DE966905C - Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme - Google Patents

Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme

Info

Publication number
DE966905C
DE966905C DEL13147A DEL0013147A DE966905C DE 966905 C DE966905 C DE 966905C DE L13147 A DEL13147 A DE L13147A DE L0013147 A DEL0013147 A DE L0013147A DE 966905 C DE966905 C DE 966905C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
removal
areas
converted
following
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEL13147A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dipl-Phys Reiner Thedieck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL13147A priority Critical patent/DE966905C/de
Priority to DEL13149A priority patent/DE969508C/de
Priority to DEL13150A priority patent/DE969748C/de
Priority to GB22435/53A priority patent/GB780723A/en
Priority to GB21704/55A priority patent/GB780724A/en
Priority to FR1088388D priority patent/FR1088388A/fr
Application granted granted Critical
Publication of DE966905C publication Critical patent/DE966905C/de
Priority to NL240519A priority patent/NL105742C/xx
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W72/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P95/00—

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
DEL13147A 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme Expired DE966905C (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL13147A DE966905C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme
DEL13149A DE969508C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung
DEL13150A DE969748C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung eines gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystems
GB22435/53A GB780723A (en) 1952-08-18 1953-08-14 A transistor
GB21704/55A GB780724A (en) 1952-08-18 1953-08-24 A method of manufacturing electric asymmetrically conductive systems
FR1088388D FR1088388A (fr) 1952-08-18 1953-09-01 Système commandé à conductibilité électrique asymétrique et procédé pour sa réalisation
NL240519A NL105742C (Direct) 1952-08-18 1959-06-23

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL13147A DE966905C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme
DEL13149A DE969508C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung
DEL13150A DE969748C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung eines gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystems

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE966905C true DE966905C (de) 1957-09-19

Family

ID=27211354

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL13147A Expired DE966905C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme
DEL13149A Expired DE969508C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung
DEL13150A Expired DE969748C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung eines gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystems

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL13149A Expired DE969508C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung
DEL13150A Expired DE969748C (de) 1952-08-18 1952-08-18 Verfahren zur Herstellung eines gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystems

Country Status (4)

Country Link
DE (3) DE966905C (Direct)
FR (1) FR1088388A (Direct)
GB (2) GB780723A (Direct)
NL (1) NL105742C (Direct)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1117222B (de) * 1958-10-23 1961-11-16 Shockley Transistor Corp Verfahren zur Herstellung eines Unipolartransistors
DE1129625B (de) * 1958-05-23 1962-05-17 Telefunken Patent Drifttransistor, bei dem der spezifische Widerstand in der Basiszone von der Emitter-zur Kollektorzone zunimmt

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1288086A (fr) * 1961-01-30 1962-03-24 Lignes Telegraph Telephon Perfectionnements aux diodes paramétriques

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2586080A (en) * 1949-10-11 1952-02-19 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive signal translating device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2502488A (en) * 1948-09-24 1950-04-04 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor amplifier
DE1635713U (de) * 1950-09-12 1952-03-13 Siemens Ag Halbleiter fuer dioden oder kristallverstaerker.

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2586080A (en) * 1949-10-11 1952-02-19 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive signal translating device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1129625B (de) * 1958-05-23 1962-05-17 Telefunken Patent Drifttransistor, bei dem der spezifische Widerstand in der Basiszone von der Emitter-zur Kollektorzone zunimmt
DE1117222B (de) * 1958-10-23 1961-11-16 Shockley Transistor Corp Verfahren zur Herstellung eines Unipolartransistors

Also Published As

Publication number Publication date
GB780723A (en) 1957-08-07
GB780724A (en) 1957-08-07
DE969748C (de) 1958-07-10
DE969508C (de) 1958-06-12
FR1088388A (fr) 1955-03-07
NL105742C (Direct) 1963-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1146982B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren
DE1018555B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere einer Kristalldiode oder eines Transistors, deren halbleitender Koerper mit wenigstens einer aufgeschmolzenen Elektrode versehen ist
DE966905C (de) Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme
DE1160547B (de) Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang
DE2654476C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Sperrschicht
DE2456515A1 (de) Elektrode fuer elektrochemische bearbeitung
DE1044287B (de) Legierungsverfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit p-n-UEbergaengen
DE2244958A1 (de) Aetzloesung
DE1496906A1 (de) Verfahren zum elektrolytischen Entzundern von Eisen und Stahl
DE1194064B (de) Verfahren zum elektrolytischen AEtzen der Ober-flaeche eines mit Legierungselektroden aus einer Bleilegierung versehenen npn-Transistors mit einem Halbleiterkoerper aus Germanium
DE1194504C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen
DE1143374B (de) Verfahren zur Abtragung der Oberflaeche eines Halbleiterkristalls und anschliessenden Kontaktierung
DE1186950C2 (de) Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper
DE682517C (de) Verfahren zum AEtzen der Elektroden von Elektrolytkondensatoren
AT214981B (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halbleiterkörpern
DE1226855B (de) Verfahren zum stromlosen Vergolden der aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehenden Elektroden einer Halbleiter-anordnung
DE1195132B (de) Verfahren zum anodischen Aufloesen eines Kupfer- oder Kupferlegierungsueberzuges auf Zirkonium oder einer Zirkoniumlegierung
DE1163975C2 (de) Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften von Halbleiteranordnungen
DE1489631A1 (de) Verfahren zur Erhoehung der Sperrspannung thermisch oxydierter Siliziumkoerper mit mindestens einer Sperrschicht
AT237751B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE1243943B (de) Verfahren zur Stabilisierung oder Steuerung der Oberflaecheneigenschaften eines kristallinen Halbleiterplaettchens
DE1960180C (de) Trager fur die negative aktive Masse von Bleiakkumulatoren
DE331178C (de) Verfahren zur elektrolytischen Reinigung einer Kupfer-Nickel-Anode in einer Nickelsulfatloesung
DE1197178B (de) Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Halbleiterkoerper
DE1033334B (de) Verfahren zur Herstellung von Gleichrichtern, Transistoren u. dgl. mit Metallkontakten nach dem Legierungs- bzw. Diffusions-Verfahren