DE1027798B - Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Koerper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Koerper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren

Info

Publication number
DE1027798B
DE1027798B DEN9891A DEN0009891A DE1027798B DE 1027798 B DE1027798 B DE 1027798B DE N9891 A DEN9891 A DE N9891A DE N0009891 A DEN0009891 A DE N0009891A DE 1027798 B DE1027798 B DE 1027798B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
transistors
contain
production
electrode systems
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN9891A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Coenraad Van Vessem
Theodorus Le Grand
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1027798B publication Critical patent/DE1027798B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C44/00—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles
    • B29C44/20—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles for articles of indefinite length
    • B29C44/32—Incorporating or moulding on preformed parts, e.g. linings, inserts or reinforcements
    • B29C44/322—Incorporating or moulding on preformed parts, e.g. linings, inserts or reinforcements the preformed parts being elongated inserts, e.g. cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/06—Insulating conductors or cables
    • H01B13/14—Insulating conductors or cables by extrusion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Lubricants (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Körper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren, bei denen ein Teil der Oberfläche dieses Körpers z. B. durch Schleifen und/oder Ätzen gereinigt wird. Es ist üblich, die halbleitenden Körper, welche z. B. aus Germanium oder Silizium bestehen können, einer solchen Reinigung zu unterwerfen, bevor die Systeme weiter aufgebaut werden, z. B. mit weiteren Elektroden versehen und in einer Hülle untergebracht werden.
Die elektrischen Eigenschaften der fertiggestellten Systeme können aber größere Unterschiede aufweisen, was naturgemäß unerwünscht ist; der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß diese Unterschiede größtenteils auf atmosphärische Einflüsse auf den halbleitenden Körper während des Zeitverlaufs zwischen der Reinigung und dem weiteren Aufbau, also dem Anbringen von weiteren Elektroden und dem Unterbringen in einer Hülle, zurückzuführen sind.
Die Erfindung bezweckt unter anderem, diese Nachteile zu beseitigen und die Herstellung eines gleichmäßigen Erzeugnisses zu ermöglichen.
Nach der Erfindung wird die gereinigte Oberfläche des halbleitenden Körpers sofort nach dem Reinigen mit einer dichten Isolierschicht überdeckt, durch welche Schicht wenigstens ein Spitzenkontakt hindurchgedrückt wird und welche alsdann mit einer viskosen Schicht überdeckt wird. Auf diese Weise wird daher der Einfluß der Atmosphäre auf die erwähnte Oberfläche nahezu völlig beseitigt.
Geeignete Stoffe zur Herstellung der ersten, dichten Schicht sind Zelluloseester, Polystyrol, Alkydharze. Polyisobutylol und viele andere. Die viskose Schicht besteht z.B. aus sogenanntem Silikonvakuumfett.
Die viskose Schicht kann durch Zentrifugieren an die feste Isolierschicht angedrückt werden und ist vorzugsweise viel dicker als die feste Schicht.
Die Erfindung wird an Hand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Die Fig. 1 bis 6 zeigen schematisch die verschiedenen Herstellungsphasen einer Diode mit einem Spitzenkontakt (Spitzenelektrode).
Als Ausgangserzeugnis für die Diode ist ein Germaniumkügelchen 10 gewählt, welches auf galvanischem Wege mit einer dünnen Kupferschicht 11 versehen wurde (Fig. 1). Das Stück 10 wird auf dem Kopf eines Trägers 12 mit einem z. B. aus Zinn bestehenden Lötmittel 13 befestigt (Fig. 2). Darauf wird auf der vom Träger abgekehrten Seite des Germaniumstückes 10 eine ebene Fläche 14 angeschliffen (Fig. 3). Die Kupferschicht ist nicht mehr dargestellt.
Verfahren zur Herstellung
von Elektrodensystemen,
die einen halbleitenden Körper enthalten,
insbesondere Kristalldioden
oder Transistoren
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 15. Dezember 1953 und 20. April 1954
Jan Coenraad van Vessem und Theodoras le Grand,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
Darauf wird das Ganze auf die übliche Weise geätzt, so daß eine gereinigte Oberfläche 15 entsteht (Fig. 4). Alsdann wird das Trägerende mit einer dichten Schicht 16 versehen, z. B. dadurch, daß der Träger in einer Lösung von Polystyrol in Benzol eingetaucht oder mit einer solchen Lösung bespritzt wird (Fig. 5).
Die so entstandene Elektrode mit Träger ist gegen
atmosphärische Einflüsse geschützt.
Schließlich wird der Träger 12 mit dem halbleitenden Körper 10 in eine Hülle 17 eingebaut, die z. B. aus Glas besteht. Eine zweite Elektrode in Form einer Spitze 18, die auf einem Träger 19 befestigt ist, kann unbedenklich durch die Schicht 16 hindurchgedrückt werden. Die beiden Träger sind hier in im Glas eingeschmolzenen Metallröhrchen 20 festgelötet. In diediesem Fall bietet die Anwendung der dichten Schicht 16 noch den besonderen Vorteil, daß der halbleitende Körper auch vor der Einwirkung von Dampf geschützt ist, der sich aus dem beim Löten verwendeten Flußmittel entwickeln kann.
Zuvor wurde jedoch die dichte und feste Schicht 16 mit einer viskosen Schicht 21 überdeckt. Diese Schicht kann z. B. aus sogenanntem Silikonvakuumfett be-
709 959/335
stehen, einer aus Polymethylsiloxanen bestehenden Masse. Die Schicht 21 #ird vorzugsweise nach dem Einbringen in die Hülle durch Zentrifugieren um eine senkrecht zur Längsachse X-X der Diode stehende Achse Y-Y fest angedrückt. .
Es sei bemerkt, daß es bekannt ist, einen Träger mit einem auf diesem befestigten halbleitenden Körper mit einer Isolierschicht zu versehen. Diese Schicht wurde aber vor dem Schleifen oder Reinigen des Körpers angebracht, so daß in diesem Fall die Isolierschicht keinen schützenden Einfluß auf die gereinigte Oberfläche ausübte. Es ist ebenfalls bekannt, eine auf einem Kristall angeordnete Isolierschicht zu durchlöchern und in dem Loch sowie daneben auf die Schicht eine metallene Schicht aufzudampfen. Auch ist es bekannt, die Spitzenkontakte von Dioden oder Transistoren nach dem Aufsetzen auf den halbleitenden Körper in eine Isoliermasse einzubetten, entweder zu ihrer besseren Befestigung oder zur Beseitigung atmosphärischer Einflüsse. In diesem Fall wird der schädliche Einfluß der Atmosphäre während des Zeitverlaufs zwischen dem Reinigen der halbleitenden Oberfläche und dem weiteren Aufbau ebenfalls nicht ausgeschaltet.
Dieser Einfluß wird ausgeschaltet bei einem bekannten Verfahren, wobei die Kristalle völlig vernickelt oder verkupfert werden; es wurde diese Schicht wieder entfernt und durch eine Schicht aus Spezialfett ersetzt. Das Verfahren gemäß der Erfindung unterscheidet sich hiervon, indem es bei Verwendung der dichten isolierenden Schicht nicht nötig ist, diese zu entfernen.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Körper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren, bei denen ein Teil der Oberfläche dieses Körpers z. B. durch Schleifen und/oder Ätzen gereinigt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die erwähnte Oberfläche sofort nach dem Reinigen mit einer dichten Isolierschicht bedeckt wird, durch welche Schicht wenigstens ein Spitzenkontakt hindurchgedrückt wird und welche alsdann mit einer viskosen Schicht überdeckt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die viskose Schicht durch Zentrifugieren andie feste Isolierschicht angedrückt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine viskose Schicht aus SiIikonvakuumfett verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für die dichte und formfeste Schicht ein Zelluloseester verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
'Radio-Magazin, H. 9, September 1953, S. 310;
Journal of Applied Physics, Bd. 24 (1953), Februar, S. 228.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 709 959/335 4.
DEN9891A 1953-12-15 1954-12-13 Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Koerper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren Pending DE1027798B (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL786277X 1953-12-15
NL2948050X 1954-04-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1027798B true DE1027798B (de) 1958-04-10

Family

ID=32396400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN9891A Pending DE1027798B (de) 1953-12-15 1954-12-13 Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Koerper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren

Country Status (5)

Country Link
US (1) US2948050A (de)
DE (1) DE1027798B (de)
FR (1) FR1115395A (de)
GB (1) GB786277A (de)
NL (4) NL99787C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1183608B (de) * 1961-11-13 1964-12-17 Philips Nv Photozelle mit einer isolierenden flachen Glashuelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1184017B (de) * 1961-03-10 1964-12-23 Intermetall Verfahren zum Herstellen von die pn-UEbergaenge in Halbleiteranordnungen schuetzenden UEberzuegen aus Silikonharz

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB936181A (en) * 1959-05-19 1963-09-04 Nat Res Dev Improvements in and relating to solid-state electrical devices
US3212159A (en) * 1959-08-26 1965-10-19 Grassl Ludwig Method of producing miniature semiconductor structures
US3210623A (en) * 1960-12-27 1965-10-05 Nippon Electric Co Electronically-conducting semi-conductor devices having a soldered joint with the terminal conductor of a point contact electrode thereof
US3221221A (en) * 1961-05-31 1965-11-30 Nippon Electric Co Point contact detector
DE1244966B (de) * 1962-01-17 1967-07-20 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von oberflaechenstabilisierten Halbleiterbauelementen
US3261076A (en) * 1962-01-26 1966-07-19 Philips Corp Method of manufacturing photoelectric cell
CN104362140B (zh) * 2014-10-11 2017-01-25 东莞市柏尔电子科技有限公司 一种电流量可选的二极管组

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1581401A (en) * 1922-06-13 1926-04-20 Cello Products Inc Method of and means for hermetically sealing containers
US1851509A (en) * 1929-10-28 1932-03-29 Crawford Mcgregor & Canby Co Method of coating articles with pyroxylin
US2312710A (en) * 1940-03-18 1943-03-02 Albany Felt Co Mechanical fabric
US2406405A (en) * 1941-05-19 1946-08-27 Sperry Gyroscope Co Inc Coaxial condenser crystal and method of making same
US2419561A (en) * 1941-08-20 1947-04-29 Gen Electric Co Ltd Crystal contact of which one element is mainly silicon
US2442179A (en) * 1942-10-21 1948-05-25 Dewey And Almy Chem Comp Crown closure lining machine
US2741686A (en) * 1947-04-24 1956-04-10 Gen Electric Electric resistor
US2748326A (en) * 1950-03-28 1956-05-29 Sylvania Electric Prod Semiconductor translators and processing
US2829422A (en) * 1952-05-21 1958-04-08 Bell Telephone Labor Inc Methods of fabricating semiconductor signal translating devices
US2751529A (en) * 1952-08-26 1956-06-19 Philco Corp Point contact semiconductive device
US2857560A (en) * 1955-12-20 1958-10-21 Philco Corp Semiconductor unit and method of making it

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1184017B (de) * 1961-03-10 1964-12-23 Intermetall Verfahren zum Herstellen von die pn-UEbergaenge in Halbleiteranordnungen schuetzenden UEberzuegen aus Silikonharz
DE1183608B (de) * 1961-11-13 1964-12-17 Philips Nv Photozelle mit einer isolierenden flachen Glashuelle und Verfahren zu ihrer Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
NL183627B (nl)
GB786277A (en) 1957-11-13
NL95302C (de) 1959-12-15
NL99787C (de)
FR1115395A (fr) 1956-04-23
US2948050A (en) 1960-08-09
NL186898C (nl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2142146C3 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen mehrerer Halbleiterbauelemente
DE3042085C2 (de) Halbleiteranordnung
DE1027798B (de) Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Koerper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren
DE2101028C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE1095951B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE3217026A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2550512A1 (de) Verfahren zur herstellung einer metallisierung auf einem substrat
DE1137806B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtungen
DE1071846B (de)
DE935382C (de) Spitzengleichrichter hoher Stabilitaet und Leistung
DE2003423C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen
DE1514881C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes
DE2610539A1 (de) Halbleiterbauelement mit elektrischen kontakten und verfahren zur herstellung solcher kontakte
DE701869C (de) Elektrischer Widerstand
DE1123406B (de) Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen
DE2031071C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Dioden
DE1064154B (de) Elektrisches Entladungsgefaess mit einem Gittersystem aus einem Isolierkoerper als Traeger und Verfahren zur Herstellung eines Gittersystems
DE1552980C3 (de) Lötverbindung
DE829190C (de) Verfahren zur Herstellung eines Kondensators
DE2707721C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlasers
DE1260033C2 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiteranordnungen
DE1439717C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE1137140B (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Halbleiterbauelementen mit verminderter Oberflaechenleitfaehigkeit am p-n-UEbergang und verminderter Alterung
AT237751B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE1121224B (de) Transistor mit dicht nebeneinander einlegierten Emitter- und Basiselektroden und Verfahren zu dessen Herstellung