WO2001088979A2

WO2001088979A2 - Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung

Info

Publication number: WO2001088979A2
Application number: PCT/DE2001/001522
Authority: WO
Inventors: Christian Hauser; Thomas Münch; Achim Neu; Martin Reiss; Johann Winderl
Original assignee: Infineon Technologies Ag
Priority date: 2000-05-17
Filing date: 2001-04-20
Publication date: 2001-11-22
Also published as: DE10024376A1; WO2001088979A3

Abstract

Die Erfindung schlägt ein Halbleiterbauelement mit einem auf seiner ersten Hauptfläche Kontaktpads aufweisenden Halbleiterchip vor, wobei auf der ersten Hauptfläche eine die Kontaktpads aussparende Umverdrahtungsfolie aufgebracht ist, die auf der von der ersten Hauptseite des Halbleiterchips abgewandten Seite eine Leiterzüge bedeckende Lötstoppmaske aufweist, wobei die in der zumindest einen Aussparung liegenden Kontaktpads über Drahtverbindungen mit benachbarten Leiterzugenden der Leiterzüge zur Verbindung der Kontaktpads mit in Aussparungen der Lötstoppmaske gelegenen Lötkontakten verbunden sind und wobei jede Drahtverbindung zusammen mit dem zugehörigen Leiterzugende mit einer Vergussmasse umgeben ist. Hierbei weist die Lötstoppmaske zumindest eine Vertiefung und/oder zumindest eine Erhöhung auf, durch die die Ausbreitung der Vergussmasse beim Aufbringen auf das Halbleiterbauelement gezielt gelenkt werden kann.

Description

Beschreibung

Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem auf seiner ersten Hauptfläche Kontaktpads aufweisenden Halbleiterchip, wobei auf der ersten Hauptfläche eine die Kontaktpads aussparende Umverdrahtungsfolie aufgebracht ist, die auf der von der ersten Hauptseite des Halbleiterchips abgewandten Seite eine Leiterzüge bedeckende Lötstoppmaske aufweist, wobei die in der zumindest einen Aussparung liegenden Kontaktpads über Drahtverbindungen mit benachbarten Leiterzugenden der Leiterzüge zur Verbindung der Kontaktpads mit in Aussparungen der Lötstoppmaske gelegenen Lötkontakten verbunden sind und wobei jede Drahtverbindung zusammen mit dem zugehörigen Leiterzugende mit einer Vergußmasse umgeben ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterbauelementes .

Halbleiterbauelemente mit einem sogenannten Board on Chip

(BOC) -Gehäuse werden mittels eines Ball Grid Arrays (BGA) auf ein Trägersubstrat aufgebracht und mit diesem elektrisch verbunden. Kennzeichnendes Merkmal dieser BOC-Gehäuse ist eine Umverdrahtungsfolie, die auf der von der ersten Hauptseite des Halbleiterchips abgewandten Seite Leiterzüge aufweist, die in der Nähe der Aussparungen der Umverdrahtungsfolie enden. Die zumindest eine Aussparung in der Folie ermöglicht eine elektrische Verbindung des Leiterbahnendes über einen Bonddraht mit dem oder den in der Aussparung befindlichen Kontaktpad(s) . Üblicherweise ist auf den Leiterbahnen eine

Lδtstoppmaske aufgebracht, die die anderen Enden der Leiterzüge ausspart. Diese freigelegten Enden der Leiterzüge bilden einen Lötkontakt, der mit einer Lötkugel (Ball) elektrisch leitend verbunden werden kann. Um eine Beschädigung der Drahtverbindungen, zum Beispiel beim Aufbringen des Halbleiterbauelementes auf das Trägersubstrat (Board) zu vermeiden, werden die Aussparung der Kontaktpads sowie die Verbindungs- φ

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Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Das Herstellungsverfahren ist im Patentanspruch 10 angegeben .

Zur Vermeidung dieses Problemes schlägt die Erfindung deshalb vor, die Lötstoppmaske mit zumindest einer Vertiefung und/oder mit zumindest einer Erhöhung zu versehen, durch die die Ausbreitung der Vergußmasse beim Aufbringen auf das Halb- leiterbauelement gezielt gelenkt werden kann.

Ein Verlaufen der Vergußmasse wird somit begrenzt durch eine beziehungsweise mehrere Vertiefungen in der Lötstoppmaske, die die Funktion eines Kanales für die Vergußmasse überneh- men. Hierdurch kann die Vergußmasse umgeleitet werden, das heißt an den Aussparungen für die Lötkontakte vorbei geleitet werden. Stattdessen oder zusätzlich können auch Erhöhungen, also Barrieren, zum Lenken der Vergußmasse vorgesehen sein. Die Erfindung ermöglicht es somit, die Abstände zwischen der zumindest einen Aussparung, in denen die Kontaktpads gelegen sind, und den Aussparungen, in die die späteren Lötkugeln eingesetzt werden, gering zu halten. Somit ist eine Miniaturisierung des Halbleiterbauelementes möglich.

Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den untergeordneten Ansprüchen.

Vorteilhafterweise ist die zumindest eine Vertiefung und/oder die zumindest eine Erhöhung in einem Bereich der Lötstoppmas- ke gelegen, der sich zwischen der zumindest einen Aussparung der Umverdrahtungsfolie und den zugeordneten Aussparungen für die Lδtkontakte befindet. In diesem Fall bilden die Vertiefung und/oder die Erhöhung eine Barriere, die ein Verlaufen der Vergußmasse in Richtung der Aussparungen für die Lötkon- takte verhindert. In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umgibt die zumindest eine Vertiefung und/oder die zumindest eine Erhöhung die zumindest eine Aussparung der Umverdrahtungsfolie ringsherum. Sind die Kontaktpads des Halbleiterchips beispielsweise in einer Reihe angeordnet, so ist es möglich, diese in einer einzigen Aussparung der Umverdrahtungsfolie zu plazieren. In diesem Fall ist es vorteilhaft, die Vertiefung und/oder die Erhöhung entlang des Umfanges dieser Aussparung verlaufen zu lassen.

Alternativ oder zusätzlich ist es vorstellbar, daß die zumindest eine Vertiefungen und/oder die zumindest eine Erhöhung jeweils wenigstens um eine Aussparung für die Lötkontakte herum verläuft. In diesem Fall kann die Lötstoppmaske ein verzweigtes System von Vertiefungen und/oder Erhöhungen aufweisen, die die Funktion von Kanälen für die Vergußmasse übernehmen. Diese Ausgestaltung ermöglicht auch die Aufnahme einer großen Menge an überschüssiger Vergußmasse.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Lötstoppmaske photochemisch strukturierbar ist. In diesem Fall können die Vertiefungen zusammen mit den Aussparungen für die Lötkontakte hergestellt werden. Es ist deshalb kein zusätzlicher Herstellungsschritt notwendig. Weiterhin kann das gleiche Bearbei- tungswerkzeug, wie bisher üblich, verwendet werden. Die Vertiefung kann dabei die Lötstoppmaske zumindest teilweise durchdringen. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Vertiefung die Lötstoppmaske vollständig durchdringt, da in diesem Fall der Ätzschritt zur Herstellung der Aussparung für die Lötkontakte und zur Herstellung der Vertiefungen in nur einem

Schritt möglich ist. Durchdringt die Vertiefung die Lötstoppmaske jedoch nur teilweise, so muß der Ätzprozeß ein erstes Mal unterbrochen werden, um dann in einem zweiten Schritt die Aussparungen für die Lötkontakte vollständig auszuätzen.

Eine weitere vorteilhafte Variante besteht darin, daß die Lötstoppmaske dauerhaft verformbar ist. In diesem Fall können die Vertiefungen mittels einer Prägung hergestellt werden. Die Ausgestaltung der Vertiefung ist in diesem Fall beliebig wählbar, sie hängt lediglich λron dem verwendeten Prägewerkzeug ab .

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung besteht darin, die Lötstoppmaske aus einem druckbaren Material herzustellen. In diesem Fall können die zumindest eine Erhöhung auf einfache Weise auf die Lötstoppmaske aufgedruckt werden. Alternativ wäre es auch denkbar, die Erhöhung aus einem mit dem Löt- stopplack kompatiblen Material zu erzeugen. Die Erhöhung könnte jedoch auch dadurch erzeugt werden, daß an den erwünschten Stellen der Lötstopplack bereichsweise dicker aufgebracht wird, zum Beispiel durch Laminierung einer Folie, durch Printen oder Sprühen, und beim späteren Strukturieren des Lδtstopplackes (der auch die Erzeugung der Aussparung für die Lötkontakte beinhaltet) durch Belichten, Stanzen, Bohren oder Fräsen die Endkontur der Erhöhungen zu erzeugen.

Vorteilhafterweise weist die Erhöhung eine geringere Höhe als die später mit den Lötkontakten verbundenen Lötkugeln auf, um eine sichere elektrische Verbindung mit einer Leiterplatte (Board) zu ermöglichen.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines gattungs- gemäßen Halbleiterbauelementes gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 umfaßt die folgenden Schritte :

a) Aufbringen einer Umverdrahtungsfolie auf einen Halblei- terchip, so daß die Kontaktpads in der zumindest einen

Aussparung der Umverdrahtungsfolie zum Liegen kommen,

b) Aufbringen einer Schablone oder einer Gießform auf die Umverdrahtungsfolie,

c) Einfüllen der Vergußmasse in die Schablone oder die Gießform, d) Aushärten der Vergußmasse und

e) Entfernen der Schablone oder Gießform.

Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ermöglicht ein Halbleiterbauelement, bei dem die Abstände zwischen der zumindest einen Aussparung, in der die Kontaktpads liegen und den Aussparungen für die Lötkontakte mit geringem Abstand zu- einander angeordnet sein können. Ein Fließen der Vergußmasse wird dadurch behindert, daß beim Aufbringen der Vergußmasse die Seitenwände der Schablone oder die Gießform ein Fließen in Richtung der Aussparungen für die Lötkontakte verhindert . Erst nachdem die Vergußmasse ausreichend verfestigt ist, wer- den die Schablone beziehungsweise die Gießform entfernt. Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ermöglicht eine überaus einfache Prozeßführung, da der Abdichtdruck und die Temperaturbelastung auf einfache Weise den Anforderungen angepaßt werden können. Mit einfachsten Mitteln ist ein Ein- schränken des Fließwegs der Vergußmasse möglich. Eine Temperaturkontrolle ist entweder durch Aufheizen des Halbleiterbauelementes, zu diesem Zeitpunkt bestehend aus dem Halbleiterchip und der Umverdrahtungsfolie, oder aber der Gießform realisierbar. Hierdurch können die genauen Materialeigen- Schäften eingestellt werden, das heißt die Viskosität der

Vergußmasse ist einstellbar, so daß eine blasenfreie Auffüllung der Aussparung möglich ist. Weiterhin ermöglicht die Temperaturkontrolle, das ein weiteres Ausbreiten beziehungsweise Fließen der Vergußmasse nach dem Entfernen der Schablo- ne oder der Gießform nicht mehr möglich ist.

Vorteilhafte Ausgestaltungen des Herstellungsverfahrens ergeben sich aus den untergeordneten Ansprüchen.

Vorteilhafterweise spart die Schablone oder die Gießform die zumindest eine Aussparung und die zugeordneten Leiterzugenden aus, wobei jedoch die Aussparungen für die Lötkugeln durch die Schablone bedeckt werden.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird die Schablone auf die Umverdrahtungsfolie aufgeklebt. Eine Entfernung ist beispielsweise durch Waschen, Ätzen oder Abziehen der Schablone von der Umverdrahtungsfolie möglich.

Die Erfindung der Vorteile werden anhand der nachfolgenden Figuren weiter erläutert. Es zeigen:

Figur 1 einen Ausschnitt eines aus dem Stand der Technik bekannten BOC-Halbleiterbauelementes im Querschnitt, bei dem die Aussparungen noch nicht mit einer Vergußmasse bedeckt sind,

Figur 2 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes im Quer- schnitt,

Figur 3 ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement in der Draufsicht,

Figur 4 ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes in der Draufsicht,

Figur 5 ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfin- dungsgemäßen Halbleiterbauelementes im Querschnitt,

Figur 6 ein viertes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes im Quer- schnitt, Figur 7 bis 9 eine erste Variante eines erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens und

Figur 10 bis 12 Eine zweite Variante eines erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens für ein BOC-Halbleiterbauelement .

Die Figur 1 zeigt im Querschnitt einen Ausschnitt eines aus dem Stand der Technik bekannten BOC-Halbleiterbauelementes . Ein Halbleiterchip 1 weist auf einer ersten Hauptseite 11 Kontaktpads 2 auf. In der Figur 1 ist lediglich ein Kontakt- pad 2 dargestellt, es versteht sich jedoch von selbst, daß der Halbleiterchip 1 auf seiner ersten Hauptseite 11 eine Vielzahl an Kontaktpads aufweisen kann. Diese könnten beispielsweise in einer Reihe angeordnet sein. Alternativ wäre es jedoch auch denkbar, daß diese über die erste Hauptfläche verteilt sind. Auf die erste Hauptseite 11 des Halbleiterchips 1 ist eine Umverdrahtungsfolie 3 aufgebracht. Die Umverdrahtungsfolie 3 besteht aus einem Substrat 5, auf dem Leiterzüge 6 aufgebracht sind. Auf den Leiterzügen 6 ist eine Lδtstoppmaske 7 gelegen. Die Umverdrahtungsfolie 3 ist mittels einer Kleberschicht 4 auf der ersten Hauptseite 11 des Halbleiterchips 1 aufgebracht . Dabei weist die Umverdrah- tungsfolie 3 an den Stellen der Kontaktpads 2 zumindest eine Aussparung 9 auf. Die Kontaktpads 2 können dabei alle in ei- ner Aussparung 9 liegen. Selbstverständlich könnte die Umver- drahtungsfolie 3 auch mehrere Aussparungen 9 aufweisen, wobei dann jeweils mindestens ein Kontaktpad 2 in jeder der Aussparungen 9 zum Liegen käme. Die Lötstoppmaske 7 ist derart ausgeführt, daß diese benachbart der Aussparung 9 die Leiterzüge 6 nicht bedeckt und Leiterzugenden 12, 12' zugänglich macht. Ferner weist die Lötstoppmaske 7 weitere Aussparungen 10 auf, so daß der Bereich eines Leiterzuges freigelegt wird zur Bildung eines Lötkontaktes 17. Der Lötkontakt 17 ist zur Verbindung mit einer Lotkugel vorgesehen, wobei die Verbindung üb- licherweise durch Löten hergestellt wird. In der Regel wird ein Leiterzug 6 an den Stellen einer Aussparung 10 enden. Selbstverständlich kann ein Leiterzug auch mehrere Lötkontak- te (zugänglich jeweils durch eine Aussparung 10) aufweisen. Das Leiterzugende 12 ist über eine Drahtverbindung 8, im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein Bonddraht, mit dem Kontakt- pad 2 des Halbleiterchips 1 verbunden.

Um einen Feuchtigkeitsschutz und einen mechanischen Schutz der Drahtverbindung 8 zu gewährleisten, werden die Ausnehmung

9 sowie die Leiterzugenden 12, 12' mit einer Vergußmasse umgeben. Um den Einschluß von Luft zu verhindern, weist die Vergußmasse beim Aufbringen in der Regel eine sehr niedrige Viskosität auf. Hierdurch kann ein Teil der Vergußmasse auf die Oberfläche der Lδtstoppmaske 7, 7' gelangen und in Richtung der Aussparungen 10 verlaufen. Kommt die Vergußmasse mit dem Leiterzuge 13 in Kontakt, so kann keine sichere elektri- sehe Verbindung zwischen dem Lötkontakt 17 und einer Lötkugel hergestellt werden.

In der Figur 2 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes dargestellt, das die beschriebene Problematik löst. Die Lötstoppmaske 7 weist in dem Bereich, der zwischen der Aussparung 9 und der Aussparung

10 gelegen ist, zumindest eine Vertiefung 15 auf. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 sind drei Vertiefungen 15 dargestellt. Es wäre auch ausreichend, lediglich eine Vertiefung 15 vorzusehen. Die Breite der Vertiefung 15 im Verhältnis zu dem Lδtstopplack 7 ist prinzipiell beliebig wählbar. Je mehr Volumen die Vertiefung beziehungsweise die Vertiefungen haben, desto mehr überschüssige Vergußmasse kann hierdurch aufgenommen werden. Die Vertiefungen 15 durchdrin- gen, wie in der Figur 2 ersichtlich, die Lötstoppmaske 7 vollständig. Dies bedeutet, an den Stellen der Vertiefungen 15 wären die Leiterzüge 6 zugänglich. Es ist deshalb vorteilhaft, die Vergußmasse 14 aus einem nicht leitenden Material zu verwenden. Es wäre auch denkbar, daß die Vertiefungen 15 lediglich teilweise die Lötstoppmaske 7 durchdringen würden. In diesem Fall müßten die elektrischen Eigenschaften der Vergußmasse 14 nicht beachtet werden. In der Figur 3 ist das erfindungsgemäße Ausführungsbeispiel gemäß der ersten Variante in einer Draufsicht dargestellt. Die Kontaktpads 2 sind hierbei in einer Reihe angeordnet und liegen in einer einzigen Aussparung 9. Die Kontaktpads 2 sind über Drahtverbindungen 8 mit benachbarten Leiterzugenden 12 , 12' verbunden, die beidseitig der Aussparung 9 gelegen sind. Die Leiterzugenden 12, 12' können dabei spiegelsymmetrisch bezüglich der Aussparung angeordnet sein, müssen es jedoch nicht. Um beim Auffüllen der Aussparung 9 mit einer Vergußmasse 14 ein Verlaufen in Richtung der Aussparungen 10, die Lötkontakte 17 freilegen, zu vermeiden, ist eine um die Aussparung 9 umlaufende Vertiefung 15 vorgesehen. Das Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 3 weist nur eine einzige Ver- tiefung 15 auf. Wie in Figur 2 dargestellt, könnten jedoch auch mehrere, konzentrische Vertiefungen an die Aussparung 9 angeordnet sein. Im Ausführungsbeispiel durchdringt die Vertiefung 15 die Lötstoppmaske 7 nicht, dies bedeutet, die Leiterzüge 6 werden durch die Vertiefung 15 nicht freigelegt.

Figur 4 zeigt einen Ausschnitt aus einem zweiten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes. Die Vertiefungen 15 können beispielsweise in Form "Kanalsystems" auf der Lötstoppmaske 7 aufgebracht sein. Die Vertiefungen 15a, 15b, 15c verlaufen dabei, miteinander verbunden, um eine Aussparung 10 jeweils herum, so daß eine überschüssige Vergußmasse hierdurch gezielt von den Aussparungen 10 weg geleitet werden kann. Das in der Figur 4 dargestellte Kanalsystem stellt lediglich ein Ausführungsbeispiel dar. Prinzipiell ist auch jede beliebige Anordnung von Vertiefungen denkbar, die dazu dient, die Vergußmasse von den Aussparungen 10 (Lötkontakten 17) weg zu leiten.

Die Vertiefungen 15 lassen sich auf einfache Weise dadurch einbringen, daß die Lötstoppmaske photochemisch strukturiert wird. Die photochemische Strukturierung kann zusammen mit der Strukturierung der Ausnehmungen 10 erfolgen. Eine besonders

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Aussparung 9 und den Aussparungen 10 vorzusehen. Die Erhöhung 16 muß nicht, wie in Figur 6 gezeigt, an dem in Richtung der Aussparung 9 gelegenen Rand der Lötstoppmaske liegen. Die Erhöhung 16 könnte auch mittig oder in Richtung der Ausnehmung 10 gelegen sein. Je weiter die Erhöhung 16 in Richtung der Aussparung 10 gelegen ist, desto mehr Auslauffläche für die Vergußmasse 14 besteht.

Um eine Kontaminierung der Lötkontakte 17 mit der Vergußmasse zu verhindern, kann anstatt einer erfindungsgemäßen Ausgestaltung der Lötstoppmaske 7 auch das folgende Herstellungsverfahren gemäß der Figuren 7 bis 9 angewandt werden. Hierbei wird eine Schablone 18 auf die Umverdrahtungsfolie 3 aufgebracht. Die Schablone 18 kann hierbei entweder mit Druck auf die Umverdrahtungsfolie 3 aufgepreßt werden oder aber mit dieser klebend verbunden sein. Die Schablone 18 weist selbstverständlich an den Stellen, an denen die Vergußmasse aufgebracht werden soll, also an Stellen der Aussparung 9 sowie der Verbindungsstelle zwischen der Drahtverbindung 8 und dem Leiterzugende 12, eine Aussparung auf, in die mittels einer Dispensnadel 20 eine Vergußmasse 14 eingebracht werden kann. Erst nachdem die Vergußmasse 14 ausgehärtet ist, wird die Schablone 18 von der Umverdrahtungsfolie 3 entfernt. Dadurch, daß die Schablone 18 die Stellen der Lδtkontakte 17 bedeckt, wird ein Fließen der Vergußmasse in die Aussparungen 10, das heißt die Lötkontakte 17, verhindert. Es versteht sich von selbst, daß die Umverdrahtungsfolie 3 mit dem Halbleiterchip 1 vor dem Aufbringen der Vergußmasse 14 bereits fest verbunden wurde und vorher strukturiert wurde .

Ein alternatives Herstellungsverfahren ist in den Figuren 10 bis 12 dargestellt. Anstatt einer Schablone ist auch die Verwendung einer Gießform 19 denkbar. Gegenüber der Schablone 18 weist die Gießform 19 den Vorteil auf, daß hierdurch die Form der Vergußmasse vorgebbar ist. Die Vergußmasse weist dann beispielsweise, wie in Figur 12 ersichtlich, die Form einer Kuppe auf. Die Gießform 19 wird mit Druck auf die bereits mit

Claims

Patentansprüche

1. Halbleiterbauelement mit einem auf seiner ersten Hauptfläche (11) Kontaktpads (2) aufweisenden Halbleiterchip (1) , wo- bei auf der ersten Hauptfläche (11) eine die Kontaktpads (2) aussparende Umverdrahtungsfolie (3) aufgebracht ist, die auf der von der ersten Hauptseite des Halbleiterchips (1) abgewandten Seite eine Leiterzüge (6) bedeckende Lötstoppmaske (7) aufweist, wobei die in der zumindest einen Aussparung liegenden Kontaktpads (2) über Drahtverbindungen (8) mit benachbarten Leiterzugenden (12) der Leiterzüge (6) zur Verbindung der Kontaktpads (2) mit in Aussparungen (10) der Lötstoppmaske gelegenen Lötkontakten (17) verbunden sind und wobei jede Drahtverbindung (8) zusammen mit dem zugehörigen Leiterzugende (12) mit einer Vergußmasse (14) umgeben ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Lötstoppmaske (7) zumindest eine Vertiefung (15) und/oder zumindest eine Erhöhung (16) aufweist, durch die die Ausbreitung der Vergußmasse beim Aufbringen auf das Halbleiterbau- element gezielt gelenkt werden kann.

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die zumindest eine Vertiefung (15) und/oder die zumindest ei- ne Erhöhung (16) in einem Bereich der Lötstoppmaske (7) gelegen ist, der sich zwischen der zumindest einen Aussparung (9) der Umverdrahtungsfolie (3) und den zugeordneten Aussparungen (10) für die Lötkontakte (17) befindet.

3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die zumindest eine Vertiefung (15) und/oder die zumindest eine Erhöhung (16) die zumindest eine Aussparung (9) der Umverdrahtungsfolie (3) ringsherum umgibt.

4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die zumindest eine Vertiefung (15) und/oder zumindest eine Erhöhung (16) jeweils wenigstens um eine Aussparung (10) für die Lötkontakte (17) herum verläuft.

5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Lötstoppmaske (7) photochemisch strukturierbar ist.

6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Lötstoppmaske (7) dauerhaft verformbar ist.

7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Lötstoppmaske (7) aus einem druckbaren Material besteht.

8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Vertiefung (15) die Lötstoppmaske (7) zumindest teilweise durchdringt .

9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Erhöhung (16) eine geringere Höhe als sie später mit den Lδtkontakten verbundenen Lδtkugeln aufweist.

10. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 mit den folgenden Schritten:

a) Aufbringen einer Umverdrahtungsfolie (3) auf einen Halbleiterchip (1) , so daß die Kontaktpads (2) in der zumindest einen Aussparung (9) zum Liegen kommen, b) Aufbringen einer Schablone (18) oder einer Gießform (19) auf die Umverdrahtungsfolie (3) , c) Einfüllen der Vergußmasse (14) in die Schablone (18) oder die Gießform (19) , d) Aushärten der Vergußmasse (14) und e) Entfernen der Schablone (18) oder der Gießform (19) .

11. Verfahren nach Anspruch 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Schablone (18) oder die Gießform (19) die zumindest eine Aussparung (9) und die zugeordneten Leiterzugenden (12) ausspart und die Aussparungen (10) für die Lötkugeln durch die Schablone (18) bedeckt werden.

12. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Schablone (18) auf die Umverdrahtungsfolie (3) aufgeklebt wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Schablone (18) durch Waschen, Ätzen oder Abziehen von der Umverdrahtungsfolie (3) wieder entfernt wird.