung eines Köders
DE102015108928A1 (de) 2015-06-05 2016-12-08 Johann Borgers GmbH Kraftfahrzeuginnenraumverkleidungsmaterial und Kraftfahrzeuginnenraumverkleidungsbauteil
DE102015211843A1 (de) * 2015-06-25 2016-12-29 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektronische Komponente und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente
DE102015114095A1 (de) * 2015-08-25 2017-03-02 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflektierendes Verbundmaterial mit einem Aluminium-Träger und mit einer Silber-Reflexionsschicht
DE102015114094A1 (de) * 2015-08-25 2017-03-02 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflektierendes Verbundmaterial mit lackiertem Aluminium-Träger und mit einer Silber-Reflexionsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015219608B4 (de) 2015-10-09 2018-05-03 Clariant International Ltd Universelle Pigmentdispersionen auf Basis von N-Alkylglukaminen
KR102486032B1 (ko) * 2015-11-04 2023-01-11 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
CN106328641B (zh) * 2016-10-11 2018-12-28 华南师范大学 具有螺旋电感的可见光通信led及其制备方法
JP7125720B2 (ja) * 2017-03-28 2022-08-25 東芝マテリアル株式会社 半導体発光素子
DE102017115798A1 (de) 2017-07-13 2019-01-17 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflektierendes Verbundmaterial, insbesondere für oberflächenmontierte Bauelemente (SMD), und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Verbundmaterial

Also Published As

Publication number Publication date
DE112017007738A5 (de) 2020-04-09
KR102592772B1 (ko) 2023-10-20
PL3428696T3 (pl) 2022-11-14
US20210367111A1 (en) 2021-11-25
EP3428696B9 (de) 2022-09-28
US20210167262A9 (en) 2021-06-03
JP7137868B2 (ja) 2022-09-15
WO2019011554A1 (de) 2019-01-17
KR20200026195A (ko) 2020-03-10
TW201909457A (zh) 2019-03-01
TW201908645A (zh) 2019-03-01
CN115524773A (zh) 2022-12-27
US11444226B2 (en) 2022-09-13
CN110870085B (zh) 2023-05-12
PH12020500088A1 (en) 2020-09-14
CN110678784A (zh) 2020-01-10
WO2019011456A1 (de) 2019-01-17
EP3428696B1 (de) 2022-07-20
CN110870085A (zh) 2020-03-06
EP3428696A1 (de) 2019-01-16
US20200194641A1 (en) 2020-06-18
EP3652569A1 (de) 2020-05-20
DE102017115798A1 (de) 2019-01-17
TWI661153B (zh) 2019-06-01
JP2020526935A (ja) 2020-08-31
US11469357B2 (en) 2022-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2928618T3 (es) Material compuesto reflectante, en particular para componentes montados en superficie (SMD), y dispositivo emisor de luz con un material compuesto de este tipo
TWI362773B (en) Light emitting diode package, circuit board for light emitting diode package and method of manufacturing the same
US8703545B2 (en) Aluminum alloy lead-frame and its use in fabrication of power semiconductor package
JP5977973B2 (ja) Ｌｅｄ用基板とその製造方法および半導体装置
KR20110098921A (ko) 광반도체 장치용 리드 프레임, 그 제조방법 및 광반도체 장치
CN103187382B (zh) 应用在功率半导体元器件中的铝合金引线框架
CN105742469A (zh) 半导体发光芯片
US20060113555A1 (en) Light emitting diode chip with large heat dispensing and illuminating area
KR100647867B1 (ko) 발광소자와 그 패키지 구조체
JP2016072516A (ja) 配線基板およびその製造方法、並びに実装基板およびその製造方法
CN201152507Y (zh) 发光二极管灯具
JP2012134435A (ja) バックライト用発光装置
JP2012099555A (ja) バックライト用発光装置。
JP6123215B2 (ja) 発光装置
JP2018022835A (ja) 電子部品用部材、ｌｅｄパッケージおよびｌｅｄモジュール
US20050009242A1 (en) Packaging method for thin integrated circuits
JP6250749B2 (ja) Ｌｅｄ用基板とその製造方法および半導体装置
CN205303504U (zh) 发光装置
US20080017869A1 (en) Light emitting diode chip with large heat dispensing and illuminating area
JP2006156851A (ja) チップ部品及びチップ部品の製造方法
JP2019003949A (ja) 配線基板およびその製造方法、並びに実装基板およびその製造方法
JP2016082164A (ja) 配線基板および実装基板
TWM421601U (en) Metal substrate and LED chip packaging structure thereon
TW200924578A (en) Process of conductive layer with bright surface