DE69931287T2 - Zweidimensionaler Bilddetektor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Zweidimensionaler Bilddetektor und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE69931287T2
DE69931287T2 DE69931287T DE69931287T DE69931287T2 DE 69931287 T2 DE69931287 T2 DE 69931287T2 DE 69931287 T DE69931287 T DE 69931287T DE 69931287 T DE69931287 T DE 69931287T DE 69931287 T2 DE69931287 T2 DE 69931287T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
dimensional image
image detector
layer
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69931287T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69931287D1 (de
Inventor
Yoshihiro Kashihara-shi Izumi
Osamu Tenri-shi Teranuma
Tokihiko Nara-shi Shinomiya
Toshiyuki Kyoto-shi Sato
Satoshi Kusatsu-shi Tokuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Sharp Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp, Sharp Corp filed Critical Shimadzu Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69931287D1 publication Critical patent/DE69931287D1/de
Publication of DE69931287T2 publication Critical patent/DE69931287T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung betrifft einen zweidimensionalen Bilddetektor zum Erfassen eines Bilds durch Strahlung, wie beispielsweise Röntgenstrahlen, sichtbares Licht, infrarotes Licht, usw., und einen Prozess zum Herstellen eines solchen zweidimensionalen Bilddetektors.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Eine Einrichtung, die herkömmlich als ein zweidimensionaler Bilddetektor zum Erfassen eines Bilds durch Strahlung bekannt ist, hat eine Struktur derart, dass Halbleitersensoren zum Fühlen von Röntgenstrahlen zum Erzeugen von Ladungen (Elektronen-Löcher) zweidimensional angeordnet sind, und elektrische Schalter für die jeweiligen Sensoren bereitgestellt sind, um die Ladungen der Sensoren Spalte für Spalte durch sequenzielles Einschalten der elektrischen Schalter Reihe für Reihe auszulesen. Die bestimmte Struktur und das Prinzip des zweidimensionalen Bilddetektors sind in zum Beispiel den Referenzen: D. L. Lee et al., "A New Digital Detector for Projection Radiography", SPIE, 2432, Seiten 237-249, 1995; und L. S. Jeromin et al., "Application of a-Si Active-Matrix Technology in a X-Ray Detector Panel", SID 97 DIGEST, Seiten 91-94, 1997; und der japanischen Veröffentlichung der ungeprüften Patentanmeldung Nummer 342098/1994 (Tokukaihei 6-342098) beschrieben.
  • Die folgenden Beschreibungen werden die Struktur und das Prinzip des herkömmlichen, vorstehend erwähnten zweidimensionalen Strahlungsbilddetektors erklären. 8 ist eine Darstellung der Struktur des zweidimensionalen Strahlungsbilddetektors. 9 ist eine Darstellung des Querschnitts, der die Struktur jedes Pixels des zweidimensionalen Strahlungsbilddetektors zeigt.
  • Wie in den 8 und 9 gezeigt ist, beinhaltet der zweidimensionale Strahlungsbilddetektor ein Aktivmatrix-Substrat mit einem Glassubstrat 51, auf welchem eine XY-matrix-förmige Elektrodenverdrahtung (Gate-Elektroden 52 und Source-Elektroden 53), TFTs (Dünnfilmtransistoren) 54 und Ladungsspeicherkondensatoren (Cs) 55 usw. ausgebildet sind. Auf der nahezu gesamten Oberfläche des Aktivmatrix-Substrats sind ein photoleitender Film 56, eine dielektrische Schicht 57 und eine obere Elektrode 58 ausgebildet.
  • Der Ladungsspeicherkondensator 55 beinhaltet eine Cs-Elektrode 59 und eine Pixelelektrode 60, die mit einer Drain-Elektrode des TFT 54 verbunden sind, und so angeordnet sind, dass die Cs-Elektrode 59 der Pixelelektrode 60 über einen isolierenden Film 61 gegenüberliegt.
  • Der photoleitende Film 56 wird durch ein Halbleitermaterial zum Erzeugen von Ladungen bei Aussetzen gegenüber Strahlung, wie beispielsweise Röntgenstrahlen, gebildet. Gemäß den vorstehenden Referenzen wird amorphes Selenium (a-Se) mit einem hohen Dunkelwiderstand und zufrieden stellenden photoleitenden Eigenschaften bei Aussetzen gegenüber Bestrahlung mit Röntgenstrahlen verwendet. Der photoleitende Film 56 wird durch ein Vakuum-Verdampfungsverfahren so erzeugt, dass er eine Dicke hat, die von 300 bis 600 μm reicht.
  • Als das vorstehend erwähnte Aktivmatrix-Substrat kann ein Aktivmatrix-Substrat genutzt werden, das in dem Prozess des Herstellens einer Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung erzeugt wird. Zum Beispiel beinhaltet ein Aktivmatrix-Substrat, das für eine nach dem Aktivmatrix-Prinzip arbeitende Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung (AMLCD) verwendet wird, durch amorphes Silizium (a-Si) oder Polysilizium (p-Si) gebildete TFTs, XY-Matrixelektroden und Ladungsspeicherkondensatoren. Daher kann durch lediglich geringfügiges Ändern der Ausgestaltung das in dem Prozess des Herstellens der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung erzeugte Aktivmatrix-Substrat leicht als das Aktivmatrix-Substrat zur Verwendung in dem zweidimensionalen Strahlungsbilddetektor genutzt werden.
  • Als Nächstes werden die folgenden Beschreibungen das Betriebsprinzip des zweidimensionalen Strahlungsbilddetektors mit der vorstehend erwähnten Struktur erklären.
  • Wenn der photoleitende Film 56 Strahlung ausgesetzt wird, werden in dem photoleitenden Film 56 Ladungen erzeugt. Wie in den 8 und 9 gezeigt ist, bewegen sich, da der photoleitende Film 56 und der Ladungsspeicherkondensator 55 elektrisch in Reihe verschaltet sind, dann, wenn eine Spannung an die obere Elektrode 58 und die Cs-Elektrode 59 angelegt wird, die negativen und positiven Ladungen, die in dem photoleitenden Film 56 erzeugt wurden, in Richtung der Anodenseite bzw. der Kathodenseite. Infolge dessen werden die Ladungen in dem Ladungsspeicherkondensator 55 gesammelt. Es wird angemerkt, dass eine Ladungssperrschicht 62 als eine dünne isolierende Schicht zwischen dem photoleitenden Film 56 und dem Ladungsspeicherkondensator 55 ausgebildet ist und als eine nach dem Sperrprinzip arbeitende Photodiode zum Sperren des Flusses der Ladungen von einer Seite wirkt.
  • Mit dieser Funktion können die in dem Ladungsspeicherkondensator 55 gesammelten Ladungen über Source-Elektroden S1, S2, S3, ..., Sn ausgeleitet werden, indem die TFTs 54 in Übereinstimmung mit Eingangssignalen von Gate-Elektroden G1, G2, G3, ..., Gn in den offenen Zustand versetzt werden. Da die Gate-Elektroden 52, die Source-Elektroden 53, die TFTs 54, die Ladungsspeicherkondensatoren 55 usw. alle in der XY-Matrixform bereitgestellt sind, kann durch sequenzielles Abtasten der den Gate-Elektroden G1, G2, G3, ..., Gn zugeführten Signale Zeile für Zeile Röntgenstrahlen-Bildinformation zweidimensional erhalten werden.
  • Falls der in dem vorstehenden zweidimensionalen Bilddetektor verwendete photoleitende Film 56 Photoleitfähigkeit in Bezug auf sichtbares Licht und infrarotes Licht sowie Strahlung wie beispielsweise Röntgenstrahlen zeigt, wirkt der zweidimensionale Bilddetektor ebenfalls als ein zweidimensionaler Bilddetektor zum Erfassen eines Bildes durch sichtbares Licht und infrarotes Licht.
  • In der vorstehenden herkömmlichen Struktur wird jedoch a-Se als der photoleitende Film 56 verwendet. Das Ansprechen von a-Se ist nicht gut, weil der durch a-Se erzeugte Photostrom verteilte Leitungseigenschaften hat, die typisch für amorphe Materialien sind. Ferner kann, da die Empfindlichkeit (das Signal/Rausch-Verhältnis) von a-Se gegenüber Röntgenstrahlen nicht ausreichend ist, Information nicht ausgelesen werden, bis die Ladungsspeicherkondensatoren 55 durch eine langzeitige Bestrahlung mit Röntgenstrahlen voll geladen sind.
  • Darüber hinaus ist die dielektrische Schicht 57 zwischen dem photoleitenden Film 56 und der oberen Elektrode 58 zur Verringerung des Leckstroms (Dunkelstroms) und zum Schutz gegenüber Hochspannung bereitgestellt. Da die Ladungen in der dielektrischen Schicht 57 verbleiben, muss eine Sequenz zum Entfernen der verbleibenden Ladungen für jedes Einzelbild hinzugefügt werden, wodurch ein Problem derart verursacht wird, dass der zweidimensionale Bilddetektor nur zum Aufzeichnen von statischen Bildern genutzt werden kann.
  • Indessen ist es, um dynamischen Bildern entsprechende Bilddaten zu erhalten, notwendig, den photoleitenden Film 56 zu verwenden, der aus einem kristallinen (oder polykristallinen) photoleitenden Material mit herausragender Empfindlichkeit (Signal/Rausch-Verhältnis) gegenüber Röntgenstrahlen anstelle von a-Se hergestellt ist. Wenn die Empfindlichkeit des photoleitenden Films 56 verbessert wird, können die Ladungsspeicherkondensatoren 55 sogar durch kurzzeitige Bestrahlung mit Röntgenstrahlen ausreichend geladen werden, sodass das Anlegen einer Hochspannung an den photoleitenden Film 56 unnötig wird, wodurch die Notwendigkeit zum Bereitstellen der dielektrischen Schicht 57 eliminiert wird. Infolge dessen ist das Hinzufügen der Sequenz zum Entfernen der verbleibenden Ladungen für jedes Einzelbild nicht erforderlich, wodurch es möglich gemacht wird, dynamische Bilder aufzuzeichnen.
  • Photoleitende Materialien, die dafür bekannt sind, dass sie herausragende Empfindlichkeit gegenüber Röntgenstrahlen haben, sind CdTe, CdZnTe, usw. Im allgemeinen ist die photoelektrische Röntgenstrahlenabsorption eines Materials proportional zu der 5. Potenz der effektiven Atomnummer des absorbierenden Materials. Zum Beispiel kann dann, wenn vorausgesetzt wird, dass die Atomnummer von Se 34 ist und die effektive Atomnummer von CdTe 50 ist, eine etwa 6,9-fache Verbesserung der Empfindlichkeit erwartet werden. Wenn jedoch CdTe oder CdZnTe als der photoleitende Film 56 des zweidimensionalen Strahlungsbilddetektors anstelle von a-Se verwendet wird, tritt das folgende Problem auf.
  • In dem herkömmlichen Fall des Verwendens von a-Se kann das Vakuum-Verdampfungsverfahren als das Verfahren zum Abscheiden des Films verwendet werden, sodass der Film bei Raumtemperaturen abgeschieden werden kann. Folglich war die Filmabscheidung auf dem Aktivmatrix-Substrat leicht. Indessen waren in dem Fall des Verwendens von CdTe und CdZnTe das MBE-Verfahren und das MOCVD-Verfahren als Verfahren zum Abscheiden des Films bekannt, und ist insbesondere das MOCVD-Verfahren unter Berücksichtigung der Abscheidung des Film über ein großflächiges Substrat geeignet.
  • Die Abscheidung von CdTe oder CdZnTE mittels dem MOCVD-Verfahren erfordert jedoch eine hohe Temperatur von etwa 400°C, weil eine thermische Zersetzung von organischem Cadmium (DMCd) als Rohmaterial bei etwa 300°C auftritt, und eine thermische Zersetzung von organischem Tellurium (DETe und DiPTe) als Rohmaterialien bei etwa 400°C bzw. 350°C auftritt.
  • Vorwiegend beinhaltet der auf dem Aktivmatrix-Substrat ausgebildete, vorstehend erwähnte TFT 54 einen a-Si-Film oder einen p-Si-Film als eine Halbleiterschicht. Diese Filme werden bei Temperaturen abgeschieden, die von etwa 300 bis 350°C reichen, während Wasserstoff (H2) hinzugefügt wird, um deren Halbleitereigenschaften zu verbessern. Der auf diese Art und Weise erzeugte TFT 54 weist einen Wärmewiderstand bis zu etwa 300°C auf. Demgemäß bewirkt eine Behandlung des TFTs 54 bei Temperaturen höher als 300°C, dass Wasserstoff aus dem a-Si-Film oder dem p-Si-Film austritt, wodurch die Halbleitereigenschaften verschlechtert werden.
  • Demzufolge war die Filmabscheidung von CdTe oder CdZnTe durch das MOCVD-Verfahren auf das Aktivmatrix-Substrat im Hinblick auf die Filmabscheidungstemperatur praktisch schwierig.
  • Darüber hinaus offenbart die Druckschrift US-A-5 379 336 einen Festkörper-Röntgenstrahldetektor in der Form einer hybriden Halbleiterkonstruktion als ein zweidimensionales Feld von Pixelelementen. In dieser Konstruktion sind zwei getrennte Schichten von Halbleitermaterialien, die ein Detektorfeld bzw. ein Auslesefeld bilden, über Indium-Höckerklebeverbindungen für jedes Pixel zwischenverbunden, welche die Bodenfläche des Detektorfeldes mit der oberen Fläche des Auslesechips verbinden.
  • Ferner betrifft die Druckschrift EP-A-0783177 ein Verfahren für die Produktion eines mikrokapselartigen leitenden Füllers und bezieht sich als solches auf eine Art eines anisotropischen leitenden Materials und ein mikrokapselartiges Klebemittel, bei dem in einem Klebemittel der beschichtete mikrokapselartige leitende Füller verteilt ist.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen zweidimensionalen Bilddetektor zu schaffen, welcher ein verbessertes Ansprechverhalten aufweist und in der Lage ist, mit dynamischen Bildern umzugehen, unter Verwendung von CdTe, CdZnTe, usw. als ein Material einer Halbleiterschicht mit Photoleitfähigkeit, sowie einen Prozess zum Herstellen eines solchen zweidimensionalen Bilddetektors bereitzustellen.
  • In Übereinstimmung mit der Erfindung wird diese Aufgabe durch einen zweidimensionalen Bilddetektor wie in den Patentansprüchen 1, 4, 8, 11 und 21 definiert, und durch einen Prozess zum Herstellen eines zweidimensionalen Bilddetektors wie in Patentanspruch 27 definiert gelöst.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der beigefügten Unteransprüche.
  • Daher sind in Übereinstimmung mit der definierten Struktur das Aktivmatrix-Substrat einschließlich der Schaltelemente und der Ladungspeicherkondensatoren sowie das gegenüber liegende Substrat einschließlich der Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht so angeordnet, dass sie einander gegenüber liegen und miteinander durch die Verbindungsschicht verbunden sind. D. h., da die Halbleiterschicht elektrisch und physikalisch mit den Ladungsspeicherkondensatoren über die Verbindungsschicht verbunden ist, ist es nicht erforderlich, dass diese direkt auf dem Aktivmatrix-Substrat angeordnet ist. Daher kann sogar ein Halbleitermaterial, das die Wärmebehandlung bei einer Temperatur höher als die Wärmewiderstandstemperatur des Schaltelements (der Temperatur, der das Schaltelement widerstehen kann) in dem Filmabscheidungsschritt erfordert, für die Halbleiterschicht verwendet werden.
  • Infolgedessen kann unabhängig von der Wärmewiderstandstemperatur des Schaltelements das Halbleitermaterial mit herausragender Empfindlichkeit gegenüber Strahlung, wie beispielsweise Röntgenstrahlen, sichtbarem Licht, und infrarotem Licht frei gewählt und für die Halbleiterschicht verwendet werden.
  • Ferner wird durch Verwenden des Halbleitermaterials mit herausragender Empfindlichkeit für die Halbleiterschicht die zum Speichern notwendiger Ladung erforderliche Zeit verkürzt. Daher kann die an den Elektrodenabschnitt angelegte Spannung niedriger als der herkömmliche Wert eingestellt werden. Es ist somit möglich, die dielektrische Schicht, welche herkömmlich zwischen der Halbleiterschicht und der Elektrodenschicht zum Schutz gegen die hohe Spannung bereitgestellt war, wegzulassen.
  • Infolgedessen ist das Hinzufügen einer Sequenz zum Entfernen der in der dielektrischen Schicht verbleibenden Ladungen für jedes Einzelbild nicht erforderlich, und wird das Erfassen der dynamischen Bilder möglich.
  • In Übereinstimmung mit dem definierten Herstellungsprozess wird das Aktivmatrix-Substrat einschließlich der Schaltelemente und der Ladungsspeicherkondensatoren mit den Pixelelektroden zunächst in dem Schritt (a) vorbereitet, und wird das gegenüber liegende Substrat einschließlich der Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht, die Photoleitfähigkeit zeigt, in dem Schritt (b) vorbereitet. Dann wird in dem Schritt (c) das Aktivmatrix-Substrat mittels der Verbindungsschicht mit anisotropischer Leitfähigkeit mit dem gegen über liegenden Substrat verbunden. Auf diese Art und Weise wird die Halbleiterschicht nicht auf dem Aktivmatrix-Substrat ausgebildet, sondern auf dem gegenüber liegenden Substrat, und dann elektrisch und physikalisch mit dem Aktivmatrix-Substrat über die Verbindungsschicht mit anisotropischer Leitfähigkeit verbunden. Daher kann die Halbleiterschicht unter Verwendung des Materials, welches herkömmlich aus dem Blickpunkt der Wärmewiderstandstemperatur des Schaltelements nicht verwendet werden konnte, d.h. das Halbleitermaterial, welches die Wärmebehandlung bei einer hohen Temperatur in dem Filmabscheidungsschritt erfordert, erzeugt werden.
  • Infolgedessen kann das Halbleitematerial mit herausragender Empfindlichkeit gegenüber Strahlung, wie beispielsweise Röntgenstrahlen, und Licht, wie etwa sichtbarem Licht und infrarotem Licht, frei gewählt und für die Halbleiterschicht verwendet werden.
  • Ferner wird durch Verwenden des Halbleitermaterials mit herausragender Empfindlichkeit für die Halbleiterschicht die zum Speichern notwendiger Ladungen erforderliche Zeit verkürzt. Daher kann die an dem Elektrodenabschnitt angelegte Spannung niedriger als der herkömmliche Wert eingestellt werden. Es ist somit möglich, die dielektrische Schicht, welche herkömmlich zwischen der Halbleiterschicht und der Elektrodenschicht zum Schutz gegenüber der hohen Spannung bereitgestellt war, wegzulassen.
  • Infolgedessen ist das Hinzufügen einer Sequenz zum Entfernen der in der dielektrischen Schicht verbleibenden Ladungen für jedes Einzelbild nicht erforderlich, und wird das Erfassen der dynamischen Bilder möglich.
  • Für ein tieferes Verständnis der Natur und der Vorteile der Erfindung sollte auf die nachfolgende detaillierte Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen Bezug genommen werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Schnittansicht, die vereinfacht eine Gesamtstruktur eines zweidimensionalen Bilddetektors gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • 2 ist eine Schnittansicht, die die Struktur jedes Pixels des zweidimensionalen Bilddetektors zeigt.
  • 3 ist ein Schaltungsdiagramm, das eine Äquivalenzschaltung jedes Pixels des zweidimensionalen Bilddetektors zeigt.
  • Die 4(a) bis 4(d) sind beispielhafte Ansichten, die den Prozess des Zusammenfügens eines Aktivmatrix-Substrats und eines gegenüber liegenden Substrats in dem zweidimensionalen Bilddetektor zeigen.
  • 5 ist eine Schnittansicht, die die Struktur jedes Pixels eines zweidimensionalen Bilddetektors eines anderen Ausführungsbeispiels der Erfindung zeigt, unter Verwendung eines Aktivmatrix-Substrats mit einer Struktur, die sich von der des in 1 gezeigten Aktivmatrix-Substrats unterscheidet.
  • 6 ist eine Schnittansicht, die die Struktur jedes Pixels eines zweidimensionalen Bilddetektors eines nochmals anderen Ausführungsbeispiels der Erfindung zeigt, unter Verwendung eines gegenüber liegenden Substrats mit einer Struktur, die sich von der des in 1 gezeigten gegenüber liegenden Substrats unterscheidet.
  • 7 ist eine Schnittansicht, die die Struktur jedes Pixels eines zweidimensionalen Bilddetektors eines nochmals anderen Ausführungsbeispiels der Erfindung zeigt, unter Verwendung eines gegenüber liegenden Substrats mit einer Struktur, die sich von der des in 1 oder 6 gezeigten gegenüber liegenden Substrats unterscheidet.
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht, die die Struktur eines herkömmlichen zweidimensionalen Bilddetektors zeigt.
  • 9 ist eine Schnittansicht, die die Struktur jedes Pixels des herkömmlichen zweidimensionalen Bilddetektors zeigt.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Bezug nehmend auf die 1 bis 7 werden die folgenden Beschreibungen Ausführungsbeispiele der Erfindung erklären.
  • [Ausführungsbeispiel 1]
  • Wie in 1 gezeigt ist, beinhaltet ein zweidimensionaler Bilddetektor in Übereinstimmung mit dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ein Aktivmatrix-Substrat 1, auf welchem Ladungsspeicherkondensatoren (Cs) 4 und TFTs (Dünnfilmtransistoren) 5 als Schaltelemente ausgebildet sind, und ein gegenüber liegendes Substrat 2, auf welchem Verbindungselektroden 6 ausgebildet sind. Das Aktivmatrix-Substrat 1 und das gegenüber liegende Substrat 2 sind mittels einem anisotropischen leitenden Klebemittel bzw. Klebstoff 3 als einem anisotropischen leitenden Material miteinander verklebt. Hierbei ist das "anisotropische leitende Material" ein allgemeiner Name von Materialien, deren Leitungseigenschaften Anisotropie aufweisen. Das anisotropische leitende Klebemittel bzw. der Klebstoff 3 gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird durch Mischen von leitenden Teilchen 8 mit einem isolierenden Klebemittel bzw. Klebstoff 7 hergestellt.
  • Als Nächstes wird die detaillierte Struktur jedes Pixels des zweidimensionalen Bilddetektors unter Bezugnahme auf 2 erklärt.
  • Zunächst beinhaltet das Aktivmatrix-Substrat 1 ein Glassubstrat 9, auf welchem eine XY-Matrixform-Elektrodenverdrahtung, die durch Gate-Elektroden 10 und Source-Elektroden 11 erzeugt ist, die Ladungsspeicherkondensatoren 4, die TFTs 5, usw., ausgebildet sind. D.h., die Elektrodenverdrahtung, die Ladungsspeicherkondensatoren 4 und die TFTs 5 bilden eine Pixelfeldschicht.
  • Das Glassubstrat 9 ist ein nicht-alkalisches Glassubstrat (z.B. Nr. 7059 oder Nr. 1737, hergestellt von Corning Inc.), auf welchem die Gate-Elektrode 10, die aus einem Film von Metallen wie beispielsweise Ta hergestellt ist, erzeugt ist. Die Gate-Elektrode 10 wird durch Abscheiden eines Film von Ta usw. mit einer Dicke von etwa 3000' durch Sputterverdampfung und dann Strukturieren des Films in ein gewünschtes Muster erhalten. Gleichzeitig wird eine Cs-Elektrode 12 des Ladungsspeicherkondensators 4 erzeugt. Als Nächstes wird ein isolierender Film 13, der aus SiNx oder SiOx hergestellt wird, mit einer Dicke von etwa 3500' (10' = 1 nm) dem CVD-Verfahren abgeschieden. Der isolierende Film 13 wirkt als ein Gate-Isolationsfilm des TFT 5 und als eine dielektrische Schicht zwischen den Elektroden des Ladungsspeicherkondensators 4. Als der isolierende Film 13 kann eine anodische Oxidationsbeschichtung, die durch anodische Oxidation der Gate-Elektrode 10 und der Cs-Elektrode 12 erzeugt wird, in Kombination mit SiNx oder SiOx verwendet werden.
  • Dann werden ein a-Si-Film (i-Schicht) 14 als ein Kanalabschnitt des TFT 5 und ein a-Si-Film (n+-Schicht) 15 zum in Kontakt bringen von Source- und Drain-Elektroden miteinander mittels dem CVD-Verfahren mit Dicken von etwa 1000' und bzw. 400' abgeschieden, und werden die Filme zu gewünschten Mustern strukturiert. Danach werden die Sour ce-Elektrode 11 und die Drain-Elektrode (die auch als eine Pixelelektrode 16 dient), hergestellt aus einem Metallfilm von Ta, Al, usw., erzeugt. Die Source-Elektrode 11 und die Pixelelektrode 16 werden durch Abscheiden der Metallfilme mit Dicken von etwa 3000' durch Sputterverdampfung und Strukturieren derselben zu gewünschten Mustern erhalten.
  • Dann wird ein isolierender Schutzfilm 17 erzeugt, um den Bereich mit Ausnahme des Öffnungsabschnitts der Pixelelektrode 16 zu isolieren und zu schützen. Der isolierende Schutzfilm 17 wird durch Abscheiden eines isolierenden Films, der aus SiNx oder SiOx hergestellt wird, mittels dem CVD-Verfahren mit einer Dicke von etwa 3000' und Strukturieren desselben zu einem gewünschten Muster erhalten. Als der isolierende Schutzfilm 17 können organische Filme, die aus Acryl, Polyimid, usw. hergestellt werden, anstelle der aus inorganischen Materialien hergestellten isolierenden Filme verwendet werden. Auf diese Art und Weise wird das Aktivmatrix-Substrat 1 erzeugt.
  • Es wird angemerkt, dass der TFT 5 mit einer anti-versetzten Struktur einschließlich a-Si als das TFT-Element des Aktivmatrix-Substrats 1 verwendet wird, aber das TFT-Element ist nicht auf diese Struktur beschränkt. D. h., p-Si oder eine versetzte Struktur ist ebenfalls akzeptabel. Darüber hinaus kann das Aktivmatrix-Substrat 1 durch denselben Prozess wie den des Aktivmatrix-Substrats, das in dem Prozess des Herstellens der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung erzeugt wird, erzeugt werden.
  • Das gegenüber liegende Substrat 2 beinhaltet als ein Stützsubstrat ein Halbleitersubstrat (Halbleiterschicht) 18 mit Photoleitfähigkeit in Bezug auf Strahlung, wie beispielsweise Röntgenstrahlen. In diesem Fall wird ein Verbundhalbleiter, wie beispielsweise CdTe oder CdZnTe, in dem Halbleitersubstrat 18 verwendet. Die Dicke des Halbleitersubstrats 18 beträgt etwa 0,5 mm. Das Halbleitersubstrat 18 ist ein Substrat, das aus einem Kristall hergestellt wird, und leicht durch das Bridgeman-Verfahren, das Gradienteneinfrierverfahren, das Bewegungswärmeverfahren, usw. erzeugt wird. Auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats 18, insbesondere auf der nahezu gesamten Oberfläche, wird eine obere Elektrode (Elektrodenabschnitt) 19 mittels einem für Röntgenstrahlen durchlässigen Metall, wie beispielsweise Al, erzeugt. Auf der anderen Oberfläche des Halbleitersubstrats 18 wird eine Ladungssperrschicht 20 auf der nahezu gesamten Oberfläche erzeugt, und wird dann die Verbindungselektrode 6 ausgebildet. Die Ladungssperrschicht 20 ist eine aus AlOx hergestellte isolierende Schicht und hat eine Dicke von etwa 300'. Die Verbindungselektrode 6 wird durch Abscheiden eines Metallfilms, wie beispielsweise Ta und Al, mittels Sputterverdampfung mit einer Dicke von etwa 2000' und Strukturieren derselben zu einem ge wünschten Muster erzeugt. Die Verbindungselektrode 6 wird an der auf dem Aktivmatrix-Substrat 1 ausgebildeten Pixelelektrode 16 entsprechenden Position erzeugt.
  • Der zweidimensionale Bilddetektor gemäß dem vorliegendem Ausführungsbeispiel wird durch Anordnen des Aktivmatrix-Substrats 1 und des gegenüber liegenden Substrats 2, die durch den vorstehenden Prozess erhalten wurden, derart, dass jede der Pixelelektroden 16 der Verbindungselektrode 6 gegenüberliegt, Füllen des Raums dazwischen mit dem anisotropischen leitenden Material, und Verkleben der beiden Substrate mittels Druck erzeugt. Das anisotropische leitende Klebemittel 3 wird als das anisotropische leitende Material verwendet, welches durch Verteilen der leitenden Teilchen 8, die aus Metallteilchen usw. hergestellt sind, in das isolierende Klebemittel 7, wie beispielsweise ein wärmehärtendes Epoxy-Klebemittel in der Form von Paste usw. erzeugt wird. Als das anisotropische leitende Klebemittel 3 wird das Klebemittel, dessen Aushärten durch eine Wärmebehandlung bei etwa 160°C erleichtert wird, verwendet.
  • Ein äquivalentes Schaltungsdiagramm jedes Pixels des zweidimensionalen Bilddetektors ist in 3 gezeigt. Unter Bezugnahme auf die 2 und 3 wird nachstehend das Betriebsprinzip des zweidimensionalen Bilddetektors erklärt. Wenn das aus CdTe oder CdZnTe hergestellte Halbleitersubstrat 18 Röntgenstrahlen ausgesetzt wird, werden durch den Effekt der Photoleitfähigkeit Ladungen (Elektronen-Löcher) in dem Halbleitersubstrat 18 erzeugt. In diesem Fall sind der Ladungsspeicherkondensator 4 und das Halbleitersubstrat 18 über die Pixelelektrode 16, das anisotropische leitende Klebemittel 3 und die Verbindungselektrode 6 in Reihe verschaltet. Daher bewegen sich dann, wenn eine Spannung an die obere Elektrode 19 und die Cs-Elektrode 12 angelegt wird, die negativen und positiven Ladungen, die in dem Halbleitersubstrat 18 erzeugt wurden, in Richtung der Anodenseite bzw. der Kathodenseite. Infolgedessen werden die Ladungen in dem Ladungsspeicherkondensator 4 gesammelt.
  • Die Ladungssperrschicht 20 als eine dünne isolierende Schicht ist zwischen dem Halbleitersubstrat 18 und der Verbindungselektrode 6 ausgebildet und dient als eine nach dem Sperrprinzip arbeitende Photodiode mit einer MIS (Metal-Insulator-Semiconductor)-Struktur zum Sperren der Injektion von Ladungen von einer Seite. Diese Funktion trägt zu der Verringerung des Dunkelstroms bei, der erzeugt wird, wenn keine Röntgenstrahlen in das Halbleitersubstrat 18 eintreten. D. h., wenn eine positive Spannung an die obere Elektrode 19 angelegt wird, sperrt die Ladungssperrschicht 20 die Injektion von Elektronen aus der Verbindungselektrode 6 in das Halbleitersubstrat 18. In manchen Fällen ist eine Ladungssperrschicht auch zwischen dem Halbleitersubstrat 18 und der oberen Elektrode 19 bereitgestellt, um die Injektion von Löchern aus der oberen Elektrode 19 in das Halbleitersubstrat 18 zu sperren, wodurch der Dunkelstrom weiter verringert wird.
  • Es erübrigt sich zu sagen, dass außer der vorstehend erwähnten MIS-Struktur eine einen Laminationsfilm aus CdTe/CdS usw. verwendende Hetero-Übergangsstruktur, eine PIN-Übergangsstruktur, und eine Schottky-Übergangsstruktur ebenfalls als die Struktur der nach dem Sperrprinzip arbeitenden Photodiode, d. h. der Struktur der Ladungssperrschicht 20, akzeptabel sind.
  • Wie vorstehend beschrieben wurde, können die in dem Ladungsspeicherkondensator 4 gesammelten Ladungen aus der Source-Elektrode 11 ausgeleitet werden, indem der TFT 5 durch das Eingangssignal der Gate-Elektrode 10 in den offenen Zustand versetzt wird. Hierbei sind die Elektrodenverdrahtung (die Gate-Elektroden 10 und die Source-Elektroden 11), die TFTs 5, die Ladungsspeicherkondensatoren 4 und andere Elemente alle in der XY-Matrix-Form angeordnet, wie in dem herkömmlichen Beispiel, das in 8 gezeigt ist. Daher kann durch sequenzielles Abtasten der den Gate-Elektroden G1, G2, G3, ..., Gn zugeführten Signale Zeile für Zeile Röntgenbildinformation zweidimensional erhalten werden. Wie soweit beschrieben wurde, ist das grundlegende Betriebsprinzip des zweidimensionalen Bilddetektors des vorliegenden Ausführungsbeispiels dasselbe wie das des Bilddetektors, der als das herkömmliche Beispiel gezeigt ist.
  • Wie vorstehend erwähnt wurde sind in dem zweidimensionalen Bilddetektor in Übereinstimmung mit diesem Ausführungsbeispiel das Aktivmatrix-Substrat 1 und das gegenüber liegende Substrat 2 elektrisch und physikalisch durch das anisotropische leitende Klebemittel 3, das durch Verteilen der leitenden Teilchen 8 in dem Klebemittel 7 erzeugt wurde, miteinander verklebt. Das Aktivmatrix-Substrat 1 ist mit der gitterförmigen Elektrodenverdrahtung und einer Vielzahl von TFTs 5 und Pixelelektroden 16, die an den jeweiligen Gitterpunkten bereitgestellt sind, ausgerüstet. Das gegenüber liegende Substrat 2 ist mit dem Halbleitersubstrat 18 mit Photoleitfähigkeit, das auf der nahezu gesamten Oberfläche des gegenüber liegenden Substrats 2 ausgebildet ist, ausgerüstet. Daher wird mit dieser Anordnung des vorliegenden Ausführungsbeispiels die Beschränkung der Filmabscheidungstemperatur des Photoleiters aufgrund des Wärmewiderstands des Aktivmatrix-Substrats weniger schwerwiegend, welches ein Problem in dem Fall des direkten Abscheidens des photoleitenden Halbleiters auf dem Aktivmatrix-Substrat wie in dem herkömmlichen zweidimensionalen Bilddetektor war. Infolgedessen wird es möglich gemacht, die Halbleitermaterialien (z.B. CdTe und CdZnTe) in dem zweidimensionalen Bilddetektor zu verwenden, welche herkömmlich nicht direkt auf dem Aktivmatrix-Substrat abgeschieden werden konnten.
  • In diesem Fall ist aufgrund des Wärmewiderstands des Aktivmatrix-Substrats die Temperatur, die zum Verursachen, dass das wärmehärtende anisotropische leitende Klebemittel aushärtet, erforderlich ist, beschränkt. Da jedoch das Aktivmatrix-Substrat üblicherweise einen Wärmewiderstand bis etwa 250°C hat, kann ein Klebemittel, dessen Aushärtung unter einer solchen Temperatur fortschreitet, leicht gewählt werden, wodurch kein Problem bei der Verwendung von CdTe oder CdZnTe als das Halbleitermaterial verursacht wird.
  • Da CdTe oder CdZnTe als das Halbleitersubstrat 18 aus den vorstehend beschriebenen Gründen verwendet werden können, wird die Empfindlichkeit gegenüber Röntgenstrahlen verglichen mit dem herkömmlichen, ein a-Se verwendenden zweidimensionalen Bilddetektor verbessert, und ist es nicht erforderlich, die dielektrische Schicht zwischen dem Halbleitersubstrat 18 und der oberen Elektrode 19 bereitzustellen. Es ist somit möglich, Bilddaten entsprechend dynamischen Bildern zu erhalten, d. h. Bilddaten mit einer Rate von 33 ms/Einzelbild zu erhalten.
  • Ferner sind in dem zweidimensionalen Bilddetektor des vorliegenden Ausführungsbeispiels die Verbindungselektroden 6 auf der Seite des Halbleitersubstrats 18 ausgebildet, welche Seite dem Aktivmatrix-Substrat 1 gegenüberliegt, sodass die Verbindungselektroden 6 in Entsprechung mit einer Vielzahl von Pixelelektroden 16, die auf dem Aktivmatrix-Substrat 1 ausgebildet sind, für die jeweiligen Pixel separat bereitgestellt sind. Daher sind die Pixel auf dem Halbleitersubstrat 18 des gegenüber liegenden Substrats 2 elektrisch voneinander getrennt. Infolgedessen werden die in dem Halbleitersubstrat 18 durch den Einfall von Strahlung oder eines Lichtstrahls erzeugten Ladungen auf nur der dem Einfallsort entsprechenden Verbindungselektrode 6 gesammelt, wodurch das elektrische Übersprechen, das durch die sich zu den umgebenden Pixeln bewegenden Ladungen verursacht wird, begrenzt wird.
  • Ferner ist, wie in 2 gezeigt ist, die Verbindungselektrode 6 mit einer maximalen Größe innerhalb jedes Pixels auf dem Halbleitersubstrat 18 ausgebildet, und ist die Fläche der Pixelelektrode 16 so festgelegt, dass sie kleiner ist als die der Verbindungselektrode 6 in jedem Pixel. Diese Anordnung ermöglicht eine effiziente Sammlung der Ladungen, die in dem Halbleiter durch den Einfall von Röntgenstrahlen und Lichtstrahlen erzeugt werden, und begrenzt das elektrische Übersprechen zwischen den benachbarten Pixeln auch dann, wenn das Aktixmatrx-Substrat 1 und das gegenüber liegende Substrat 2 nicht präzise in den korrekten Positionen platziert werden, wenn die beiden Substrate zusammengefügt werden.
  • In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel war die Pixelelektrode 16 so angeordnet, dass sie eine im Wesentlichen quadratische Form hatte, deren Seitenlänge etwa 80 μm betrug, und war die Verbindungselektrode 6 so angeordnet, dass sie eine im wesentlichen quadratische Form hatte, deren Seitenlänge etwa 120 μm betrug. Mit dieser Anordnung war ein Spielraum von ± 20 μm bei dem Verkleben des Aktivmatrix-Substrats 1 und des gegenüber liegenden Substrats 2 sichergestellt.
  • Als Nächstes werden die nachfolgenden Beschreibungen im Einzelnen das in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel verwendete anisotropische leitende Klebemittel 3 erklären. Vorwiegend wird das Mittel als das anisotropische leitende Klebemittel 3 verwendet, das durch Verteilen der leitenden Teilchen 8 in dem isolierenden Klebemittel 7 erzeugt wurde. Die hier verfügbaren leitenden Teilchen 8 beinhalten Metallteilchen, wie beispielsweise Ni oder Ag oder mit Au überzogene Metallteilchen, ein Karbonteilchen, ein mit einem Metallfilm beschichtetes Plastikteilchen, d. h. ein Plastikteilchen, das mit Au oder Au/Ni überzogen ist, ein transparentes leitendes Teilchen wie beispielsweise ITO, und ein leitendes Verbundplastikteilchen, welches durch Mischen von Ni-Teilchen mit Polyurethan erzeugt wird. In diesem Ausführungsbeispiel wurde das mit dem Metallfilm beschichtete Plastikteilchen mit herausragender Elastizität verwendet, um Schwankungen der Dicke des oberen und des unteren Substrats (des Aktivmatrix-Substrats 1 und des gegenüber liegenden Substrats 2) auszugleichen.
  • Das hier verfügbare Klebemittel 7 beinhaltet Klebemittel des wärmehärtenden Typs, des thermoplastischen Typs, und des an Licht aushärtenden Typs. Das Klebemittel jedes Typs hat die folgenden Eigenschaften.
  • Das Klebemittel des wärmehärtenden Typs ist das Mittel, dessen Aushärten durch ledigliches Anwenden einer Wärmebehandlung erleichtert wird, und hat verschiedene Arten, wie beispielsweise Epoxidharze, Acrylharze und Polyurethan. Insbesondere die Epoxidharze mit herausragender Verlässlichkeit in deren Wärmewiderstand und Klebeeigenschaft können einen hochverlässlichen zweidimensionalen Bilddetektor realisieren.
  • Das Klebemittel des thermoplastischen Typs besitzt eine Reversibilität bei dem Härten und Weichwerden, und beinhaltet verschiedene Arten, wie beispielsweise SBS (Styren-Butadien-Styren-Blockcopolymer), SEBS (Styren-Ethylbuthylen-Styren-Blockcopolymer), und PVB (Polyvinyl-Butyral). Das Klebemittel dieses Typs hat einen Vorteil dahingehend, dass dann, wenn eine Mangelhaftigkeit in entweder dem Aktivmatrix-Substrat 1 oder dem gegenüber liegenden Substrat 2 festgestellt wird, nach dem die beiden Substrate zunächst erwärmt und miteinander verklebt wurde, das Klebemittel 7 durch sein erneutes Erwärmen weich gemacht werden kann, sodass die beiden Substrate leicht voneinander getrennt werden können. D. h., dieses Klebemittel ist zum Durchführen vieler Nacharbeitungsbehandlungen geeignet. Es wird angemerkt, dass in manchen Fällen ein gemischtes Klebemittel, in welchem das Klebemittel des wärmehärtenden Typs mit dem Klebemittel des thermoplastischen Typs vermischt ist, verwendet wird. Als das Klebemittel des an Licht härtenden Typs werden häufig Acrylharze verwendet. Das Klebemittel dieses Typs ist das Mittel, dessen Aushärten durch Bestrahlung mit Licht, wie beispielsweise ultravioletten Strahlen, erleichtert wird, und benötigt keine Wärmebehandlung. Daher werden dann, wenn das Aktivmatrix-Substrat 1 und das gegenüber liegende Substrat 2 verklebt werden, auch dann, wenn deren thermische Expansionskoeffizienten unterschiedlich sind, Verwerfungen der Substrate und eine Trennung verklebter Oberflächen durch den Unterschied in den thermischen Expansionskoeffizienten nicht verursacht. Es ist somit möglich, Substrate mit relativ großen Flächen zu verkleben.
  • Zum Beispiel hat das Glassubstrat Nr. 1737, das von Corning Inc. hergestellt wird, und das in dem Aktivmatrix-Substrat 1 verwendet wird, den thermischen Expansionskoeffizienten von 37,8 × 10–7 (/°C), während CdTe den thermischen Expansionskoeffizienten von 47 × 10–7 (/°C) hat, welcher sich von dem vorstehenden Wert unterscheidet. Daher wird soweit möglich bei dem Verkleben der beiden Elemente die Verwendung des Klebemittels des an Licht aushärtenden Typs, das keine Wärmebehandlung erfordert, bevorzugt. In dem Fall des Verwendens des Klebemittels des an Licht aushärtenden Typs werden die Cs-Elektrode 12 und die Pixelelektrode 16 bevorzugt durch transparente Elektroden, wie beispielsweise ITO, ausgebildet. Dies ist deshalb so, weil das anisotropische leitende Klebemittel 3, das sich in dem Spalt zwischen dem Aktivmatrix-Substrat 1 und dem gegenüber liegenden Substrat 2 befindet, mit Licht beleuchtet werden muss, wenn die beiden Substrate aneinandergefügt gehalten werden. Durch Beleuchten mit Licht, das von dem Aktivmatrix-Sub-strat 1 über die transparente Cs-Elektrode 12 und die Pixelelektrode 16 einfällt, kann das Aushärten des anisotropischen leitenden Klebemittels 3 erleichtert werden.
  • Wie soweit beschrieben wurde, kann das Klebemittel 7 der vorstehenden Typen, das für das anisotropische leitende Klebemittel 3 zu verwenden ist, in Abhängigkeit von den Verwendungen ausgewählt werden. In dem vorstehenden Ausführungsbeispiel, in dem die Verklebungsfestigkeit ernst genommen wird, wird das Klebemittel des wärmehärtenden Typs verwendet.
  • Es gibt pastenartige und filmartige anisotropische leitende Klebemittel 3. Das pastenartige Klebemittel kann mittels z.B. dem Siebdruckverfahren leicht auf ein großflächiges Substrat aufgebracht werden. Das filmartige Klebemittel besitzt eine herausragende Gleichförmigkeit in seiner Dicke, wodurch auch dann, wenn die großflächigen Substrate verklebt werden, leicht eine gleichmäßige Dicke des Klebemittels erreicht wird. In diesem Ausführungsbeispiel wurde, obwohl beide dieser Typen verwendet werden können, das pastenartige Klebemittel angewandt.
  • Die folgenden Beschreibungen werden das bestimmte Verfahren zum Verkleben des Aktivmatrix-Substrats 1 und des gegenüber liegenden Substrats 2 unter Verwendung des pastenartigen anisotropischen leitenden Klebemittels 3 des wärmehärtenden Typs erklären.
  • Die 4(a) bis 4(d) zeigen den Prozess des Verklebens der beiden Substrate miteinander. Zunächst wird, wie in 4(a) gezeigt ist, das anisotropische leitende Klebemittel 3 mittels dem Siebdruckverfahren auf nahezu die gesamte Oberfläche entweder des Aktivmatrix-Substrats 1 oder des gegenüber liegenden Substrats 2 mit einer Dicke von etwa 10 μm aufgebracht, mit welcher Oberfläche das andere der beiden Substrate zu verkleben ist. Falls die Flachheit des Klebemittels 7, nachdem es aufgebracht ist, ungenügend ist, kann sie durch eine Wärmebehandlung bei niedrigen Temperaturen zwischen 50 bis 60°C verbessert werden.
  • Als Nächstes werden, wie in 4(b) gezeigt ist, die beiden Substrate so angeordnet, dass sie mit einem kleinen Spalt dazwischen einander gegenüber liegen. In diesem Fall wird es dann, wenn die Verwerfung des Substrats aufgrund seines eigenen Gewichts groß ist, bevorzugt, dass die beiden Substrate vertikal abgestützt und einander gegenüber liegend angeordnet werden, wie in 4(b) gezeigt ist.
  • Dann werden, wie in 4(c) gezeigt ist, die beiden Substrate, die so angeordnet sind, dass sie einander gegenüberliegen, mittels Wärme und Druck miteinander verklebt, indem die Substrate ausgehend von einem Ende der Substrate zwischen Heizwalzen 21 hindurchgeführt werden. Die Heizwalzen 21 sind aus Gummi hergestellt, der auf die Aushärtetemperatur erwärmt ist, bei welcher das anisotropische leitende Klebemittel 3 aushärtet (in dem vorliegendem Ausführungsbeispiel etwa 160°C). In diesem Fall können dann, wenn eine Möglichkeit des Verursachens eines thermischen Brechens durch abruptes Erwärmen der Substrate besteht, die beiden Substrate vorgewärmt werden, bevor sie dem Walzenerwärmen ausgesetzt werden, oder können die beiden Substrate unter Verwendung von Heizwalzen von mehr als zwei Arten zum Heizen bei niedrigen und hohen Temperaturen langsam erwärmt werden.
  • Auf diese Art und Weise sind dann, wenn die Verklebungsbehandlung mittels Wärme und Druck durch Hindurchführen der gesamten Substrate zwischen den Heizwalzen 21 abgeschlossen ist, wie in 4(d) gezeigt ist, das Aktivmatrix-Substrat 1 und das gegenüber liegende Substrat 2 mittels dem anisotropischen leitenden Klebemittel 3 miteinander verklebt.
  • In dem vorstehenden Verklebungsprozess wird das anisotropische leitende Klebemittel 3 mittels dem Siebdruckverfahren aufgebracht. Daher ist das Aufbringen des Klebemittels auch dann leicht, wenn das Aktivmatrix-Substrat 1 und das gegenüber liegende Substrat 2 mit großen Flächen verklebt werden. Es sich erübrigt sich zu sagen, dass andere Druckverfahren als das Siebdruckverfahren, z. B. das Offsetdruckverfahren, in dem Schritt des Aufbringens des anisotropischen leitenden Klebemittels 3 verwendet werden können. Darüber hinaus ist dann, wenn das filmartige anisotropische leitende Klebemittel 3 anstelle des pastenartigen anisotropischen leitenden Klebemittels 3 verwendet wird, das Übertragen des Films durch das Laminationsverfahren anstelle des Druckens zweckmäßig ist.
  • In diesem Fall wird der Durchmesser des leitenden Teilchens 8, das in dem anisotropischen leitenden Klebemittel 3 enthalten ist, bevorzugt so festgelegt, dass er im wesentlichen gleich der Dicke des aufgebrachten Klebemittels 7 ist. Dies ist deshalb so, weil die Oberflächen der beiden Substrate, an denen die Substrate miteinander verklebt werden, im wesentlichen flach sind und keine Überstände (Erhebungen) auf den Elektroden ausgebildet haben. Üblicherweise ist das anisotropische leitende Klebemittel 3, das vorstehend erwähnt wurde, so angeordnet, dass es Leitfähigkeit zwischen dem oberen und dem unteren Substrat durch Verringern des Freiraums zwischen den beiden Substraten auf einem Wert gleich oder kleiner als der Durchmesser der leitenden Teilchen 8 in dem Druckanwendungsschritt und Bringen der beiden Substrate in Kontakt mit den leitenden Teilchen 8 erreicht. In diesem Fall kann überschüssiges Klebemittel 7 in die Lücken fließen, in denen die Erhebungen nicht existieren.
  • Demgegenüber gibt es wie in dem zweidimensionalen Bilddetektor gemäß diesem Ausführungsbeispiel dann, wenn die Oberflächen, an denen die beiden Substrate miteinander verklebt werden, im wesentlichen flach sind, keine Lücken, in welches überschüssiges Kle bemittel fließen kann. Folglich macht es dann, wenn die Dicke des aufgebrachten Klebemittels 7 viel größer ist als der Durchmesse der leitenden Teilchen 8, das überschüssige Klebemittel 7 es schwierig, den Freiraum zwischen den beiden Substraten in dem Druckanwendungsschritt zu verringern. Um ein solches Problem zu vermeiden, werden der Durchmesser des in dem anisotropischen leitenden Klebemittel 3 enthaltenden leitenden Teilchens 8 und die Dicke des aufgebrachten Klebemittels 7 im Voraus so festgelegt, dass sie im wesentlichen zueinander gleich sind. Infolgedessen kann die Menge des überschüssigen Klebemittels 7 minimiert werden, wodurch es möglich gemacht wird, eine zufrieden stellende anisotropische Leitfähigkeit zu erreichen.
  • Streng gesprochen wird die Dicke des aufgebrachten Klebemittels 7 bevorzugt ein wenig kleiner als der Durchmesser des leitenden Teilchens 8 festgelegt, unter Berücksichtigung des Ausmaßes der Deformation der leitenden Teilchen 8 nach dem Druckanwendungsschritt. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wurde bestätigt, dass ein zufrieden stellendes Ergebnis unter Verwendung der leitenden Teilchen 8 mit einem Durchmesser von 10 μm und Festlegen der Dicke des aufgebrachten Klebemittels 7 innerhalb eines Bereichs von 9 – 10 μm erhalten wurde.
  • In dem vorstehenden Verklebungsprozess wird die Wärmebehandlung unter Verwendung der Heizwalzen durchgeführt. Dem zufolge ist eine große hydraulische Presseinrichtung usw. nicht erforderlich, auch dann nicht, wenn das Aktivmatrix-Substrat 1 und das gegenüber liegende Substrat 2 mit großen Flächen verklebt werden, wodurch der Verklebungsschritt und die Einrichtungen, die zur Verklebung verwendet werden, vereinfacht werden.
  • Falls z. B. das zu verwendende anisotropische leitende Klebemittel 3 einen Druck von 10 kgf/cm2 erfordert, ist eine Presskraft von bis zu 20.000 kgf zum Pressen der gesamten Oberflächen der beiden Substrate mit einer Größe von etwa 40 cm × 50 cm gegeneinander mittels der hydraulischen Presseinrichtung erforderlich. Um eine so große Presskraft zu erhalten, ist eine große Presseinrichtung notwendig. Demgegenüber können dann, wenn die Substrate derselben Größe mittels den Heizwalzen wie vorstehend beschrieben aufeinander folgend gepresst werden, die Substrate durch eine Presskraft zwischen etwa 200 – 500 kgf miteinander verklebt werden, wodurch die Einrichtungen vereinfacht werden.
  • Wenn die zu verklebenden Substrate eine relativ kleine Fläche haben, können sie durch eine allgemein übliche hydraulische Presseinrichtung gepresst und mittels Thermokompressionsbonden miteinander verklebt werden. Z. B. kann dann, wenn die Substrate eine Größe von etwa 10 cm × 10 cm haben, da eine Presskraft von 1000 kgf ausreicht, eine relativ kleine Presseinrichtung verwendet werden. In diesem Fall kann eine allgemeine übliche thermische Presseinrichtung verwendet werden.
  • Wenn eine große Presskraft auf großflächige Substrate ausgeübt werden muss, kann anstelle der hydraulischen Presseinrichtung eine Autoklav-Einrichtung zum Pressen der Substrate unter Verwendung hohen Drucks genutzt werden. Da die Autoklav-Einrichtung die Substrate unter Verwendung eines hohen Drucks von Gas (Fluid) presst, kann ein gleichmäßiger Druck erhalten werden, auch dann, wenn dies auf die großflächigen Substrate angewandt wird, und kann die Wärmebehandlung gleichzeitig durchgeführt werden.
  • [Ausführungsbeispiel 2]
  • Das in dem zweidimensionalen Bilddetektor gemäß der Erfindung verwendete Aktivmatrix-Substrat ist nicht auf die in 2 gezeigte Struktur beschränkt, sodass ein Aktivmatrix-Substrat mit einer anderen Struktur verwendet werden kann. 5 zeigt die Struktur eines zweidimensionalen Bilddetektors mit einem Aktivmatrix-Substrat 22 als einem anderen Beispiel der Struktur des Aktivmatrix-Substrats. Die Struktur des Aktivmatrix-Substrats 22 ist ähnlich zu der des in 2 gezeigten Aktivmatrix-Substrats 1. Daher werden die Elemente mit derselben Funktion wie die in 2 gezeigten mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und werden ihre Beschreibungen weggelassen.
  • Wie das Aktivmatrix-Substrat 1 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel beinhaltet das Aktivmatrix-Substrat 22 ein Glassubstrat 9, auf welchem eine XY-Matrixform-Elektrodenverdrahtung, gebildet durch Gate-Elektroden 10 und Source-Elektroden 11, die Ladungsspeicherkondensatoren 4, die TFTs 5, usw. ausgebildet sind.
  • Das Glassubstrat 9 ist ein nicht-alkalisches Glassubstrat (z. B. Nr. 7059 oder Nr. 1737, hergestellt von Corning Inc.), auf welchem die aus einem Metallfilm aus Ta usw. hergestellte Gate-Elektrode 10 ausgebildet ist. Die Gate-Elektrode 10 wird durch Abscheiden eines Films von Ta usw. mit einer Dicke von etwa 3000' durch Sputterverdampfung und sodann Strukturieren des Films zu einem gewünschten Muster erhalten. Gleichzeitig wird eine Cs-Elektrode 12 des Ladungsspeicherkondensators 4 erzeugt. Als Nächstes wird ein isolierender Film 13, der aus SiNx oder SiOx hergestellt wird, mit einer Dicke von etwa 3500' mittels dem CVD-Verfahren abgeschieden. Der isolierende Film 13 dient als ein Gate-Isolationsfilm des TFT 5 und als eine dielektrische Schicht zwischen den Elektroden des Ladungsspeicherkondensators 4. Zusammen mit Sinx oder SiOx kann eine anodische Oxidationsbeschichtung, die durch anodische Oxidation der Gate-Elektrode 10 und der Cs-Elektrode 12 erzeugt wird, zur Erzeugung des isolierenden Films 13 verwendet werden.
  • Dann werden ein a-Si-Film (i-Schicht) 14, der als ein Kanalabschnitt des TFT 5 dient, und ein a-Si-Film (n+-Schicht) 15 zum Bringen der Source-Elektrode 11 und einer Drain-Elektrode 23 (die noch zu beschreiben ist) in Kontakt miteinander mittels dem CVD-Verfahren mit Dicken von etwa 1000' bzw. 400' abgeschieden und dann zu gewünschten Mustern strukturiert. Danach werden die Source-Elektrode 11 und die Drain-Elektrode 23, hergestellt aus Metallfilmen von Ta oder Al, erzeugt. Die Sourceelektodel 1 und die Drain-Elektrode 23 werden durch Abscheiden der Metallfilme mit einer Dicke von 3000' mittels Sputterverdampfung und Strukturieren derselben zu gewünschten Mustern erhalten.
  • Dann wird nahezu die gesamte Oberfläche des Aktivmatrix-Substrats 22 mit einem Isolationsschutzfilm 24 mit einer Dicke von etwa 3 μm beschichtet. Als der Isolationsschutzfilm 24 wird ein organischer isolierender Film mit Photoleitfähigkeit, z. B. ein Acrylharz, verwendet. Der Isolationsschutzfilm 24 wird dann mittels einer Photolitografietechnik strukturiert, und eine Durchlochung 25 wird an einem bestimmten Ort erzeugt. Danach wird eine aus einem leitendem Film, wie beispielsweise Al, Ti, und ITO, hergestellte Pixelelektrode 26 auf dem Isolationsschutzfilm 24 mittels Sputterverdampfung mit einer Dicke von etwa 2000' abgeschieden und zu einem gewünschten Muster strukturiert. In diesem Fall sind die Pixelelektrode 26 und die Drain-Elektrode 23 des TFT 5 über die in dem Isolationsschutzfilm 24 bereitgestellte Durchlochung 25 elektrisch verbunden.
  • Der zweidimensionale Bilddetektor gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird auf dieselbe Art und Weise wie in dem ersten Ausführungsbeispiel vervollständigt. D. h., das Aktivmatrix-Substrat 22 mit der vorstehenden Struktur wird mit einem gegenüber liegenden Substrat 2, das als ein Stützsubstrat ein Halbleitersubstrat 18 mit Photoleitfähigkeit in Bezug auf Röntgenstrahlen besitzt, einschließt, mittels einem anisotropischen leitenden Material 3 verklebt. Dieser zweidimensionale Bilddetektor arbeitet gemäß demselben Grundprinzip wie das in dem ersten Ausführungsbeispiel beschriebene, obwohl die Strukturen der Aktivmatrix-Substrate geringfügig unterschiedlich sind.
  • Wie vorstehend erwähnt wurde, beinhaltet der zweidimensionale Bilddetektor in Übereinstimmung mit dem vorliegenden Ausführungsbeispiel das Aktivmatrix-Substrat 22, dessen Oberfläche im Wesentlichen vollständig mit dem Isolationsschutzfilm 24, der aus einem organischen isolierenden Film hergestellt ist, bedeckt ist. Daher macht der Isolationsschutzfilm 24 das Basissubstrat (das Glassubstrat mit den darauf ausgebildeten XY-Matrix form-Elektrodenverdrahtungen und den TFTs 5) flach. In der Struktur gemäß dem in 2 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel weist die Oberfläche des Aktivmatrix-Substrats 1 Überstände und Vertiefungen von etwa 1 μm aufgrund der TFTs 5 und der XY-Matrixform-Elektrodenverdrahtung auf. Demgegenüber wird in der Struktur gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Oberfläche des Basissubstrats durch den Isolationsschutzfilm flach gemacht, wie in 5 gezeigt ist, wodurch die Überstände und die Vertiefungen auf der Oberfläche des Aktivmatrix-Substrats 22 auf etwa 0,2 μm verringert werden.
  • Daher wird kein Einfluss der Substratoberflächen-Unebenheit ausgeübt, wenn das Aktivmatrix-Substrat 22 und das gegenüber liegende Substrat 2 verklebt werden. Infolgedessen können leitende Teilchen 8 sicherer in Kontakt mit den oberen und den unteren Elektroden gebracht werden.
  • Ferner kann in der Struktur gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel die Pixelelektrode 26 auf eine überlappte Art und Weise auf dem TFT und der Elektrodenverdrahtung ausgebildet werden, wodurch ein großer Spielraum bei der Ausgestaltung der Pixelelektrode 26 sichergestellt wird.
  • [Ausführungsbeispiel 3]
  • Das in dem zweidimensionalen Bilddetektor in Übereinstimmung mit der Erfindung verwendete gegenüber liegende Substrat ist nicht auf die in 2 gezeigte Struktur beschränkt, sodass ein gegenüber liegendes Substrat mit einer anderen Struktur verwendet werden kann. 6 zeigt die Struktur eines zweidimensionalen Bilddetektors einschließlich eines gegenüber liegenden Substrats 27 als ein anderes Beispiel der Struktur des gegenüber liegenden Substrats. Die Struktur des gegenüber liegenden Substrats 27 ist ähnlich zu der des in 2 gezeigten gegenüber liegenden Substrats. Daher werden die Elemente mit derselben Funktion wie der in 2 gezeigten mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und werden ihre Beschreibungen weggelassen.
  • Wie in 6 gezeigt ist, beinhaltet das gegenüber liegende Substrat 27 hauptsächlich ein Stützsubstrat 28 und einen Halbleiterfilm (Halbleiterschicht) 29, der auf dem Stützsubstrat 28 abzuscheiden ist. Das Stützsubstrat 28 muss ein Substrat mit Durchlässigkeit für Röntgenstrahlen sein, hergestellt aus Glas, Keramik, Silizium, usw. Ein Glassubstrat mit herausragender Durchlässigkeit in Bezug auf sowohl Röntgenstrahlen als auch sichtbares Licht und einer Dicke zwischen etwa 0,7 – 1,1 mm wird hier verwendet. Die meisten Röntgenstrahlen bei 40 – 100 keV können ein Stützsubstrat 28 wie dieses durchdringen.
  • Als Nächstes wird eine obere Elektrode 19 durch ein Metall wie beispielsweise Ti und Ag auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats 18 ausgebildet, insbesondere auf nahezu der gesamten Oberfläche. Wenn dieser zweidimensionale Bilddetektor zum Erfassen von Bildern durch sichtbares Licht verwendet wird, wird eine ITO-Elektrode, welche in Bezug auf sichtbares Licht transparent ist, als die obere Elektrode 19 verwendet.
  • Dann wird als ein Halbleiterfilm 29 auf der oberen Elektrode 19 ein aus CdTe oder CdZnTe hergestellter polykristalliner Film mittels dem MOCVD-Verfahren mit einer Dicke von etwa 0,5 mm erzeugt. Das MOCVD-Verfahren ist zum Abscheiden des Films auf einem großflächigen Substrat geeignet. Hierbei kann die Filmabscheidung bei einer Abscheidungstemperatur zwischen 400 und 500°C unter Verwendung der Rohmaterialien: organisches Cadmium (Dimethyl-Cadmium [DMCd], usw.), organisches Tellurium (Diethyl-Tellurium [DETe], Diisopropyl-Tellurium [DiPTe] usw.), organisches Zink (Diethyl-Zink [DEZn], Diisopropyl-Zink [DiPZn], Dimethyl-Zink [DMZn] usw.) durchgeführt werden.
  • Auf der Oberseite des Halbleiterfilms 29 wird eine Ladungssperrschicht 20 als eine aus AlOx hergestellte dünne isolierende Schicht auf nahezu der gesamten Oberfläche desselben erzeugt. Dann wird eine Verbindungselektrode 6 durch Abscheiden eines Films aus einem Metall, wie beispielsweise Ta und Al, mit einer Dicke von etwa 2000' und Strukturieren derselben zu einem gewünschten Muster ausgebildet. Die Verbindungselektrode 6 wird bevorzugt an der Position erzeugt, die der auf dem Aktivmatrix-Substrat 1 ausgebildeten Pixelelektrode 16 entspricht.
  • Wie in dem ersten Ausführungsbeispiel wird der zweidimensionale Bilddetektor in Übereinstimmung mit dem vorliegenden Ausführungsbeispiel durch Verkleben des wie vorstehend angeordneten gegenüber liegenden Substrats 27 mit dem Aktivmatrix-Substrat 1 mittels einem anisotropischen leitenden Klebstoff 3 vervollständigt. Dieser zweidimensionale Bilddetektor arbeitet gemäß demselben Grundprinzip wie das in dem ersten Ausführungsbeispiel beschriebene, obwohl die Strukturen der gegenüber liegenden Substrate geringfügig unterschiedlich sind. Es erübrigt sich zu sagen, dass es ebenfalls möglich ist, das gegenüber liegende Substrat 27 mit dem Aktivmatrix-Substrat 22 in dem zweiten Ausführungsbeispiel zu verkleben.
  • Wenn das gegenüber liegende Substrat 27 mit der vorstehenden Struktur verwendet wird, kann, da der Halbleiterfilm 29 mit Photoleitfähigkeit auf dem Stützsubstrat 28 ausgebildet ist, die physikalische Festigkeit verglichen mit dem gegenüber liegenden Substrat 2, das in dem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, erhöht werden. Infolgedessen wird es weniger wahrscheinlich, dass das gegenüber liegende Substrat 27 bricht, wenn das Aktivmatrix-Substrat 1 und das gegenüber liegende Substrat 27 verklebt werden, wodurch der Prozessspielraum vergrößert wird.
  • Wenn die Verwendung dieses zweidimensionalen Bilddetektors auf das Erfassen von Bildern durch Röntgenstrahlen beschränkt ist, ist es ebenfalls möglich, ein für Röntgenstrahlen durchlässiges Metallsubstrat zu verwenden und zu veranlassen, dass es als das Stützsubstrat 28 und die obere Elektrode 19 dient.
  • [Ausführungsbeispiel 4]
  • Das in dem zweidimensionalen Bilddetektor in Übereinstimmung mit der Erfindung verwendete gegenüber liegende Substrat ist nicht auf die in den 2 und 6 gezeigten Strukturen beschränkt, sodass ein gegenüber liegendes Substrat mit einer anderen Struktur verwendet werden kann. 7 zeigt die Struktur eines zweidimensionalen Bilddetektors einschließlich eines gegenüber liegenden Substrats 30 als ein anderes Beispiel der Struktur des gegenüber liegenden Substrats. Die Struktur des gegenüber liegenden Substrats 30 ist ähnlich zu der des in 6 gezeigten gegenüber liegenden Substrats 27. Daher werden die Elemente mit derselben Funktion wie der in 6 gezeigten mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und werden ihre Beschreibungen weggelassen.
  • Wie in 7 gezeigt ist, hat das gegenüber liegende Substrat 30 grundlegend dieselbe Struktur wie das in dem dritten Ausführungsbeispiel gezeigte gegenüber liegende Substrat 27 und beinhaltet ferner eine vorstehende Elektrode 31 auf einer Verbindungselektrode 6. D. h., die vorstehende Elektrode 31 ist in Entsprechung mit jeder der Vielzahl von Pixelelektroden 16 auf einem Aktivmatrix-Substrat 1 ausgebildet.
  • Im Einzelnen wird nach dem Erzeugen der Verbindungselektrode 6 die vorstehende Elektrode 31 durch ein Metall, wie beispielsweise Au, Cu, In, und Lötmittel auf der Verbindungselektrode 6 erzeugt, mit einer Höhe, die von einigen wenigen Mikrometern bis zu einigen zehn Mikrometern reicht, mittels dem Beschichtungsverfahren oder dem Stifthöckerverfahren. Alternativ können diese Metalle laminiert werden, um die vorstehende Elektrode 31 zu bilden.
  • Die vorstehende Elektrode 31 kann andere Strukturen wie nachstehend haben. D. h., die Verbindungselektrode 6 kann durch die Metalle, wie beispielsweise Au, Cu, In, und Löt metall erzeugt werden, mit einer Höhe zwischen einigen wenigen Mikrometern bis hin zu mehreren 10 Mikrometern, oder durch Laminieren dieser Metalle erzeugt werden, und so angeordnet werden, dass sie als die vorstehende Elektrode 31 wirkt. Alternativ kann die vorstehende Elektrode 31 wie folgt erzeugt werden. Überstände und Vertiefungen, die von einigen wenigen Mikrometern bis hin zu mehreren zehn Mikrometern reichen, werden an Verbindungsteilen, d. h. Orten, an denen die Verbindungselektroden 6 auszubilden sind, auf der vorderen Oberfläche (der dem Aktivmatrix-Substrat 1 gegenüber liegenden Oberfläche) des Halbleiterfilms 29, der aus CdTe, CdZnTe, usw., hergestellt ist, durch Photolithografie oder Ätzen erzeugt, und dann kann die Verbindungselektrode 6 auf dem Überstand durch den in dem dritten Ausführungsbeispiel gezeigten Prozess erzeugt werden und so angeordnet werden, dass sie als die vorstehende Elektrode 31 wirkt.
  • Wie in dem ersten Ausführungsbeispiel wird der zweidimensionale Bilddetektor in Übereinstimmung mit dem vorliegenden Ausführungsbeispiel durch Verkleben des gegenüber liegenden Substrats 30 einschließlich der wie vorstehend angeordneten vorstehenden Elektrode 31 mit dem Aktivmatrix-Substrat 1 mittels einem anisotropischen leitenden Klebemittel 3 vervollständigt.
  • Bei diesem zweidimensionalen Bilddetektor mit der vorstehenden Struktur wird dann, wenn das Aktivmatrix-Substrat 1 und das gegenüber liegende Substrat 30 mittels dem anisotropischen leitenden Klebemittel 3 verklebt werden, der Druck auf der vorstehenden Elektrode 31 konzentriert. Daher kann der bei dieser Verklebungsverbindung erforderliche Druck verringert werden. Darüber hinaus kann, da überschüssiges Klebemittel und kleine Blasen, die während der Verklebungsverbindung erzeugt werden, in Lücken (Nutenabschnitte) zwischen den vorstehenden Elektroden 31 entweichen kann, eine Elektrodenverbindung mit hohem Ertrag und hoher Verlässlichkeit erreicht werden.
  • In diesem vierten Ausführungsbeispiel ist als das gegenüber liegende Substrat 30 zum Beispiel eine Struktur dargestellt, bei welcher die vorstehenden Elektroden 31 auf dem in dem dritten Ausführungsbeispiel gezeigten gegenüber liegenden Substrat 27 erzeugt werden. Es sind jedoch andere Anordnungen des gegenüber liegenden Substrats 30 akzeptabel. Zum Beispiel kann eine Struktur verwendet werden, bei welcher die vorstehenden Elektroden 31 auf dem in dem ersten Ausführungsbeispiel gezeigten gegenüber liegenden Substrat 2 erzeugt sind. Darüber hinaus kann die vorstehende Elektrode 31 auf der Pixelelektrode 16 des Aktivmatrix-Substrats 1 erzeugt werden, und diese Anordnung kann dieselbe Wirkung wie das vorstehend erwähnte Beispiel erreichen.
  • In den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen erfolgen Erklärungen hauptsächlich über den zweidimensionalen Bilddetektor zum Erfassen von Bildern durch Röntgenstrahlen (Strahlung). Wenn jedoch der zu verwendende Halbleiter (das Halbleitersubstrat 18 oder der Halbleiterfilm 29) Photoleitfähigkeit in Bezug auf sichtbares Licht und infrarotes Licht ebenso wie in Bezug auf Strahlung wie beispielsweise Röntgenstrahlen zeigt, kann der zweidimensionale Bilddetektor ebenfalls zum Erfassen von Bildern durch sichtbares Licht und infrarotes Licht verwendet werden. In diesem Fall wird als die obere Elektrode 19, die auf der Lichteinfallsseite des Halbleiters angeordnet ist, eine aus ITO, usw. hergestellte transparente Elektrode verwendet, welche sichtbares Licht und infrarotes Licht durchdringen kann. Ferner wird es bevorzugt, dass die Dicke des Halbleiters in Übereinstimmung mit dem Absorptionswirkungsgrad von sichtbarem Licht und infrarotem Licht optimiert wird.
  • In den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen wird der TFT 5 als das Schaltelement zur Verwendung in dem Aktivmatrix-Substrat 1 (oder dem Aktivmatrix-Substrat 22) verwendet. Andere Elemente, die hier als das Schaltelement verfügbar sind, sind ein Element mit zwei Anschlüssen, wie beispielsweise ein MIM (Metal-Insulator-Metal) und ein Varistor, und ein Schaltelement, das durch Kombinieren von Dioden hergestellt wurde, wie beispielsweise ein Diodenring und eine nachfolgende Diode (back-to-back diode).
  • Die Grundstruktur der Erfindung ist derart, dass das Aktivmatrix-Substrat und die Photoleiterschicht auf unterschiedlichen Substraten erzeugt und dann miteinander verklebt werden. Daher erzeugt die Erfindung zusätzlich zu den vorstehend erwähnten Wirkungen eine Wirkung derart, dass der Gesamtertrag verglichen mit der Struktur, in der die Photoleiterschicht direkt auf dem Aktivmatrix-Substrat ausgebildet ist, verbessert wird. Der Grund hierfür ist wie folgt. Bei der herkömmlichen Struktur, bei der die Photoleiterschicht direkt auf das Aktivmatrix-Substrat laminiert ist, wird dann, wenn eine Mangelhaftigkeit in der Photoleiterschicht existiert, das Aktivmatrix-Substrat unter der Photoleiterschicht verschwendet. Demgegenüber können bei der Erfindung das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat, die keine Mangelhaftigkeiten aufweisen, gewählt und kombiniert werden.
  • Daher ist die Erfindung nicht auf den zweidimensionalen Bilddetektor beschränkt, der das vorstehend erwähnte Photoleitermaterial und die Sensorstruktur verwendet, und kann auf einen zweidimensionalen Bilddetektor angewandt werden, der ein anderes Photoleitermaterial und eine andere Sensorstruktur verwendet. Zum Beispiel wird in den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen ein Polykristall, wie etwa CdTe und CdZnTe, mit herausragen der Empfindlichkeit gegenüber Röntgenstrahlen als die Photoleiterschicht verwendet, es können jedoch andere Halbleitermaterialien wie beispielsweise a-Se und a-Si als die Photoleiterschicht verwendet werden. Darüber hinaus kann das gegenüber liegende Substrat so angeordnet werden, dass eine Kombination aus einer Umwandlungsschicht (z. B. CsI) zum Umwandeln von Röntgenstrahlen in sichtbares Licht und ein Sensor für sichtbares Licht verwendet werden.
  • Wie insoweit beschrieben wurde, beruht der zweidimensionaler Bilddetektor gemäß der Erfindung auf einem zweidimensionaler Bilddetektor mit:
    einer Pixelfeldschicht mit einer Elektrodenverdrahtung, die in einer gitterartigen Anordnung bereitgestellt ist; einer Vielzahl von Schaltelementen, die an Gitterpunkten bereitgestellt sind; und Ladungsspeicherkondensatoren mit Pixelelektroden, die mit der Elektrodenverdrahtung über die Schaltelemente verbunden sind;
    einem Elektrodenabschnitt, der so ausgebildet ist, dass er nahezu der gesamten Oberfläche der Pixelfeldschicht gegenüberliegt; und
    einer Halbleiterschicht mit Photoleitfähigkeit, die zwischen der Pixelfeldschicht und dem Elektrodenabschnitt ausgebildet und so angeordnet ist, dass sie weiter einschließt:
    ein Aktivmatrix-Substrat mit der Pixelfeldschicht; und
    ein gegenüber liegendes Substrat mit dem Elektrodenabschnitt als der Halbleiterschicht,
    wobei das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat so angeordnet sind, dass die Pixelfeldschicht des Aktivmatrix-Substrats der Halbleiterschicht des gegenüber liegenden Substrats gegenüberliegt, und miteinander mittels einem anisotropischen leitenden Material mit Leitfähigkeit in nur einer Richtung senkrecht zu einer Oberfläche der Pixelfeldschicht oder der Halbleiterschicht, wo die Pixelfeldschicht der Halbleiterschicht gegenüberliegt, miteinander verbunden sind.
  • Darüber hinaus ist die Halbleiterschicht bevorzugt so angeordnet, dass sie Empfindlichkeit gegenüber Strahlung aufweist.
  • Ferner ist die Halbleiterschicht bevorzugt aus einem Verbundhalbleiter hergestellt, der durch CdTe oder CdZnTe repräsentiert wird.
  • Außerdem ist in dem zweidimensionaler Bilddetektor das anisotropische leitende Material bevorzugt ein anisotropisches leitendes Klebemittel, das durch Verteilen von leitenden Teilchen in einem isolierenden Klebemittel erzeugt wurde.
  • Da der zweidimensionale Bilddetektor so angeordnet ist, dass das Aktivmatrix-Substrat einschließlich der Pixelfeldschicht mit dem gegenüber liegenden Substrat einschließlich dem Elektrodenabschnitt und der Halbleiterschicht mittels dem anisotropischen leitenden Material verbunden ist, können das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat individuell produziert werden. Es ist somit möglich, für die Halbleiterschicht das Material zu verwenden, welches herkömmlich aufgrund der Beziehung zwischen der Filmabscheidungstemperatur der Halbleiterschicht und dem Wärmewiderstands des Schaltelements auf dem Aktivmatrix-Substrat nicht verwendet werden konnte. Darüber hinaus kann durch Anordnen der Halbleiterschicht so, dass sie Empfindlichkeit gegenüber Strahlung besitzt, der zweidimensionale Bilddetektor zum Erfassen des Strahlungsbildes realisiert werden.
  • Insbesondere ist es, indem für die Halbleiterschicht der Verbundhalbleiter wie CdTe oder CdZnTe mit höherer Empfindlichkeit (S/N-Verhältnis) gegenüber Strahlung wie beispielsweise Röntgenstrahlen als herkömmlich verwendetes a-Se verwendet wird, möglich, das Ansprechverhalten des zweidimensionalen Bilddetektors verglichen mit dem herkömmlichen zu verbessern.
  • In diesem Fall kann die an den Elektrodenabschnitt angelegte Spannung niedriger als der herkömmliche Wert eingestellt werden. Es ist somit möglich, die dielektrische Schicht wegzulassen, welche herkömmlich zwischen der Halbleiterschicht und dem Elektrodenabschnitt zum Schutz gegen die hohe Spannung bereitgestellt war. Da die herkömmliche Struktur, in der die dielektrische Schicht zwischen der Halbleiterschicht und der Elektronenschicht bereitgestellt ist, eine Sequenz zum Entfernen der in der dielektrischen Schicht verbleibenden Ladungen für jedes Einzelbild erfordert, können nur statische Bilder erfasst werden. Da jedoch der zweidimensionale Bilddetektor der Erfindung die dielektrische Schicht weglassen kann, können dynamische Bilder ebenfalls erfasst werden.
  • Darüber hinaus sind die beiden Substrate, d. h. das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat, mittels dem anisotropischen leitenden Material miteinander verbunden. Daher sind die Pixel des Aktivmatrix-Substrats elektrisch voneinander isoliert, und können die Pixelelektroden auf dem Aktivmatrix-Substrat und der Halbleiterschicht des gegenüber liegenden Substrats elektrisch und physikalisch miteinander verbunden werden, ohne ein Übersprechen zwischen den benachbarten Pixeln zu verursachen.
  • Als das anisotropische leitende Material kann das anisotropische leitende Klebemittel verwendet werden, das durch Verteilen der leitenden Teilchen in dem isolierenden Klebemit tel erzeugt wird. Wenn das anisotropische leitende Klebemittel verwendet wird, zum Beispiel durch Füllen des anisotropischen leitenden Klebemittels zwischen das obere und das untere Substrat und Pressen der Substrate, um die beiden Substrate zu verkleben, können die beiden gegenüber liegenden Substrate durch die leitenden Teilchen in einen Leitungszustand gebracht werden, und können die benachbarten Elektroden voneinander isoliert werden. Es ist somit möglich, zufrieden stellende anisotropische Leitungseigenschaften zu erhalten.
  • Darüber hinaus kann ein pastenförmiges Klebemittel als das anisotropische leitende Klebemittel verwendet werden. Dieses Klebemittel kann mittels dem Siebdruckverfahren leicht selbst auf ein großflächiges Substrat aufgebracht werden.
  • Ein filmförmiges Klebemittel kann ebenfalls als das anisotropische leitende Klebemittel verwendet werden. Bei der Verwendung des filmförmigen Klebemittels mit herausragender Gleichmäßigkeit der Dicke als das anisotropische leitende Klebemittel kann leicht eine gleichmäßige Dicke des Klebemittels auch dann realisiert werden, wenn die großflächigen Substrate verklebt werden.
  • Ferner kann durch Verwenden eines Klebemittels des wärmehärtenden Typs mit herausragender Verlässlichkeit in dem Wärmewiderstand, der Klebeeigenschaften, usw. als das anisotropische leitende Klebemittel ein hochverlässlicher zweidimensionaler Bilddetektor realisiert werden.
  • Ein Klebemittel des thermoplastischen Typs kann ebenfalls als das anisotropische leitende Klebemittel verwendet werden. Die Verwendung des Klebemittels des thermoplastischen Typs als das anisotropische leitende Klebemittel produziert den folgenden Effekt. D. h., wenn eine Mangelhaftigkeit in entweder dem Aktivmatrix-Substrat oder dem gegenüber liegenden Substrat festgestellt wird, nachdem die beiden Substrate durch Durchführen der Wärmebehandlung miteinander verklebt sind, können die zuvor verklebten Substrate durch Weichmachen des Klebemittels durch erneutes Durchführen der Wärmebehandlung getrennt werden. Darüber hinaus kann eine Nachbearbeitung leicht durchgeführt werden.
  • Darüber hinaus kann ein Klebemittel des an Licht härtenden Typs als das anisotropische leitende Klebemittel verwendet werden. In diesem Fall ist die Pixelelektrode bevorzugt eine transparente Elektrode. Da das Klebemittel des an Licht härtenden Typs als das anisotropische leitende Klebemittel verwendet wird, ist keine Wärmebehandlung erforderlich, wenn die beiden Substrate, d. h. das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat, verklebt werden. Daher ist, wenn das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat mit relativ großen Flächen verklebt werden, auch dann, wenn die beiden Substrate unterschiedliche thermische Expansionskoeffizienten haben, keine Wärmebehandlung notwendig. Daher wird ein Verwerfen der Substrate und eine Trennung verklebter Oberflächen durch den Unterschied im Grad der thermischen Expansion nicht verursacht.
  • In diesem Fall kann dann, wenn die Pixelelektrode die transparente Elektrode ist, das anisotropische leitende Klebemittel des an Licht härtenden Typs mit Licht beleuchtet werden, das von der Seite des Aktivmatrix-Substrats über die Pixelelektrode einfällt.
  • Es wird bevorzugt, dass eine Vielzahl von Verbindungselektroden auf der Oberfläche der Halbleiterschicht des gegenüber liegenden Substrats in Entsprechung mit einer Vielzahl von auf dem Aktivmatrix-Substrat ausgebildeten Pixelelektroden erzeugt sind.
  • Bei dieser Anordnung sind die Pixel des Halbleiters auf dem gegenüber liegenden Substrat durch die Vielzahl von Verbindungselektroden in Entsprechung mit der Vielzahl von auf dem Aktivmatrix-Substrat ausgebildeten Pixelelektroden elektrisch voneinander getrennt. Daher werden die Ladungen, die in dem Halbleiter durch den Einfall von Strahlung und Lichtstrahlen erzeugt werden, durch nur die Verbindungselektrode entsprechend dem Einfallsort gesammelt, und bewegen sich die Ladungen nicht zu den umgebenden Pixeln. Infolgedessen wird das elektrische Übersprechen verhindert.
  • Es wird bevorzugt, dass jede Pixelelektrode eine kleinere Fläche als die Verbindungselektrode hat. Durch Ausgestalten der Verbindungselektrode mit einer maximalen Größe innerhalb jedes Pixels auf der Seite der Halbleiterschicht des gegenüber liegenden Substrats können die in dem Halbleiter durch den Einfall von Röntgenstrahlen und Lichtstrahlen erzeugten Ladungen effizient gesammelt werden. Gleichzeitig kann durch Ausgestalten der Pixelelektrode auf der Seite des Aktivmatrix-Substrats so, dass sie eine kleinere Größe als die Verbindungselektrode haben, auch dann, wenn das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat nicht präzise ausgerichtet werden, wenn die beiden Substrate verklebt werden, das elektrische Übersprechen zwischen den benachbarten Pixeln verhindert werden.
  • Eine Vielzahl von vorstehenden Elektroden kann auf der Verbindungsoberfläche von zumindest einem, dem Aktivmatrix-Substrat oder dem gegenüber liegenden Substrat, in Ent sprechung mit einer Vielzahl von Pixelelektroden, die auf dem Aktivmatrix-Substrat ausgebildet sind, erzeugt werden.
  • Bei dieser Anordnung konzentriert sich dann, wenn das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat mittels dem anisotropischen leitenden Material verklebt werden, der Druck auf die vorstehenden Elektroden. Daher kann der Druck, der bei der Verklebungsverbindung der beiden Substrate ausgeübt werden muss, verringert werden. Darüber hinaus kann die Lücke zwischen den vorstehenden Elektroden als der Raum sichergestellt werden, in welchen überschüssiges Klebemittel oder die bei dem Verkleben der Substrate erzeugten Blasen entweichen können. Infolgedessen kann eine Elektrodenverbindung mit hohem Ertrag und hoher Verlässlichkeit erreicht werden.
  • Ferner kann durch Anordnen der Halbleiterschicht mit Photoleitfähigkeitswirkung als das Stützsubstrat in dem gegenüber liegenden Substrat ein kristallines Halbleitersubstrat, das durch das Bridgeman-Verfahren, das Gradienteneinfrierverfahren, das Bewegungswärmeverfahren usw. erhalten wurde, als die Halbleiterschicht verwendet werden.
  • Das gegenüber liegende Substrat kann auch so angeordnet sein, dass ein Substrat, welches zu erfassendes Licht und zu erfassende Strahlung durchdringen kann, als das Stützsubstrat bereitgestellt ist, und die Halbleiterschicht mit Photoleitfähigkeit auf dem Stützsubstrat ausgebildet ist. Da das gegenüber liegende Substrat so angeordnet ist, dass es das Substrat als das Stützsubstrat einschließt, welches zu erfassendes Licht und zu erfassende Strahlung durchdringen kann, und die Halbleiterschicht mit Photoleitfähigkeit auf dem Stützsubstrat ausgebildet ist, kann die Festigkeit des gegenüber liegenden Substrats erhöht werden.
  • Indessen beruht, wie vorstehend beschrieben wurde, ein Prozess zum Herstellen eines zweidimensionalen Bilddetektors der Erfindung auf einem Prozess zum Herstellen eines zweidimensionalen Bilddetektors mit:
    einer Pixelfeldschicht mit einer Elektrodenverdrahtung, die in einer gitterförmigen Anordnung bereitgestellt sind; eine Vielzahl von Schaltelementen, die an Gitterpunkten bereitgestellt sind; und Ladungsspeicherkondensatoren mit Pixelelektroden, die mit der Elektrodenverdrahtung über die Schaltelemente verbunden sind;
    einem Elektrodenabschnitt, der so ausgebildet ist, dass er nahezu der gesamten Oberfläche der Pixelfeldschicht gegenüberliegt; und
    einer Halbleiterschicht mit Photoleitfähigkeit, die zwischen der Pixelfeldschicht und dem Elektrodenabschnitt ausgebildet ist, und beinhaltet die Schritte des:
    • (1) Erzeugens eines Aktivmatrix-Substrats einschließlich der Pixelfeldschicht;
    • (2) Erzeugens des gegenüber liegenden Substrats einschließlich des Elektrodenabschnitts und der Halbleiterschicht;
    • (3) Verbindens des Aktivmatrix-Substrats mit dem gegenüber liegenden Substrat mittels einem anisotropischen leitenden Material mit Leitfähigkeit in einer Richtung senkrecht zu einer Oberfläche der Pixelfeldschicht oder der Halbleiterschicht, wobei die Pixelfeldschicht der Halbleiterschicht gegenüberliegt, sodass die Pixelfeldschicht des Aktivmatrix-Substrats der Halbleiterschicht des gegenüber liegenden Substrats gegenüber liegt.
  • Auf diese Art und Weise wird das Aktivmatrix-Substrat einschließlich der Pixelfeldschicht in dem ersten Schritt produziert, und wird das gegenüber liegende Substrat einschließlich dem Elektrodenabschnitt der Halbleiterschicht in dem zweiten Schritt produziert. Die individuell produzierten Substrate werden dann mittels dem anisotropischen leitenden Material in dem dritten Schritt miteinander verbunden. Daher ist es anders als bei dem herkömmlichen Prozess unnötig, die Halbleiterschicht auf dem Substrat neu zu erzeugen, auf dem die Pixelfeldschicht bereits ausgebildet ist. Infolgedessen kann das Material, welches herkömmlich nicht verwendet werden konnte, z.B. der Verbundhalbleiter wie CdTe oder CdZnTe, für die Halbleiterschicht verwendet werden.
  • Da das vorstehende Halbleitermaterial eine höhere Empfindlichkeit (Signal/Rausch-Verhältnis) gegenüber Strahlung wie beispielsweise Röntgenstrahlen hat als a-Se, welches herkömmlich verwendet wurde, wenn der Verbundhalbleiter wie CdTe oder CdZnTe für die Halbleiterschicht verwendet wird, kann das Ansprechverhalten des zweidimensionalen Bilddetektors verbessert werden, und können dynamische Bilder ebenfalls erfasst werden.
  • In dem dritten Schritt wird das anisotropische leitende Klebemittel einschließlich der in dem Klebemittel verteilten leitenden Teilchen als das anisotropische leitende Material verwendet, und nach dem Aufbringen oder Übertragen dieses anisotropischen leitenden Klebemittels auf die Oberfläche zumindest entweder des Aktivmatrix-Substrats oder des gegenüber liegenden Substrats werden die beiden Substrate miteinander verklebt.
  • Auf diese Art und Weise wird das anisotropische leitende Klebemittel als das anisotropische leitende Material verwendet, und werden das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat mittels dem anisotropischen leitenden Klebemittel verklebt. Dem zufolge kann auch dann, wenn das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat mit den großen Flächen verklebt werden, das anisotropische leitende Klebemittel leicht aufge bracht oder übertragen werden, sodass folglich die beiden Substrate leicht miteinander verklebt werden können.
  • Das anisotropische leitende Klebemittel wird so aufgebracht oder übertragen, dass es eine Dicke im wesentlichen gleich dem Durchmesser des leitenden Teilchens hat. Daher ist es auch dann, wenn im Wesentlichen flache Oberflächen der Substrate verklebt werden, möglich, das Fließen überschüssigen Klebemittels zu minimieren und zufriedenstellende anisotropische Leitfähigkeit zu erhalten.
  • In dem dritten Schritt werden das anisotropische leitende Klebemittel des wärmehärtenden Typs oder das anisotropische leitende Klebemittel des thermoplastischen Typs als das anisotropische leitende Klebemittel verwendet, und das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat werden durch Hindurchführen derselben zwischen den Heizwalzen miteinander verklebt.
  • Daher muss auch dann, wenn das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat mit den großen Flächen verklebt werden, die Presskraft nicht auf die gesamte Oberfläche des Substrats ausgeübt werden. Somit ist eine große hydraulische Presseinrichtung usw. nicht erforderlich, und kann eine relativ kleine Presseinrichtung verwendet werden. Infolgedessen können der Schritt des Verklebens der beiden Substrate und die in dem Verklebungsschritt verwendeten Einrichtungen vereinfacht werden.
  • In dem dritten Schritt kann das anisotropische leitende Klebemittel des wärmehärtenden Typs oder das anisotropische leitende Klebemittel des thermoplastischen Typs als das anisotropische leitende Klebemittel verwendet werden, und das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat können durch Thermokompressionsbonden unter Verwendung der Presseinrichtung miteinander verklebt werden.
  • Da die beiden Substrate unter Verwendung der Presseinrichtung durch Thermokompressionsbonden miteinander verklebt werden können, kann eine allgemein übliche thermische Presseinrichtung in dem Schritt des Verklebens der Substrate verwendet werden.
  • Darüber hinaus kann die Presseinrichtung durch die Autoklav-Einrichtung ersetzt werden. Daher kann auch dann, wenn das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat mit den großen Flächen verklebt werden, ein gleichmäßiger Druck erhalten werden.
  • In dem dritten Schritt kann das anisotropische leitende Klebemittel des an Licht härtenden Typs als das anisotropische leitende Klebemittel verwendet werden, und das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat können miteinander in Kontakt gebracht und dann durch Beleuchtung mit Licht von dem Aktivmatrix-Substrat miteinander verklebt werden.
  • Daher können zum Beispiel durch Ausbilden der Pixelelektrode des Aktivmatrix-Substrats durch die transparente Elektrode und Beleuchten des Klebemittels mit Licht von der Seite des Aktivmatrix-Substrats her das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat miteinander verklebt werden, ohne eine Wärmebehandlung zu erfordern. Infolgedessen werden, wenn die Substrate mit relativ großen Flächen verklebt werden, dann, wenn die thermischen Expansionskoeffizienten der beiden Substrate unterschiedlich sind, Verwerfungen der Substrate und eine Trennung verklebter Oberflächen durch den Unterschied in dem Grad der thermischen Expansion auf Grund der Wärmebehandlung nicht verursacht.

Claims (37)

  1. Zweidimensionaler Bilddetektor, umfassend: ein Substrat (1, 22) einschließlich Schaltelementen (5) und Ladungsspeicherkondensatoren (4) mit Pixelelektroden (16, 26), die mit den Schaltelementen verbunden sind; ein gegenüber liegendes Substrat (2, 27, 30) einschließlich einer Halbleiterschicht (18, 29) mit Photoleitfähigkeit und einer Elektrodenschicht (19) auf der Halbleiterschicht (18, 29), wobei das Substrat und das gegenüber liegende Substrat so angeordnet sind, dass die Ladungsspeicherkondensatoren der Halbleiterschicht zugewandt sind; und eine Verbindungsschicht (3), die zwischen dem Substrat und dem gegenüber liegenden Substrat angeordnet ist, zum Verbinden des Substrats und des gegenüber liegenden Substrats mit einander, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1a, 22) ein Aktivmatrix-Substrat ist; und die Verbindungsschicht Leitfähigkeit in nur einer Richtung normal zu einer Oberfläche der Ladungsspeicherkondensatoren und der Halbleiterschicht, in der die Ladungsspeicherkondensatoren der Halbleiterschicht zugewandt sind, hat.
  2. Zweidimensionaler Bilddetektor nach Anspruch 1, bei dem die Halbleiterschicht aus einem kristallinen oder polykristallinen Material hergestellt ist und eine ausgezeichnete Empfindlichkeit gegenüber Röntgenstrahlen aufweist.
  3. Zweidimensionaler Bilddetektor nach Anspruch 2, bei dem die Halbleiterschicht aus einem durch CdTe oder CdZnTe repräsentierten Verbundhalbleiter hergestellt ist.
  4. Zweidimensionaler Bilddetektor, umfassend: ein Substrat (1, 22) einschließlich Schaltelementen (5) und Ladungsspeicherkondensatoren (4) mit Pixelelektroden (16, 26), die mit den Schaltelementen verbunden sind; ein gegenüber liegendes Substrat (2, 27, 30) einschließlich einer Halbleiterschicht (18, 29) mit Photoleitfähigkeit und einer Elektrodenschicht (19) auf der Halbleiterschicht (18, 29), wobei das Substrat und das gegenüber liegende Substrat so angeordnet sind, dass die Ladungsspeicherkondensatoren der Halbleiterschicht zugewandt sind; und eine Verbindungsschicht (3), die zwischen dem Substrat und dem gegenüber liegenden Substrat angeordnet ist, zum Verbinden des Substrats und des gegenüber liegenden Substrats mit einander, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1, 22) ein Aktivmatrix-Substrat ist; und die Halbleiterschicht aus einem polykristallinen Verbundhalbleiter hergestellt ist, der durch CdTe oder CdZnTe repräsentiert wird.
  5. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das gegenüber liegende Substrat Verbindungselektroden (6) auf der Halbleiterschicht einschließt, und jede der Verbindungselektroden so angeordnet ist, dass sie der Pixelelektrode des Aktivmatrix-Substrats zugewandt ist.
  6. Zweidimensionaler Bilddetektor nach Anspruch 5, bei dem die Pixelelektrode eine kleinere Fläche als die Verbindungselektrode hat.
  7. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das gegenüber liegende Substrat eine Ladungssperrschicht (20) auf der Halbleiterschicht einschließt, zum Blockieren eines Flusses von Ladungen aus einer Oberfläche der Ladungssperrschicht.
  8. Zweidimensionaler Bilddetektor, umfassend: ein Substrat (1, 22) einschließlich Schaltelementen (5) und Ladungsspeicherkondensatoren (4) mit Pixelelektroden (16, 26), die mit den Schaltelementen verbunden sind; ein gegenüber liegendes Substrat (2, 27, 30), einschließlich einer Halbleiterschicht (18, 29) mit Photoleitfähigkeit und einer Elektrodenschicht (19) auf der Halbleiterschicht (18, 29) wobei das Substrat und das gegenüber liegende Substrat so angeordnet sind, dass die Ladungsspeicherkondensatoren der Halbleiterschicht zugewandt sind; und eine Verbindungsschicht (3), angeordnet zwischen dem Substrat und dem gegenüber liegenden Substrat, zum Verbinden des Substrats und des gegenüber liegenden Substrats mit einander, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1, 22) ein Aktivmatrix-Substrat ist; und das gegenüber liegende Substrat eine Ladungssperrschicht (20) auf der Halbleiterschicht einschließt zum Sperren eines Flusses von Ladung aus einer Oberfläche der Ladungssperrschicht.
  9. Zweidimensionaler Bilddetektor nach Anspruch 7 oder 8, bei dem das gegenüber liegende Substrat Verbindungselektroden auf der Ladungssperrschicht einschließt, und jede der Verbindungselektroden so angeordnet ist, dass sie der Pixelelektrode des Aktivmatrix-Substrats zugewandt ist.
  10. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das gegenüber liegende Substrat eine Ladungssperrschicht zwischen der Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht einschließt.
  11. Zweidimensionaler Bilddetektor, umfassend: ein Substrat (1, 22) einschließlich Schaltelementen (5) und Ladungsspeicherkondensatoren (4) mit Pixelelektroden (16, 26), die mit den Schaltelementen verbunden sind; ein gegenüber liegendes Substrat (2, 27, 30), einschließlich einer Halbleiterschicht (18, 29) mit Photoleitfähigkeit und einer Elektrodenschicht (19) auf der Halbleiterschicht (18, 29) wobei das Substrat und das gegenüber liegende Substrat so angeordnet sind, dass die Ladungsspeicherkondensatoren der Halbleiterschicht zugewandt sind; und eine Verbindungsschicht (3), angeordnet zwischen dem Substrat und dem gegenüber liegenden Substrat, zum Verbinden des Substrats und des gegenüber liegenden Substrats mit einander, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1, 22) ein Aktivmatrix-Substrat ist; und das gegenüber liegende Substrat eine Ladungssperrschicht zwischen der Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht einschließt.
  12. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die Verbindungsschicht einen isolierenden Klebstoff (7) und in dem Klebstoff verteilte leitende Partikel (8) einschließt und anisotropische Leitfähigkeit hat.
  13. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem der Klebstoff eine wärmehärtende Eigenschaft besitzt.
  14. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem der Klebstoff Thermoplastizität aufweist.
  15. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem der Klebstoff eine photohärtende Eigenschaft besitzt.
  16. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die Verbindungsschicht in einer Pastenform vorliegt.
  17. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die Verbindungsschicht in einer Filmform vorliegt.
  18. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem das Aktivmatrix-Substrat eine Gateelektroden-Verdrahtung (10) und eine Sourceelektroden-Verdrahtung (11) einschließt, und die Gateelektroden-Verdrahtung, die Sourceelektroden-Verdrahtung und die Schaltelemente (5) im Wesentlichen vollständig mit einem isolierenden Schutzfilm (24) beschichtet sind.
  19. Zweidimensionaler Bilddetektor nach Anspruch 18, bei dem die Pixelelektroden (26) auf dem isolierenden Schutzfilm angeordnet sind.
  20. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 19, bei dem das gegenüber liegende Substrat ein Stützsubstrat (28) mit Durchlässigkeit in Bezug auf Strahlung oder Licht auf einer Oberfläche der Elektrodenschicht, wo die Halbleiterschicht nicht ausgebildet ist, einschließt.
  21. Zweidimensionaler Bilddetektor, umfassend: ein Substrat (1, 22) einschließlich Schaltelementen (5) und Ladungsspeicherkondensatoren (4) mit Pixelelektroden (16, 26), die mit den Schaltelementen verbunden sind; ein gegenüber liegendes Substrat (2, 27, 30), einschließlich einer Halbleiterschicht (18, 29) mit Photoleitfähigkeit und einer Elektrodenschicht (19) auf der Halbleiterschicht (18, 29) wobei das Substrat und das gegenüber liegende Substrat so angeordnet sind, dass die Ladungsspeicherkondensatoren der Halbleiterschicht zugewandt sind; und eine Verbindungsschicht (3), angeordnet zwischen dem Substrat und dem gegenüber liegenden Substrat, zum Verbinden des Substrats und des gegenüber liegenden Substrats mit einander, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1, 22) ein Aktivmatrix-Substrat ist; und das gegenüber liegende Substrat ein Stützsubstrat (28) mit Durchlässigkeit in Bezug auf Strahlung oder Licht einschließt, und die Halbleiterschicht auf dem Stützsubstrat abgeschieden ist.
  22. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 21, bei dem die Halbleiterschicht (18) auch als ein Stützsubstrat verwendet wird.
  23. Zweidimensionaler Bilddetektor nach Anspruch 5 oder 9, bei dem hervorstehende Elektroden (31) auf den Verbindungselektroden bereitgestellt sind, so dass jede der hervorstehenden Elektroden der Pixelelektrode entspricht.
  24. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 22, bei dem hervorstehende Elektroden (31) auf den Pixelelektroden bereitgestellt sind.
  25. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 24, bei dem die Halbleiterschicht Photoleitfähigkeit in Bezug auf Strahlung aufweist.
  26. Zweidimensionaler Bilddetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 24, bei dem die Halbleiterschicht Photoleitfähigkeit in Bezug auf sichtbares Licht oder infrarotes Licht aufweist, und die Elektrodenschicht Durchlässigkeit in Bezug auf sichtbares Licht oder infrarotes Licht aufweist.
  27. Prozess zum Herstellen eines zweidimensionalen Bilddetektors, umfassend die Schritte: (a) Vorbereiten eines Substrats (1, 22) einschließlich Schaltelementen (5) und Ladungsspeicherkondensatoren (4) mit Pixelelektroden (16, 26); (b) Vorbereiten eines gegenüber liegenden Substrats (2, 27, 30) einschließlich einer Halbleiterschicht (18, 29), die Photoleitfähigkeit zeigt, und einer Elektrodenschicht (19) auf der Halbleiterschicht (18, 29); und (c) Verkleben des Substrats und des gegenüber liegenden Substrats mit einander mit einer Verbindungsschicht (3) mit anisotropischer Leitfähigkeit, dadurch gekennzeichnet, dass Das Substrat (1, 22) ein Aktivmatrix-Substrat ist; und in dem Schritt (c) ein anisotropischer leitfähiger Klebstoff einschließlich leitender Partikel (8), die in einem Klebstoff (7) verteilt sind, als die Verbindungsschicht verwendet und entweder auf das Aktivmatrix-Substrat (1, 22) oder auf das gegenüber liegende Substrat aufgebracht oder transferiert wird.
  28. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach Anspruch 27, bei dem in dem Schritt (c) ein anisotropischer leitfähiger Klebstoff einschließlich leitender Partikel (8), die in einem Klebstoff (7) verteilt sind, als die Verbindungsschicht verwendet und entweder auf das Aktivmatrix-Substrat oder auf das gegenüber liegende Substrat aufgebracht oder transferiert wird.
  29. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach Anspruch 28, bei dem in dem Schritt (c) der anisotropische leitfähige Klebstoff so aufgebracht oder transferiert wird, dass er eine Dicke im Wesentlichen gleich einem Durchmesser des leitenden Partikels hat.
  30. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach Anspruch 28 oder 29, bei dem in dem Schritt (c) ein Klebstoff vom wärmehärtenden Typ oder vom thermoplastischen Typ als der anisotropische leitfähige Klebstoff verwendet wird, und das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat, die so angeordnet sind, dass sie einander zugewandt sind, zwischen einem Paar von Heizwalzen (21) hindurch geführt und durch Wärme und Druck mit einander verklebt werden.
  31. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach Anspruch 28 oder 29, bei dem in dem Schritt (c) ein anisotropischer leitfähiger Klebstoff vom wärmehärtenden Typ oder vom thermoplastischen Typ als der anisotropische leitfähige Klebstoff verwendet wird, und das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat, die so angeordnet sind, dass sie einander zugewandt sind, durch Thermokompressionsbonden unter Verwendung einer Presseinrichtung mit einander verklebt werden.
  32. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach Anspruch 31, bei dem die Presseinrichtung eine Autoklaveinrichtung ist.
  33. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach Anspruch 28 oder 29, bei dem in dem Schritt (c) ein anisotropischer leitfähiger Klebstoff vom photohärtenden Typ als der anisotropische leitfähige Klebstoff verwendet wird, und Licht von der Seite des Aktivmatrix-Substrats in einem Zustand ausgestrahlt wird, in welchem das Aktivmatrix-Substrat und das gegenüber liegende Substrat mit einander verklebt sind.
  34. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach einem der Ansprüche 27 bis 33, bei dem der Schritt (a) die Schritte einschließt: (d) Erzeugen einer Gateelektroden-Verdrahtung (10), einer Sourceelektroden-Verdrahtung (11), der Schaltelemente, und von Elektroden (12) der Ladungsspeicherkondensatoren; (e) Erzeugen eines isolierenden Schutzfilms (24) zum im Wesentlichen vollständigen Beschichten der Gateelektroden-Verdrahtung, der Sourceelektroden-Verdrahtung, der Schaltelemente und von Elektroden der Ladungsspeicherkondensatoren; (f) Erzeugen einer Durchlochung (25) an einer bestimmten Stelle des isolierenden Schutzfilms; und (g) Erzeugen von Pixelelektroden (26) auf dem isolierenden Schutzfilm.
  35. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach einem der Ansprüche 27 bis 34, bei dem der Schritt (b) die Schritte einschließt: (h) Erzeugen der Halbleiterschicht auf der Elektrodenschicht; (i) Erzeugen einer Ladungssperrschicht (20) zum Sperren des Eindringens von Ladungen aus einer Oberfläche der Ladungssperrschicht auf der Halbleiterschicht; und (j) Erzeugen von Verbindungselektroden (6) auf der Ladungssperrschicht so, dass diese den Pixelelektroden des Aktivmatrix-Substrats entsprechen.
  36. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach Anspruch 35, ferner umfassend den Schritt des Erzeugens der Elektrodenschicht auf einem Stützsubstrat (28) mit Durchlässigkeit in Bezug auf Strahlung oder Licht vor dem Schritt (h).
  37. Prozess zum Herstellen des zweidimensionalen Bilddetektors nach Anspruch 34 oder 35, ferner umfassend den Schritt des Erzeugens von hervorstehenden Elektroden (31) auf den Verbindungselektroden so, dass diese den Pixelelektroden des Aktivmatrix-Substrats entsprechen, nach dem Schritt (j).
DE69931287T 1998-01-20 1999-01-19 Zweidimensionaler Bilddetektor und Verfahren zu dessen Herstellung Expired - Lifetime DE69931287T2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP906798 1998-01-20
JP906798 1998-01-20
JP13398698 1998-05-15
JP13398698A JP3649907B2 (ja) 1998-01-20 1998-05-15 二次元画像検出器およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69931287D1 DE69931287D1 (de) 2006-06-22
DE69931287T2 true DE69931287T2 (de) 2007-02-01

Family

ID=26343719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69931287T Expired - Lifetime DE69931287T2 (de) 1998-01-20 1999-01-19 Zweidimensionaler Bilddetektor und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6262408B1 (de)
EP (1) EP0930657B1 (de)
JP (1) JP3649907B2 (de)
CN (1) CN1174491C (de)
DE (1) DE69931287T2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008013412B3 (de) * 2008-03-10 2009-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Herstellungsverfahren für ein Strahlungsdetektormodul und Herstellungsverfahren für einen Strahlungsdetektor

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7136452B2 (en) * 1995-05-31 2006-11-14 Goldpower Limited Radiation imaging system, device and method for scan imaging
JP3976915B2 (ja) * 1998-02-09 2007-09-19 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびその製造方法
JP3430040B2 (ja) * 1998-11-19 2003-07-28 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびその製造方法
JP4036555B2 (ja) * 1999-01-14 2008-01-23 松下電器産業株式会社 実装構造体の製造方法および実装構造体
JP2001210855A (ja) 2000-01-27 2001-08-03 Sharp Corp 二次元画像検出器
JP2001210813A (ja) 2000-01-27 2001-08-03 Sharp Corp 二次元画像検出器およびその製造方法
JP2001313384A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Shimadzu Corp 放射線検出器
JP2002246582A (ja) * 2000-10-26 2002-08-30 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法及びシステム
JP3840050B2 (ja) * 2000-11-01 2006-11-01 キヤノン株式会社 電磁波変換装置
JP3588053B2 (ja) * 2001-02-07 2004-11-10 シャープ株式会社 電磁波検出器
US7038242B2 (en) * 2001-02-28 2006-05-02 Agilent Technologies, Inc. Amorphous semiconductor open base phototransistor array
JP2002333848A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Sharp Corp 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置
US6828545B1 (en) * 2001-05-15 2004-12-07 Raytheon Company Hybrid microelectronic array structure having electrically isolated supported islands, and its fabrication
FR2833410B1 (fr) * 2001-12-10 2004-03-19 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un dispositif d'imagerie
US7009663B2 (en) 2003-12-17 2006-03-07 Planar Systems, Inc. Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display
WO2003073159A1 (en) 2002-02-20 2003-09-04 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US7053967B2 (en) 2002-05-23 2006-05-30 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US7023503B2 (en) * 2002-02-20 2006-04-04 Planar Systems, Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
US7170062B2 (en) * 2002-03-29 2007-01-30 Oy Ajat Ltd. Conductive adhesive bonded semiconductor substrates for radiation imaging devices
JP4152684B2 (ja) * 2002-07-17 2008-09-17 松下電器産業株式会社 受光モジュールとその製造方法
KR100505355B1 (ko) * 2002-07-22 2005-08-01 남상희 고해상도 디지털 엑스레이 검출용 tft 기판
WO2004047179A1 (en) * 2002-11-19 2004-06-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray examination apparatus
CN1230693C (zh) * 2002-11-26 2005-12-07 张亚美 小面积像素电极直接平板x－线探测器
US20080084374A1 (en) 2003-02-20 2008-04-10 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
TW200417770A (en) * 2003-03-07 2004-09-16 Au Optronics Corp Method for assembling a component of a liquid crystal display device
US20040246355A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Ji Ung Lee Storage capacitor array for a solid state radiation imager
US7773139B2 (en) 2004-04-16 2010-08-10 Apple Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
US6953935B1 (en) * 2004-05-11 2005-10-11 General Electric Company CT detector fabrication process
DE102004029589A1 (de) * 2004-06-18 2005-12-29 Tesa Ag Elektrisch anisotrop leitfähiger Schmelzkleber zur Implantierung von elektrischen Modulen in einen Kartenkörper
JP2006269465A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録媒体の製造方法
JP2007214191A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Sumitomo Heavy Ind Ltd 放射線検出器および放射線検査装置
JP4432949B2 (ja) * 2006-09-15 2010-03-17 パナソニック株式会社 電気部品の接続方法
JP2008139124A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Shimadzu Corp 放射線二次元検出器
WO2009031574A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. フラットパネルディテクタ
US8071953B2 (en) * 2008-04-29 2011-12-06 Redlen Technologies, Inc. ACF attachment for radiation detector
DE102008025199B3 (de) * 2008-05-27 2009-09-17 Siemens Aktiengesellschaft Strahlungsdetektor und Herstellungsverfahren sowie Strahlungserfassungseinrichtung
KR101672344B1 (ko) * 2010-05-20 2016-11-04 삼성전자주식회사 광센싱 회로, 상기 광센싱 회로의 구동 방법, 및 상기 광센싱 회로를 채용한 광센싱 장치
JP5676155B2 (ja) * 2010-06-23 2015-02-25 日立アロカメディカル株式会社 放射線検出器の製造方法、及び放射線検出器
US8187912B2 (en) * 2010-08-27 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. Methods of forming an anisotropic conductive layer as a back contact in thin film photovoltaic devices
US9310923B2 (en) 2010-12-03 2016-04-12 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
JP2012177624A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法
US8928635B2 (en) 2011-06-22 2015-01-06 Apple Inc. Active stylus
US9329703B2 (en) 2011-06-22 2016-05-03 Apple Inc. Intelligent stylus
US8638320B2 (en) 2011-06-22 2014-01-28 Apple Inc. Stylus orientation detection
US9176604B2 (en) 2012-07-27 2015-11-03 Apple Inc. Stylus device
US9557845B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Apple Inc. Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation
US9652090B2 (en) 2012-07-27 2017-05-16 Apple Inc. Device for digital communication through capacitive coupling
CN103596352B (zh) * 2012-08-15 2018-02-06 江苏润阳物流器械科技有限公司 软性电路板装置及相机模组
US10048775B2 (en) 2013-03-14 2018-08-14 Apple Inc. Stylus detection and demodulation
US9939935B2 (en) 2013-07-31 2018-04-10 Apple Inc. Scan engine for touch controller architecture
WO2015186657A1 (ja) * 2014-06-06 2015-12-10 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10061449B2 (en) 2014-12-04 2018-08-28 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch and stylus
EP3241041B1 (de) * 2014-12-30 2020-06-17 General Electric Company Röntgendetektoranordnung
US9753151B2 (en) * 2015-07-31 2017-09-05 General Electric Company Light guide array for pet detector fabrication methods and apparatus
US10474277B2 (en) 2016-05-31 2019-11-12 Apple Inc. Position-based stylus communication
CN110473771B (zh) * 2019-07-30 2021-04-20 西北工业大学 直接转换x射线探测材料的制备方法
CN112820784B (zh) * 2020-11-24 2022-11-25 上海航天电子通讯设备研究所 一种垂直背入射同面电极高功率光导开关

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2034118A1 (en) * 1990-02-09 1991-08-10 Nang Tri Tran Solid state radiation detector
GB9115259D0 (en) 1991-07-15 1991-08-28 Philips Electronic Associated An image detector
JPH082995B2 (ja) 1991-10-24 1996-01-17 富士通株式会社 マイクロカプセル型導電性フィラーの作製方法
CA2095366C (en) 1992-05-21 1999-09-14 Timothy C. Collins Hybridized semiconductor pixel detector arrays for use in digital radiography
US5319206A (en) * 1992-12-16 1994-06-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device
GB9301405D0 (en) * 1993-01-25 1993-03-17 Philips Electronics Uk Ltd An image sensor
US6035013A (en) * 1994-06-01 2000-03-07 Simage O.Y. Radiographic imaging devices, systems and methods
US5723866A (en) * 1996-06-26 1998-03-03 He Holdings, Inc. Method for yield and performance improvement of large area radiation detectors and detectors fabricated in accordance with the method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008013412B3 (de) * 2008-03-10 2009-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Herstellungsverfahren für ein Strahlungsdetektormodul und Herstellungsverfahren für einen Strahlungsdetektor

Also Published As

Publication number Publication date
US6262408B1 (en) 2001-07-17
JPH11274448A (ja) 1999-10-08
EP0930657B1 (de) 2006-05-17
EP0930657A1 (de) 1999-07-21
CN1224244A (zh) 1999-07-28
JP3649907B2 (ja) 2005-05-18
CN1174491C (zh) 2004-11-03
DE69931287D1 (de) 2006-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69931287T2 (de) Zweidimensionaler Bilddetektor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69332648T2 (de) Grossflächige aktive Matrix
JP3430040B2 (ja) 二次元画像検出器およびその製造方法
US6798030B1 (en) Two-dimensional image detecting device and manufacturing method thereof
DE69410959T2 (de) Festkörperstrahlungsdetektortafel mit matrixförmig angeordneten, lichtempfindlichen Detektoren, so angeordnet, dass Kanteneffekte zwischen den Elementen minimiert werden
JP3545247B2 (ja) 二次元画像検出器
DE69214366T2 (de) Bildgebender Detektor mit Wellenlängenschieber
JP4547760B2 (ja) 放射線検出器および放射線撮像装置
DE69126221T2 (de) Röntgen-Abbildungsvorrichtung aus Festkörperbauelementen
DE69129032T2 (de) Festkörperdetektor für elektromagnetische strahlung
DE69417317T2 (de) Festkörperstrahlungsdetektor mit einer Sperrschicht
JP3976915B2 (ja) 二次元画像検出器およびその製造方法
JP3432770B2 (ja) 二次元画像検出器の製造方法
JP3792433B2 (ja) 光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法
DE4490398C2 (de) Flüssigkristallanzeige, die Treibervorrichtungen umfaßt, die integral in einer monokristallinen Halbleiterschicht gebildet sind
EP3055712A1 (de) Konversionsfolie zur konversion von ionisierender strahlung, strahlungsdetektor und verfahren zu herstellung
JP2000058808A (ja) 二次元画像検出器
EP1207559A2 (de) Strahlungsdetektorvorrichtung, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung, und radiographisches Abbildungssystem
Zhao et al. Digital radiology using self-scanned readout of amorphous selenium: Design considerations for mammography
JP2007173861A (ja) 二次元画像検出器
US6949749B2 (en) Electromagnetic imaging apparatus and manufacturing method therefor
DE102008062489A1 (de) Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3217895A1 (de) Infrarot-strahlungsdetektor
JP4202315B2 (ja) 二次元画像検出器
DE19933162A1 (de) Bildzelle, Bildsensor und Herstellungsverfahren hierfür

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition