EA201591224A1 - Полупроводниковое устройство, обладающее свойствами для предотвращения обратного проектирования - Google Patents

Полупроводниковое устройство, обладающее свойствами для предотвращения обратного проектирования

Info

Publication number
EA201591224A1
EA201591224A1 EA201591224A EA201591224A EA201591224A1 EA 201591224 A1 EA201591224 A1 EA 201591224A1 EA 201591224 A EA201591224 A EA 201591224A EA 201591224 A EA201591224 A EA 201591224A EA 201591224 A1 EA201591224 A1 EA 201591224A1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
properties
semiconductor device
prevent reverse
resistant
disclosed
Prior art date
Application number
EA201591224A
Other languages
English (en)
Inventor
Уилльям Эли Такер
Роберт Фрэнсис Тэнзар
Майкл Клинтон Хоук
Original Assignee
Верисити, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/739,401 external-priority patent/US20130320491A1/en
Application filed by Верисити, Инк. filed Critical Верисити, Инк.
Publication of EA201591224A1 publication Critical patent/EA201591224A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/57—Protection from inspection, reverse engineering or tampering
    • H01L23/573—Protection from inspection, reverse engineering or tampering using passive means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

Желательно проектировать и производить электронные микросхемы, которые являются устойчивыми к современным способам обратного проектирования. Предлагаются способ и устройство, которое обеспечивает создание микросхем, устойчивых к обратному проектированию, использующему современные способы разрушения слоев. Раскрытое устройство использует электронные компоненты, имеющие одинаковую геометрию, но разные уровни напряжения, для создания различных логических элементов. Альтернативно, раскрытое устройство использует электронные компоненты, имеющие различные геометрии и одинаковые рабочие характеристики. Кроме того, раскрывается способ проектирования микросхемы, использующей такие электронные приборы.
EA201591224A 2013-01-11 2014-01-03 Полупроводниковое устройство, обладающее свойствами для предотвращения обратного проектирования EA201591224A1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/739,401 US20130320491A1 (en) 2011-06-07 2013-01-11 Semiconductor Device Having Features to Prevent Reverse Engineering
PCT/US2014/010185 WO2014109961A1 (en) 2013-01-11 2014-01-03 Semiconductor device having features to prevent reverse engineering

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EA201591224A1 true EA201591224A1 (ru) 2016-02-29

Family

ID=51167305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201591224A EA201591224A1 (ru) 2013-01-11 2014-01-03 Полупроводниковое устройство, обладающее свойствами для предотвращения обратного проектирования

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP2943979A4 (ru)
CN (1) CN104969345B (ru)
AP (1) AP2015008585A0 (ru)
CA (1) CA2897082A1 (ru)
EA (1) EA201591224A1 (ru)
MX (1) MX348002B (ru)
WO (1) WO2014109961A1 (ru)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4766516A (en) * 1987-09-24 1988-08-23 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for securing integrated circuits from unauthorized copying and use
US4933898A (en) * 1989-01-12 1990-06-12 General Instrument Corporation Secure integrated circuit chip with conductive shield
US5783846A (en) * 1995-09-22 1998-07-21 Hughes Electronics Corporation Digital circuit with transistor geometry and channel stops providing camouflage against reverse engineering
US20020096744A1 (en) 2001-01-24 2002-07-25 Hrl Laboratories, Llc Integrated circuits protected against reverse engineering and method for fabricating the same using etched passivation openings in integrated circuits
US7135734B2 (en) * 2001-08-30 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Graded composition metal oxide tunnel barrier interpoly insulators
JP2010016164A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Nec Electronics Corp 半導体集積回路の設計方法、製造方法、回路設計プログラム、及び半導体集積回路
US20120313664A1 (en) 2011-06-07 2012-12-13 Static Control Components, Inc. Semiconductor Device Having Features to Prevent Reverse Engineering

Also Published As

Publication number Publication date
MX348002B (es) 2017-01-05
EP2943979A4 (en) 2017-05-17
CN104969345B (zh) 2018-12-07
EP2943979A1 (en) 2015-11-18
MX2015008948A (es) 2015-09-28
AP2015008585A0 (en) 2015-07-31
CA2897082A1 (en) 2014-07-17
CN104969345A (zh) 2015-10-07
WO2014109961A1 (en) 2014-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2514771B (en) Methods of securely changing the root key of a chip, and related electronic devices and chips
SG10202101505UA (en) Electronic power devices integrated with an engineered substrate
BR112015016665A2 (pt) dispositivo semicondutor que tem recursos para evitar engenharia reversa
DE112017003450A5 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip
DE112014001516T8 (de) Kontaktbauteil und Halbleitermodul
MY174370A (en) Integrated circuit manufacture using direct write lithography
JP2016027652A5 (ja) 半導体装置、及び電子機器
ITUB20161081A1 (it) Dispositivo a semiconduttore con regione conduttiva sepolta, e metodo di fabbricazione del dispositivo a semiconduttore
BR112016001171A2 (pt) módulo semicondutor.
EA201590755A1 (ru) Полупроводниковое устройство, обладающее свойствами для предотвращения обратного проектирования
EP3832710C0 (en) NON-PLANA I/O LOGIC SEMICONDUCTOR DEVICES WITH DIFFERENT WORKING FUNCTION ON A COMMON SUBSTRATE
IT201700087309A1 (it) Dispositivo elettronico integrato con regione di redistribuzione e elevata resistenza agli stress meccanici
DE112014003169T8 (de) Isolationsstruktur in Gallium Nitrid Komponenten und integrierte Schaltungen
DE102013104840A8 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen
JP2015188201A5 (ru)
EA201700142A1 (ru) Полимерная композиция для слоя элемента слоя
DE112018000553A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE112014005323A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip mit integriertem ESD-Schutz
DE102013105631A8 (de) Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronisches Bauteil
DE112014003593A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Anordnung mit mindestens einem solchen optoelektronischen Halbleiterchip
DE112017004053A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE112014003318A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE112014000439A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
MX2017007254A (es) Componente electrico sencillo de producir y metodo para producir un componente electrico.
DE112018003308A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und anordnung mit einem optoelektronischen halbleiterbauteil