JP2978341B2 - シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法 - Google Patents
シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法Info
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- JP2978341B2 JP2978341B2 JP4267987A JP26798792A JP2978341B2 JP 2978341 B2 JP2978341 B2 JP 2978341B2 JP 4267987 A JP4267987 A JP 4267987A JP 26798792 A JP26798792 A JP 26798792A JP 2978341 B2 JP2978341 B2 JP 2978341B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハの表
面に無欠陥層を形成し、内部に高密度の欠陥領域である
ゲッタリング層を形成させるシリコンウェーハのＩＧ
（イントリンシックゲッタリング）熱処理において、無
欠陥層の幅（層厚）を所定幅に制御可能な熱処理方法に
関する。
面に無欠陥層を形成し、内部に高密度の欠陥領域である
ゲッタリング層を形成させるシリコンウェーハのＩＧ
（イントリンシックゲッタリング）熱処理において、無
欠陥層の幅（層厚）を所定幅に制御可能な熱処理方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハのＩＧ熱処理方
法は、２段階熱処理方法と３段階熱処理方法とがある。
この２段階熱処理方法は、１０００〜１２００℃での高
温熱処理、６５０〜９５０℃での低温熱処理を行ってい
る。一方、３段階熱処理方法は、前者の２段階熱処理の
後、１０００℃での中温熱処理を行っている。そして、
第１段の高温熱処理は、シリコンウェーハ表面から酸素
をアウトディフュージョンし、該ウェーハ表面にＤＺ
（無欠陥層）を例えば２０〜５０μｍの厚さに形成する
ものである。第２段の低温熱処理は、ウェーハ内部に高
密度の欠陥領域を形成するためのもので、この欠陥とな
るための核を形成するものである。さらに、後者の３段
階熱処理方法の第３段の析出熱処理（中温熱処理）は、
第２段の熱処理よりも温度を上げて長時間行い、上記微
小欠陥核に酸素析出物を成長させたり、その二次欠陥な
どの微小欠陥を形成するものである。
法は、２段階熱処理方法と３段階熱処理方法とがある。
この２段階熱処理方法は、１０００〜１２００℃での高
温熱処理、６５０〜９５０℃での低温熱処理を行ってい
る。一方、３段階熱処理方法は、前者の２段階熱処理の
後、１０００℃での中温熱処理を行っている。そして、
第１段の高温熱処理は、シリコンウェーハ表面から酸素
をアウトディフュージョンし、該ウェーハ表面にＤＺ
（無欠陥層）を例えば２０〜５０μｍの厚さに形成する
ものである。第２段の低温熱処理は、ウェーハ内部に高
密度の欠陥領域を形成するためのもので、この欠陥とな
るための核を形成するものである。さらに、後者の３段
階熱処理方法の第３段の析出熱処理（中温熱処理）は、
第２段の熱処理よりも温度を上げて長時間行い、上記微
小欠陥核に酸素析出物を成長させたり、その二次欠陥な
どの微小欠陥を形成するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の熱処理方法にあっては、同一の初期酸素濃度
（ＩＧ熱処理前）を有するシリコンウェーハを、同じＩ
Ｇ条件で熱処理しても、形成されるＤＺ層が大幅に異な
ることがしばしば起こった。換言すると、従来の温度で
はＤＺの厚さ制御を精密に行うことができなかったもの
である。
うな従来の熱処理方法にあっては、同一の初期酸素濃度
（ＩＧ熱処理前）を有するシリコンウェーハを、同じＩ
Ｇ条件で熱処理しても、形成されるＤＺ層が大幅に異な
ることがしばしば起こった。換言すると、従来の温度で
はＤＺの厚さ制御を精密に行うことができなかったもの
である。
【０００４】そこで、本発明は、ＩＧ熱処理前の初期酸
素濃度が同一のシリコンウェーハであれば、結晶育成条
件が異なっても、再現性良く、ＤＺ幅を制御することが
できるＩＧ熱処理方法を提供することを、その目的とし
ている。
素濃度が同一のシリコンウェーハであれば、結晶育成条
件が異なっても、再現性良く、ＤＺ幅を制御することが
できるＩＧ熱処理方法を提供することを、その目的とし
ている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、高温熱処理後、低温熱処理を施すことにより、シリ
コンウェーハの表面にＤＺを形成し、その内部にゲッタ
リング層を形成するシリコンウェーハのＩＧ熱処理方法
において、上記低温熱処理は、開始温度を３５０℃以
上、４００℃未満の温度範囲でランピング熱処理を施す
ことにより所定幅のＤＺを形成させるシリコンウェーハ
のＩＧ熱処理方法である。
は、高温熱処理後、低温熱処理を施すことにより、シリ
コンウェーハの表面にＤＺを形成し、その内部にゲッタ
リング層を形成するシリコンウェーハのＩＧ熱処理方法
において、上記低温熱処理は、開始温度を３５０℃以
上、４００℃未満の温度範囲でランピング熱処理を施す
ことにより所定幅のＤＺを形成させるシリコンウェーハ
のＩＧ熱処理方法である。
【０００６】請求項２に記載の発明は、高温熱処理後、
低温熱処理を施し、その後中温熱処理を施すことにより
シリコンウェーハの表面にＤＺを形成し、その内部にゲ
ッタリング層を形成し、このゲッタリング層中に酸素析
出物などの微小欠陥を形成するシリコンウェーハのＩＧ
熱処理方法において、上記低温熱処理は、開始温度を３
５０℃以上、４００未満の温度範囲でランピング熱処理
を施すことにより所定幅のＤＺを形成させるシリコンウ
ェーハのＩＧ熱処理方法である。上記微小欠陥には、酸
素析出物の二次欠陥である積層欠陥を含む。
低温熱処理を施し、その後中温熱処理を施すことにより
シリコンウェーハの表面にＤＺを形成し、その内部にゲ
ッタリング層を形成し、このゲッタリング層中に酸素析
出物などの微小欠陥を形成するシリコンウェーハのＩＧ
熱処理方法において、上記低温熱処理は、開始温度を３
５０℃以上、４００未満の温度範囲でランピング熱処理
を施すことにより所定幅のＤＺを形成させるシリコンウ
ェーハのＩＧ熱処理方法である。上記微小欠陥には、酸
素析出物の二次欠陥である積層欠陥を含む。
【０００７】
【作用】本発明によれば、シリコンウェーハを、例えば
１１５０℃で４時間熱処理を行う。この場合の雰囲気と
しては、例えば酸素雰囲気で行う。その後、開始温度３
５０〜４５０℃のランピング熱処理を行う。さらに、例
えば１０００℃で２４時間の熱処理を行う。この結果、
シリコンウェーハの表面に例えば２０μｍ程度の厚さの
ＤＺを形成することができるとともに、バルク内部に所
定のＩＧ層を形成することができる。そして、上記第２
段の低温熱処理は窒素雰囲気で行うことが好ましい。ま
た、上記第２段の熱処理開始温度が３５０℃未満のとき
は、同様の効果が見込まれるものの、処理時間が長時間
化してしまうという欠点がある。さらに、この開始温度
が４５０℃を超えるときは、ＩＧ熱処理前の初期酸素濃
度が同一のシリコンウェーハでも形成されるＤＺ幅は異
なっているという問題がある。
１１５０℃で４時間熱処理を行う。この場合の雰囲気と
しては、例えば酸素雰囲気で行う。その後、開始温度３
５０〜４５０℃のランピング熱処理を行う。さらに、例
えば１０００℃で２４時間の熱処理を行う。この結果、
シリコンウェーハの表面に例えば２０μｍ程度の厚さの
ＤＺを形成することができるとともに、バルク内部に所
定のＩＧ層を形成することができる。そして、上記第２
段の低温熱処理は窒素雰囲気で行うことが好ましい。ま
た、上記第２段の熱処理開始温度が３５０℃未満のとき
は、同様の効果が見込まれるものの、処理時間が長時間
化してしまうという欠点がある。さらに、この開始温度
が４５０℃を超えるときは、ＩＧ熱処理前の初期酸素濃
度が同一のシリコンウェーハでも形成されるＤＺ幅は異
なっているという問題がある。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の第１実施例について説明す
る。まず、この実施例では、ＣＺ引上中に成長を１回停
止することにより、熱履歴の異なる２種類のシリコンウ
ェーハをそれぞれ準備する。これらのシリコンウェーハ
は、口径５インチ、Ｐ型、＜１００＞方位、抵抗率１０
Ω・ｃｍ、酸素濃度９×１０17ｃｍ-3（ＪＥＩＤＡ）で
ある。また、用いたウェーハを採取した結晶部位の成長
停止中の温度は１０００℃および７００℃である。これ
らのシリコンウェーハの欠陥発生は、成長停止中の温度
が７００℃の方が１０００℃のものより、起き易いこと
がわかっている。そして、これらのシリコンウェーハに
以下のＩＧ熱処理をそれぞれ施す。
る。まず、この実施例では、ＣＺ引上中に成長を１回停
止することにより、熱履歴の異なる２種類のシリコンウ
ェーハをそれぞれ準備する。これらのシリコンウェーハ
は、口径５インチ、Ｐ型、＜１００＞方位、抵抗率１０
Ω・ｃｍ、酸素濃度９×１０17ｃｍ-3（ＪＥＩＤＡ）で
ある。また、用いたウェーハを採取した結晶部位の成長
停止中の温度は１０００℃および７００℃である。これ
らのシリコンウェーハの欠陥発生は、成長停止中の温度
が７００℃の方が１０００℃のものより、起き易いこと
がわかっている。そして、これらのシリコンウェーハに
以下のＩＧ熱処理をそれぞれ施す。
【０００９】このＩＧ熱処理の第１段の高温熱処理は、
１１５０℃で４時間にて酸素雰囲気中で行う。この後の
第２段の低温熱処理は、開始温度がそれぞれ３５０℃，
４５０℃，５５０℃，６５０℃であって、終了温度が９
５０℃のランピング熱処理を窒素雰囲気中で行う。この
ランピング速度は０．５〜２．０℃／分である。このラ
ンピング熱処理後、９５０℃での熱処理時間は１時間で
あって、窒素雰囲気中で行う。さらに、１０００℃、２
４時間、酸素雰囲気中で第３段の析出熱処理を行っても
よい。この結果を図１に示す。
１１５０℃で４時間にて酸素雰囲気中で行う。この後の
第２段の低温熱処理は、開始温度がそれぞれ３５０℃，
４５０℃，５５０℃，６５０℃であって、終了温度が９
５０℃のランピング熱処理を窒素雰囲気中で行う。この
ランピング速度は０．５〜２．０℃／分である。このラ
ンピング熱処理後、９５０℃での熱処理時間は１時間で
あって、窒素雰囲気中で行う。さらに、１０００℃、２
４時間、酸素雰囲気中で第３段の析出熱処理を行っても
よい。この結果を図１に示す。
【００１０】図１は同じ酸素濃度であっても熱履歴の異
なるシリコンウェーハに形成されるＤＺ幅の低温熱処理
条件依存性を示すグラフである。すなわち、第２段のそ
れぞれの低温熱処理開始温度とＤＺ幅との関係を示すも
のである。このような熱処理で形成されたＤＺ幅の測定
は、既知のように、Ｗｒｉｇｈｔエッチング後の光顕断
面観察により行ったものである。そして、このグラフに
あって、○は成長停止中の温度が１０００℃、●は７０
０℃の場合をそれぞれ示している。このグラフから明ら
かなように、３５０〜４５０℃の開始温度での低温熱処
理を行えば、その熱履歴の違いによる欠陥発生特性の違
いに依存することなくＤＺ幅は一定である。すなわち、
ＩＧ熱処理前の初期酸素濃度が同一のシリコンウェーハ
であれば、結晶育成条件が異なっても、再現性良く、Ｄ
Ｚ幅を制御することができる。
なるシリコンウェーハに形成されるＤＺ幅の低温熱処理
条件依存性を示すグラフである。すなわち、第２段のそ
れぞれの低温熱処理開始温度とＤＺ幅との関係を示すも
のである。このような熱処理で形成されたＤＺ幅の測定
は、既知のように、Ｗｒｉｇｈｔエッチング後の光顕断
面観察により行ったものである。そして、このグラフに
あって、○は成長停止中の温度が１０００℃、●は７０
０℃の場合をそれぞれ示している。このグラフから明ら
かなように、３５０〜４５０℃の開始温度での低温熱処
理を行えば、その熱履歴の違いによる欠陥発生特性の違
いに依存することなくＤＺ幅は一定である。すなわち、
ＩＧ熱処理前の初期酸素濃度が同一のシリコンウェーハ
であれば、結晶育成条件が異なっても、再現性良く、Ｄ
Ｚ幅を制御することができる。
【００１１】なお、第１段の高温熱処理の温度は１００
０℃〜１２００℃で、窒素雰囲気で、第１段の熱処理時
間に依存することなく、同じ結果が得られている。
０℃〜１２００℃で、窒素雰囲気で、第１段の熱処理時
間に依存することなく、同じ結果が得られている。
【００１２】次いで、本発明の第２実施例を説明する。
この実施例は、第１実施例と同じ初期酸素濃度が同一の
シリコンウェーハを用いて、第１段の高温熱処理の温度
を変更して、第２段の低温熱処理の開始温度に対して、
ＤＺ幅の依存性を調べたものである。
この実施例は、第１実施例と同じ初期酸素濃度が同一の
シリコンウェーハを用いて、第１段の高温熱処理の温度
を変更して、第２段の低温熱処理の開始温度に対して、
ＤＺ幅の依存性を調べたものである。
【００１３】まず、第１段の高温熱処理の温度が１００
０℃，１１００℃，１１５０℃にそれぞれ変更して、こ
のときの熱処理時間４時間にて窒素雰囲気中で行う。こ
の後の第２段の低温熱処理は、開始温度がそれぞれ３５
０℃，４５０℃，５５０℃，６５０℃であって、終了温
度が９５０℃のランピング熱処理を窒素雰囲気中で行
う。このランピング速度は０．５〜２．０℃／分であ
る。このランピング熱処理後、９５０℃での熱処理時間
は１時間であって、窒素雰囲気中で行う。このときの結
果を図２に示す。この図は第１段の高温熱処理を等時熱
処理したシリコンウェーハに形成されるＤＺ層の低温熱
処理依存性を示すグラフである。
０℃，１１００℃，１１５０℃にそれぞれ変更して、こ
のときの熱処理時間４時間にて窒素雰囲気中で行う。こ
の後の第２段の低温熱処理は、開始温度がそれぞれ３５
０℃，４５０℃，５５０℃，６５０℃であって、終了温
度が９５０℃のランピング熱処理を窒素雰囲気中で行
う。このランピング速度は０．５〜２．０℃／分であ
る。このランピング熱処理後、９５０℃での熱処理時間
は１時間であって、窒素雰囲気中で行う。このときの結
果を図２に示す。この図は第１段の高温熱処理を等時熱
処理したシリコンウェーハに形成されるＤＺ層の低温熱
処理依存性を示すグラフである。
【００１４】このグラフにおいて、折れ線Ａは６５０
℃、折れ線Ｂは５５０℃、折れ線Ｃは４５０℃、折れ線
Ｄは３５０℃の低温熱処理開始温度のときの第１段高温
熱処理の温度に対するＤＺ幅を、それぞれ示している。
なお、破線はＤＺ層幅が酸素の外方拡散に依存すると仮
定した場合に、酸素の拡散の活性化エネルギーから求め
られる勾配である。このグラフから明らかなように、高
温熱処理の温度を上げると、低温熱処理の開始温度に依
らず、ＤＺ幅は増大する。３５０℃〜４５０℃の開始温
度で低温熱処理を施せば、ＤＺ幅は同じように増大す
る。すなわち、低温熱処理の開始温度を３５０℃〜４５
０℃に限定すれば、ＤＺ幅は第１段の高温熱処理の温度
にのみ依存することになる。
℃、折れ線Ｂは５５０℃、折れ線Ｃは４５０℃、折れ線
Ｄは３５０℃の低温熱処理開始温度のときの第１段高温
熱処理の温度に対するＤＺ幅を、それぞれ示している。
なお、破線はＤＺ層幅が酸素の外方拡散に依存すると仮
定した場合に、酸素の拡散の活性化エネルギーから求め
られる勾配である。このグラフから明らかなように、高
温熱処理の温度を上げると、低温熱処理の開始温度に依
らず、ＤＺ幅は増大する。３５０℃〜４５０℃の開始温
度で低温熱処理を施せば、ＤＺ幅は同じように増大す
る。すなわち、低温熱処理の開始温度を３５０℃〜４５
０℃に限定すれば、ＤＺ幅は第１段の高温熱処理の温度
にのみ依存することになる。
【００１５】
【発明の効果】本発明方法によれば、ＩＧ熱処理前の初
期酸素濃度が同一のシリコンウェーハであれば、結晶育
成条件が異なっても、再現性良く、ＤＺ幅を制御するこ
とができる。
期酸素濃度が同一のシリコンウェーハであれば、結晶育
成条件が異なっても、再現性良く、ＤＺ幅を制御するこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る熱処理温度とＤＺ幅
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図２】本発明の第２実施例に係る熱処理温度とＤＺ幅
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 裕樹 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社 中央研究所内 (72)発明者 新行内 隆之 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社 中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−171826（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/322
Claims (2)
- 【請求項１】 高温熱処理後、低温熱処理を施すことに
より、シリコンウェーハの表面にＤＺを形成し、その内
部にゲッタリング層を形成するシリコンウェーハのＩＧ
熱処理方法において、 上記低温熱処理は、開始温度を３５０℃以上、４００℃
未満の温度範囲でランピング熱処理を施すことにより所
定幅のＤＺを形成させることを特徴とするシリコンウェ
ーハのＩＧ熱処理方法。 - 【請求項２】 高温熱処理後、低温熱処理を施し、その
後中温熱処理を施すことによりシリコンウェーハの表面
にＤＺを形成し、その内部にゲッタリング層を形成し、
このゲッタリング層中に酸素析出物などの微小欠陥を形
成するシリコンウェーハのＩＧ熱処理方法において、 上記低温熱処理は、開始温度を３５０℃以上、４００℃
未満の温度範囲でランピング熱処理を施すことにより所
定幅のＤＺを形成させることを特徴とするシリコンウェ
ーハのＩＧ熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267987A JP2978341B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267987A JP2978341B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697179A JPH0697179A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2978341B2 true JP2978341B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=17452342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4267987A Expired - Fee Related JP2978341B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | シリコンウェーハのｉｇ熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978341B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW505710B (en) * | 1998-11-20 | 2002-10-11 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Production method for silicon single crystal and production device for single crystal ingot, and heat treating method for silicon single crystal wafer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4437922A (en) * | 1982-03-26 | 1984-03-20 | International Business Machines Corporation | Method for tailoring oxygen precipitate particle density and distribution silicon wafers |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP4267987A patent/JP2978341B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697179A (ja) | 1994-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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