EP1393364A2 - Kunststoffgehäuse mit mehreren halbleiterchips und einer umverdrahtungsplatte sowie ein verfahren zur herstellung des kunststoffgehäuses in einer spritzgussform - Google Patents

Kunststoffgehäuse mit mehreren halbleiterchips und einer umverdrahtungsplatte sowie ein verfahren zur herstellung des kunststoffgehäuses in einer spritzgussform

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EP1393364A2
EP1393364A2 EP02740387A EP02740387A EP1393364A2 EP 1393364 A2 EP1393364 A2 EP 1393364A2 EP 02740387 A EP02740387 A EP 02740387A EP 02740387 A EP02740387 A EP 02740387A EP 1393364 A2 EP1393364 A2 EP 1393364A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
plastic housing
ppp
underside
rewiring plate
semiconductor chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP02740387A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Andreas Wörz
Thomas Zeiler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the invention relates to a plastic housing with a plurality of semiconductor chips and a rewiring plate and a method for producing the plastic housing by means of an injection mold according to the type of the independent claims.
  • the packaging technology of individual semiconductor chips is switched to packaging techniques in plastic housings with a plurality of semiconductor chips arranged in a common housing.
  • the rewiring plates prevent rational and economically advantageous embedding of the semiconductor chips on the top side of the rewiring plate and the bonding channels on the underside of the rewiring plate, especially since the surfaces of the rewiring plate that are to accommodate external contacts on the underside of the rewiring plate must be kept free of plastic.
  • the object of the invention is to provide a plastic housing with a plurality of semiconductor chips on a rewiring plate, which can be produced economically using a special injection mold.
  • a plurality of semiconductor chips are arranged in rows and columns in the plastic housing, the semiconductor chips having active top sides and passive rear sides and edge sides.
  • the active tops of the semiconductor chips are arranged on an upper side of a rewiring plate.
  • the redistribution board has bond channels from the top to the bottom of the redistribution board.
  • the bond channels are arranged in columns and one behind the other on the underside of the rewiring plate.
  • a plastic housing compound covers the top of the redistribution board and at least the edge sides of the semiconductor chips.
  • the underside of the plastic housing consists of the underside of the rewiring plate with output contact areas and of strip-shaped bond channel covers arranged in columns.
  • the bond channel covers protrude beyond the underside of the rewiring plate, but do not protrude as far from the underside of the U wiring plate as the external contacts to be applied.
  • the bond channel covers fulfill an additional function in that they distance from a printed circuit board or another stacked electronic component when the electronic component is soldered on
  • the plastic housing consists in the columnar strip-shaped bond channel covers that protrude beyond the underside of the rewiring plate and have a spatial plastic connection at their ends to the top of the plastic housing.
  • This spatial plastic connection at the ends of the strip-shaped bond channel covers has the advantage that the material of the bond channel covers can consist of the same plastic mass as the top of the plastic housing. Without these strip-shaped elongated bond channel covers, the housing would have to be carried out in two complex process steps to cover the top side of the rewiring plate on the one hand and to cover the bond channel openings on the bottom side of the cover foils on the other hand. With this Embodiment of the plastic housing, however, the elongated strip-shaped bond channel covers on the underside can be formed in one process step during the injection of the plastic aces from the top of the plastic housing.
  • the rewiring plate has an insulating layer on the top side to the semiconductor chips and on its bottom side has contact connection areas, rewiring lines and output contact areas for external contacts.
  • the metal structure of the underside of contact connection areas, rewiring lines and output contact areas for external contacts can be laminated onto the insulating layer, so that the insulating layer forms the actually load-bearing substrate of the rewiring plate.
  • the contact connection areas on the underside of the rewiring plate are also called bond fingers because bond wires produce an electrical connection from contact areas of the active top side of the semiconductor chip in the bond channel to the contact connection areas or bond fingers on the underside of the rewiring plate.
  • rewiring lines lead from the contact connection areas or bond fingers to individual output contact areas, to which external contacts can be applied.
  • the output contact areas are surrounded by a solder stop layer, which in particular covers the rewiring lines, so that they are not damaged when the external contacts are attached or are coated with external contact material, the external contacts protruding further from the underside of the redistribution plate than the bonding channel covers ,
  • the elongated and strip-shaped bond channel covers
  • connection lines between the contact surfaces on the active top side of the semiconductor chip and contact connection surfaces Chen on the underside of the rewiring plate in a plastic housing compound This plastic housing is guided at the ends of the strip-shaped bonding channel covers from the top of the plastic housing when packaging in plastic to the bonding channels arranged on the underside of the rewiring plate.
  • the passive rear side of the semiconductor chips can also be covered with the housing plastic compound of the plastic housing. Although this increases the thickness of the plastic housing, at the same time the semiconductor chips are better protected against impacts or other impairments than if the passive rear sides of the semiconductor chips simultaneously form part of the top side of the plastic housing.
  • the external contacts in the external contact areas on the underside of the rewiring board are also arranged in rows and columns and are free of plastic housing compound. These rows and columns of the external contact areas have a standardized step size, which in the case of the BGA housings (ball grid arrays) extends up to a step size of 0.8 mm and is even lower for fine structures of the external contacts.
  • the rewiring plate has solder balls or contact bumps on its underside in the external contact areas, which are arranged on the output contact areas. While the solder balls become contact bumps made of solder material when soldering onto the output contact areas, the contact bumps can also consist of superficially metallized plastic and take any shape.
  • the rewiring plate has through openings from the top of the rewiring plate to each column-shaped strip-shaped bond channel cover on the underside of the rewiring plate.
  • these through openings are dimensioned such that they represent throttle openings for the liquid housing plastic compound.
  • These throttle openings advantageously prevent the strip of bond channel covers from being filled up in an uncontrolled manner with plastic mass, since they represent a flow resistance for the plastic, so that first the upper side of the housing can be coated with plastic mass under full injection pressure and only then is the plastic significantly delayed via the throttle openings Bond channels or the strips for bond channel covers sic. can spread.
  • the throttle openings are arranged on the upper side of the rewiring plate in an area which is ultimately wetted by the liquid plastic housing on the upper side during the production of the plastic housing.
  • the plastic housing according to the invention can also be separated into individual electronic components by sawing the plastic housing in rows and columns. Not only is the plastic mass sawn into individual pieces, but also the rewiring board is separated into areas belonging to the respective semiconductor chip.
  • Such an electronic component differs from conventional ones Components in that it has sawn outer edges in packaged form, which advantageously allow a high, precise outer dimension of the electronic components.
  • the external contact areas have external contacts arranged in rows and columns. This arrangement can correspond to international standards with internationally defined step sizes, so that the semiconductor chips are suitable for installation on standardized printed circuit boards.
  • a new injection mold is created, the plastic housing having semiconductor chips arranged in several rows and columns.
  • the upper side of the plastic housing is formed by an upper side mold of the injection mold, which rests on the upper side of the rewiring plate with a sealing sleeve and has an injection funnel, via which the housing plastic mass is pressed with an injection pressure onto the upper side of the rewiring plate and at least onto the edge sides of the semiconductor chips.
  • an underside shape of the injection mold is provided on the underside, which surrounds the bond channel areas with sealing ribs and has a vent hole at the end of each bond channel area, so that the plastic housing compound is first injected onto the top side and becomes a strip-shaped bond channel cover via the throttle opening, while that in the hollow molds accumulated air is pressed out through the ventilation hole at the end of the underside mold.
  • top of the plastic housing is packaged over a large area with the help of injection molding technology, a high one is formed Pressure that can lead to warping of the rewiring plate, which is why, in addition to the sealing ribs that surround the bond channel regions, support ribs are also provided for the underside shape of the injection mold, which are intended to support the U wiring plate in the other regions. In addition, a supporting rib is provided for the underside shape opposite the sealing sleeve of the top shape.
  • a method for producing a plastic housing of the present invention which has a plurality of semiconductor chips arranged in rows and columns and arranged on a rewiring plate, has the following method steps: Providing a rewiring plate with semiconductor chip positions arranged in rows and columns and sawing track areas provided in between and with at least a bond channel arranged on each semiconductor chip position and with a throttle opening for spatial connection of the top and bottom of the rewiring plate,
  • the housing plastic mass is injected under a pressure of 8-15 MPa via an injection funnel.
  • a high pressure is first applied to the top of the rewiring plate, so that there is a risk that the rewiring plate will bulge because the injection pressure acts on the rewiring plate only on one side. Only when the liquid plastic casing mass reaches the through openings for the bond channel covers on the underside of the rewiring plate is a back pressure generated in parts of the underside, namely where the elongated bond channel cover is created.
  • support ribs are provided on the underside shape, which are arranged on the one hand opposite the sealing sleeve on the top and on the other hand between the elongated bond channel covers are arranged.
  • the ventilation holes in the underside shape at the end of the bond channel cover cavities ensure that no air poles ⁇ CO N ho P ⁇ o C ⁇ o ⁇ . O C ⁇
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  • Standard systems for injection can be used without the need for additional materials or foils.
  • a MAP technology can be used.
  • a spraying process in a single stage or a single process step is possible, so that multi-stage injection molding processes are unnecessary.
  • Both the device and the method can be used for different substrate materials or materials of the rewiring plate, so that both metal plates and ceramic plates or printed circuit boards or system carrier tapes made of plastic can be used.
  • This rewiring plate has throttle bores as through openings for the plastic housing compound in order to generate a pressure difference between the cavity on the semiconductor chip side and the bonding channel cavities when producing plastic housings.
  • FIG. 1 shows a schematic top view of a plastic housing for several semiconductor chips
  • FIG. 2 shows a schematic view from below of a plastic housing for several semiconductor chips
  • FIG. 3 shows a schematic cross section along the section line A-A in FIG. 1 and FIG. 2 through a plastic housing with an injection mold
  • Figure 4 shows a portion of a schematic cross section of an injection mold along the section line AA in Figure 1 and Figure 2 of a first embodiment of the invention
  • Figure 5 shows a portion of a schematic cross section of an injection mold along the section line AA in Figure 1 and Figure 2 of a second embodiment of the Invention
  • FIG. 6 shows a partial area of a schematic cross section of an injection mold along the section line B-B in FIG. 1 and FIG. 2.
  • FIG. 1 shows a schematic plan view of a plastic housing 14 for a plurality of semiconductor chips 3.
  • the reference symbol 1 denotes rows of semiconductor chips and the reference symbol 2 columns of semiconductor chips in the plastic housing 14.
  • the reference symbol 5 denotes the passive rear side of the semiconductor chips and the reference symbol 6, 7, 8, 9 identify edge sides of the semiconductor chip.
  • the reference numeral 10 denotes the upper side of a rewiring plate 11.
  • the reference numeral 12 denotes a bond channel below the semiconductor chip 3.
  • the reference numeral 18 denotes bond channel covers,
  • the reference numeral 25 denotes a housing plastic compound, the reference symbol 35 an injection funnel for the housing plastic compound 25.
  • the reference symbol 37 denotes the area in which a sealing sleeve rests on the rewiring plate 11 and the reference symbol 42 • denotes sawing track areas for the separation of the plastic housing 14 into electronic components 41.
  • the semiconductor chips 3 of the plastic housing 14 are arranged in rows 1 and columns 2.
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Kunststoffgehäuse (14) mit mehreren Halbleiterchips (3) sowie eine Umverdrahtungsplatte (11), auf der die Halbleiterchips (3) angeordnet sind, und eine Spritzgussform zur Herstellung des Kunststoffgehäuses (14) sowie ein elektronisches Bauteil, das mit Hilfe der Kombination aus Spritzgussform, Umverdrahtungsplatte (11) und Kunststoffgehäuse (14) herstellbar wird. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren, das unter Verwendung der erfindungsgemässen Umverdrahtungsplatte (11) und der zweiteiligen Spritzgussform die Herstellung eines derartigen Kunststoffgehäuses (14) mit mehreren Halbleiterchips (3) für mehrere elektronische Bauteile ermöglicht.

Description

Beschreibung
Kunststoffgehause mit mehreren Halbleiterchips und einer Umverdrahtungsplatte sowie ein Verfahren zur Herstellung des Kunststoffgehäuses in einer Spritzgußform
Die Erfindung betrifft ein Kunststoffgehause mit mehreren Halbleiterchips und einer Umverdrahtungsplatte sowie ein Verfahren zur Herstellung des Kunststoffgehäuses mittels einer Spritzgußform gemäß der Gattung der unabhängigen Ansprüche.
Zur Rationalisierung des Verpackungsvorgangs von Halbleiterchips insbesondere von Halbleiterchips mit Umverdrahtungsplatte wird von der Verpackungstechnik einzelner Halbleiter- chips zu Verpackungstechniken in Kunststoffgehäusen mit mehreren in einem gemeinsamen Gehäuse angeordneten Halbleiterchips übergegangen. Die Umverdrahtungsplatten verhindern jedoch ein rationelles und wirtschaftlich vorteilhaftes Einbetten der Halbleiterchips auf der Oberseite der Umverdrahtungs- platte und der Bondkanäle auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte, zumal die Flächen der Umverdrahtungsplatte, die Außenkontakte auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte aufnehmen sollen, von Kunststoff freizuhalten sind.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Kunststoffgehause mit mehreren Halbleiterchips auf einer Umverdrahtungsplatte anzugeben, das mit einer speziellen Spritzgußform wirtschaftlich herstellbar ist.
Gelöst wird diese Aufgabe mit den Gegenständen der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Erfindungsgemäß werden in dem Kunststoffgehause mehrere Halb- leiterchips in Zeilen und Spalten angeordnet, wobei die Halbleiterchips aktive Oberseiten und passive Rückseiten sowie Randseiten aufweisen. Die aktiven Oberseiten der Halbleiter- chips sind auf einer Oberseite einer Umverdrahtungsplatte angeordnet. Die Umverdrahtungsplatte weist Bondkanäle von der Oberseite zu der Unterseite der Umverdrahtungsplatte auf.
Bei diesem Kunststoffgehause sind die Bondkanäle auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte spaltenweise und hintereinander angeordnet. Eine Kunststoffgehäusemasse bedeckt die Oberseite der Umverdrahtungsplatte und mindestens die Randseiten der Halbleiterchips. Die Unterseite des Kunststoffge- häuses besteht aus der Unterseite der Umverdrahtungsplatte mit Ausgangskontaktflächen und aus spaltenweise angeordneten streifenförmigen Bondkanalabdeckungen. Die Bondkanalabdeckungen ragen über die Unterseite der Umverdrahtungsplatte hinaus, stehen jedoch nicht so weit aus der Unterseite der U - verdrahtungsplatte hervor wie die aufzubringenden Außenkontakte. Somit erfüllen die Bondkanalabdeckungen bei dieser Ausführungsform des Kunststoffgehäuses auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte eine zusätzliche Funktion, indem sie den Abstand zu einer Leiterplatte oder zu einem anderen gestapel- ten elektronischen Bauteil beim Anlöten des elektronischen
Bauteils mit dem erfindungsgemäßen Kunststoffgehause definieren.
Ein weiterer Vorteil des Kunststoffgehäuses besteht in den spaltenförmig angeordneten streifenförmigen Bondkanalabdek- kungen, die über die Unterseite der Umverdrahtungsplatte hinausragen und an ihren Enden eine räumliche Kunststoffverbindung zu der Oberseite des Kunststoffgehäuses aufweisen. Diese räumliche Kunststoffverbindung an den Enden der streifenför- migen Bondkanalabdeckungen hat den Vorteil, daß das Material der Bondkanalabdeckungen aus der gleichen Kunststoffmasse wie die Oberseite des Kunststoffgehäuses bestehen kann. Ohne diese streifenförmigen langgestreckten Bondkanalabdeckungen müßte das Gehäuse in zwei aufwendigen Verfahrensschritten zur Abdeckung einerseits der Oberseite der Umverdrahtungsplatte und andererseits zur Abdeckung der Bondkanalöffnungen auf der Unterseite der Abdeckfolien durchgeführt werden. Mit dieser Ausführungsform des Kunststoffgehäuses können jedoch die langgestreckten streifenförmigen Bondkanalabdeckungen auf der Unterseite in einem Verfahrensschritt während des Einsprit- zens der Kunststoff asse von der Oberseite des Kunststoffge- häuses aus gebildet werden.
Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß die Umverdrahtungsplatte auf ihrer Oberseite eine Isolierschicht zu den Halbleiterchips hin aufweist und auf ihrer Unterseite Kontaktanschlussflächen, Umverdrahtungsleitungen und Ausgangskontaktflächen für Außenkontakte besitzt. Dabei kann die metallene Struktur der Unterseite aus Kontaktanschlussflächen, Umverdrahtungsleitungen und Ausgangskontaktflächen für Außenkontakte auf die Isolierschicht aufkaschiert sein, so daß die Isolierschicht das eigentlich tragende Substrat der Umverdrahtungsplatte bildet. Die Kontaktanschlussflächen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte werden auch Bondfinger genannt, weil Bonddrähte von Kontaktflächen der aktiven Oberseite des Halbleiterchips im Bondkanal zu den Kontaktan- schlussflächen oder Bondfingern auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte eine elektrische Verbindung herstellen. Von den Kontaktanschlussflächen oder Bondfingern führen Umverdrahtungsleitungen schließlich zu einzelnen Ausgangskontaktflächen, auf die Außenkontakte aufgebracht werden können.
Dazu sind in einer weiteren Ausführungs orm der Erfindung die Ausgangskontaktflächen von einer Lötstoppschicht umgeben, die insbesondere die Umverdrahtungsleitungen abdeckt, damit sie beim Anbringen der Außenkontakte nicht beschädigt werden oder mit Außenkontaktmaterial beschichtet werden, wobei die Außenkontakte weiter aus der Unterseite der Umverdrahtungsplatte herausragen als die Bondkanalabdeckungen.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung betten die langgestreckten und streifenförmigen Bondkanalabdeckungen
Verbindungsleitungen zwischen den Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips und Kontaktanschlussflä- chen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte in eine Gehäusekunststoffmasse ein. Diese Gehäusekunststoff asse wird an den Enden der streifenförmigen Bondkanalabdeckungen von der Oberseite des Kunststoffgehäuses beim Verpacken in Kunst- stoff zu den auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte angeordneten Bondkanälen geführt.
Auf der Oberseite des Kunststoffgehäuses kann zusätzlich zu den Seitenrändern der in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips auch die passive Rückseite der Halbleiterchips mit der Gehäusekunststoffmasse des Kunststoffgehäuses abgedeckt sein. Damit wird zwar die Dicke des Kunststoffgehäuses vergrößert, jedoch werden gleichzeitig die Halbleiterchips gegen Stöße oder andere Beeinträchtigungen besser ge- schützt, als wenn die passiven Rückseiten der Halbleiterchips gleichzeitig einen Teil der Oberseite des Kunststoffgehäuses bilden.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind auch die Außenkontakte in den Außenkontaktbereichen der Unterseite der Umverdrahtungsplatte in Zeilen und Spalten angeordnet und frei von Gehäusekunststoffmasse. Diese Zeilen und Spalten der Außenkontaktbereiche haben eine genormte Schrittweite, die bei den BGA-Gehäusen (Ball Grid Arrays) bis zu einer Schritt- weite von 0, 8 mm reicht und bei Feinstrukturen der Außenkontakte noch darunter liegt.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Umverdrahtungsplatte auf ihrer Unterseite in den Außenkontakt- bereichen Lötbälle oder Kontakthöcker auf, die auf den Aus- gangskontaktflachen angeordnet sind. Während die Lötbälle beim Auflöten auf die Ausgangskontaktflächen zu Kontakthök- kern aus Lotmaterial werden, können die Kontakthöcker auch aus oberflächlich metallisierten Kunststoff bestehen und be- liebige Formen annehmen. Für die Herstellung eines derartigen Kunststoffgehäuses, das mehrere in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterchips aufweist, die auf einer Umverdrahtungsplatte angeordnet sind, weist die Umverdrahtungsplatte Durchgangsöffnungen von der Oberseite der Umverdrahtungsplatte zu jeder spaltenweise angeordneten streifenförmigen Bondkanalabdeckung auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte auf.
Diese Durchgangsöffnungen sind in einer weiteren Ausführungs- form der Erfindung derart dimensioniert, daß sie Drosselöffnungen für die flüssige Gehäusekunststoffmasse darstellen. Diese Drosselöffnungen verhindern vorteilhaft, daß der Streifen aus Bondkanalabdeckungen unkontrolliert mit Kunststoffmasse aufgefüllt wird, da sie einen Fließwiderstand für den Kunststoff darstellen, so daß zunächst die Gehäuseoberseite unter vollem Einspritzdruck mit Kunststoffmasse beschichtet werden kann und erst dann über die Drosselöffnungen stark verzögert der Kunststoff in die Bondkanäle bzw. die Streifen für Bondkanalabdeckungen sic . ausbreiten kann.
Dazu sind in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung die Drosselöffnungen auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte in einem Bereich angeordnet, der als letztes beim Herstellen des Kunststoffgehäuses von der flüssigen Gehäusekunststoff a- sse auf der Oberseite benetzt wird. Das hat den Vorteil, daß erst nach vollständiger Benetzung der Oberseite des Kunststoffgehäuses mit Gehäusekunststoffmasse diese Kunststoffmasse in die Bondkanalstreifen über die Drosselöffnungen eindringen kann.
Das erfindungsgemäße Kunststoffgehause kann auch in einzelne elektronische Bauteile aufgetrennt werden, indem Zeilen- und spaltenweise das Kunststoffgehause zersägt wird. Dabei wird nicht nur die Kunststoffmasse in einzelne Stücke zersägt, sondern auch die Umverdrahtungsplatte in zu dem jeweiligen Halbleiterchip gehörige Bereiche getrennt. Ein derartiges elektronisches Bauteil unterscheidet sich von herkömmlichen Bauteilen dadurch, daß es in verpackter Form gesägte Außenränder aufweist, die in vorteilhafter Weise eine hohe präzise Außendimension der elektronischen Bauteile zulassen.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die Außenkontaktbereiche in Zeilen und Spalten angeordnete Außenkontakte auf. Diese Anordnung kann internationalen Normen mit international festgelegten Schrittweiten entsprechen, so daß die Halbleiterchips zum Einbau auf standar- disierten Leiterplatten geeignet sind.
Zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Kunststoffgehäuses wird eine neue Spritzgußform geschaffen, wobei das Kunststoffgehause in mehreren Zeilen und Spalten angeordnete Halb- leiterchips aufweist. Die Oberseite des Kunststoffgehäuses wird durch eine Oberseitenform der Spritzgußform gebildet, die auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte mit einer Dichtmanschette aufliegt und einen Einspritztrichter aufweist, über den die Gehäusekunststoffmasse auf die Oberseite der Umverdrahtungsplatte und mindestens an die Randseiten der Halbleiterchips mit einem Einspritzdruck eingepresst wird.
Sobald die Kunststoffmasse die Drosselöffnungen zu den Bond- kanälen auf der Unterseite erreicht, wird sie durch diese Drosselöffnungen gepresst und bildet die streifenförmigen Bondkanalabdeckungen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte aus. Dazu ist auf der Unterseite eine Unterseitenform der Spritzgußform vorgesehen, die mit Dichtrippen die Bondkanalbereiche umgibt und am Ende jedes Bondkanalbereiches eine Entlüftungsbohrung aufweist, so daß die Gehäusekunststoffmasse zunächst auf die Oberseite eingespritzt wird und über die Drosselöffnung zur streifenförmigen Bondkanalabdeckung wird, während die in den Hohlformen angesammelte Luft über die Entlüftungsbohrung am Ende der Unterseitenform ausgepresst wird.
Da die Oberseite des Kunststoffgehäuses großflächig mit Hilfe der Spritzgußtechnik verpackt wird, bildet sich ein hoher Druck aus, der zu Verwölbungen der Umverdrahtungsplatte führen kann, weshalb zusätzlich zu den Dichtrippen, die die Bondkanalbereiche umgeben, noch Stützrippen für die Unterseitenform der Spritzgußform vorgesehen sind, welche die U ver- drahtungsplatte in den übrigen Bereichen stützen sollen. Außerdem ist für die Unterseitenform eine stützende Rippe gegenüberliegend zur Dichtmanschette der Oberseitenform vorgesehen.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Kunststoffgehäuses der vorliegenden Erfindung, das mehrere in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterchips aufweist, die auf einer Umverdrahtungsplatte angeordnet sind, weist folgende Verfahrensschritte auf: - Bereitstellen einer Umverdrahtungsplatte mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchippositionen und dazwischen vorgesehenen Sägespurbereichen sowie mit mindestens einem auf jeder Halbleiterchipposition angeordneten Bondkanal und mit einer Drosselöffnung zur räumli- chen Verbindung von Oberseite und Unterseite der Umverdrahtungsplatte,
Aufbringen von Halbleiterchips auf die Halbleiterchipposition unter Anordnen von Kontaktflächen der aktiven Oberseite der Halbleiterchips im Bereich der Bondkanäle, - Herstellen von Bondverbindungen zwischen den Kontaktflächen und Umverdrahtungsleitungen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte im Bereich der Bondkanäle, gleichzeitiges Aufsetzen der Oberseitenform und der Unterseitenform einer Spritzgußform unter Abdichten einer Oberseiten-Kavität für die Herstellung der Kunststoffge- häuseoberseite und von Unterseiten-Kavitäten für die Herstellung von Bondkanalabdeckungen,
Einspritzen von Gehäusekunststoffmasse über einen Einspritztrichter der Oberseitenform und Ausbreiten der Ge- häusekunststoffmasse über Drosselöffnungen in die Unterseiten-Kavitäten. Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß mit einem einzigen Spritzgußschritt sowohl die Oberseite des Kunststoffgehäuses als auch die Bondkanalabdeckungen auf der Unterseite des Spritzgußgehäuses hergestellt werden, was den Prozess des Verpackens von in Spalten und Zeilen angeordneten Halbleiterchips kostengünstiger werden läßt. Nach dem Aushärten des Kunststoffgehäuses in der Spritzgußform kann dieses von der Spritzgußform entnommen werden und das Kunststoffgehause mit mehreren in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips entlang der vorgesehenen Sägespuren zu einzelnen elektronischen Bauteilen getrennt werden. Bei diesem Verfahren werden gesägte Seitenränder erzeugt, die den elektronischen Bauteilen ihre charakteristische und präzise Außenform geben.
Bei einem bevorzugten Durchführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines Kunststoffgehäuses wird die Gehäusekunststoffmasse unter einem Druck von 8-15 MPa über einen Einspritztrichter eingespritzt. Bei diesem Verfahrensschritt wird zunächst auf die Oberseite der Umverdrahtungsplatte ein hoher Druck ausgeübt, so daß die Gefahr besteht, daß sich die Umverdrahtungsplatte verwölbt, da der Einspritzdruck nur einseitig auf die Umverdrahtungsplatte wirkt. Erst wenn die flüssige Gehäusekunststoffmasse die Durchgangsöffnungen für die Bondkanalabdeckungen auf der Unterseite der Umverdrah- tungsplatte erreicht, wird in Teilbereichen der Unterseite ein Gegendruck erzeugt, nämlich dort, wo die langgestreckte Bondkanalabdeckung entsteht. Um auch in der Einspritzphase ein Verwölben der Umverdrahtungsplatte zu vermeiden und um auf der Unterseite die Ausgangskontaktflächen der Umverdrah- tungsplatte frei von Kunststoffmasse zu halten, sind an der Unterseitenform Stützrippen vorgesehen, die einerseits gegenüberliegend zu der Dichtmanschette auf der Oberseite angeordnet sind und andererseits zusätzlich zwischen den langgestreckten Bondkanal-abdeckungen angeordnet sind.
Die Entlüftungsbohrungen in der Unterseitenform am Ende der Bondkanalabdeckungskavitäten sorgen dafür, daß keine Luftpol- ω CO N ho P π o Cπ o α. O Cπ
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1. ein sauberes Abdichten der unterschiedlich großen Kavi- täten auf beiden Seiten eines Substrats bzw. einer Umverdrahtungsplatte.
2. Standardanlagen für das Einspritzen können eingesetzt werden, ohne daß zusätzliche Materialien oder Folien benötigt werden. Eine MAP-Technologie kann eingesetzt werden.
3. Im Bondkanal werden keine zusätzlichen Spannungen auf den Halbleiterchip und das Substrat bzw. die Umverdrah- tungsplatte ausgeübt.
4. Eine Unabhängigkeit von Chipgrößentoleranzen und Chip- kleberhöhen wird erreicht.
5. Ein Spritzvorgang in einer einzigen Stufe bzw. einem einzigen Verfahrensschritt ist möglich, so daß mehrstu- fige Spritzgußverfahren unnötig werden.
6. Sowohl die Vorrichtung als auch das Verfahren sind für unterschiedliche Substratmaterialien oder Materialien der Umverdrahtungsplatte einsetzbar, so daß sowohl Metallplatten als auch Keramikplatten oder Leiterplatten oder Systemträgerbänder aus Kunststoff eingesetzt werden können.
Diese Vorteile ergeben sich durch ein besonders entwickeltes Spritzgußwerkzeug in Kombination mit einer entsprechend kon- struierten Umverdrahtungsplatte oder einem entsprechenden
Substrat. Diese Umverdrahtungsplatte weist als Durchgangsöffnungen für die Gehäusekunststoffmasse Drosselbohrungen auf, um einen Druckunterschied zwischen der halbleiterchipseitigen Kavität und den Bondkanal-Kavitäten beim Herstellen von Kunststoffgehäusen zu erzeugen.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen und- Durchführungsbeispielen mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
Figur 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Kunststoffgehause für mehrere Halbleiterchips, Figur 2 zeigt eine schematische Ansicht von unten auf ein Kunststoffgehause für mehrere Halbleiterchips,
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt entlang der Schnittlinie A-A in Figur 1 und Figur 2 durch ein Kunststoffgehause mit Spritzgußform,
Figur 4 zeigt einen Teilbereich eines schematischen Querschnitts einer Spritzgußform entlang der Schnittlinie A-A in Figur 1 und Figur 2 einer ersten Ausführungsform der Erfindung, Figur 5 zeigt einen Teilbereich eines schematischen Querschnitts einer Spritzgußform entlang der Schnittlinie A-A in Figur 1 und Figur 2 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
Figur 6 zeigt einen Teilbereich eines schematischen Quer- Schnitts einer Spritzgußform entlang der Schnittlinie B-B in Figur 1 und Figur 2.
Figur 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Kunststoffgehause 14 für mehrere Halbleiterchips 3. Das Bezugszei- chen 1 kennzeichnet Zeilen von Halbleiterchips und das Bezugszeichen 2 Spalten von Halbleiterchips in dem Kunststoffgehause 14. Das Bezugszeichen 5 kennzeichnet die passive Rückseite der Halbleiterchips und die Bezugszeichen 6, 7, 8, 9 kennzeichnen Randseiten des Halbleiterchips. Das Bezugszei- chen 10 kennzeichnet die Oberseite einer Umverdrahtungsplatte 11. Das Bezugszeichen 12 bezeichnet einen Bondkanal unterhalb des Halbleiterchips 3. Das Bezugszeichen 18 bezeichnet Bondkanalabdeckungen, das Bezugszeichen 25 eine Gehäusekunst- stoffmasse, das Bezugszeichen 35 einen Einspritztrichter für die Gehäusekunststoffmasse 25. Das Bezugszeichen 37 kennzeichnet den Bereich, in dem eine Dichtmanschette auf der Umverdrahtungsplatte 11 aufliegt und das Bezugszeichen 42 • kennzeichnet Sägespurbereiche für das Auftrennen des Kunststoff- gehäuses 14 in elektronische Bauteile 41.
Die Halbleiterchips 3 des Kunststoffgehäuses 14 sind in Zeilen 1 und Spalten 2 angeordnet. In dem Ausführungsbeispiel O CO t to P> P»
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Claims

Patentansprüche
1. Kunststoffgehause mit mehreren in Zeilen (1) und Spalten
(2) angeordneten Halbleiterchips (3) , welche aktive Oberseiten (4) und passive Rückseiten (5) und Randseiten (6, 7, 8, 9) aufweisen, wobei die aktiven Oberseiten (4) der Halbleiterchips (3) auf einer Oberseite (10) einer Umverdrahtungsplatte (11) angeordnet sind, und wobei die Umverdrahtungsplatte (11) Bondkanäle (12) zu ihrer Un- terseite (13) aufweist und wobei die Bondkanäle (12) spaltenweise hintereinander auf der Unterseite (13) der Umverdrahtungsplatte (11) angeordnet sind und wobei das Kunststoffgehause (14) mit seiner Oberseite (15) die Oberseite (10) der Umverdrahtungsplatte (11) und minde- stens die Randseiten (6, 7, 8, 9) der Halbleiterchips
(3) abdeckt und wobei das Kunstoffgehäuse (14) eine Unterseite (16) aufweist, die mindestens aus der Unterseite (13) der Umverdrahtungsplatte (11) mit Außenkontakt- bereichen (17) und spaltenweise angeordneten streifen- för igen Bondkanalabdeckungen (18) für die Bondkanäle (12) besteht.
2. Kunststoffgehause nach Anspruch 1, dadurch geke nzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte (11) auf ihrer Oberseite (10) eine Isolierschicht (19) zu den Halbleiterchips (3) hin aufweist und auf ihrer Unterseite (13) Kontaktanschlußflächen (20) , Umverdrahtungsleitungen und Außenkontakt- flachen (21) für Außenkontakte (22) aufweist.
3. Kunststoffgehause nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsleitungen von einer Lötstoppschicht bedeckt sind.
4. Kunststoffgehause nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeic net, dass die Bondkanalabdeckung (18) Verbindungsleitungen (23) zwischen Kontaktflächen (24) auf der aktiven Oberseite
(4) des Halbleiterchips (3) und Kontaktanschlußflächen (48) auf der Unterseite (13) der Umverdrahtungsplatte
(11) in eine Gehäusekunststoffmasse (25) einbetten.
5. Kunststoffgehause nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n z e i c n e t , d a s s auf den passiven Rückseiten (5) der Halbleiterchips (3) eine Gehäusekunststoffmasse (25) des Kunststoffgehäuses (14) angeordnet ist.
6. Kunststoffgehause nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Außenkontaktbereiche (17) der Unterseite (13) der Umverdrahtungsplatte (11) Außenkontakte (22) aufweisen, die in Zeilen (26) und Spalten (27) angeordnet sind.
7. Kunststoffgehause nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte (11) auf ihrer Unterseite (13) in den Außenkontaktbereiche (17) Lotbälle (28) oder Kontakthöcker (29) aufweist, die auf Außenkontaktflachen (21) angeordnet sind.
8. Umverdrahtungsplatte, die für die Herstellung eines
Kunststoffgehäuses (14) geeignet ist, wobei das Kunststoffgehause (14) mehrere in Zeilen (1) und Spalten (2) angeordnete Halbleiterchips (3) aufweist, die auf einer Umverdrahtungsplatte (11) angeordnet sind, und wobei das Kunststoffgehause (14) mit seiner Oberseite (15) die
Oberseite (10) der Umverdrahtungsplatte (11) und mindestens die Randseiten (6, 7, 8, 9) der Halbleiterchips (3) abdeckt und wobei das Kunstoffgehäuse (14) eine Unterseite (16) aufweist, die mindestens aus der Unterseite (13) der Umverdrahtungsplatte (11) mit Außenkontakt- bereichen (17) und spaltenweise angeordneten streifenförmigen Bondkanalabdeckungen (18) für Bondkanäle (12) besteht und wobei die Umverdrahtungsplatte (11) Durchgangsöffnungen (30) von der Oberseite (10) der Umverdrahtungsplatte (11) zu jeder spaltenweise angeordneten streifenförmigen Bondkanalabdeckung (18) aufweist.
9. Umverdrahtungsplatte (11) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Größe der Durchgangsöffnung (30) jeweils einer Drosselöffnung (31) für eine flüssige Gehäusekunststoffmasse (25) entspricht.
10. Umverdrahtungsplatte (11) nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Drosselöffnung (31) auf der Oberseite (10) der Um- verdrahtungsplatte (11) in einem Bereich angeordnet ist, der als letztes beim Herstellen des Kunststoffgehäuses (14) von der flüssigen Gehäusekunststoffmasse (25) auf der Oberseite (10) benetzt wird.
11. Elektronisches Bauteil, das aus einem Kunststoffgehause (14) herausgetrennt ist, wobei das Kunststoffgehause (14) mehrere in Zeilen (1) und Spalten (2) angeordnete Halbleiterchips (3) aufweist, die auf einer Umverdrahtungsplatte (11) angeordnet sind, und wobei das Kunst- stoffgehäuse (14) mit seiner Oberseite (15) die Oberseite (10) der Umverdrahtungsplatte (11) und mindestens die Randseiten (6, 7, 8, 9) der Halbleiterchips (3) abdeckt und wobei das Kunstoffgehäuse (14) eine Unterseite (13) aufweist, die mindestens aus der Unterseite (13) der Um- verdrahtungsplatte (11) mit Außenkontaktbereichen (17) und spaltenweise angeordneten streifenförmigen Bondkanalabdeckungen (18) für Bondkanäle (12) besteht, und wo- co co to to Cn o cπ o cπ Cπ
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(36) über Drosselöffnungen (31) in der Umverdrahtungsplatte (11) räumlich verbunden sind und Entlüftungsbohrungen in der Unterseitenform (34) angeordnet sind.
14. Spritzgussform nach Anspruch 13 dadurch gekennzeichnet, dass die Entlüftungsbohrungen in einem stromabwärts angeordneten Endbereich der Bondkanalabdeckung (18) angeordnet sind.
15. Spritzgussform nach Anspruch 13 oder Anspruch 14 dadurch gek nnzeichnet, dass die Unterseitenform (34) zusätzliche Stützrippen (40) in den Außenkontaktbereichen (17) und/oder gegenüberliegend zu der Dichtmanschette (37) der Oberseitenform (33) aufweist.
16. Verfahren zur Herstellung eines Kunststoffgehäuses (14), wobei das Kunststoffgehause (14) mehrere in Zeilen (1) und Spalten (2) angeordnete Halbleiterchips (3) aufweist, die auf einer Umverdrahtungsplatte (11) angeordnet sind, und wobei das Kunststoffgehause (14) mit seiner Oberseite (15) die Oberseite (10) der Umverdrahtungsplatte (11) und mindestens die Randseiten (6, 7, 8, 9) der Halbleiterchips (3) abdeckt und wobei das Kunststoffgehause (14) eine Unterseite (16) aufweist, die mindestens aus der Unterseite (13) der Umverdrahtungsplatte (11) mit Außenkontaktbereichen (17) und spaltenweise angeordneten streifenförmigen Bondkanalabdeckungen (18) für Bondkanäle (12) besteht, und wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist:
Bereitstellen eine Umverdrahtungsplatte (11) mit in Zeilen (1) und Spalten (2) angeordneten Halbleiterchip-Positionen und dazwischen vorgesehenen Säge- spurbereichen (42) sowie mit mindestens einem auf jeder Halbleiterchipsposition angeordneten Bondkanal (12) und mit einer Drosselöffnung (31) zur räumlichen Verbindung von Oberseite (10) und Unterseite (13) der Umverdrahtungsplatte (11) , Aufbringen von Halbleiterchips (3) auf die Halbleiterchippositionen unter Anordnen von Kontaktflächen (24) der aktiven Oberseite (4) der Halbleiterchips
(3) im Bereich der Bondkanäle (12) , Herstellen von Bondverbindungen (43) zwischen den Kontaktflächen (24) und Umverdrahtungsleitungen auf der Unterseite (13) der Umverdrahtungsplatte (11) im Bereich der Bondkanäle (12) , gleichzeitiges Aufsetzen der Oberseitenform (33) und der Unterseitenform (34) einer Spritzgussform unter Abdichten einer Oberseiten-Kavität (36) für die Herstellung der Kunststoffgehäuseoberseite (15) und von Unterseiten-Kavitäten (38) für die Herstellung von Bondkanalabdeckungen (18) , Einspritzen von Gehäusekunststoffmasse (25) über einen Einspritztrichter (35) der Oberseitenform (33) und Ausbreiten der Gehäusekunststoffmasse (25) über Drosselöffnungen (31) in die Unterseiten-
Kavitäten (38) .
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch geken z ichne , dass das Kunststoffgehause (14) der Spritzgussform (32) entnommen wird und das Kunststoffgehause (14) an den vorgesehenen Sägespuren (42) zu einzelnen elektronischen Bauteilen (41) getrennt wird.
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Gehäusekunststoffmasse (25) unter einem Druck von 8 bis 15 MPa über Spritzgußtrichter (35) eingespritzt wird.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW567562B (en) 2001-01-15 2003-12-21 Chuen Khiang Wang Method of packaging microchip devices, the interposer used therefor and the microchip device packaged thereby
DE10297756B4 (de) * 2002-06-19 2008-03-06 United Test And Assembly Center (S) Pte Ltd. Konfektionierung einer Mikrochip-Vorrichtung
DE10297755T5 (de) 2002-06-19 2005-09-01 United Test And Assembly Center (S) Pte Ltd. Konfektionierung einer Mikrochip-Vorrichtung
DE10320579A1 (de) 2003-05-07 2004-08-26 Infineon Technologies Ag Halbleiterwafer, Nutzen und elektronisches Bauteil mit gestapelten Halbleiterchips, sowie Verfahren zur Herstellung derselben
JP4243177B2 (ja) * 2003-12-22 2009-03-25 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US7235423B1 (en) * 2004-11-05 2007-06-26 Super Talent Electronics, Inc. Molded memory card production using carrier strip
US20060223227A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-05 Tessera, Inc. Molding method for foldover package
US20080175748A1 (en) * 2005-08-12 2008-07-24 John Pereira Solder Composition
US20070292708A1 (en) * 2005-08-12 2007-12-20 John Pereira Solder composition
DE102005046737B4 (de) 2005-09-29 2009-07-02 Infineon Technologies Ag Nutzen zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, Bauteil mit Chip-Durchkontakten und Verfahren
DE102008032330A1 (de) 2008-07-09 2010-01-14 Akro Plastic Gmbh Verfahren zur Herstellung von montagefertigen, kunststoffumspritzten Elektronikbauteilen bzw. Elektronikbaugruppen
US20100081237A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Integrated Circuit Assemblies and Methods for Encapsulating a Semiconductor Device
KR101012461B1 (ko) * 2010-07-13 2011-02-08 이원철 본체 코팅층의 수명감지부가 구비된 조리기기
CN102315200A (zh) * 2011-09-02 2012-01-11 华为终端有限公司 一种芯片封装结构、封装方法及电子设备
KR20140009799A (ko) 2012-07-13 2014-01-23 에스케이하이닉스 주식회사 전자 소자의 패키지 및 제조 방법
KR101688079B1 (ko) * 2015-07-13 2016-12-20 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
PL3168874T3 (pl) * 2015-11-11 2021-07-12 Lipac Co., Ltd. Obudowa chipów półprzewodnikowych z interfejsem optycznym
DE102016124270A1 (de) * 2016-12-13 2018-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4868349A (en) * 1988-05-09 1989-09-19 National Semiconductor Corporation Plastic molded pin-grid-array power package
US5275546A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Fierkens Richard H J Plastic encapsulation apparatus for an integrated circuit lead frame and method therefor
WO1997001865A1 (en) * 1995-06-28 1997-01-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100386061B1 (ko) * 1995-10-24 2003-08-21 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 크랙을방지하기위한개량된구조를가지는반도체장치및리이드프레임
US6667560B2 (en) * 1996-05-29 2003-12-23 Texas Instruments Incorporated Board on chip ball grid array
DE19736210A1 (de) * 1996-11-12 1998-05-14 Siemens Ag Preßform sowie Verfahren zum Herstellen eines Kunststoffverbundkörpers
US6001672A (en) * 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
US6048755A (en) * 1998-11-12 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Method for fabricating BGA package using substrate with patterned solder mask open in die attach area
US6294825B1 (en) * 1999-02-22 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Asymmetrical mold of multiple-part matrixes
US6143581A (en) * 1999-02-22 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Asymmetric transfer molding method and an asymmetric encapsulation made therefrom
US6201299B1 (en) * 1999-06-23 2001-03-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate structure of BGA semiconductor package
US6210992B1 (en) * 1999-08-31 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Controlling packaging encapsulant leakage
DE19954888C2 (de) * 1999-11-15 2002-01-10 Infineon Technologies Ag Verpackung für einen Halbleiterchip
US20030082845A1 (en) * 2000-01-14 2003-05-01 Amkor Technology, Inc. Package for multiple integrated circuits and method of making
DE10014380A1 (de) * 2000-03-23 2001-10-04 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Verpacken von elektronischen Bauteilen
JP4018375B2 (ja) * 2000-11-30 2007-12-05 株式会社東芝 半導体装置
US6635209B2 (en) * 2000-12-15 2003-10-21 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Method of encapsulating a substrate-based package assembly without causing mold flash
JP2002208656A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US20020173074A1 (en) * 2001-05-16 2002-11-21 Walsin Advanced Electronics Ltd Method for underfilling bonding gap between flip-chip and circuit substrate
US6528408B2 (en) * 2001-05-21 2003-03-04 Micron Technology, Inc. Method for bumped die and wire bonded board-on-chip package
US6668449B2 (en) * 2001-06-25 2003-12-30 Micron Technology, Inc. Method of making a semiconductor device having an opening in a solder mask
US6458626B1 (en) * 2001-08-03 2002-10-01 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Fabricating method for semiconductor package
JP3790705B2 (ja) * 2001-12-27 2006-06-28 新光電気工業株式会社 配線基板およびこれを用いた半導体装置の製造方法
KR100480909B1 (ko) * 2001-12-29 2005-04-07 주식회사 하이닉스반도체 적층 칩 패키지의 제조 방법
US6857865B2 (en) * 2002-06-20 2005-02-22 Ultratera Corporation Mold structure for package fabrication

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO02099871A2 *

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Publication number Publication date
WO2002099871A3 (de) 2003-03-06
DE10127009A1 (de) 2002-12-12
US20040175866A1 (en) 2004-09-09
KR20040012896A (ko) 2004-02-11
TW558813B (en) 2003-10-21
WO2002099871A2 (de) 2002-12-12
JP2004528729A (ja) 2004-09-16

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