DE741186C

DE741186C - Verfahren zur Vermeidung von Schirmaufladungen von Leuchtschirmen in Elektronenstrahlroehren

Info

Publication number: DE741186C
Application number: DEL99526D
Authority: DE
Inventors: Dennis Gabor
Original assignee: AEG AG
Current assignee: AEG AG
Priority date: 1938-12-07
Filing date: 1939-11-26
Publication date: 1943-11-05

Description

Verfahren zur Vermeidung von Schirmaufladungen von Leuchtschirmen in Elektronenstrahlröhren Die Erfindung betrifft ein Verfahren-zur Vermeidung von Schirmaufladungen von Leuchtschirmen in Elektronenstrahlröhren durch Überziehen des Leuchtschirmes mit einer photoelektrischen Schicht und bezieht sich insbesondere auf solche Elektronenstrahlröhren, welche mit einer Spannung von über 5ooo Volt betrieben werden.
Bei Fernsehröhren befindet sich der Leuchtschirm an dem Glasende des Entladungsgefäßes. Der auf den Schirm auftreffende Elektronenstrom löst einen Sekundärelektronenstrom aus, welcher vom Schirm zur Anode, die im allgemeinen aus einem leitenden Überzug auf der Glaswandung besteht, fließt. Die üblichen Leuchtschirme lassen sich bis zu Spannungen von 5ooo bis 7ooo Volt betreiben. In der Praxis können auf Grund der Leitfähigkeit des Schirmes noch höhere Spannungen, beispielsweise bis zu i5 000 Volt angewandt werden. Eine weitere Erhöhung der Spannung -kann dadurch erzielt werden, daß der -Schirm mit einem leitenden Überzug versehen wird, und zwar vorzugsweise an der dem Elektronenstrahl zugewandten Seite. Es ist auch bekannt, Leuchtstoffschichten mit photoelektrischen Schichten zu überziehen, um eine gute Ableitung zu erzielen. Bei den bekannten Anordnungen tritt jedoch leicht eine Vergiftung derphotoelektrischen Schicht durch die Barunterliegende Leuchtstoffschicht auf, was besonders dann der Fall ist, wenn die Leuchtstoffschicht ein Sulfid enthält.
Um diese Nachteile zu vermeiden, wird bei den vorstehend genannten Kathodenstrahlröhren gemäß der Erfindung der Leuchtschirm vor dem Aufbringen der photoelektrischen Schicht mit einer dünnen Silberschicht, die oxydiert wird, -versehen.
in! folgenden ist das Verfahren zur Herstellung des mit einer lichtelektrischen Schicht überzogenen Leuchtschirmes näher beschrieben. Ein Sclürm aus Willemit oder Zinksilikat wird auf den Glaskolben aufgebracht, und zwar v o zugsweise ohne Verwendung eines Bindemitt ' Der Leuchtschirm wird dann zunächst mit ein dünnen Silberschicht entweder durch Ab=' scheiden aus einer Flüssigkeit oder durch Sublimieren im, Vakuum überzogen. Die Silberschicht wird im Vakuum oxydiert oder, falls die Silberschicht auf flüssigem Wege aufgebracht worden ist, an der Luft oxydiert. Das oxydierte Silber stellt eine bessere Unterlage als der Fluoreszenzstoff für das Cäsium dar. Das Cäsium kann auch durch andere lichtelektrisch empfindliche Substanzen, beispielsweise Rubidium oder Kalium, ersetzt werden. Diese Substanzen müssen eine besonders große Empfindlichkeit bei den Wellenlängen haben, welche der Hauptemission des Fluoreszenzstoffes entsprechen.
Das Entladungsgefäß ist mit einem Ansatzrohr versehen, welches induktiv geheizt werden kann. In dieses Ansatzrohr wird eine Kapsel, die ein Reaktionsgemisch enthält, das beim Erhitzen Cäsium entwickelt, eingebracht. Das Reaktionsgemisch besteht beispielsweise aus einer Mischung von Cäsiumchromat mit Siliciumpulver. Das Ansatzrohr ist so angeordnet, daß das frei werdende Cäsium nicht direkt auf den Schirm gelangt. Vorzugsweise enthält der leitende Überzug des Gefäßes weder kolloidales Graphit noch eine andere Substanz, welche Cäsium adsorbiert, sondern besteht aus neutralen Werkstoffen, wie beispielsweise Silber oder Platin. Wenn das Ansatzrohr aus Bleiglas besteht, kann ein Ü berschuß an Cäsium verwendet werden, da Cäsium von dem Bleiglas adsorbiert wird. Falls jedoch das gesamte Glasgefäß aus Natriumglas oder Hartglas besteht, ist es zweckmäßig, soviel Cäsium zu verwenden, wie durch den Schirm adsorbiert wird. Im allgemeinen genügen i bis 2 mg für einen Schirm mit einer Fläche von ioo em2.
Nach dem Entgasen und Glühen des Entladungsgefäßes wird das Cäsium entwickelt und das Entladungsgefäß etwa io.@linuten lang auf ungefähr Zoo ` C erhitzt. Nach dieser Wärmebehandlung befindet sich kein freies Cäsium ehr in der Röhre. Hierauf wird Barium oder gendein anderer Getterstoff entwickelt und `.das Entladungsgefäß von der Pumpe abgeschmolzen.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Vermeidung von Schirmaufladungen von Leuchtschirmen in Kathodenstrahlröhren durch Überziehen des Leuchtschirmes mit einer photoelektrischen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtschirm vor dem Aufbringen der photoelektrischen Schicht mit einer dünnen Silberschicht, die oxydiert wird, versehen wird.
2. `'erfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als photoelektrische Schicht eine aufgedampfte Cäsiumscbicht verwendet wird, die aus einem Reaktionsgemisch von Cäsiumchromat und Siliciumpulver erzeugt wird.
3. Verfahren nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrisch empfindliche Schicht nach der Entgasung der Röhre entwickelt und anschließend die Röhre durch beispielsweise io Minuten langes Erhitzen auf 200' C einer Wärmebehandlung unterworfen wird. Zur Abgrenzung des Anmeldungsgegenstandes vom Stand der Technik sind im Erteilungsverfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen worden: österreichische Patentschrift . . Nr. 144 607; britische 413 720; :Journal of the Institution of Electrical Engineers«, Bd. 73, 1933, S. 447.