DE919125C - Zweifach stabile Kreise mit Transistoren - Google Patents
Zweifach stabile Kreise mit TransistorenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleitersignal-Übertragungseinrichtungen,
insbesondere auf zweifach stabile Kreise mit Halbleitereinrichtungen der Art, wie sie unter dem Namen Transistoren
bekannt sind.
Transistoren der Art, wie sie als Verbindungstransistoren bekannt sind, bestehen im allgemeinen
aus einem halbleitenden Körper, z. B. aus Germanium oder Silizium, der eine Zone mit einem
Leitfähigkeitstyp (P oder N) zwischen und angrenzend an zwei Zonen mit entgegengesetztem
Leitfähigkeitstyp enthält. An den äußeren Zonen sind Steuerelektroden- und Sammelelektrodenanschlüsse
angebracht; ein dritter Anschluß, der Basiselektrode genannt wird, befindet sich an der
Mittelzone. Die verschiedenen Zonen definieren zwei Verbindungen, die hier mit Steuerelektroden-
und Sammelelektrodenverbindung bezeichnet werden. Im allgemeinen ist beim Betrieb der Einrichtung
die Sammelelektrodenverbindung in Sperrichtung bzw. in der Richtung mit hohem Widerstand und die Steuerelektrodenverbindung
in Flußrichtung bzw. in der Richtung mit niedrigem Widerstand vorgespannt.
Normalerweise, d. h. bei der Spannung Null oder bei kleinen Spannungen, die zwischen den Endzonen
eines Transistors des allgemeinen, soeben beschriebenen Aufbaus angelegt sind, ist die Impedanz
zwischen den Klemmen an diesen Zonen sehr hoch. Ferner ist bei solchen Einrichtungen
der Stromvervielfachungsfaktor verhältnismäßig klein und nähert sich im Grenzfall dem Wert Eins.
Ein allgemeiner Gegenstand der Erfindung besteht darin, neue und verbesserte Betriebskennwerte
bei Schaltelementen mit Transistoren zu erhalten. Speziellere Erfindungsgegenstände bestehen
darin, verhältnismäßig hohe Stromvervielfachungsfaktoren bei Übertragungseinrichtungen
mit Transistoren zu erreichen, eine leichte Regelung der Impedanz zwischen den Außenzonen von
Verbindungstransistoren zu ermöglichen und einen zweifach stabilen Transistorkreis zu schaffen, der
leicht von einem Zustand mit niedrigem Strom bzw. als offener Kreis in einen Zustand mit
ig hohem Strom bzw. als geschlossener Kreis übergeht.
Gemäß einem Merkmal der Erfindung wird ein Paar Transistoren von ungleichem Leitfähigkeitstyp
so verbunden, daß ein Schaltelement mit ao neuen vorteilhaften Kennwerten gebildet wird.
Gemäß einem Erfindungsmerkmal wird insbesondere ein Paar Verbindungstransistoren, von
denen nur einer NPN- und der andere PNP-Aufbau aufweist, so zusammengeschaltet, daß die
as Basiselektrode jedes Transistors mit der Sammelelektrode
des anderen verbunden ist und die Steuerelektroden jeweils mit einer Klemme eines
Klemmenpaars verbunden sind. Die Kombination, wie sie weiter unten geschildert wird, bildet einen
äquivalenten Transistor mit einem Stromvervielfachungsfaktor, der wesentlich größer als die
Faktoren der Teileinheiten ist.
Weiterhin sind bei Spannungen an den genannten Klemmen unterhalb eines gewissen Wertes
beide einzelnen Transistoren und die Kombination in einem Zustand mit niedrigem Strom. Jedoch
gehen die Einrichtungen bei Spannungen mit einer gewissen Mindestgröße plötzlich in einen Zustand
mit hohem Strom über. Somit ist die Kombination insbesondere als Schaltungssteuerelement oder
als Schalter von Nutzen, der vom Zustand als offener Kreis nach Anlegen einer Spannung von
vorgeschriebener Größe zwischen den Klemmen in einen Zustand als geschlossener Kreis übergeführt
werden kann. Die Einrichtung arbeitet in zwei Richtungen und hat in beiden Richtungen im
wesentlichen die gleichen Übertragungseigenschaften. Ferner bringt sie in einem zwischen den
Klemmen angeschlossenen Kreis im wesentlichen vernachlässigbare Verluste hervor.
Gemäß einem weiteren Erfindungsmerkmal sind Mittel vorgesehen, um die Spannung genau voreinzustellen,
die zum Kippen der Einrichtung vom Zustand mit niedrigem Strom in den Zustand mit
hohem Strom erforderlich ist. Insbesondere ist gemäß einem Erfindungsmerkmal eine Halbleiterdiode
mit einer vorgeschriebenen Zener-Spannung parallel zu einer der Verbindungen in den Transistoren
geschaltet und für Spannungen der normalen, an den genannten Klemmen aufgedrückten
Polarität in Sperrichtung gepolt.
Die Erfindung sowie ihre obengenannten und weiteren Merkmale werden klarer und vollständiger
an Hand der folgenden, ins einzelne gehenden Erläuterung und der Zeichnungen verständlich
werden.
Fig. ι ist ein Schaltbild, das ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 2, 3 und 4 zeigen weitere Ausführungen der Erfindung mit Zener-Dioden, die mit den
Transistoren verbunden sind;
Fig. 5 zeigt eine Abänderung der in Fig. 1 dargestellten
Ausführung, die insbesondere zur Erreichung niedriger Sättigungsströme geeignet ist;
Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführung der Erfindung, die insbesondere durch eine Kennlinie
mit konstantem Strom gekennzeichnet ist;
Fig. 7 ist eine graphische Darstellung, die eine typische Kennlinie eines Schaltungssteuerelements
oder Schalters zeigt, der erfindungsgemäß aufgebaut ist;
Fig. 8 ist ein Ersatzschaltbild, das später zur Untersuchung von erfindungsgemäß aufgebauten
Einrichtungen herangezogen wird.
Die in Fig. 1 dargestellte Einrichtung enthält ein Paar Verfoindungstransistoren 10 und 11, die
jeweils über Reihenwiderstände 14 und 15 zwischen ein Klemmenpaar 12 und 13 geschaltet sind.
Einer der Transistoren 10 weist PNP-Aufbau auf und enthält eine Steuerelektrode JS10, eine Basiselektrode
S10 und eine Sammelelektrode C10; der
andere hat NPN-Aufbau und enthält eine Steuerelektrode JS11, eine Basiselektrode B11 und eine
Sammelelektrode C11. Der erstere enthält die Steuerelektroden- und Sammelelektrodenverbindüngen
J1 und Z2 und der letztere die Steuerelektroden-
und Sammelelektrodenverbindungen J3 und Z4. Beide Transistoren haben vorteilhafterweise
Einkristallaufbau; ihr Halbleiterkörper besteht aus Germanium oder Silizium. Ferner besitzen
die beiden Transistoren vorteilhafterweise im wesentlichen die gleichen Betriebskennlinien,
selbstverständlich mit Ausnahme der Polungen. Zwischen die Klemmen 12 und 13 ist in Reihe
mit einer durch den Widerstand 17 dargestellten Belastung eine Quelle 16 geschaltet, wie sich aus
der Zeichnung ergibt. Die Klemmen 12 und 13 können z. B. die Kreuzungspunkte in einem Telefonschaltsystem
sein.
Es kann leicht gezeigt werden, daß die Kornbination der beiden gemäß Fig. 1 verbundenen
Transistoren unter Weglassen der Widerstände 14 und 15 im wesentlichen dem in Fig. 8 gezeichneten
Kreis äquivalent ist. In dieser Figur sind i?£l0
und Re11 die Widerstände der S teuer elektrodenverbindungen
J1 und J3, ferner sind Rc 10 und Rq n
die Widerstände der Sammelelektrodenverbindungen J2 und Z4; Ct1 und O2 sind die Stromvervielfachungsfaktoren
der Transistoren 10 und 11, so daß der äquivalente Kreis zwei Stromgeneratoren
Jg10 und O2Zg11 enthält, die jeweils die entsprechende
Sammelelektrodenverbindung überbrücken.
Für den Fall, daß Zi10 als Steuerelektrodenklemme,
Zi11 als Sammelelektrodenklemme und B10
als Basiselektrodenklemme verwendet wird, kann
gezeigt werden, daß die in Fig. ι gezeichnete und
in Fig. 8 dargestellte Kombination von zwei Transistoren einen äquivalenten Transistor mit einem
äquivalenten Stromvervielfachungsfaktor α bildet, der durch folgende Beziehung gegeben ist:
α =
ι —αχ
Hieraus ergibt sich, wenn man sich erinnert, ίο daß sowohl Ct1 als auch a2 ihrer Natur nach kleiner
als Eins sind, daß der Stromvervielfachungsfaktor α für die Kombination wesentlich größer
als derjenige eines der Transistoren io oder ii
allein ist. Zum Beispiel ist, wenn
O1 = a2 = 0,9 ist, α = g.
Der Sammelelektrodenwiderstand Rc für den
äquivalenten Transistor ist gegeben durch die Gleichung
e 11
c 10
Mit Bezugnahme auf Fig. ι sei bemerkt, daß bei der dargestellten Polung der Quelle i6 wenig-
s5 stens eine in Sperrichtung vorgespannte Verbindung
in jedem Strom weg liegt, der sich zwischen den Klemmen 12 und 13 und über die Transistoren
verfolgen läßt. Zum Beispiel sind die Verbindungen J2 und /4 bei der in der Figur angegebenen
Polung der Quelle 16 in Sperrichtung bzw. in der Richtung mit hohem Widerstand vorgespannt,
und wenigstens eine der Verbindungen liegt in jedem Stromweg der Kombination. Es
ist offensichtlich, daß dann normalerweise die Kombination der Transistoren 10 und 11 eine hohe
Impedanz zwischen den Klemmen 12 und 13 darstellt, d. h. sie ist im Zustand mit niedrigem Strom
bzw. als offener Kreis.
Eine kurze, sozusagen empirische Untersuchung des Kreises der Fig. 1 wird genügen, um
festzustellen, daß die Kombination der beiden Transistoren im Zustand mit niedrigem Strom
stabil ist und daß sie außerdem einen stabilen Zustand mit hohem Strom hat. Bei niedrigen Strömen
♦5 sind die Spannungsabfälle an den Widerständen 14
und 15 vernachlässigbar, so daß die Steuerelektrodenvorspannung für jeden Transistor 10 und 11 im
wesentlichen Null ist. Zum Beispiel können in einem typischen Fall die Sammelelektroden-Sättigungsströme
der Transistoren 10 und 11 größenordnungsmäßig
io~~5 Amp. sein. Wenn z. B. die
Widerstände 14 und 15 je 100 0hm sind, beträgt
der Spannungsabfall an jedem Widerstand bei dem genannten Sammelelektrodensättigungsstrom nur
io~3 Volt, so daß eine so kleine Steuerelektrodenvorspannung
vorhanden ist, daß sich keine Instabilität ergibt.
Wenn die Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 erhöht wird, werden die Ströme größer,
die durch die in Sperrichtung vorgespannten Verbindungen fließen. Dieser Strom geht durch die
Widerstände 15 und 14, wodurch die Vorspannung an den Steuerelektroden E10 und E11 gegen die
entsprechenden Basiselektroden B10 und S11 anwächst.
Wenn z. B. der Strom in der Kombination größenordnungsmäßig 20 mAmp. beträgt und die
Transistoren jeweils ein α von 0,8 oder mehr aufweisen, wird der Spannungsabfall an den Widerständen
15 und 14 größenordnungsmäßig 1 Volt, und eine wesentliche Vorspannung in Fluß richtung
entsteht an der Steuerelektrode der Transistoren. Das sich ergebende Anwachsen des Steuerelektrodenstroms
hat eine Änderung des Sammelelektrodenstroms zur Folge. Dies bewirkt wiederum eine Änderung der Steuerelektrodenvorspannung
mit einer daraus folgenden Änderung des Steuerelektrodenstroms. Die Kombination geht über
einen unstabilen Zustand in einen stabilen Zustand mit hohem Strom über. In erster Näherung sind
beim letzteren Zustand die Widerstandswerte der Transistoren 10 und 11 und die der Widerstände 14
und 15 vergleichbar. Genauer ist der Strom, der zum Halten der Kombination im Zustand mit
hohem Strom erforderlich ist, im wesentlichen der Strom, welcher notwendig ist, um eine Spannungsverstärkung
in der Schleife von S10 über C10 und
S11 nach C11 zu erhalten. In erster Annäherung
wird diese Bedingung erreicht, wenn eine Spannungsverstärkung von der Basiselektrode zur
Sammelelektrode bei jedem Transistor vorhanden ist. Diese Bedingung entspricht etwa gR
> 1, wobei g die Steilheit und R die Belastung ist. Für
einen Verbindungstransistor ist die Steilheit annähernd proportional dem Sammelelektrodenstrom
bei normalen Arbeitsbedingungen. Dies führt zu dem Ergebnis, daß der Strom in jedem Transistor,
der zum Halten der Kombination im Zustand mit hohem Strom erforderlich ist, annähernd ist
T __
wobei /o der Sammelelektrodensättigungsstrom des Transistors 11 ist, wenn die Vorspannung Steuerelektrode-Basiselektrode
Null ist, ^11 die Steilheit
des Transistors 11 bei Vorspannung Steuerelektrode-Basiselektrode
Null ist und Ru der Wert des Widerstandes 14 ist.
Die Stromspannungskennlinie der Kombination der Transistoren 10 und 11 ist in Fig. 7 graphisch
aufgetragen, wobei sowohl Strom als auch Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 gemessen
sind. Wie dargestellt, wächst der Strom bei Anwachsen der Spannung V von Null aus nur wenig,
bis eine Maximalspannung erreicht ist. Der Widerstand ist offensichtlich groß. Wenn die Maximalspannung
erreicht ist, geht die Einrichtung plötzlich vom Zustand mit niedrigem Strom und großem
Widerstand über einen Bereich N mit negativem Widerstand in einen Zustand H mit hohem Strom
und kleinem Widerstand über. iao
Somit wird ersichtlich, daß die in Fig. 1 dargestellte
Transistorkombination in der Tat von einem Zustand als im wesentlichen offener Kreis (niedriger
Strom) in einen Zustand als geschlossener Kreis (hoher Strom) gekippt werden kann, und zwar 1*5
durch Anlegen einer Spannung von vorgegebener
Größe zwischen den Klemmen 12 und 13, nämlich
der Maximalspannung.
Die Spannung oder der Strom, die den Übergang der Kombination nach Fig. 1 vom Zustand als
offener Kreis in den Zustand als geschlossener Kreis bewirken können, hängen von einer Anzahl
Faktoren ab, wie das α, der Sammelelektrodenwiderstand,
die Steuerelektroden- und Sammelelektrodenströme und das Verhältnis zwischen diesen
Faktoren. Jedoch ist gemäß einem Merkmal der Erfindung der Punkt, bei dem der Kreis kippt,
genau bei einem gewünschten Wert vorbestimmt. Insbesondere ist bei einer in Fig. 2 dargestellten
Ausführung eine Halbleiterverbindungsdiode 18, z. B. aus Germanium oder Silizium, in Reihe mit
dem Widerstand 15 zwischen die Klemmen 12 und 13 geschaltet. Diese Diode ist, wie in Fig. 2 angegeben
ist, in bezug auf die Polarität der zwischen den Klemmen angelegten Spannung in Sperrichtung
ao gepolt. Ferner hat die Diode eine vorbestimmte Zener-Spannung. Bekanntlich ist unterhalb dieser
Spannung der Sperrstrom der Diode sehr klein. Wenn aber diese Spannung erreicht ist, nimmt der
Strom plötzlich zu. Wenn also eine so große Spanas nung zwischen den Klemmen 12 und 13 aufgedrückt
wird, daß die Diode 18 in den Zener-Bereich gebracht wird, fließt ein großer Strom durch den
Widerstand 15, und es wird eine wesentliche Vorspannung in Flußrichtung an die Steuerelektrode
E11 des Transistors 11 angelegt, und der Sammelelektrodenstrom
des letzteren wird wesentlich. Infolgedessen wächst der Spannungsabfall am Widerstand
14, wobei die Vorspannung der Steuerelektrode E10 des Transistors 10 erhöht wird, so daß
der letztere in den Zustand mit hohem Strom gebracht wird. Wenn also die Zener-Spannung an der
Diode 18 erreicht ist, kippt in der Tat die Kombination der Transistoren 10 und 11 vom Zustand
als offener Kreis in den Zustand als geschlossener Kreis.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführung der Erfindung ist die Diode 18 in Reihe mit beiden
Widerständen 14 und 15 geschaltet, so daß, wenn
die Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 so groß ist, daß die Zener-Spannung an der Diode
liegt, der entstehende große Strom, der durch die Widerstände 14 und 15 fließt, solche Vorspannungen
an den S teuer elektroden beider Transistoren hervorbringt, daß beide Transistoren und ihre Kombination
vom Zustand mit niedrigem Strom in den Zustand mit hohem Strom übergehen.
Es sei bemerkt, daß bei den bisher beschriebenen Ausführungen der Erfindung die Einrichtung, wenn
sie erst einmal in den Zustand mit hohem Strom bzw. als geschlossener Kreis gekippt ist, in diesem
Zustand bleibt, bis die Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 im wesentlichen auf Null herabgesetzt
wird. Ferner sei bemerkt, daß bei den in den Fig. 2 und 3 dargestellten Ausführungen die
Einrichtung bei jeder gewünschten Spannung zum Kippen gebracht werden kann, indem die Zener-Spannung
gleich der gewünschten Kippspannung gemacht wird.
Fig. 4 zeigt eine andere Ausführung der Erfindung, die besonders vorteilhaft zur Verwendung
bei kleinen Erregerströmen kurzer Dauer ist. Wie bei der in Fig. 2 dargestellten Ausführung liegt bei
der Ausführung in Fig. 4 die Zener-Diode in Reihe mit dem Widerstand 15. Jedoch ist der Widerstand
15 über einen Widerstand 20 durch den Kondensator 19 überbrückt. Der Widerstand 15 ist im Vergleich
zu jedem der Widerstände 14 und 20 verhältnismäßig klein, während der Widerstand 14
groß ist.
Wegen des verhältnismäßig großen Wertes des Widerstandes 14 im Vergleich zu seinem Wert
bei den vorher beschriebenen Ausführungen erhält man in der vorher genannten Schleife eine größere
Verstärkung. Wenn die Zener-Spannung an der Diode 18 erreicht ist, geht der Transistor 11 in den
Zustand mit hohem Strom über, wie aus der vorangegangenen Schilderung ersichtlich ist, und die
Kombination der Transistoren kippt ebenfalls in den Zustand als geschlossener Kreis. Auch wenn
die Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 auf einen niedrigen Wert fällt, bevor der Übergang
zum Zustand mit hohem Strom beendet ist, entsteht dieser Zustand, weil der Widerstand 15 den
Kondensator 19 wegen des verhältnismäßig großen Wertes des Widerstandes 20 langsam entlädt. Der
Spannungsabfall bei dem Zustand mit hohem Strom ist klein, weil ein Stromweg mit kleinem Widerstandswert
über den Widerstand 15 vorhanden ist. Bei der in Fig. 5 dargestellten Ausführung der Erfindung
ist eine Zener-Diode 18 zwischen jede Steuerelektrode und die entsprechenden Klemmen
12 und 13 geschaltet, die für Spannungen normaler Polarität zwischen den Klemmen 12 und 13 in
Sperrichtung gepolt ist. Jede Diode wirkt als hohe Impedanz für kleine Steuerelektrodenspannungen,
so daß der Sammelelektrodenstrom bei niedrigen Spannungen herabgesetzt wird. Wenn die Zener-Spannung
an der Diode erreicht ist, bildet diese eine kleine Impedanz. Die Zener-Spannung soll
selbstverständlich klein sein, und zwar viel kleiner als die Spannung, die zum Kippen der Transistorkombination
z. B. nach Fig. 1 vom Zustand mit niedrigem Strom in den Zustand mit hohem Strom
erforderlich ist. Im Zustand mit hohem Strom ist die aufrechterhaltende Spannung größer als die
Summe der Spannungen der Zener-Dioden in den S teuerelektrodenkreisen.
Die Erfindung kann auch dazu verwendet werden, um einen Kreis mit im wesentlichen konstantem
Strom zu schaffen, von dem eine Form in Fig. 6 dargestellt ist. Wie aus dieser Figur zu ersehen
ist, ist je eine Zener-Diode x8A und xSB
zwischen Basiselektrode und Steuerelektrode jedes der Transistoren 10 und 11 über je einen Widerstand
21A und 21B geschaltet. Im Zustand mit iao
hohem Strom ist jede der Dioden mit ihrer kritischen Spannung vorgespannt, die groß im Vergleich
zur Vorspannung Steuerelektrode-Basiselektrode ist. Infolgedessen ist der Steuerelektrodenstrom
des Transistors 11 durch die kritische Spannung
der Diode 18 B dividiert durch den Wert des
Widerstandes 2i ß bestimmt. Wenn der Transistor
11 eine hohe Sammelelektrodenimpedanz hat, ist der Sammelelektrodenstrom im wesentlichen α mal
dem Steuerelektrodenstrom und hat somit einen Wert, der unabhängig von der zwischen den Klemmen
12 und 13 liegenden Spannung ist, vorausgesetzt, daß diese groß genug ist, um die kritischen
Spannungen an den Dioden 18A und i85 hervorzubringen.
Die gleichen Betrachtungen gelten für den Transistor 10. Der Strom durch den Kreis ist
somit unabhängig von der Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13. Der Übergang in den Zustand
mit hohem Strom kann in derselben Weise stattfinden, wie bei Fig. 1 beschrieben wurde, wenn die
Verstärkung in den Rückkopplungsschleifen klein genug ist. Andererseits wird, wenn die Dioden 18 A
und 18 B eine genügend hohe Impedanz bei kleiner Spannung haben, der Zustand mit hohem Strom
auch bei niedrigen Spannungen vorhanden sein,
ao und der Strom wird anwachsen, bis die kritischen Spannungen überschritten sind, wonach er gesättigt
sein wird.
Wenn auch die Erfindung bis hierher unter besonderer Bezugnahme auf Einrichtungen mit Veras
bindungstransistoren beschrieben wurde, so kann sie auch bei Verwendung von Punktkontakttransistoren
oder Punktverbindungstransistoren oder Kombinationen von Transistoren verschiedener Art
durchgeführt werden. In diesem Zusammenhang sei erwähnt, daß ein NPN-Verbindungstransistor
schaltungsgemäß das Gegenstück eines Punktkontakttransistors ist, dessen Halbleiterkörper P-Leitfähigkeit
besitzt, wobei beide Einrichtungen als P-Typ-Transistoren bezeichnet werden können.
Ebenso sind ein PNP-Verbindungstransistor und ein Punktkontakttransistor mit einem Halbleiterkörper
mit N-Leitfähigkeit analog und können als N-Typ-Transistoren bezeichnet werden.
Wenn auch spezielle Ausführungen der Erfindung beschrieben und dargestellt wurden, so ist es
doch selbstverständlich, daß diese nur als Beispiele gedacht sind und daß verschiedene Abänderungen
vorgenommen werden können, ohne daß man sich vom Wesen und Ziel der Erfindung entfernt.
Claims (8)
- PATENTANSPRÜCHE:I. Signalübertragungseinrichtung, die ein Paar Transistoren enthält, von denen jeder eine Basiselektrode, eine Sammelelektrode und eine Steuerelektrode aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp besitzen, wobei die Basiselektrode eines jeden Transistors mit der Sammelelektrode des anderen verbunden und eine gemeinsame Spannungsquelle zwischen die Steuerelektroden des Transistorpaars geschaltet ist.
- 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand zwischen die Basiselektrode und die Steuerelektrode jedes Transistors geschaltet ist.
- 3. Einrichtung nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Diode zwischen die S teuer elektroden des Transistorpaars geschaltet ist, wobei die Diode in bezug auf Spannungen, die durch die gemeinsame Quelle zwecks Vorspannung der beiden Steuerelektroden in Flußrichtung angelegt sind, in Sperrichtung gepolt ist und die Diode eine vorbestimmte Zener-Spannung hat.
- 4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode auch zwischen die Steuerelektrode und die Sammelelektrode eines der beiden Transistoren geschaltet ist.
- 5. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode auch zwischen die Sammelelektroden der beiden Transistoren geschaltet ist.
- 6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der eine der beiden Transistoren ein PNP-Verbindungstransistor und der andere ein NPN-Verbindungstransistor ist und daß jeder Widerstand parallel zu der entsprechenden Steuerelektrodenverbindung geschaltet ist.
- 7. Einrichtung nach Anspruch 6, bei der die Diode auch zwischen die Steuerelektrode und die Sammelelektrode einer der beiden Transistoren geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator die Steuerelektrodenverbindung des anderen der beiden Transistoren überbrückt und ein zusätzlicher Widerstand zwischen die Kondensatorklemmen und den zu dieser Steuerelektrodenverbindung gehörigen Widerstand geschaltet ist.
- 8. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Dioden jeweils die Steuerelektrodenverbindung eines der beiden Transistoren und den zugehörigen Widerstand überbrücken, wobei jede Einrichtung eine vorbestimmte Zener-Spannung hat und entgegengesetzt wie die entsprechende Steuerelektrodenverbindung gepolt ist.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen9554 10.54
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