DE895199C - Kontaktdetektor - Google Patents

Kontaktdetektor

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DE895199C
DE895199C DET5293D DET0005293D DE895199C DE 895199 C DE895199 C DE 895199C DE T5293 D DET5293 D DE T5293D DE T0005293 D DET0005293 D DE T0005293D DE 895199 C DE895199 C DE 895199C
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DE
Germany
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layer
germanium
contact detector
crystalline
electrode
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Expired
Application number
DET5293D
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English (en)
Inventor
Otto Dr Phil Hachenberg
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Telefunken AG
Original Assignee
Telefunken AG
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Publication date
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

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Description

  • Alps Empfangs- oder Mischgleichriehter für elektromagnetische Weihen; sehr hoher Frequenz, z. B. für Zentimeterwellen, werden vielfiaoh Kontaktdetektoren verwendet. Bei der Auswahl eines Kontaktdetektors .ist außer seiner Richtwirkung auch sein Wiederstand im. der Durchlaßrichtung zu berücksichtigen, um eine Anpassung ran den, Widerstand .des Schwingungskreises, an den der Detektor angeschlossen ist, =erzielen. Die für sehr schnelle elektromragnetische Schwingungen zur Verfügung stehenden Resonanzkreise und Leitungen haben, im allgemeinen einen niedrigen Resonanz- ,bow. WelJenwi@derstand, so idaß es erwünscht ist, @daß der Detektor @in edier Durchlaßrichtung ebenfalls "einen verhältnismäßig kleinen Leitwiderstand aufweist. Es hat sich nun gezeigt, idaß Kontaktdetektoren, die aus einem Germaniumkristalil und' einer gegen ihn gerichteten; Metallspitze bestehen, zwar eine gute Richtwirkung, aber einen unerwünscht großen Durchl.aßwidersroand aufweisen. Die vorliegende Erfindung verfolgt Idas Ziel, den Durohlaßwiderstand einfies solchen Detektors herabzusetzen.
  • Gemäß der Erfindung ist,die aus Germanium bestehende Elektrode eines; Kontaktdetektors zur Gleichrichtung elektromagnetischer Schwingungen sehr hoher Frequenz aus einer auf einer leitenden Unterlage aufgebrachten kristallinen Germaniumschicht und einer diese bedeckenden Schicht aus amorphem Germanium zusammengesetzt. Während -der Leitwilderstand der kristallinen Schicht sehr klein ist, kann man die Dicke eider amorph en Schicht, die einem erheblich größeren spezifischen Wiederstand aufweüst, so. gering halten:, daß edier gesvmte Leitwiderstand ein der Durchlaßrichtung nicht größ r ist als etwa einige hundert Ohm: Unter Berücksichtigung der unvermeidlichen Kapiazität und Induktivität ides Detektors imgibt -sich dabei eine gute Anpassung an den für Hohlraumwellenleiter üblichen Wellenwiiderstand von etwa 7o Ohm.
  • In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel schematisch im Schnitt idiargestellt. Auf einer leitenden Unterlage i, z. B. einer Metiallp.liatte aus Kupfer oder Silber, wind eine German@iums.chicht ä aufgetragen, insbesondere-aufigedampft,welchekristallin sein soll. Um dies zu erreidhen, wird die Metallplatte i entweder während ides Aufdamp.fens .dies Germaniums odeir nachher so hoch erhitzt, daß die Germaniumschicht schmilzt und beim Erstarren kristallin wind. Die Dicke dieser Schicht beträgt beispielsweise einige ,u, ist jedoch völlig umkritisch, datier Widerstand einer solchen Schicht nur wenige Ohm betrigt. Auf id'ie kristalline Germmiumschicht wird nun eine amorphe Germaniumschicht 3 aufgebracht, vorzugsweise ebwnfal.ls aufgedampft: Die Dicke idieser Schicht wind idurch entsprechende Wahl ,der Verdampfungsges-chwindigkeit und Ver-,dampfungszeiit @so bemessen, daß der Wiederstand des Detektors -in edier Durchlaßrichtung nur einige hundert Ohara beträgt. Im Betriebe wird gegen dic amorphe Germannumschicht die Spitze eines Drahtes 4 gerichtet, der beispielsweise aus Wolfram order Molyibdän besteht.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE: a<. Kontaktdetektor zur Gleichrichtung elektromagnetischer Schwingungen sehr hoher Frequenz, z. B. von Zentimeterwellen, desisen eine Elektrode ,aus Germawium besteht, d-aldurch gekennzeichnet, idaß diese Elektr ade aus einer auf einer leitenden Unterhage aufgebrachten kri:stal-Iinen Germafniumschicht und einer diese be-.deckenden Schicht von amorphem Germanium besteht.
  2. 2. Kontaktdetektor nach Anspruch i, gekennzeichnet idurch eine solche Dicke ider amorphen Schicht, daß der Leitwiderstand,des Detektors in der Durchlaßrichtung einige hundert Ohm nicht überschreitet, insbesondere etwa 5-01o Ohm beiträgt.
  3. 3. Kontaktidetektor nraoh Anspruch i, idadurch gekennzeichnet, id@aß idie Gegenelektrode eine Spitze aus Molyibdän oder Wolfram risst.
  4. 4. Verfahren zur Herstellung einer Germaniumelektroide für einen Koataktdeitektor gemäß Anspruch i, Üaduroh gekennezeichnet, daß die, kristalliine Schicht durch Aufdampfen von Germanium auf einte heiße leitende Unterhage hergestellt wird.
  5. 5. Verfahren. zur Herstellung einer Germianiumelektrode für einen Kontaktdetektor gemäß Anspruch i, idafdurdh gekennzeichnet, daß :die kristalline Schicht durch Aufdampfen von Germanium auf eine lenteüde Unterloge und anschließende Erhitzung derselben bis zum Schmelzen- der Gernn@aniumschiicht -hergestellt wird.
DET5293D 1945-04-19 1945-04-20 Kontaktdetektor Expired DE895199C (de)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1107343B (de) * 1954-10-14 1961-05-25 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen von elektrischen Halbleiteranordnungen
DE1173994B (de) * 1961-05-26 1964-07-16 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleiteranordnungen
DE1185896B (de) * 1960-02-20 1965-01-21 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Stabilisieren der Oberflaeche von Halbleiterkoerpern mit p-n-UEbergaengen
DE1231824B (de) * 1964-07-04 1967-01-05 Danfoss As Kontaktanordnung fuer ein elektronisches Festkoerperschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1286657C2 (de) * 1965-12-07 1974-11-14 Danfoss A/S, Nordborg (Dänemark) Verfahren zur herstellung eines bistabilen halbleiter-schaltelements und danach hergestelltes halbleiter-schaltelement

Cited By (6)

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