DK3050131T3 - Forbedret fremgansmåde til produktion af thermoelektriske komponenter med pulvermetallurgi - Google Patents
Forbedret fremgansmåde til produktion af thermoelektriske komponenter med pulvermetallurgi Download PDFInfo
- Publication number
- DK3050131T3 DK3050131T3 DK14752313.8T DK14752313T DK3050131T3 DK 3050131 T3 DK3050131 T3 DK 3050131T3 DK 14752313 T DK14752313 T DK 14752313T DK 3050131 T3 DK3050131 T3 DK 3050131T3
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- substrate
- active material
- holes
- green bodies
- pressing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
Claims (13)
1. Fremgangsmåde til fremstilling af en termoelektrisk komponent eller mindst et halvfabrikat af samme, ved hvilken et antal termoelementer, der er fremstillet af et termoelektrisk aktivt materiale, indføres i et i det væsentlige plant substrat, som er fremstillet af et elektrisk og termisk isolerende substratmateriale, således at termoelementerne strækker sig gennem substratet i det væsentlige vinkelret på substratplanet, og ved hvilken det aktive materiale tilvejebringes i pulverform, presses til grønne legemer og sintres derefter inden i substratet til termoelementer, kendetegnet ved, at det pulverformige aktive materiale presses til grønne legemer i en form der er anbragt uden for substratet, hvilke grønne legemer skubbes ud af formen og ind i huller, der er tilvejebragt i substratet, hvor de sintres til termoelementer, hvor presningen af det pulverformige aktive materiale til grønne legemer og indskubningen af de grønne legemer ind i hullerne i substratet udføres ved hjælp af de samme værktøjer, og hvor det for værktøjerne drejer sig om mindst et par stempler, der indsættes fra begge sider i formen, og af hvilke den ene går i indgreb gennem hullet, der er tilvejebragt i substratet for det respektive grønne legeme.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at et antal forme kombineres til en plan matrice og at matricen mindst under presningen af det aktive materiale og indskubningen af de grønne legemer hviler fladt på substratet, således at huller og forme flugter med hinanden.
3. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at hullerne og formen er af cirkulær cylindrisk form og har i det væsentlige den samme diameter.
4. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at hullerne indføres i substratet ved bearbejdning, især ved boring og uden hjælp af kølesmøremidler.
5. Fremgangsmåden ifølge krav 4, kendetegnet ved, at hullerne udblæses efter bearbejdning, især ved hjælp af en inert gas.
6. Fremgangsmåde ifølge krav 4 eller 5, kendetegnet ved, at substratet holdes på begge sider af plane klemorganer, især over hele overfladen, under indførelsen af hullerne.
7. Fremgangsmåde ifølge krav 2 og 6, kendetegnet ved, at et af de to klemmeorganer anvendes som en matrice efter indføring af hullerne.
8. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at substratmaterialet er et kompositmateriale, der er fremstillet af uorganiske råmaterialer og bindemidler.
9. Fremgangsmåden ifølge krav 8, kendetegnet ved, at kompositmaterialet er opbygget som et laminat, at de organiske råmaterialer er valgt fra gruppen, der omfatter glimmer, perlit, phlogopit, muscovit, og at bindemidlerne er silikone eller silikoneharpiks.
10. Fremgangsmåde ifølge krav 8 eller 9, kendetegnet ved, at substratets tykkelse er mellem 1 og 10 mm, fortrinsvis at den er mellem 1,5 og 4 mm og meget fortrinsvis, at tykkelsen er mellem 2 og 3 mm.
11. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at det aktive materiale er en legering, der er valgt fra klassen af vismut-telurider, zink-antimonider, silicider, semi-Heusler-materialer, og at partikelstørrelsesfordelingen, der er bestemt ved hjælp af laser diffraktionsmetoder af det aktive materiale, har en gennemsnitlig partikelstørrelse d50 på mellem 1 og 50 pm, og at det aktive materiale for at indstille denne partikelstørrelsesfordeling formales ved en maksimal temperatur på mellem 30 °C og 50 °C.
12. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at det pulverformige aktive materiale påvirkes med vibrationer inden i støbeformen før presningen.
13. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, kendetegnet ved, at substratet med indførte grønne legemer placeres til sintring i en autoklave, hvilken sintringsproces finder sted ved forhøjet tryk og forhøjet temperatur i en inert atmosfære, hvor især gastrykket inden i autoklaven er lavere end trykket, der udøves på det pulverformige aktive materiale under presningen af de grønne legemer.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013219541.9A DE102013219541B4 (de) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Verbessertes Verfahren zur pulvermetallurgischen Herstellung thermoelektrischer Bauelemente |
PCT/EP2014/067387 WO2015043824A1 (de) | 2013-09-27 | 2014-08-14 | Verbessertes verfahren zur pulvermetallurgischen herstellung thermoelektrischer bauelemente |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DK3050131T3 true DK3050131T3 (da) | 2018-05-22 |
Family
ID=51355532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DK14752313.8T DK3050131T3 (da) | 2013-09-27 | 2014-08-14 | Forbedret fremgansmåde til produktion af thermoelektriske komponenter med pulvermetallurgi |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9553249B2 (da) |
EP (1) | EP3050131B1 (da) |
CN (1) | CN105637663B (da) |
CA (1) | CA2924139C (da) |
DE (1) | DE102013219541B4 (da) |
DK (1) | DK3050131T3 (da) |
ES (1) | ES2668691T3 (da) |
NO (1) | NO2933810T3 (da) |
PL (1) | PL3050131T3 (da) |
RU (1) | RU2639615C2 (da) |
TR (1) | TR201806647T4 (da) |
UA (1) | UA116040C2 (da) |
WO (1) | WO2015043824A1 (da) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3196951B1 (de) * | 2016-01-21 | 2018-11-14 | Evonik Degussa GmbH | Rationelles verfahren zur pulvermetallurgischen herstellung thermoelektrischer bauelemente |
DE102017201294A1 (de) | 2017-01-27 | 2018-08-02 | Mahle International Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Peltierelementen sowie eines thermoelektrischen Wärmeübertragers |
CN107658121A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-02 | 贵州金林电子科技有限公司 | 一种用于变压器含浸处理的治具 |
US10862008B2 (en) * | 2018-11-20 | 2020-12-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Ceramic conversion element, light-emitting device and method for producing a ceramic conversion element |
CN113084170B (zh) * | 2021-04-05 | 2023-04-14 | 博深股份有限公司 | 一种适于自动化生产用摩擦块烧结模具及使用方法 |
CN116148296B (zh) * | 2023-04-19 | 2023-08-25 | 中国科学院过程工程研究所 | 含金属固体物料自动化xrf检测集成装置的检测方法 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3269871A (en) | 1960-11-14 | 1966-08-30 | Westinghouse Electric Corp | Multiple junction unitary thermoelectric device |
US3201504A (en) | 1961-10-16 | 1965-08-17 | Carrler Corp | Method of making a thermo-electric couple |
US6025554A (en) * | 1995-10-16 | 2000-02-15 | Macris; Chris | Thermoelectric device and method of manufacture |
JPH09139526A (ja) | 1995-11-13 | 1997-05-27 | Ngk Insulators Ltd | 熱電気変換モジュールおよびその製造方法 |
SE9801798A0 (sv) * | 1998-05-20 | 1999-11-21 | Termogen Ab | Termoelektrisk anordning |
US6127619A (en) * | 1998-06-08 | 2000-10-03 | Ormet Corporation | Process for producing high performance thermoelectric modules |
US6297441B1 (en) * | 2000-03-24 | 2001-10-02 | Chris Macris | Thermoelectric device and method of manufacture |
JP2001320097A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Komatsu Ltd | 熱電素子とその製造方法及びこれを用いた熱電モジュール |
DE10109087A1 (de) | 2001-02-24 | 2002-10-24 | Leoni Bordnetz Sys Gmbh & Co | Verfahren zum Herstellen eines Formbauteils mit einer integrierten Leiterbahn |
FR2822295B1 (fr) | 2001-03-16 | 2004-06-25 | Edouard Serras | Generateur thermoelectrique a semi-conducteurs et ses procedes de fabrication |
JP2004265988A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電体およびその製造方法 |
US6969679B2 (en) | 2003-11-25 | 2005-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication of nanoscale thermoelectric devices |
JP2006032850A (ja) | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Tohoku Okano Electronics:Kk | 熱電変換モジュール |
DE102005043772A1 (de) * | 2005-09-14 | 2007-03-15 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Gegenstandes aus mindestens einem selbständigen beweglichen Teil und einem Fixierteil |
CN100391021C (zh) * | 2005-10-21 | 2008-05-28 | 清华大学 | Ag-Pb-Sb-Te热电材料及其制备方法 |
US20090038667A1 (en) * | 2005-11-29 | 2009-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermoelectric conversion module and heat exchanger and thermoelectric power generator using it |
DE102006039024A1 (de) * | 2006-08-19 | 2008-02-21 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Thermogenerator |
DE102006055120B4 (de) | 2006-11-21 | 2015-10-01 | Evonik Degussa Gmbh | Thermoelektrische Elemente, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
JP4912931B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2012-04-11 | 住友化学株式会社 | 熱電変換モジュールの製造方法及び熱電変換モジュール |
US8475354B2 (en) | 2007-09-25 | 2013-07-02 | Neosync, Inc. | Systems and methods for neuro-EEG synchronization therapy |
JP4404127B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2010-01-27 | ヤマハ株式会社 | 熱電モジュール用基板およびこの基板を用いた熱電モジュール |
DE102008005694B4 (de) * | 2008-01-23 | 2015-05-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Bauelementes |
US20090199887A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | North Carolina State University And Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Methods of forming thermoelectric devices including epitaxial thermoelectric elements of different conductivity types on a same substrate and related structures |
DE102009009586A1 (de) * | 2009-02-19 | 2010-08-26 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Thermoelektrische Vorrichtung |
WO2011012547A2 (de) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Basf Se | Verfahren zur herstellung thermoelektrischer halbleitermaterialien und schenkel |
AT508979A1 (de) * | 2009-10-23 | 2011-05-15 | Miba Sinter Austria Gmbh | Verfahren zum herstellen eines thermoelektrischen elementes |
DE102010035151A1 (de) * | 2010-08-23 | 2012-02-23 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Halbleiterelement für ein thermoelektrisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
FR2968837B1 (fr) * | 2010-12-10 | 2013-08-23 | Centre Nat Rech Scient | Thermo-générateur et procédé de réalisation de thermo-générateur |
KR20120070906A (ko) * | 2010-12-22 | 2012-07-02 | 삼성전기주식회사 | 열전 장치 |
DE102011008377A1 (de) * | 2011-01-12 | 2012-07-12 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Thermoelektrisches Material und Verfahren zur Herstellung |
WO2012114650A1 (en) * | 2011-02-22 | 2012-08-30 | Panasonic Corporation | Thermoelectric conversion element and producing method thereof |
WO2012135428A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Thermoelectric materials |
US20130019918A1 (en) * | 2011-07-18 | 2013-01-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermoelectric devices, systems and methods |
DE102011054739A1 (de) * | 2011-10-24 | 2013-04-25 | O-Flexx Technologies Gmbh | Thermoelement und Herstellungsverfahren |
US10205080B2 (en) * | 2012-01-17 | 2019-02-12 | Matrix Industries, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
CN103296190B (zh) * | 2012-02-28 | 2016-01-13 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 三维热电能量收集器及其制作方法 |
DE102012205087A1 (de) | 2012-03-29 | 2013-10-02 | Evonik Industries Ag | Pulvermetallurgische Herstellung eines thermoelektrischen Bauelements |
DE102012205098B4 (de) | 2012-03-29 | 2020-04-02 | Evonik Operations Gmbh | Thermoelektrische Bauelemente auf Basis trocken verpresster Pulvervorstufen |
JP2015525364A (ja) | 2012-05-03 | 2015-09-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 耐久性ソーラーミラーフィルム |
JP2014007376A (ja) * | 2012-05-30 | 2014-01-16 | Denso Corp | 熱電変換装置 |
US9620700B2 (en) * | 2013-01-08 | 2017-04-11 | Analog Devices, Inc. | Wafer scale thermoelectric energy harvester |
DE102014203139A1 (de) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Evonik Degussa Gmbh | Verbesserungen betreffend Kontaktbrücken thermoelektrischer Bauelemente |
-
2013
- 2013-09-27 DE DE102013219541.9A patent/DE102013219541B4/de active Active
-
2014
- 2014-08-14 US US15/025,162 patent/US9553249B2/en active Active
- 2014-08-14 RU RU2016115811A patent/RU2639615C2/ru active
- 2014-08-14 PL PL14752313T patent/PL3050131T3/pl unknown
- 2014-08-14 CN CN201480052965.3A patent/CN105637663B/zh active Active
- 2014-08-14 TR TR2018/06647T patent/TR201806647T4/tr unknown
- 2014-08-14 CA CA2924139A patent/CA2924139C/en active Active
- 2014-08-14 UA UAA201604512A patent/UA116040C2/uk unknown
- 2014-08-14 EP EP14752313.8A patent/EP3050131B1/de active Active
- 2014-08-14 DK DK14752313.8T patent/DK3050131T3/da active
- 2014-08-14 WO PCT/EP2014/067387 patent/WO2015043824A1/de active Application Filing
- 2014-08-14 ES ES14752313.8T patent/ES2668691T3/es active Active
-
2015
- 2015-04-14 NO NO15163554A patent/NO2933810T3/no unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9553249B2 (en) | 2017-01-24 |
CA2924139A1 (en) | 2015-04-02 |
RU2016115811A (ru) | 2017-11-01 |
NO2933810T3 (da) | 2018-03-03 |
US20160240763A1 (en) | 2016-08-18 |
CA2924139C (en) | 2018-11-06 |
CN105637663B (zh) | 2018-01-12 |
DE102013219541A1 (de) | 2015-04-02 |
WO2015043824A1 (de) | 2015-04-02 |
ES2668691T3 (es) | 2018-05-21 |
DE102013219541B4 (de) | 2019-05-09 |
PL3050131T3 (pl) | 2018-08-31 |
RU2639615C2 (ru) | 2017-12-21 |
CN105637663A (zh) | 2016-06-01 |
UA116040C2 (uk) | 2018-01-25 |
EP3050131B1 (de) | 2018-02-14 |
EP3050131A1 (de) | 2016-08-03 |
TR201806647T4 (tr) | 2018-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK3050131T3 (da) | Forbedret fremgansmåde til produktion af thermoelektriske komponenter med pulvermetallurgi | |
US9530952B2 (en) | Powder metallurgical production of a thermoelectric component | |
JP6222666B2 (ja) | Mg−Si系熱電変換材料及びその製造方法、熱電変換用焼結体、熱電変換素子、並びに熱電変換モジュール | |
CA3012030C (en) | Rational method for the powder metallurgical production of thermoelectric components | |
JP4584035B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP3479738B2 (ja) | 半導体パッケージと、それに用いる放熱基板の製造方法 | |
JP2011198778A (ja) | 熱発電デバイスの製造方法 | |
WO2013047475A1 (ja) | マグネシウムシリサイド、熱電変換材料、焼結体、熱電変換素子用焼結体、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール | |
CN114402445A (zh) | 热电转换元件、热电转换组件、接合材料、制造热电转换元件的方法 | |
CN110783448B (zh) | 一种基于飞秒激光技术制造微型热电器件的方法 | |
JP3619872B2 (ja) | 熱電変換材料の製造装置 | |
JP4258081B2 (ja) | 熱電半導体の製造方法 | |
JP4643371B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP2005023416A (ja) | 金属−セラミックス焼結積層体の製造方法 | |
JP2014239129A (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP2003266198A (ja) | 静水圧成形方法及び放熱基板の製造方法 | |
JP2005340529A (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
JP2005029435A (ja) | 金属−セラミックス焼結積層体の製造方法 |