JP2003266198A

JP2003266198A - 静水圧成形方法及び放熱基板の製造方法

Info

Publication number: JP2003266198A
Application number: JP2003025992A
Authority: JP
Inventors: Norio Hirayama; 典男平山; Mitsuo Osada; 光生長田; Akira Ichida; 晃市田; Yoshinari Amano; 良成天野; Seishi Asai; 清史浅井; Hidetoshi Maezato; 英俊前里; Tadashi Arikawa; 正有川; Kenji Sakimae; 賢二崎前
Original assignee: Allied Material Corp
Current assignee: Allied Material Corp
Priority date: 1998-11-16
Filing date: 2003-02-03
Publication date: 2003-09-24

Abstract

(57)【要約】【課題】安価で且つ形状の整った圧粉体を得るための
静水圧成形方法とそれを用いた薄い放熱基板の製造方法
を提供すること。【解決手段】半導体素子を搭載するパッケージにおい
て、モリブデンの圧粉体に質量比で３０〜４０％の銅
（Ｃｕ）を溶融、染み込ませる含浸してなるＣｕ−Ｍｏ
複合基板であって、板厚が０．４ｍｍ未満の放熱基板を
有する。この放熱基板は、静水圧成形方法によってＭｏ
圧粉体を得、このＭｏ圧粉体にＣｕを載せて加熱処理し
て、Ｍｏ圧粉体に銅を含浸して染み込ませたＣｕ−Ｍｏ
複合基板を得、このＣｕ−Ｍｏ複合基板を圧延すること
で得られる。静水圧成形方法では、少なくとも２ケに分
割した側壁に囲まれた内面に接して２ケ以上の板体１，
２，３，４，５，６を配置し、それらの板体１，２，
３，４，５，６の間にＭｏ粉末を充填した集合体をゴム
媒体８等の軟質材の覆いにより覆ってなる複合体を造
り、これを耐圧水槽に入れ静水圧を前記軟質材の覆いの
外部から働かせ、前記覆いを介し前記板を側壁に沿って
加圧して移動させ、Ｍｏ圧粉体を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック粉末や
金属粉末及びこれらの複合材の静水圧成形方法に関し、
詳しくは、Ｗ，Ｍｏ等の高融点金属粉末、Ｃｕ／Ｗ，Ｃ
ｕ／Ｍｏ，Ｗ／Ｎｉ／Ｃｕ，Ｗ／Ｎｉ／Ｆｅ等の複合
材、及びＭｏ／ＴｉＣ，Ａｌ／ＳｉＣ等の複合材を用い
た半導体パッケージに用いる放熱基板の製造方法、即
ち、静水圧成形方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話機等の通信機器関連に使
用される半導体装置のパッケージの放熱が重要な課題と
なっている。これらのマイクロ波用の半導体素子を搭載
するための放熱部材に対する要求がでてきた。この放熱
部材には、熱伝導の観点から、アルミニウムや銅等の金
属材料が考えられるが、これらの材料は、熱膨張が大き
く、半導体素子材料であるシリコンやシリコンを組み付
けた窒化アルミニウム基板等の絶縁材料と接合する場
合、ハンダによる接合や繰り返し使用時の熱変化によ
り、熱膨張の差に起因する部材の変形及び破損する恐れ
がある。それゆえ、熱膨張が半導体やセラミックス絶縁
材料に近くしかも熱伝導の優れた材料が求められてい
る。

【０００３】半導体素子材料を搭載する窒化アルミニウ
ムには，通常，表裏面にＣｕ板を張り付けたものが使用
されている。

【０００４】このような放熱基板としての特性を満たす
ものとして，タングステン（Ｗ）−銅（Ｃｕ）の複合材
料（以下、Ｗ−Ｃｕ複合材と呼ぶ）が提案されている。

【０００５】このＷ−Ｃｕ複合材を製造するには、Ｗ粉
末に有機質のバインダーを混合し、これを金型内で型押
した後、水素等の還元雰囲気中で加熱し、有機バインダ
ーを蒸発・分解除去して粉末集合体を得る。この粉末集
合体を還元雰囲気中で焼結して、所定の空孔率をもつＷ
多孔体を得、これに銅の融点以上の還元雰囲気中で焼結
して、所定の空孔率を持つＷ多孔体を得、これに銅の融
点以上の還元雰囲気中で銅を染み込ませて（以下、含浸
と呼ぶ）Ｗ−Ｃｕ複合体を得る方法が取られている。

【０００６】また、セラミックを構成材料に用いるＩＣ
（集積回路）パッケージ用の放熱基板は、前述の熱歪の
問題を避けるため、アルミナ、ベリリア等と熱膨張を近
似させる必要があり、銅を質量比１０〜１５％含浸させ
たＷ−Ｃｕ複合材が使用されている。

【０００７】この放熱基板として良く用いられるＷ−Ｃ
ｕ複合材料は，多孔質ＷにＣｕを溶浸しているため、通
常、Ｃｕの含有量が１０〜２０質量％が主で、熱膨張率
が６〜７×１０^−６Ｋ，熱伝導率１８０〜２００Ｗ／ｍ
・Ｋと優れた特性を有するが、部品の軽薄短小が進む今
日、密度が大きく重いという欠陥は次第に重大な要素と
なる。また、切断による加工方法であるために、厚みを
薄くできないことが欠点として挙げられる。

【０００８】ここで，上記Ｍｏ−Ｃｕ圧粉体を製造する
具体的方法について考えてみる。

【０００９】通常のセラミックや金属粉末及びこれらの
複合材の静水圧成形方法には、成形するための粉末、例
えば、Ｍｏ等の粉末を袋状のゴム型等に封入し、これを
水を満たした水圧水槽に入れ、ゴム型の外部から水圧を
かけて粉末を加圧し圧粉体を得る方法が用いられてい
る。

【００１０】また、他の方法としては、図５に示すよう
に、通常の粉末型押しプレスにより成型する方法があ
る。この方法は、キャビティ５７の内壁面を形成する臼
５１と、このキャビティ５７の上下面を形成する上下杵
５２，５３を備えたプレス装置５０を用いる。具体的に
は、臼５１と下杵５３とで形成される空間内に、例え
ば、Ｍｏ等の粉末７を充填して、上杵５２で封じ、上下
杵５２，５３によって、矢印５６に示すように圧力を加
えて圧粉体を得るものである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
のＣｕ−Ｍｏ複合材料は，特性の面、加工面、厚さの面
においてマイクロ波用半導体パッケージの放熱基板とし
てに用いるには、種々の問題があった。

【００１２】一方、前記放熱基板を製造するに際して、
中間生成物である圧粉体を製造するのは、従来の静水圧
成形方法では、均−な圧力により加圧された圧粉体を得
る事ができるが、軟質なゴム型等を用いるため、形の整
った板や特定の形状の圧粉体を得る事は難しい。

【００１３】一方、粉末型押しプレスによる方法では、
上下方向から圧力を加え、大型の圧粉体を得る場合、大
きな加圧力で加圧するため、金型、特に臼を充分強度の
ある構造とする必要があり、金型費用が高価となるとい
う欠点を有した。

【００１４】そこで、本発明の一技術的課題は、安価で
且つ形状の整った圧粉体を得るための静水圧成形方法を
提供することにある。

【００１５】また、本発明の他の技術的課題は、前記静
水圧成形方法を用いたマイクロ波用又はパワー半導体パ
ッケージに用いる放熱基板の製造方法を提供することに
ある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、少なく
とも２ケに分割した側壁に囲まれた内面に接して２ケ以
上の板体を配置し、それらの板体の間に粉末を充填した
集合体を軟質材の覆いにより覆ってなる複合体を造り、
これを耐圧水槽に入れ静水圧を前記軟質材の覆いの外部
から働かせ、前記覆いを介し前記板を側壁に沿って加圧
して移動させ、圧粉体を得ることを特徴とする静水圧成
形方法が得られる。

【００１７】また、本発明によれば、前記静水圧成形方
法において、前記複合体を前記耐圧水槽に入れる替わり
に、乾式静水圧成形装置の加圧室内に入れ加圧成形して
圧粉体を得ることを特徴とする静水圧成形方法が得られ
る。

【００１８】また、本発明によれば、前記いずれかの静
水圧成形方法において、少なくとも２ケに分割した側壁
に囲まれた内面に添って一対の板体が対向するように少
なくとも２ケの板体を配置し、その板体の間に粉末を充
填した集合体において、前記対向する一対の板体間に少
なくとも一枚の板体からなる間板を設け、前記板体及び
間板の夫々の間に粉末を充填することにより一度に複数
の圧粉体を得ることを特徴とする静水圧成形方法が得ら
れる。

【００１９】また、本発明によれば、前記いずれかに記
載の静水圧成形方法において、前記粉末はＭｏであり、
前記圧粉体はＭｏ圧粉体であることを特徴とするＭｏ圧
粉体の製造方法が得られる。

【００２０】また、本発明によれば、前記Ｍｏ圧粉体の
製造方法で得られたＭｏ圧粉体にＣｕを載せて加熱処理
することによって、前記Ｍｏ圧粉体に銅を含浸して染み
込ませたＣｕ−Ｍｏ複合基板を得ることを特徴とするＣ
ｕ−Ｍｏ複合基板の製造方法が得られる。

【００２１】さらに、本発明によれば、前記Ｃｕ−Ｍｏ
複合基板の製造方法において製造されたＣｕ−Ｍｏ複合
基板を圧延することによって、板厚が０．４ｍｍ未満の
放熱基板を得ることを特徴とする放熱基板の製造方法が
得られる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。

【００２３】図１は本発明の第１の実施の形態による静
水圧成形方法の説明に供せられる概略図で、（ａ）は横
断面図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は上断面図である。
図２は加圧成形方法の説明に供せられる概略断面図であ
る。

【００２４】図１（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）に示すよ
うに、工具鋼、高速度鋼、ステンレス等の剛体からなる
板体である側板Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ・１，２，３，４及び上
板５，下板６で囲まれた内部に、原料粉末、例えば、Ｍ
ｏ等の粉末７を充填しこれをゴム媒体８で覆い、これを
図２に示すごとく、加圧容器９としての水槽中に、入れ
水圧を加えてゴム媒体８外部から、０．５〜３．６トン
／ｃｍ^２の水圧を加え圧縮する事により、粉末７を圧縮
し圧粉体１０を得る。

【００２５】この本発明の第１の実施の形態による方法
によって、一般の静水圧成形方法である袋状のゴム型に
粉末を入れ、これを水槽の中に入れ、水圧をかけて加圧
し、圧粉体を得る方法に比べて、形の整った圧粉体を得
る事が出来る。

【００２６】また、本発明の第１の実施の形態にによる
粉末成形方法では、通常の粉末型押しプレスの臼の役目
をする側板は、ゴム媒体８を介し水圧で保持されるため
簡単な剛体板のみにて、保持のための構造を必要としな
い。

【００２７】尚、本発明の第１の実施の形態によるゴム
媒体に覆われた複合体の構成方法を用いることは、一般
にドライＣＩＰと呼ばれる乾式水圧成形法にも応用出来
る。

【００２８】図３は（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第２の
実施の形態による静水圧成形方法を概略的に示す断面図
であり、（ａ）は被圧縮体２０の断面図、（ｂ）は静圧
成形装置１７の加圧前の状態の概略断面図、（ｃ）は静
圧成形装置１７の加圧後の状態の概略断面図であり、図
１（ａ）の被圧縮体２０を乾式静圧成形法に応用した場
合の概念図を示す。

【００２９】図３（ａ）に示すように、装置外部で、図
１（ａ）に示したように、側板Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，及び上
板５，下板６で囲まれた内部に、例えば、Ｍｏ等の粉末
７を充填し、これをゴム媒体８で覆った被圧縮体２０を
用意する。

【００３０】次に、図３（ｂ）に示すように、静圧成形
装置１７の加圧室２１に被圧縮体２０をセットする。こ
こで、加圧室２１は、開口１４ａ，１４ａを有するゴム
１２とその周囲に水１３とを収容した圧力容器１４とこ
の圧力容器の開口１４ａ，１４ａを上下方向から塞ぐ上
ラム１５及び下ラム１６とを備えている。

【００３１】図３（ｂ）に示すように、被圧縮体２０を
加圧室２１にセットし、成形装置１７の水圧を上げる。
すると図３（ｃ）に示すように、加圧された水１３´に
よる水圧は装置１７のゴム１２壁を介し加圧室２１に装
填した被圧縮体２０に働き、上板５と下板６により粉末
は圧縮され圧粉体１０を得る事が出来る。この時の水圧
は第１の実施の形態とほぼ同様である。

【００３２】図４（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実
施の形態による静水圧成形方法の概略を示す図で、
（ａ）は加圧前の状態、（ｂ）は加圧後の状態を夫々示
している。

【００３３】図４に示される本発明の第３の実施の形態
による静水圧成形方法は、被圧縮体の構造が、第１の実
施の形態と異なる他は同様の構成を有する。

【００３４】即ち、本発明の第３の実施の形態による被
圧縮体２６は、上板５及び下板６の間に工具鋼、高速度
鋼、及びステンレス等の剛体からなる少なくとも一枚の
板体である間板２５を設け、各板体の間に、例えば、Ｍ
ｏ等の粉末７ａ，７ｂを充填して、加圧成形することに
よって、一度に複数の圧粉体１０ａ，１０ｂを得るもの
である。さらに、各層の粉末充填量を変えることによ
り、厚さの異なる圧粉体を一度に成形することも可能で
ある。

【００３５】尚、本発明の第１乃至第３の実施の形態に
おいては、原料として、Ｍｏ粉末を使用したが、原料が
粉末であれば、セラミック粉末、Ｗ等の高融点金属粉末
の成形方法、Ｃｕ／Ｗ，Ｃｕ／Ｍｏ，Ｗ／Ｎｉ／Ｃｕ，
Ｗ／Ｎｉ／Ｆｅ等の複合材、及びＭｏ／ＴｉＣ，Ａｌ／
ＳｉＣ等の複合材の製造にも適用できることは勿論であ
る。

【００３６】次に，本発明の実施の形態による半導体パ
ッケージについて説明する。

【００３７】本発明の実施の形態による半導体パッケー
ジは、半導体素子直下に、窒化アルミニウムの表裏に高
熱伝導金属板の複合基板を介して、もしくは直接放熱基
板上に搭載して形成されている半導体パッケージであ
る。

【００３８】半導体素子は、マイクロ波半導体素子やパ
ワー半導体素子からなる。

【００３９】また、放熱基板は、モリブデンの圧粉体に
質量比で３０〜４０％の銅（Ｃｕ）を溶融、染み込ませ
る含浸した板厚が０．４ｍｍ未満のＣｕ−Ｍｏ複合基板
である。この放熱基板は、熱膨張係数７．７〜９．０×
１０^−６／Ｋ，熱伝導率２００〜２２０Ｗ／ｍ・Ｋ，ヤ
ング率２２０〜２３０ＧＰａ，及び密度９．８ｇ／ｃｍ
^２以下の特性を備えている高信頼性放熱基板である。

【００４０】具体的に、この放熱基板は上記第１乃至第
３の実施の形態による静水圧成形方法において、Ｍｏ粉
末を用いてＭｏ圧粉体を得、このＭｏ圧粉体にＣｕを載
せて加熱処理して、Ｍｏ圧粉体に銅を含浸して染み込ま
せたＣｕ−Ｍｏ複合基板を得、次に、Ｃｕ−Ｍｏ複合基
板を圧延することによって、板厚が０．４ｍｍ未満の放
熱基板を得ることによって製造されている。

【００４１】次に、上記静水圧成形方法を用いた本発明
の実施の形態による放熱基板の製造の具体例について説
明する。

【００４２】（具体例１）図１に示すように、平均粒径
４μｍのモリブデン粉末を、幅９０ｍｍ、長さ１７０ｍ
ｍの割型（鉄製）に充填し、中間に鉄板を介し、１つの
割金型から２枚の成形体を得るようにして、全体をゴム
ケースに入れ、静水圧プレス（ＣＩＰ）により２．０ト
ン／ｃｍ^２の圧力で加圧した。できあがった成形体のサ
イズは９０×１７０ＸＴ１０であった。この成形体の相
対密度は約６０％であった。

【００４３】次に、モリブデンの質量比で３８％分の銅
板を先のモリブデン成形体（圧粉体）の上に乗せ、水素
雰囲気の熱処理炉の中で７００℃から徐々に昇温し、最
高温度１３００℃に達するまで加熱した。

【００４４】尚、処理最終の温度は実質的に銅が十分に
溶ける温度が必要で、１１５０℃以上が必要でかつ均一
に所定の銅量を得る為の含浸温度は、実験結果より１３
００℃を越えてはならないことが判明した。

【００４５】この含浸体のサイズは８６×１６３×Ｔ
９．６であり、Ｃｕ含浸量は３５〜３６質量％であっ
た。

【００４６】ＣＩＰ圧力と密度との関係及び同一含浸条
件（最高温度．１３００℃）に対してＣＩＰ圧力とＣｕ
含浸量との関係を下記表１に示す。

【００４７】

【表１】次に、表面のわずかな余剰銅を液体ホ−ニングで除去
し、３００℃に設定したホットプレートで温めながら温
間圧延加工を行った。圧延率は１０〜３０％で板厚Ｔ
３．３ｍｍまで圧延し、水素雰囲気炉にて８００℃で歪
み取りアニールを行い硬度Ｈｖ２００からＨｖ１６０に
した。次に、加工率を５〜１０％で板厚Ｔ１．５まで室
温で圧延して、水素雰囲気炉にて８００℃で歪み取りア
ニールを行った。さらに、加工率１０％以下で板厚Ｔ
０．５まで室温で圧延し、水素雰囲気炉にて８００℃で
歪み取りアニールを行い硬度Ｈｖ１６０〜１７０とし
た。板厚Ｔ０．５ｍｍからＴ０．２ｍｍまでは加工率１
０％以下で圧延加工をした。

【００４８】この圧延板の特性は、Ｔ０．８ｍｍの時、
平均熱膨張係数は８．５×１０^−６／Ｋ、熱伝導率は２
１０Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率は２２０ＧＰａであり、特に
熱的特性は銅量に影響される為、Ｔ０．２ｍｍまで加工
しても大幅な変動はないと推定される。

【００４９】このＴ０．２ｍｍの圧延板を幅４０ｍｍ、
長さ１５０ｍｍに切断し、打ち抜きサイズは幅１０ｍ
ｍ、長さ２５ｍｍの形状で、打ち抜き加工を行った。そ
の結果、側面のラミネーションクラック、カケ・割れ等
の欠陥もなく、また表面状態も良好であった。

【００５０】更に、はんだ付けやＡｇろう付けを考慮し
た場合、電解Ｎｉめっき、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを２〜
３μｍ施したところ、めっきフクレ等の欠陥もなく放熱
基板として使用できることが判明した。

【００５１】（具体例２）図３に示すように、粉末成形
体をドライＣＩＰで製作した場合も、同様の割金型を使
用し、全体をゴムケースに入れてドライＣＩＰで加圧し
た。ＣＩＰ圧力と密度との関係及び同一含浸条件（最高
温度１３００℃）に対するＣＩＰ圧力とＣｕ含浸量との
関係は上記表１とほぼ同様の結果であった。

【００５２】また、含浸以降圧延加工、打ち抜き加工等
について、静水圧プレスで製作した成形体と同一条件、
方法で製作した。特性等についても同様の結果であり、
半導体パッケージ（ＰＫＧ）用の放熱基板に十分適応で
きることが判明した。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
安価で且つ形状の整った圧粉体を得るための静水圧成形
方法を提供することができる。

【００５４】また、本発明によれば、前記静水圧成形方
法を用いた特性の面、加工面、厚さの面において優れた
放熱基板の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による静水圧成形方
法の説明に供せられる概略図で、（ａ）は横断面図、
（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は上断面図である。

【図２】加圧成形方法の説明に供せられる概略断面図で
ある。

【図３】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第２の実施の形態
による静水圧成形方法を概略的に示す断面図であり、
（ａ）は被圧縮体２０の断面図、（ｂ）は静圧成形装置
１７の加圧前の状態の概略断面図、（ｃ）は静圧成形装
置１７の加圧後の状態の概略断面図であり、図１（ａ）
の被圧縮体２０を乾式静圧成形法に応用した場合の概念
図を示す。

【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施の形態
による静水圧成形方法の概略を示す図で、（ａ）は加圧
前の状態、（ｂ）は加圧後の状態を夫々示している。

【図５】従来技術による粉末型押しプレス成型方法の説
明に供せられる断面図である。

【符号の説明】

１側板Ａ２側板Ｂ３側板Ｃ４側板Ｄ５上板６下板７粉末７ａ，７ｂ粉末８ゴム媒体９加圧容器１０圧粉体１０ａ，１０ｂ圧粉体１２ゴム１３水１３´ 加圧された水１４圧力容器１４ａ開口１５上ラム１６下ラム１７静圧成形装置２０被圧縮体２１加圧室２５間板２６被圧縮体５０プレス装置５１臼５２上杵５３下杵５７キャビティ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者市田晃富山県富山市岩瀬古志町２番地東京タングステン株式会社富山製作所内 (72)発明者天野良成山形県酒田市大浜二丁目１番12号酒田東京タングステン株式会社内 (72)発明者浅井清史富山県富山市岩瀬古志町２番地東京タングステン株式会社富山製作所内 (72)発明者前里英俊山形県酒田市大浜二丁目１番12号東京タングステン株式会社酒田事務所内 (72)発明者有川正富山県富山市岩瀬古志町２番地東京タングステン株式会社富山製作所内 (72)発明者崎前賢二山形県酒田市大浜二丁目１番12号東京タングステン株式会社酒田事務所内Ｆターム(参考） 4G054 AA06 BE02 BE04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも２ケに分割した側壁に囲まれ
た内面に接して２ケ以上の板体を配置し、それらの板体
の間に粉末を充填した集合体を軟質材の覆いにより覆っ
てなる複合体を造り、これを耐圧水槽に入れ静水圧を前
記軟質材の覆いの外部から働かせ、前記覆いを介し前記
板を側壁に沿って加圧して移動させ、圧粉体を得ること
を特徴とする静水圧成形方法。
【請求項２】請求項１記載の静水圧成形方法におい
て、前記複合体を前記耐圧水槽に入れる替わりに、乾式
静水圧成形装置の加圧室内に入れ加圧成形して圧粉体を
得ることを特徴とする静水圧成形方法。
【請求項３】請求項１又は２記載の静水圧成形方法に
おいて、少なくとも２ケに分割した側壁に囲まれた内面
に添って一対の板体が対向するように少なくとも２ケの
板体を配置し、その板体の間に粉末を充填した集合体に
おいて、前記対向する一対の板体間に少なくとも一枚の
板体からなる間板を設け、前記板体及び間板体の夫々の
間に粉末を充填することにより一度に複数の圧粉体を得
ることを特徴とする静水圧成形方法。
【請求項４】請求項１乃至３の内のいずれか一つに記
載の静水圧成形方法において、前記粉末はＭｏであり、
前記圧粉体はＭｏ圧粉体であることを特徴とするＭｏ圧
粉体の製造方法。
【請求項５】請求項４記載のＭｏ圧粉体の製造方法で
得られたＭｏ圧粉体にＣｕを載せて加熱処理することに
よって、前記Ｍｏ圧粉体に銅を含浸して染み込ませたＣ
ｕ−Ｍｏ複合基板を得ることを特徴とするＣｕ−Ｍｏ複
合基板の製造方法。
【請求項６】請求項５記載のＣｕ−Ｍｏ複合基板の製
造方法において製造されたＣｕ−Ｍｏ複合基板を圧延す
ることによって、板厚が０．４ｍｍ未満の放熱基板を得
ることを特徴とする放熱基板の製造方法。