DE69934867T2 - Oxidisches supraleitendes Material und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Description

• Die vorliegende Erfindung betrifft ein oxidisches supraleitendes Material, das etwa in der 90 K Klasse (kritische Temperatur Tc ist annähernd 90 K) liegt und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
• Das herkömmliche Verfahren zur Erhöhung der kritischen Stromdichte (Jc) von oxidischen supraleitenden Materialien ist der Aufbau von Pinning-Zentren in REBa₂Cu₃O_7-x (supraleitende Phase, abgekürzt 123-Phase) durch Dispersion von etwa 1 μm großen RE₂BaCuO₅ (211) – oder RE₄Ba₂Cu₂O₁₀ (422) -Partikeln (RE bezeichnet in der vorstehenden Darstellungsart eines oder eine Kombination aus zwei oder mehreren Seltenen-Erd-Elementen, einschließlich Y). Es ist bekannt, dass 211 durch Zugabe von Pt oder Rh auf etwa 1 Mikron (1 μm) Durchmesser verfeinert werden kann und dass 422 durch Ce-Zugabe auf etwa den gleichen Grad verfeinert werden kann. Es ist ebenfalls bekannt, dass ein Anteil des zugegebenen Ce feines CeBaO₃ mit einer Partikelgröße von 1 μm oder weniger bildet, das sich in der Supraleiterphase fein verteilt.
• Die ungeprüfte veröffentlichte Japanische Patentanmeldung JP-A-4-16511 lehrt eine Struktur, wobei BaMO₃ (wobei M Zr, Sn, Ce oder Ti darstellt) fein verteilt, zusammen mit 211 in einer gestapelten plättchenartigen 123-Phase auftritt. Materialien mit dieser Struktur werden in einem Temperaturgradienten hergestellt. JP-A-5-279033, JP-A-5-286719, JP-A-6-1609 und die entsprechende EP 0562618A1 lehren Verfahren zur Herstellung von Supraleitern, wobei 211 durch Zugabe von Ceroxid fein ver teilt vorliegt. Sie lehren auch Strukturen, die fein verteiltes Ceroxid in der 123-Phase, zusammen mit 211 und einem Edelmetall wie Silber aufweisen. JP-A-5-58626 beschreibt einen Supraleiter, wobei 211 fein verteilt in der 123-Phase, die Ce enthält, vorliegt und ein Verfahren zur Herstellung des Supraleiters, und lehrt, dass die Zugabe von Ce eine Feinverteilung von 211 durch die Unterdrückung dessen Agglomeration und Vergrößerung ermöglicht.
• EP-A-0495677, US 5,508,253 und EP-A-0834931 offenbaren weiterhin ein oxidisches supraleitendes Material, wobei die 211-Phase in der 123-Phase fein verteilt ist.
• In Bezug auf das Erreichen eines hohen JG-Werts ist die Einbringung einer großen Anzahl von feinen nichtsupraleitenden Partikeln und anderer Pinning-Zentren in der 123-Phase vorteilhaft. Während 211 und 422 gegenwärtig die wichtigsten nichtsupraleitenden Phasen zur Herstellung von Pinning-Zentren darstellen, tragen CeBaO₃, SnBaO₃, etc., wie die vorstehende Literatur lehrt, ebenfalls zur Bildung von Pinning-Zentren bei, jedoch zu einem geringeren Grad als 211. Die Entwicklung von noch anderen, neuen Materialien, die zur Bildung von Pinning-Zentren geeignet sind, ist eine Herausforderung, die Aufmerksamkeit verlangt.
• Dass CeBaO₃, eine Ce-Ba-O-Systemkomponente, geeignet ist, Pinning-Zentren zu bilden, ist somit Stand der Technik. Nun haben die gegenwärtigen Erfinder entdeckt, dass Partikel, bestehend aus Ce, Ba, Cu und O (nachstehend als Partikel des Ce-Ba-Cu-O-Systems bezeichnet), eine neue Materialklasse zur Bildung von Pinning-Zentren bilden. Sie entdeckten ebenfalls, dass, wenn den Partikeln eine Ce_xBa_yCu_zO_w-Zusammensetzung verliehen wird, ihre Wirkung im Mischungsbereich von 2,4 ≤ x ≤ 3,6, 2,4 ≤ y ≤ 3,6, 0,8 ≤ z ≤ 1,2, 8 ≤ w ≤ 12 verstärkt wird. Sie entdeckten weiterhin, dass wenn die Partikelzusammensetzung Ce₃Ba₃CuO₁₀ enthält, die Partikel durch Fein verteilung in der supraleitenden Phase als Partikel im sub-μm-Durchmesser den Wert Jc besonders verstärken, wobei sie zu noch wirksameren Pinning-Zentren werden. Zusätzlich fanden sie heraus, dass die Partikel des Ce-Ba-Cu-O-Systems mit 211 und 422 in der 123-Phase koexistieren bzw. nebeneinander auftreten.
• Wenn der Ce_xBa_yCu_zO_w-Anteil zu groß ist, dann sinken die kritische Temperatur und Jc eher, als dass sie ansteigen, da sich ein Teil des Ce in der 123-Phase verteilt. Der Anteil ist daher bevorzugt 15 Massenprozent oder weniger, noch besser 1–10 Massenprozent.
• Die Erfinder haben ebenfalls entdeckt, dass die Ce-Ba-Cu-O-Systempartikel mit 211, 422 und 123-Phasen, die Pt, Rh oder Ag enthalten, koexistieren bzw. nebeneinander auftreten können. Wenn der Pt-Anteil geringer als 0,05 Massenprozent ist, dann wird 211 nicht verfeinert und wenn er größer als 2,0 Massenprozent ist, dann nimmt die Verstärkung des Effekts ab, da das überschüssige Pt viele Nebenphasen bildet. Der Pt-Anteil beträgt daher vorzugsweise 0,05–2,0 Massenprozent, noch besser 0,3–0,6 Massenprozent. Wenn der Rh-Anteil geringer als 0,01 Massenprozent ist, dann wird 211 nicht verfeinert und wenn er größer als 1,0 Massenprozent ist, dann nimmt die Verstärkung des Effekts ab, da das überschüssige Rh viele Nebenphasen bildet. Der Rh-Anteil beträgt daher bevorzugt 0,01 bis 1,0 Massenprozent, noch besser 0,1 bis 0,3 Massenprozent. Bei Zugabe von Ag verteilen sich Ag-Partikel mit einem Durchmesser von etwa 0,1 mm in der 123-Phase, wobei sie die mechanische Festigkeit verbessern. Wenn der Anteil des zugegebenen Ag kleiner als 5 Massenprozent ist, dann scheiden sich die Ag-Partikel nicht ab, und wenn er größer als 20 Massenprozent ist, dann entsteht eine Tendenz zur Kristallwachstumshemmung der 123-Phase. Die Ag-Zugabemenge wird daher auf 5– 20 Massenprozent und noch besser 10–15 Massenprozent begrenzt.
• Die Erfinder entdeckten ein Verfahren zur Materialherstellung, das wirksam verteiltes Ce_xBa_yCu_zO_w durch das Anmischen von Ce_xBa_yCu_zO_w mit einem Ausgangspulvermaterial, das RE (wobei RE eines oder eine Kombination von zwei oder mehreren Seltenen-Erd-Elementen einschließlich Y bezeichnet), Ba, Cu und O enthält. Wenn eine Pulverpressform, hergestellt durch Pressen des vermengten Pulvers, einer oxidierenden Atmosphäre in einem Temperaturbereich von 850–1250 °C ausgesetzt wird, nimmt sie einen partiellen Schmelzzustand ein, wobei 211 oder 422 gleichzeitig mit der flüssigen Phase bzw. Schmelzphase auftreten. Wenn die Pressform in Atmosphäre wärmebehandelt wird, nimmt sie bei 850 bis 1250°C einen partiellen Schmelzzustand ein. Die 123-Phase nimmt zu, wobei sie Ce_xBa_yCu_zO_w aufnimmt, um eine 123-Phase zu liefern, die Pinning-Zentren aus Ce_xBa_yCu_zO_w und 211 oder 422 enthält, indem langsames Abkühlen aus dem vorstehend beschriebenen, partiellen Schmelzzustand in einen Temperaturbereich, in dem die 123-Phase kristallines Wachstum zeigt, durchgeführt wird, oder langsames Abkühlen oder isothermes Beibehalten der Temperatur im Temperaturbereich zum Anwachsen der 123-Phase zum Auskristallisieren.
• Vorzugsweise wird langsames Abkühlen oder isothermes Beibehalten der Temperatur von einer Ausgangstemperatur für den Kristallisationsvorgang der 123-Phase (Tp: peritektische Temperatur) bis Tp –30°C durchgeführt. Dieses Verfahren kann ein Material liefern, das wirksam verteiltes Ce_xBa_yCu_zO_w enthält, da Ce_xBa_yCu_zO_w im Material ohne Zersetzung während der Verarbeitung verbleibt.
• Ein Material, das fein verteiltes Ce₃Ba₃CuO₁₀ enthält, kann durch Zugabe von Ce₃Ba₃CuO₁₀ zum Ausgangspulvermaterial, welches RE, Ba, Cu und O enthält, erzielt werden.
• Diese Erfindung wie in Anspruch 1 definiert, wird nun detaillierter in Bezug auf spezielle Beispiele und die Zeichnung erklärt.
• 1 ist eine Darstellung, die die Feinstruktur des oxidischen supraleitenden Materials schematisch erläutert, wobei sowohl die Ce₃Ba₃CuO₁₀-Partikel als auch 211 fein verteilt sind.
• Beispiel 1
• Die Ausgangspulvermaterialien Y₂O₃, BaO₂ und CuO wurden in einem Molverhältnis der metallischen Elemente (Y:Ba:Cu) von (13:17:24) angemischt. Den vermischten Pulvern wurden 2,0 Massenprozent Ce₃Ba₃CuO₁₀-Pulver und 0,3 Massenprozent Pt zugegeben und das Ergebnis wurde angemischt, um ein vermischtes Ausgangspulvermaterial zu erhalten. Das Ausgangspulvermaterial wurde im Sauerstoffstrom bei 900° C kalziniert. Das kalzinierte Pulver wurde zu einer scheibenförmigen Pressform mit 30 mm Durchmesser und 20 mm Dicke durch Kompression bei 196 MPa unter Verwendung einer Gummipresse geformt.
• Die Pressform wurde über 8 Stunden auf 1150°C an Luft erwärmt und danach 1 Stunde auf dieser Temperatur gehalten. Dann wurde bei einer Temperatur von 1040° C ein Nd-System-Impfkristall platziert, wobei seine c-Achse im Wesentlichen mit einer Linie senkrecht zur Scheibenoberfläche ausgerichtet war. Dann wurde Kristallwachstum bewirkt, zunächst durch Absenken der Temperatur auf 1005° C in 30 Minuten und dann Durchführen eines graduellen Kühlvorgangs auf 980° C über 120 Stunden. Nachfolgend wurde in 24 Stunden auf Raumtemperatur gekühlt. Aus dem resultierenden zylindrischen Materialstück wurde durch Abtrennen der sich gegenüberliegenden Stirnflächen und Entfernen der Oberflächenschicht ein annähernd 15 mm dickes Stück erzielt. Das Ergebnis wurde einer Sauerstoffanreicherung ausgesetzt, wobei das Stück im Sauer stoffstrom über 24 Stunden auf 500° C erwärmt wurde, graduell über 100 Stunden von 500° C auf 350° C gekühlt und dann über 10 Stunden von 350° C auf Raumtemperatur gekühlt wurde.
• Es wurde ein Einkristall mit der gleichen Kristallorientierung wie der Impfkristall erzielt. Die c-Achse des Einkristalls stimmte im Wesentlichen mit der Linie senkrecht zur Scheibenoberfläche überein. Die kritische Stromdichte wurde unter Verwendung eines die Probe vibrierenden Fluxmeters gemessen und ergab 3,5·10⁴ (A/cm²) bei 77 K, 1 T (c-Achse und Magnetfeld parallel). Bei der Untersuchung mit einem Transmissionselektronenmikroskop wurde entdeckt, dass die Struktur aus Partikeln mit 0,2 bis 1,0 μm Durchmesser besteht, die zusammen mit 211 in einer 123-Phase fein verteilt sind. Die Struktur ist in 1 schematisch dargestellt. Mittels energiedispersiver Spektroskopie (EDS) wurde festgestellt, dass es sich um Ce₃Ba₃CuO₁₀-Partikel handelt.
• Als Vergleichsbeispiel wurde ein zylindrisches Stück auf die gleiche vorstehend beschriebene Weise zubereitet, nur wurde kein Ce₃Ba₃CuO₁₀ zugegeben. Der resultierende Kristall wies eine kritische Stromdichte von 2,8 10⁴ (A/cm²) bei 77 K, 1 T (c-Achse parallel zum Magnetfeld) auf.
• Das Material gemäß der Erfindung war somit dem Vergleichsbeispiel deutlich überlegen.
• Beispiel 2
• Die Ausgangspulvermaterialien Dy₂O₃, BaO₂ und CuO wurden in einem Molverhältnis der metallischen Elemente (Dy:Ba:Cu) von (13:17:24) angemischt, um ein vermischtes Ausgangspulvermaterial vorzubereiten. Die CeO₂-, BaO₂- und CuO-Pulver wurden in einem Molverhältnis der metallischen Elemente (Ce:Ba:Cu) von (3:2:1) angemischt, und die vermischten Pulver wurden bei 900° C 8 Stunden lang in Sauerstoff kalziniert, um einen Zusatzstoff des Ce-Ba-Cu-O-Systems vorzubereiten. Dem vermischten Ausgangspulvermaterial wurde 2,0 Massenprozent des Ce-Ba-Cu-O-System-Zusatzstoffes und 0,3 Massenprozent Pt zugegeben und das Ergebnis wurde angemischt, um das Ausgangspulvermaterial vorzubereiten. Das Ausgangspulvermaterial wurde im Sauerstoffstrom bei 900° C kalziniert. Aus dem kalzinierten Pulver wurde eine scheibenförmige Pressform mit 30 mm Durchmesser und 20 mm Dicke durch Kompression bei 196 MPa unter Verwendung einer Gummipresse geformt.
• Die Pressform wurde über 8 Stunden auf 1150° C an Luft erwärmt und danach 1 Stunde bei dieser Temperatur gehalten. Dann wurde bei einer Temperatur von 1040° C ein Impfkristall des Nb-Systems mit seiner c-Achse im Wesentlichen parallel zur Linie senkrecht zur Scheibenoberfläche ausgerichtet. Danach wurde Kristallwachstum zunächst durch eine über 30-minütige Temperaturabsenkung auf 1010° C und dann graduelle Kühlung auf 985° C in über 100 Stunden erzielt. Nachfolgend erfolgte eine 24-stündige Abkühlung auf Raumtemperatur. Ein annähernd 15 mm dickes Stück wurde aus dem resultierenden zylindrischen Materialstück durch Abtrennen der sich gegenüberliegenden Stirnflächen und durch Entfernen der Oberflächenschicht erhalten. Das Resultat wurde einer Sauerstoffanreicherung ausgesetzt, indem das Stück bei 500° C über 24 Stunden im Sauerstoffstrom erwärmt, 100 Stunden lang graduell von 500° C auf 350° C abgekühlt und dann von 350° C auf Raumtemperatur in 10 Stunden abgekühlt wurde.
• Es wurde ein Einkristall mit der gleichen Kristallorientierung wie der Impfkristall erzielt. Die c-Achse des Einkristalls fiel im Wesentlichen mit der Linie senkrecht zur Scheibenoberfläche zusammen. Die kritische Stromdichte wurde unter Verwendung eines die Probe vibrierenden Fluxmeters gemessen und ergab 3,1·10⁴ (A/cm²) bei 77 K, 1 T (c-Achse und Magnetfeld parallel). Bei der Untersuchung mit dem Transmissionselekronenmikroskop wurde herausgefunden, dass die Struktur aus Partikeln des Ce-Ba-Cu-O-Systems mit 0,2–1,0 μm Durchmesser, die zusammen mit 211 fein verteilt vorlagen, besteht.
• Für das Vergleichsbeispiel wurde ein zylindrisches Materialstück auf die gleiche Weise wie vorstehend beschrieben vorbereitet, mit dem Unterschied, dass kein Zusatz des Ce-Ba-Cu-O-Systems zugegeben wurde. Der so erzielte Kristall wies eine kritische Stromdichte von 2,7·10⁴ (A/cm²) bei 77 K und 1 T (c-Achse und Magnetfeld parallel) auf.
• Das Material gemäß dieser Erfindung mit einer Struktur, die fein verteilte Partikel des Ce-Ba-Cu-O-Systems aufwies, war somit der des Vergleichsmaterials deutlich überlegen.
• Beispiel 3
• Die Ausgangspulvermaterialien Er₂O₃, BaO₂ und CuO wurden in einem Molverhältnis der metallischen Elemente (Er:Ba:Cu) von (13:17:24) angemischt, um ein vermischtes Ausgangspulvermaterial vorzubereiten. Die CeO₂-, BaO₂- und CuO-Pulver wurden in einem Molverhältnis der metallischen Elemente (Ce:Ba:Cu) von (1:1:1) angemischt und die vermischten Pulver wurden 8 Stunden lang in Sauerstoff bei 920° C kalziniert, um einen Zusatzstoff des Ce-Ba-Cu-O-Systems vorzubereiten. Dem vermischten Ausgangspulvermaterial wurde 2,0 Massenprozent des Ce-Ba-Cu-O-System-Zusatzstoffes und 0,3 Massenprozent Pt zugegeben und das Resultat wurde angemischt, um ein Ausgangspulvermaterial herzustellen. Das Ausgangspulvermaterial wurde im Sauerstoffstrom bei 900° C kalziniert. Das kalzinierte Pulver wurde zu einer scheibenförmigen Pressform mit 30 mm Durchmesser und 20 mm Dicke durch Kompression bei 196 MPa unter Verwendung einer Gummipresse geformt.
• Die Pressform wurde über 8 Stunden an Luft auf 1150° C erwärmt und danach 1 Stunde lang bei dieser Temperatur gehalten. Dann wurde bei einer Temperatur von 1040° C ein Impfkristall des Nd-Systems mit seiner c-Achse im Wesentlichen mit einer Linie senkrecht zur Scheibenoberfläche ausgerichtet, positioniert. Danach wurde Kristallwachstum zunächst durch Absenken der Temperatur auf 995° C über 30 Minuten und dann Durchführung einer graduellen Abkühlung auf 975° C über 130 Stunden erzielt. Danach erfolgte eine Abkühlung auf Raumtemperatur über 24 Stunden. Ein annähernd 15 mm dickes Stück wurde aus dem resultierenden zylindrischen Materialstück durch Abtrennen der sich gegenüberliegenden Randoberflächen und Entfernen der Oberflächenschicht erhalten. Das Ergebnis wurde einer Sauerstoffanreicherung durch Erwärmen des Stücks im Sauerstoffstrom über 24 Stunden bei 500° C, graduellem Abkühlen von 500° C auf 350° C über 100 Stunden und Abkühlen über 10 Stunden von 350° C auf Raumtemperatur unterzogen.
• Es wurde ein Einkristall mit der gleichen Kristallorientierung wie der Impfkristall erzielt. Die c-Achse des Einkristalls stimmte im Wesentlichen mit einer Linie senkrecht zur Scheibenoberfläche überein. Die kritische Stromdichte wurde unter Verwendung eines die Probe vibrierenden Fluxmeters gemessen und ergab 3,1·10⁴ (A/cm²) bei 77 K, 1 T (c-Achse und Magnetfeld parallel). Bei der Untersuchung mit dem Transmissionselekronenmikroskop wurde festgestellt, dass die Struktur aus Partikeln des Ce-Ba-Cu-O-Systems mit 0,2–1,0 μm Durchmesser, die zusammen mit 211 fein verteilt vorlagen, besteht.
• Für das Vergleichsbeispiel wurde ein zylindrisches Materialstück auf die gleiche Weise wie vorstehend beschrieben, vorbereitet, mit dem Unterschied, dass kein Zusatzstoff des Ce-Ba-Cu-O-Systems zugegeben wurde. Der so erzielte Kristall wies eine kritische Stromdichte von 2,7·10⁴ (A/cm²) bei 77 K und 1 T (c-Achse und Magnetfeld parallel) auf.
• Das Material gemäß dieser Erfindung mit einer Struktur, welche fein verteilte Partikel des Ce-Ba-Cu-O-Systems aufwies, war somit der des Vergleichsmaterials deutlich überlegen.
• Beispiel 4
• Die Ausgangspulvermaterialien Nd₂O₃, BaO₂ und CuO wurden in einem Molverhältnis der metallischen Elemente (Nd:Ba:Cu) von (12:16:23) angemischt. Den vermischten Pulvern wurde 4,0 Massenprozent Ce₃Ba₃CuO₁₀-Pulver und 10 Massenprozent Ag zugegeben, und das Resultat wurde angemischt, um ein vermischtes Ausgangspulvermaterial vorzubereiten. Das Ausgangspulvermaterial wurde im Sauerstoffstrom bei 900° C kalziniert. Das kalzinierte Pulver wurde in eine scheibenförmige Pressform mit 30 mm Durchmesser und 20 mm Dicke durch Kompression bei 196 MPa unter Verwendung einer Gummipresse geformt.
• Die Pressform wurde über 8 Stunden in mit 0,01 Mol-% Sauerstoff angereichertem Argon auf 1150° C erwärmt und danach bei dieser Temperatur über 0,5 Stunden gehalten. Dann wurde bei einer Temperatur von 1040° C ein Impfkristall des Nd-Systems mit seiner c-Achse im Wesentlichen mit einer Linie senkrecht zur Scheibenoberfläche ausgerichtet positioniert. Danach wurde Kristallwachstum zunächst durch Absenken der Temperatur auf 1010° C über 30 Minuten und dann Durchführung einer graduellen Abkühlung auf 970° C über 100 Stunden erzielt. Danach erfolgte eine Abkühlung auf Raumtemperatur über 24 Stunden. Ein annähernd 15 mm dickes Stück wurde aus dem resultierenden zylindrischen Materialstück durch Abtrennen der sich gegenüberliegenden Stirnflächen und Entfernen der Oberflächenschicht erhalten. Das Ergebnis wurde einer Sauerstoffanreicherung durch Erwärmen des Stücks auf 400° C im Sauerstoffstrom für 24 Stunden, graduellem Abkühlen von 400° C auf 250° C über 100 Stunden und Abkühlen über 10 Stunden von 250° C auf Raumtemperatur ausgesetzt.
• Es wurde ein Einkristall mit der gleichen Kristallorientierung wie der Impfkristall erzielt. Die c-Achse des Einkristalls stimmte im Wesentlichen mit einer Linie senkrecht zur Scheibenoberfläche überein. Die kritische Stromdichte wurde unter Verwendung eines die Probe vibrierenden Fluxmeters gemessen und ergab 3,5·10⁴ (A/cm²) bei 77 K, 1 T (c-Achse und Magnetfeld parallel). Bei der Untersuchung mit dem Transmissionselekronenmikroskop wurde herausgefunden, dass die Struktur aus Partikeln des Ce-Ba-Cu-O-Systems mit 0,2–1,0 μm Durchmesser, die zusammen mit 422 fein verteilt vorlagen, besteht. Mittels EDS wurde ermittelt, dass es sich um Ce₃Ba₃CuO₁₀-Partikel handelt.
• Somit wurde die Überlegenheit des Materials gemäß der Erfindung festgestellt.
• Das oxidische supraleitende Material gemäß dieser Erfindung weist verbesserte Jc-Werte auf und es wird erwartet, dass sie einen bemerkenswerten Beitrag für die Industrie durch die Anwendung bei Magnetschwebesystemen und Magneten leistet.

Claims (5)

1. Oxidisches supraleitendes Material mit einer REBa₂Cu₃O_7-x-Phase und in der REBa₂Cu₃O_7-x-Phase fein verteiltem RE₂BaCuO₅ oder RE₄Ba₂Cu₂O₁₀ enthält, dadurch gekennzeichnet, dass das oxidische supraleitende Material ferner Partikel enthält, welche aus Ce, Ba, Cu und O bestehen und in der RE-Ba₂Cu₃O_7-x-Phase fein verteilt sind, wobei die Partikel eine Zusammensetzung Ce_xBa_yCu_zO_w, mit 2,4 ≤ x≤ 3,6, 2,4 ≤ y≤ 3,6, 0,8 ≤ z ≤ 1,2 und 8 ≤ w≤ 12 aufweisen, wobei RE eines oder eine Kombination aus zwei oder mehreren, ausgewählt aus Seltenen-Erd-Elementen einschließlich Y darstellt.
2. Oxidisches supraleitendes Material gemäß Anspruch 1, wobei Ce_xBa_yCu_zO_w mindestens Ce₃Ba₃CuO₁₀ enthält
3. Oxidisches supraleitendes Material gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei dieses weiterhin 0,05–2,0 Massen-% Pt, 0,01–1,0 Massen-% Rh oder 5–20 Massen-% Ag enthält.
4. Verfahren zur Herstellung eines oxidischen supraleitenden Materials mit den folgenden Schritten: Zugabe von Ce_xBa_yCu_zO_w-Pulver, mit 2,4 ≤ x ≤ 3,6, 2,4 ≤ y ≤ 3,6, 0,8 ≤ z ≤ 1,2 und 8 ≤ w ≤ 12, zu einem Ausgangspulvermaterial, welches RE, Ba, Cu und O enthält, und Anmischen des Ergebnisses, um ein vermischtes Pulver zu bereiten, wobei RE eines oder eine Kombination aus zwei oder mehreren, ausgewählt aus Seltenen-Erd-Elementen einschließlich Y darstellt, Herstellen einer Pressform aus dem vermischten Pulver, Erwärmen der Pressform auf eine Temperatur von 850–1.250° C in oxidierender Atmosphäre, um die Pressform in einen partiell geschmolzenen Zustand zu überführen, und graduelles Abkühlen der Pressform oder Halten bei einer konstanten Temperatur.
5. Verfahren zur Herstellung eines oxidischen supraleitenden Materials gemäß Anspruch 4, wobei Ce_xBa_yCu_zO_w Ce₃Ba₃CuO₁₀ entspricht.