DE10012882C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Aufbringung eines Halbleiterchips auf ein Trägerelement - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Aufbringung eines Halbleiterchips auf ein Trägerelement

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Aufbringung eines integrierten Schaltkreises auf ein Trä­ gerelement gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. 12.
Um eine mechanische und elektrische Einbindung eines inte­ grierten Schaltkreises innerhalb der Schaltung eines elektro­ nischen Gerätes herzustellen, können integrierte Schaltkreise in allgemein bekannter Weise platz- und materialsparend durch sogenanntes "chip-size/scale-packaging (CPS)" oder derglei­ chen mit einem Trägerelement verbunden werden. Als Trägerele­ ment kann hier zum Beispiel eine flexible Umverdrahtungsfolie zum Einsatz kommen, die aus einer ca. 50 Mikrometer dicken Polyimidfolie mit ca. 15 Mikrometer dicken Kupferleiterzügen bestehen kann. Um thermomechanische Spannungen aufgrund von betriebs- oder montagebedingten Temperaturdifferenzen zwi­ schen dem integrierten Schaltkreis und dem Trägerelement zu minimieren, wird der Zwischenraum zwischen beiden Elementen gewöhnlich mit einer Ausgleichsschicht ausgefüllt. Die Aus­ gleichsschicht nimmt die unerwünschten Spannungen auf, so daß insbesondere die Gefahr eines Abrisses von den integrierten Schaltkreis mit dem Trägerelement verbindenden elektrischen Leitungen an den Kontaktierungsstellen wirksam reduziert wird.
Aus der WO 97/40958 A1 ist ein Verfahren zur Aufbringung eines integrierten Schaltkreises auf ein Trägerelement bekannt, das durch Unterfüllen des Zwischenraums die spannungsaufnehmende Ausgleichsschicht schafft. Zu diesem Zwecke wird zunächst der integrierte Schaltkreis über abstandhaltende Silikonpunkte auf dem Trägerelement aufgebracht, um den Zwischenraum in seiner Breite festzulegen. Danach wird die elektrische Ver­ bindung zwischen dem integrierten Schaltkreis und dem Trägerelement durch Ausbrechen von Leiterbahnabschnitten aus vorge­ fertigten Durchbrüchen im Trägerelement und anschließendem Befestigen an korrespondierenden Kontaktstellen am integrier­ ten Schaltkreis hergestellt. Das Befestigen erfolgt hierbei durch ein sogenanntes Bondingverfahren. Als Nächstes wird un­ ter Druckabschluß ein zunächst fließfähiges Material in den Zwischenraum mittels Unterdruckwirkung eingebracht, das schließlich zur Bildung der Ausgleichsschicht aushärtet.
Dabei ist von Nachteil, daß aufwendige gerätetechnische Vor­ aussetzungen zum Unterfüllen des integrierten Schaltkreises mittels Unterdruckwirkung erforderlich sind, um ein vollstän­ diges Ausfüllen des Zwischenraumes zu garantieren. Weiterhin muß die Fließfähigkeit des Materials der Ausgleichsschicht während des Unterfüllens stets sichergestellt werden. Daher sind bei dieser bekannten Lösung zum Aufbringung des inte­ grierten Schaltkreises auf das Trägerelement eine Vielzahl von Verfahrensschritten erforderlich, welche insgesamt eine zeitaufwendige Montage verursachen.
Aus der WO 97/27624 A1 ist eine Vorrichtung zum Unterfüllen des Zwischenraumes bekannt, mit der im Vergleich hierzu weniger Herstellungsschritte erforderlich sind. Über den elektrisch und mechanisch beabstandet mit dem Trägerelement verbundenen integrierten Schaltkreis wird eine Form becherartig gestülpt, die den integrierten Schaltkreis umgibt und deren Rand auf dem Trägerelement zur Auflage kommt. Eine daran angeordnete Injektionseinrichtung drückt zeitnah ein fließfähiges Mate­ rial, das im ausgehärteten Zustand die Ausgleichsschicht bil­ det, in den Zwischenraum. Da das Unterfüllen insoweit mittels Überdruck erfolgt, ist es hier nicht erforderlich einen Un­ terdruck im Zwischenraum herzustellen. Zwar sind mit der Vor­ richtung vergleichsweise weniger Herstellungsschritte notwen­ dig, so daß eine etwas kürzere Montagezeit realisiert werden kann; gleichwohl ist die Vorrichtung zum Unterfüllen insge­ samt recht aufwendig und kompliziert aufgebaut.
Weiterhin ist aus der US 5 148 265 eine Anordnung mit einem integrierten Schaltkreis und einem Trägerelement bekannt, bei der zwischen integriertem Schaltkreis und Trägerelement eine Unterstützung in Form einer Zwischenschicht vorgesehen ist. Die Zwischenschicht umfasst dabei eine Vielzahl von elektri­ schen Anschlusskontakten und bildet damit eine Umverdrah­ tungsebene.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Ver­ fahren sowie eine Vorrichtung zur Aufbringung eines inte­ grierten Schaltkreises auf ein Trägerelement zu schaffen, das/die eine Vereinfachung in der Herstellung unter Erzielung einer optimalen spannungsabsorbierenden Funktion der Aus­ gleichsschicht ermöglicht.
Die Aufgabe wird hinsichtlich des Verfahrens durch den An­ spruch 1 und hinsichtlich der Vorrichtung durch den Anspruch 12 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den jeweils abhängigen Ansprüchen angegeben.
Die Erfindung schließt die verfahrenstechnische Lehre ein, daß zur Aufbringung eines integrierten Schaltkreises auf ein Trägerelement an der unteren Kontaktfläche des integrierten Schaltkreises eine aushärtbare Ausgleichsschicht von pasten­ artiger Konsistenz im wesentlichen flächendeckend unter Frei­ lassung von elektrischen Kontaktstellen auf der unteren Kontaktfläche des integrierten Schaltkreises aufgetragen wird, daß anschließend der integrierte Schaltkreis über die Ausgleichs­ schicht mit dem Trägerelement nach relativer Ausrichtung haf­ tend zusammengefügt wird, daß daraufhin eine elektrische Ver­ bindung zwischen dem integrierten Schaltkreis und Leiterzügen des Trägerelements über die Dicke der Ausgleichsschicht über­ windende elektrische Leitungen hergestellt wird, und daß schließlich die Ausgleichsschicht unter Volumenvergrößerung ausgehärtet wird.
In vorteilhafter Weise wendet sich die Erfindung damit von der im Stand der Technik angewendeten Unterfülltechnik ab und beschreitet einen neuen Weg, indem das Auftragen des die Aus­ gleichsschicht im ausgehärteten Zustand bildenden Materials vor dem elektrischen Kontaktieren erfolgt. Damit wird insbe­ sondere der erste Verfahrensschritt des zwischenraumbildenden Anheftens des integrierten Schaltkreises - beispielsweise mittels Silikonpunkte - gänzlich eingespart, so daß sich die Herstellung deutlich vereinfacht. Mit dem Aufbringen des in­ tegrierten Schaltkreises auf das Trägerelement wird in vorteilhafter Weise gleichzeitig auch die Grundlage zur Bildung der Ausgleichsschicht geschaffen. Ein zuverlässiges Ausfüllen des Zwischenraums wird durch das Aushärten der Ausgleichs­ schicht unter Volumenvergrößerung garantiert. Insgesamt ver­ kürzt das erfindungsgemäße Verfahren die Montagezeit.
Eine weitere die Erfindung verbessernde Maßnahme besteht dar­ in, daß die elektrischen Leitungen zunächst ungestrafft zwi­ schen dem integrierten Schaltkreis und dem Trägerelement be­ festigt werden. Die elektrischen Leitungen werden erst bei der Volumenvergrößerung der Ausgleichsschicht gestrafft, d. h. relativ zur Oberfläche des Trägerelements tendenziell aufge­ richtet. Die Länge der gestrafften Leitungen entspricht dabei einer Mindestdicke der Ausgleichsschicht, die vorhanden sein muß, um die auftretenden Spannungen ausgleichen zu können. Im ungestrafften Zustand sind die elektrischen Leitungen bei­ spielsweise als lockere Kupferbändchen mit bogenförmiger Ge­ stalt ausgebildet.
Die Volumenvergrößerung der Ausgleichsschicht kann auf ver­ schiedene Weise herbeigeführt werden. Zum einen kann dieses durch Einbringen eines Gases während des Auftragens oder wäh­ rend des Aushärtens erfolgen. Zum anderen kann das Volumen der Ausgleichsschicht auch durch einen (während des Aushär­ tens) gasfreisetzenden Stoff vergrößert werden, der dem Grundmaterial beigemischt ist.
Vorzugsweise kann der Prozeß der Volumenvergrößerung ausge­ löst werden durch Erhöhung der Temperatur der Ausgleichs­ schicht beim Aushärten oder Bestrahlung der Ausgleichsschicht mit ultraviolettem Licht oder auf eine andere geeignete Wei­ se. Hierfür kann ein Heizgerät bzw. eine UV-Lampe Verwendung finden. Eine Temperaturerhöhung ist daneben auch durch eine exotherme Reaktion des Materials der Ausgleichsschicht wäh­ rend des Aushärtens zu bewirken. In diesem Falle sind keine separaten temperaturerhöhenden Mittel erforderlich.
Es ist vorteilhaft, wenn bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die elektrischen Leitungen durch ein herkömmliches Bonding­ verfahren befestigt werden, um eine schnelle und zuverlässige Kontaktierung des integrierten Schaltkreises mit den hier ge­ gebenen geometrischen Abmessungen sicherzustellen. So kann als Bondingverfahren beispielsweise das sogenannte "Leadbon­ ding", "Laserbonding" oder "Thermokompression-Bonding" ange­ wendet werden.
Das vorstehend beschriebene Verfahren zur Aufbringung eines integrierten Schaltkreises - der auch mittels Chipscheiben­ technologie hergestellt werden kann - auf ein Trägerelement kann vorzugsweise mit einer Vorrichtung ausgeführt werden, die ein Beschichtungsmittel zum im wesentlichen flächen­ deckenden Auftragen einer aushärtbaren klebenden Ausgleichs­ schicht auf eine untere Kontaktfläche des integrierten Schaltkreises umfaßt. Das Beschichtungsmittel kann dabei eine Art druckbetätigbare Zylinderanordnung mit einer Austritts­ öffnung oder eine Anordnung zum Drucken sein. Weiterhin um­ faßt die Vorrichtung ein Bestückungsmittel - beispielsweise ein Pick-And-Place-Gerät - zum ausgerichteten Zusammenfügen des integrierten Schaltkreises mit dem Trägerelement vermit­ tels der haftenden Ausgleichsschicht. Ein Verdrahtungsmittel - insbesondere ein Bonding-Gerät - dient dem elektrischen Verbinden des integrierten Schaltkreises mit Leiterzügen des Trägerelements über elektrische Leitungen, welche die Dicke der Ausgleichsschicht überwinden. Die elektrischen Leitungen sind vorzugsweise als zu den Leiterzügen des Trägerelements gehörige Kupferbändchen ausgebildet. Als Alternative hierzu kann auch das Verfahren des "wire bonding" oder dergleichen angewendet werden, um die elektrische Verbindung zwischen dem integrierten Schaltkreis und dem Trägerelement herzustellen. Gegebenenfalls kann ein separates Mittel - beispielsweise ein Heizgerät - zum Aushärten der Ausgleichsschicht unter Volu­ menvergrößerung erforderlich sein, falls dieses nicht in der chemischen Reaktion des Materials selbst, das die Ausgleichs­ schicht bildet, enthalten ist.
Als Material für die Ausgleichsschicht kommt vorzugsweise ein schäumbares Silikonmaterial oder ein schäumbares Epoxid-Mate­ rial zum Einsatz. Daneben sind auch andere Materialien denk­ bar, welche die gewünschten aufschäumbaren Eigenschaften zur Bildung der spannungsabsorbierenden Ausgleichsschicht be­ sitzen.
Weitere die Erfindung verbessernde Maßnahmen sind in den ab­ hängigen Ansprüchen angegeben oder werden nachfolgend mit der Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Er­ findung anhand der Figuren näher dargestellt. Es zeigt:
Fig. 1 eine prinzipielle Darstellung eines ersten Verfah­ rensschrittes zur Aufbringung eines integrierten Schaltkrei­ ses auf ein Trägerelement, bei dem eine Ausgleichsschicht auf den integrierten Schaltkreis aufgetragen wird,
Fig. 2 eine prinzipielle Darstellung eines zweiten Verfah­ rensschrittes zur Aufbringung, bei dem das Trägerelement mit dem integrierten Schaltkreis zusammengefügt wird,
Fig. 3 eine prinzipielle Darstellung eines dritten Verfah­ rensschrittes zur Aufbringung, bei dem die elektrische Anbin­ dung des integrierten Schaltkreises hergestellt wird und
Fig. 4 eine prinzipielle Darstellung eines vierten Verfah­ rensschrittes zur Aufbringung, bei dem die Ausgleichsschicht ausgehärtet wird.
Ein integrierter Schaltkreis 1 gemäß Fig. 1 besitzt eine un­ tere Kontaktfläche 2. Auf der unteren Kontaktfläche 2 sind Kontaktstellen 3 zur elektrischen Anbindung des integrierten Schaltkreises 1 innerhalb der Schaltung eines hier nicht wei­ ter dargestellten elektronischen Gerätes angeordnet. Über ein Beschichtungsmittel 4 wird ein haftvermittelndes Material von pastenartiger Konsistenz, das später eine Ausgleichsschicht 5 bildet, im wesentlichen flächendeckend unter Freilassung der elektrischen Kontaktstellen 3 auf die Kontaktfläche 2 aufge­ tragen. Das Beschichtungsmittel 4 ist in diesem Ausführungs­ beispiel eine Zylinderanordnung, die das Material der Aus­ gleichsschicht 5 enthält, und die über eine Austrittsöffnung mittels Druck das Material abgibt. Als Material kommt bei diesem Ausführungsbeispiel ein schäumbarer Silikonwerkstoff zum Einsatz.
Nach Fig. 2 wird anschließend der integrierte Schaltkreis 1 über die Ausgleichsschicht 5 mit einem flexiblen Trägerele­ ment 6 nach relativer Ausrichtung zusammengefügt. Die rela­ tive Ausrichtung zwischen dem integrierten Schaltkreis 1 und dem Trägerelement 6 sowie das Zusammenfügen erfolgt über ein Bestückungsmittel 7. Als Bestückungsmittel 7 ist ein Pick- And-Place-Gerät geeignet. Als flexibles Trägerelement 6 kommt eine Polyimidfolie 8 mit Leiterzügen 9 aus Kupfer zum Ein­ satz, die eine Umverdrahtungsebene bildet.
Gemäß Fig. 3 wird die elektrische Verbindung zwischen dem integrierten Schaltkreis 1 und den Leiterzügen 9 des Träger­ elements 6 über die vorläufige Dicke der Ausgleichsschicht 5 hinweg durch ein Verdrahtungsmittel 10 hergestellt. Das Ver­ drahtungsmittel 10 ist als sogenanntes "Bonding-Gerät" ausge­ bildet und bricht durch in der Polyimidfolie 9 vorgesehene fensterartige Öffnungen 11 elektrische Leitungen 12 als Kup­ ferbändchen aus den Leiterzügen 9 heraus. Die elektrischen Leitungen 12 werden derart an den elektrischen Kontaktstellen 3 des integrierten Schaltkreises 1 mittels Ultraschall befe­ stigt, daß diese zunächst eine bogen- oder wellenartige und insoweit ungestraffte Gestalt aufweisen. Die elektrischen Leitungen 12 liegen bei diesem Verfahrensschritt im wesentli­ chen flach innerhalb der Ausgleichsschicht 5.
Schließlich wird nach Fig. 4 die Ausgleichsschicht 5 ausge­ härtet. Das Aushärten erfolgt dabei unter einer Volumenver­ größerung. Diese Volumenvergrößerung wird bei diesem Ausführungsbeispiel durch einen während des Aushärtens Gas freiset­ zenden Stoff erzielt. Dieser Stoff ist als eine Art Treibmit­ tel dem Material - hier also dem Silikonwerkstoff - beige­ mischt, um dieses aufschäumbar zu machen. Der Prozeß der Vo­ lumenvergrößerung wird durch ein externes Mittel zum Aushär­ ten der Ausgleichsschicht 5 definiert herbeigeführt. Als Mit­ tel zum Aushärten kommt hier eine UV-Lampe 13 zum Einsatz. Die UV-Lampe 13 ist derart angeordnet, daß zumindest ein wirksamer Teil des Materials der Ausgleichsschicht 5 der Be­ strahlung ausgesetzt ist, so daß die Volumenvergrößerung zu­ verlässig erfolgen kann. Infolge der Volumenvergrößerung straffen sich die elektrischen Leitungen 12, welche sich zu­ vor flach in der Ausgleichsschicht 5 befanden. Beim Straffen nehmen die bereits elektrisch und mechanisch mit dem inte­ grierten Schaltkreis 1 verbundenen elektrischen Leitungen 12 eine aufgerichtete Lage bezüglich der Oberfläche des Träger­ elements 6 oder der Kontaktfläche 2 des integrierten Schalt­ kreises 1 ein. Durch die hierbei wirksame Länge der elektri­ schen Leitungen 12 stellt sich eine Mindestdicke der Aus­ gleichsschicht 5 ein, welche erforderlich ist, um eine genü­ gende elastische Schichteigenschaft sicherzustellen, so daß die aufgrund von betriebsbedingten Temperaturdifferenzen auf­ tretenden thermomechanischen Spannungen zwischen dem inte­ grierten Schaltkreis 1 und dem Trägerelement 6 absorbiert werden können. Somit ist insbesondere die Gefahr eines Abris­ ses der den integrierten Schaltkreis 1 mit dem Trägerelement 6 verbindenden elektrischen Leitungen 12 an den elektrischen Kontaktstellen 3 gebannt.
Bezugszeichenliste
1
integrierter Schaltkreis
2
Kontaktfläche
3
elektrische Kontaktstelle
4
Beschichtungsmittel
5
Ausgleichsschicht
6
Trägerelement
7
Bestückungsmittel
8
Polyimidfolie
9
Leiterzug
10
Verdrahtungsmittel
11
fensterartige Öffnung
12
elektrische Leitung
13
UV-Lampe

Claims (17)

1. Verfahren zur Aufbringung eines integrierten Schaltkrei­ ses (1) auf ein Trägerelement (6), dadurch gekennzeichnet,
daß entweder auf eine untere Kontaktfläche (2) des in­ tegrierten Schaltkreises (1) oder auf das Trägerelement eine aushärtbare Ausgleichsschicht (5) von zunächst pa­ stenartiger Konsistenz im wesentlichen flächendeckend unter Freilassung von elektrischen Kontaktstellen (3) auf der unteren Kontaktfläche (2) des integrierten Schaltkreises (1) aufgetragen wird,
daß anschließend der integrierte Schaltkreis (1) über die Ausgleichsschicht (5) mit dem Trägerelement (6) nach relativer Ausrichtung haftend zusammengefügt wird,
daß daraufhin eine elektrische Verbindung zwischen dem integrierten Schaltkreis (1) und Leiterzügen (9) des Trägerelements (6) über die Dicke der Ausgleichsschicht (5) überwindende elektrische Leitungen (12) hergestellt wird,
daß schließlich die Ausgleichsschicht (5) unter Volu­ menvergrößerung ausgehärtet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Leitungen (12) zunächst ungestrafft zwischen dem integrierten Schaltkreis (1) und dem Träger­ element (6) befestigt werden, so daß diese bei der Volu­ menvergrößerung der Ausgleichsschicht (5) gestrafft wer­ den.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Volumen der Ausgleichsschicht (5) durch Einbrin­ gen eines Gases während des Auftragens oder während des Aushärtens vergrößert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Volumen der Ausgleichsschicht (5) durch einen während des Aushärtens gasfreisetzenden Stoff vergrößert wird, der dem Material beigemischt ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zum Aushärten die Temperatur der Ausgleichschicht (5) erhöht wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zum Aushärten die Ausgleichsschicht (5) mit ultravio­ lettem Licht bestrahlt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Leitungen (12) durch ein Bondingver­ fahren befestigt werden.
8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Ausgleichsschicht (5) ein schäumbares Silikonmaterial zum Einsatz kommt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Ausgleichschicht (5) ein schäum­ bares Epoxid-Material zum Einsatz kommt.
10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Leitungen (12) zwischen dem inte­ grierten Schaltkreis (1) und dem Trägerelement (6) als zu den Leiterzügen (9) des Trägerelements (6) gehörige Kup­ ferbändchen ausgebildet sind.
11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der integrierte Schaltkreis (1) mittels Chipscheiben­ technologie hergestellt ist.
12. Vorrichtung zur Aufbringung eines integrierten Schalt­ kreises (1) auf ein Trägerelement (6), umfassend:
ein Beschichtungsmittel (4) zum im wesentlichen flächen­ deckenden Auftragen einer aushärtbaren klebenden Aus­ gleichsschicht (5) auf eine untere Kontaktfläche (2) des integrierten Schaltkreises (1), ein Bestückungsmittel (7) zum ausgerichteten Zusammenfügen des integrierten Schalt­ kreises (1) mit dem Trägerelement (6) vermittels der Aus­ gleichsschicht (5), ein Verdrahtungsmittel (10) zum elek­ trischen Verbinden des integrierten Schaltkreises (1) mit Leiterzügen (9) des Trägerelements (6) mittels die Dicke der Ausgleichsschicht (5) überwindende elektrische Lei­ tungen (12) und ein Mittel zum Aushärten der Ausgleichs­ schicht (5) unter Volumenvergrößerung.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Beschichtungsmittel (4) eine Art druckbetätigbare Zylinderanordnung mit einer Austrittsöffnung oder ein Mittel zum Drucken ist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Bestückungsmittel (7) nach Art eines Pick-And- Place-Grätes ausgebildet ist.
15. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Verdrahtungsmittel (10) als Bonding-Gerät ausge­ bildet ist.
16. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Mittel zum Aushärten der Ausgleichsschicht (5) ein Heizgerät ist.
17. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Mittel zum Aushärten der Ausgleichsschicht (5) eine UV-Lampe (13) ist.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7779039B2 (en) 2004-04-02 2010-08-17 Salesforce.Com, Inc. Custom entities and fields in a multi-tenant database system
JP4337570B2 (ja) * 2004-02-10 2009-09-30 株式会社デンソー センサ装置およびその製造方法
US7949684B2 (en) 2005-09-09 2011-05-24 Salesforce.Com, Inc. Systems and methods for exporting, publishing, browsing and installing on-demand applications in a multi-tenant database environment
JP4320330B2 (ja) * 2006-03-03 2009-08-26 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 機能素子実装モジュール及びその製造方法と樹脂封止用基板構造体
US20080162201A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Joachim Sander Displaying a model-based computer user interface

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5148265A (en) * 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
WO1997027624A1 (en) * 1996-01-24 1997-07-31 Cornell Research Foundation, Inc. Pressurized underfill encapsulation of integrated circuits
WO1997040958A1 (en) * 1996-05-02 1997-11-06 Tessera, Inc. Microelectronic connections with liquid conductive elements

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190705A (ja) * 1992-01-17 1993-07-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6486003B1 (en) * 1996-12-13 2002-11-26 Tessera, Inc. Expandable interposer for a microelectronic package and method therefor
JP3297254B2 (ja) * 1995-07-05 2002-07-02 株式会社東芝 半導体パッケージおよびその製造方法
DE19649798A1 (de) * 1996-12-02 1998-06-04 Abb Research Ltd Leistungshalbleitermodul
JP3092587B2 (ja) * 1998-04-22 2000-09-25 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
TW444307B (en) * 1998-12-02 2001-07-01 Seiko Epson Corp Anisotropic conductor film, method for packaging semiconductor chip, and semiconductor device
JP3451373B2 (ja) * 1999-11-24 2003-09-29 オムロン株式会社 電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5148265A (en) * 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
WO1997027624A1 (en) * 1996-01-24 1997-07-31 Cornell Research Foundation, Inc. Pressurized underfill encapsulation of integrated circuits
WO1997040958A1 (en) * 1996-05-02 1997-11-06 Tessera, Inc. Microelectronic connections with liquid conductive elements

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