DE756747C - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten

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DE756747C DEN44256D DEN0044256D DE756747C DE 756747 C DE756747 C DE 756747C DE N44256 D DEN44256 D DE N44256D DE N0044256 D DEN0044256 D DE N0044256D DE 756747 C DE756747 C DE 756747C
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Description

Es sind mehrere Verfahren· bekannt, die als Trägerelektroden von Selengleichrichterplatten Graphit verwenden. Es ist nun ein besonders günstiges Verfahren gefunden worden, die Trägereigenschaften einer Graphitschicht zu verbessern und eine gute Durchlaßelektrode daraus herzustellen.
Die bekannten Verfahren, nach denen bei Selenzellen Durchlaßelektroden aus Kohlenstoff verwendet werden, sind umständlich, zeitraubend und führen nicht immer zum Ziel. Es werden dabei Graphit- oder sonstige Kohleteilchen bei hohen Temperaturen in das Trägermetall eingebrannt oder eingeschmol-. zen, wobei durch umständliche Schutzmaßnahmen eine Oxydation des Trägermetalls vermieden werden muß. Eine vollständige Verhütung der Berührung zwischen der Selenschicht und der tragenden Metallschicht ist dabei nicht immer möglich, wodurch die Wir- ao kung des Gleichrichters beeinträchtigt wird. Die bisher aufgetretenen technischen Schwierigkeiten und die sich daraus ergebenden Nachteile werden durch das Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten as mit Graphitschicht zwischen Selen und· Trägermetall nach der Erfindung dadurch vermieden, daß Selen im amorphen Zustand auf ein poliertes Metallteil aufgebracht, mit etwa iooo Atm. bei maximal 580 C gegen
eine dünne, auf einer zweiten polierten Metallfläche ausgebreiteten Graphitschicht gepreßt, auf die am Selen anhaftende Graphitschicht, die von der zweiten Metallfläche befreit wird, eine Trägermetallschicht aufgespritzt und anschließend das Ganze vom ersten Metallteil abgehoben wird, worauf auf die frei liegende Selenschicht nach gegebenenfalls nochmaliger thermischer Formierung die
ίο Gegenelektrode aufgebracht wird.
Das Selen kann auf eine polierte Metallfläche aufgespritzt, aufgeschmolzen oder aufgepreßt werden, und zwar so, daß eine gleichmäßig dünne Haut entsteht. Die Metallfolie, auf die dieses System dann gepreßt wird, wird vorher mit einer ein- oder zweilagigen Schicht von Graphitschuppen übersprüht. Der Graphit verbindet sich bei dem Preßvorgang mechanisch sehr fest mit dem Selen. Nach Entfernen der ursprünglich den Graphit tragenden Metallfolie wird auf die nun zutage tretende Graphitseite irgendein Metall gespritzt, beispielsweise mittels des sogenannten Schoopschen Verfahrens. Die Temperatur läßt man zweckmäßig gleichzeitig so hoch ansteigen, daß der erste thermische Umwandlungsprozeß des Selens, nämlich die Umwandlung des amorphen in kristallines Selen, vor sich geht. Dieser Vorgang kann durch vorheriges Anwärmen beschleunigt werden.
Nach Abnahme des so entstandenen Gebildes aus Spritzmetall, Graphit und Selen wird gegebenenfalls nochmals thermisch formiert, um eine hohe Leitfähigkeit des Selens zu erzielen. Anschließend wird die Gegenelektrode aufgebracht und das Ganze dann einer elektrischen Formierung unterzogen.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    i. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten mit Graphitschicht zwischen Selen und Trägermetall, dadurch gekennzeichnet, daß Selen im amorphen Zustand auf ein poliertes Metall'teil aufgebracht, mit etwa 1000 Atm. bei maximal 850C gegen eine dünne, auf einer zweiten polierten Metallfläche ausgebreitete Graphitschicht gepreßt, auf die am Selen anhaftende Graphitschicht, die von der zweiten Metallfläche befreit wird, eine Trägermetallschicht aufgespritzt und anschließend das Ganze vom ersten Metallteil abgehoben wird, worauf auf die frei liegende Selenschicht nach gegebenenfalls nochmaliger thermischer Formierung die Gegenelektrode aufgebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kristallisation des Selens während des Aufspritzens des Trägermetalls vor sich geht.
    © 5556 11.53
DEN44256D 1940-10-18 1940-10-19 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten Expired DE756747C (de)

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