DE69937579D1 - Herstellungsverfahren für siliziumeinkristall und vorrichtung zur herstellung einer siliziumeinkristallstange und behandlungsverfahren für siliziumeinkristallwafer - Google Patents

Herstellungsverfahren für siliziumeinkristall und vorrichtung zur herstellung einer siliziumeinkristallstange und behandlungsverfahren für siliziumeinkristallwafer

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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4808832B2 (ja) * 2000-03-23 2011-11-02 Sumco Techxiv株式会社 無欠陥結晶の製造方法
EP1310583B1 (de) * 2000-06-30 2008-10-01 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Verfahren zur herstellung von silizium-einkristall-wafer
JP4554886B2 (ja) * 2001-01-02 2010-09-29 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 向上したゲート酸化物完全性を有する単結晶シリコンの製造方法
KR100445191B1 (ko) * 2001-11-15 2004-08-21 주식회사 실트론 단결정 잉곳 냉각용 수냉관 및 이를 이용한 단결정 잉곳성장장치
EP1560951B1 (de) 2002-11-12 2010-10-27 MEMC Electronic Materials, Inc. Verfahren zur herstellung eines siliciumeinkristalles unter verwendung der rotation des tiegels um die temperaturgradienten zu steuern
CN1327041C (zh) 2002-11-12 2007-07-18 Memc电子材料有限公司 用于生长单晶锭的拉晶机和方法
KR100743821B1 (ko) * 2003-02-25 2007-07-30 가부시키가이샤 섬코 실리콘 단결정 육성 방법, 실리콘 웨이퍼 제조 방법 및 soi 기판 제조 방법
JP4193610B2 (ja) * 2003-06-27 2008-12-10 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法
WO2006082469A1 (en) 2005-02-03 2006-08-10 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for applying a high temperature treatment to a semimiconductor wafer
JP4548306B2 (ja) 2005-10-31 2010-09-22 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法
US7427325B2 (en) 2005-12-30 2008-09-23 Siltron, Inc. Method for producing high quality silicon single crystal ingot and silicon single crystal wafer made thereby
ATE522927T1 (de) * 2006-01-20 2011-09-15 Infineon Technologies Austria Verfahren zur herstellung einer n-dotierten zone in einem halbleiterwafer und halbleiterbauelement
TW200818327A (en) * 2006-09-29 2008-04-16 Sumco Techxiv Corp Silicon wafer heat treatment method
DE102007005346B4 (de) 2007-02-02 2015-09-17 Siltronic Ag Halbleiterscheiben aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung
JP5186970B2 (ja) * 2008-03-24 2013-04-24 信越半導体株式会社 単結晶製造装置及びその方法
CN102242390B (zh) * 2011-06-15 2013-09-25 安阳市凤凰光伏科技有限公司 铸造法生产类似单晶硅锭化料加热方法
KR101540232B1 (ko) * 2013-09-11 2015-07-29 주식회사 엘지실트론 잉곳성장장치
DE112015002599T5 (de) * 2014-06-02 2017-04-06 Sumco Corporation Silicium-Wafer und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6528178B2 (ja) 2015-07-31 2019-06-12 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法
WO2018008561A1 (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 株式会社トクヤマ 単結晶シリコン板状体およびその製造方法
JP6699620B2 (ja) * 2017-05-26 2020-05-27 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法
JP7345245B2 (ja) * 2018-11-13 2023-09-15 信越半導体株式会社 貼り合わせsoiウェーハの製造方法
JP6614380B1 (ja) * 2019-03-20 2019-12-04 信越半導体株式会社 単結晶製造装置
CN111647940B (zh) * 2020-08-04 2021-05-07 浙江晶科能源有限公司 一种单晶硅制备方法及装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4437922A (en) * 1982-03-26 1984-03-20 International Business Machines Corporation Method for tailoring oxygen precipitate particle density and distribution silicon wafers
JPS6131382A (ja) * 1984-07-20 1986-02-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体単結晶の引上方法
JPS6259594A (ja) 1985-09-11 1987-03-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 結晶の引上げ方法
US4911896A (en) * 1986-07-24 1990-03-27 General Electric Company Fused quartz member for use in semiconductor manufacture
JP2852345B2 (ja) * 1990-03-29 1999-02-03 住友シチックス株式会社 単結晶成長装置及び単結晶成長方法
JP2855497B2 (ja) * 1992-01-22 1999-02-10 コマツ電子金属株式会社 半導体単結晶引上げ装置
JP2978341B2 (ja) * 1992-09-09 1999-11-15 三菱マテリアル株式会社 シリコンウェーハのig熱処理方法
JP3109950B2 (ja) * 1993-11-01 2000-11-20 コマツ電子金属株式会社 半導体単結晶の育成方法
JP2826589B2 (ja) * 1995-03-30 1998-11-18 住友シチックス株式会社 単結晶シリコン育成方法
JP3085146B2 (ja) * 1995-05-31 2000-09-04 住友金属工業株式会社 シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
JPH08333189A (ja) * 1995-06-02 1996-12-17 Sumitomo Metal Ind Ltd 結晶引き上げ装置
US5676751A (en) * 1996-01-22 1997-10-14 Memc Electronic Materials, Inc. Rapid cooling of CZ silicon crystal growth system
JPH09315882A (ja) * 1996-05-29 1997-12-09 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体単結晶製造装置および半導体単結晶の製造方法
US5900059A (en) * 1996-05-29 1999-05-04 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method and apparatus for fabricating semiconductor single crystal
DE69738020T2 (de) * 1996-06-28 2008-07-31 Sumco Corp. Verfahren und anordnung zur thermischen behandlung eines einkristallinischen plättchens, einkristallinisches plättchen und verfahren zur herstellung eines einkristallinischen plättchens
US5779791A (en) * 1996-08-08 1998-07-14 Memc Electronic Materials, Inc. Process for controlling thermal history of Czochralski-grown silicon
US5827367A (en) * 1996-09-13 1998-10-27 Seh America Apparatus for improving mechanical strength of the neck section of czochralski silicon crystal
DE19711922A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls
WO1998045507A1 (en) * 1997-04-09 1998-10-15 Memc Electronic Materials, Inc. Low defect density, ideal oxygen precipitating silicon
MY120036A (en) * 1997-04-09 2005-08-30 Memc Electronic Materials Low defect density, self- interstitial dominated silicon.
DE19723070A1 (de) * 1997-06-02 1998-12-03 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Schmelzen und Kristallisieren von Stoffen
JPH1179889A (ja) * 1997-07-09 1999-03-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
US5942032A (en) * 1997-08-01 1999-08-24 Memc Electronic Materials, Inc. Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon
JP3992800B2 (ja) * 1997-09-22 2007-10-17 Sumco Techxiv株式会社 単結晶製造装置および単結晶の製造方法
US5922127A (en) * 1997-09-30 1999-07-13 Memc Electronic Materials, Inc. Heat shield for crystal puller
JP3596257B2 (ja) * 1997-11-19 2004-12-02 三菱住友シリコン株式会社 シリコン単結晶ウェーハの製造方法

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