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1. Gebiet
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung-Montagestruktur
und ein Halbleitereinrichtung-Montageverfahren gemäß dem Oberbegriff
von Anspruch 1 und 13.
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2. Stand der
Technik
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Dieser
Halbleitereinrichtungtyp ist in der offen gelegten japanischen Patentanmeldung
Nr. Hei-7-509352 offenbart.
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Bei
der Halbleitereinrichtung-Montagestruktur, die in der zuvor genannten
Veröffentlichung
offenbart ist, ist ein Spalt in einer plattenförmigen Stützstruktur vorgesehen, der
die Stützstruktur
in einen mittleren Abschnitt und ein äußeres feststehendes Element
durch den Spalt aufteilt. Der mittlere Abschnitt ist mit mehreren
mittleren Anschlüssen
versehen und das äußere feststehende
Element ist mit mehreren äußeren Anschlüssen versehen.
Weiter ist eine Leitung bereitgestellt, die jeden der mehreren mittleren
Anschlüsse
und jeden der mehreren äußeren Anschlüsse miteinander
durch den Spalt verbindet. Die Stützstruktur überlagert die Halbleitereinrichtung,
um mehrere Elektroden, die auf dem Randabschnitt der Halbleitereinrichtung
angeordnet sind, mit den Leitungen zu verbinden, die sich auf dem
Spalt der Stützstruktur
befinden, wodurch die Halbleitereinrichtung-Montagestruktur implementiert wird,
in der die Elektroden, das heißt
die mittleren Anschlüsse,
so angeordnet sind, dass sie sich im Inneren der äußeren Form
der Halbleitereinrichtung befinden.
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Im
Allgemeinen muss eine Halbleitereinrichtung getestet werden, wenn
sie in einem Gehäuse montiert
ist, da es schwierig ist, ausführliche
Tests an den Merkmalen der Halbleitereinrichtung und ihrer Schaltkreisoperation
vorzunehmen, wenn sie als Einzelelement getestet wird. Entsprechend
wird eine Haltevorrichtung wie ein Teststecksockel oder Ähnliches
leicht lösbar
montiert.
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Gemäß dem zuvor
beschriebenen Stand der Technik jedoch sind die mittleren Anschlüsse auf
der Schaltkreisoberfläche
oder -ebene der Halbleitereinrichtung angeordnet, um die Halbleitereinrichtung elektrisch
nach außen
zu verbinden. Wenn daher während
eines Halbleitereinrichtung-Testverfahrens eine Testelektrode gegen
die mittleren Anschlüsse gepresst
wird, nachdem die Halbleitereinrichtung montiert worden ist, wird
die Presskraft der Testelektrode direkt auf die Schaltkreisebene
der Halbleitereinrichtung aufgebracht. In dem Fall zum Beispiel, dass
die Anzahl der mittleren Anschlüsse
gleich 100 ist und die Presskraft, die erforderlich ist, um die
Testelektrode an die Halbleitereinrichtung zu führen, gleich 50 g pro Anschluss
ist, beträgt
die Gesamtpresskraft 5000 g. Daher besteht die Gefahr, dass die Halbleitereinrichtung
beschädigt
wird, wenn die Presskraft auf die Schaltkreisebene der Halbleitereinrichtung
ausgeübt
wird. Wie zuvor beschrieben, sind die Anschlüsse beim Stand der Technik
auf der Schaltkreisebene der Halbleitereinrichtung angeordnet, und
somit besteht das Problem des Stands der Technik darin, dass die
Anschlüsse
auf der Schaltkreisebene der Halbleitereinrichtung eine nachteilige Auswirkung
auf die Zuverlässigkeit
des Gehäuses haben.
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Es
gibt ein weiteres Testverfahren, das sich von dem zuvor beschriebenen
Testverfahren unterscheidet. Bei diesem Verfahren wird ein Gehäuse durch
Löten zum
Test auf einem Testsubstrat montiert und anschließend das
Gehäuse
von dem Testsubstrat abgelöst,
nachdem der Test abgeschlossen ist. Dieses Verfahren ist jedoch
nicht nur zeitaufwändig
und kostspielig, sondern auch die Temperatur des Gehäuses bis
zum Schmelzpunkt des Lots muss erhöht werden, wenn das Gehäuse auf
dem Testsubstrat montiert und davon abgelöst wird. Dadurch wird die thermische
Vorgeschichte des Gehäuses
selbst erhöht,
was eine nachteilige Auswirkung auf die Zuverlässigkeit des Gehäuses hat.
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JP 08 031 868 A offenbart
eine Montagestruktur einer Halbleitereinrichtung gemäß dem Oberbegriff
von Anspruch 1. Die vier dreieckigen Trägersubstrate des Isolierfilms
sind miteinander über Brückenabschnitte
an der Basis der Dreiecke verbunden.
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JP 06 295 935 A offenbart
eine Montagestruktur einer Halbleitereinrichtung gemäß dem Oberbegriff
von Anspruch 1. Die vier dreieckigen Trägersubstrate des Substratfilms
sind miteinander über Ablöseabschnitte
an der Basis der Dreiecke verbunden.
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JP 06 310 618 A offenbart
eine verwandte Montagestruktur einer Halbleitereinrichtung.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitereinrichtung-Montagestrukt
bereitzustellen, in der die äußeren Abmessungen
eines Gehäuses
im Wesentlichen den äußeren Abmessungen eines
LSI-Chips entsprechen, und bei der mit hoher Bestückungsdichte
montiert wird, insbesondere eine, bei der in einem Testverfahren
keine Presskraft auf die Schaltkreisoberfläche oder Schaltkreisebene einer
Halbleitereinrichtung ausgeübt
werden muss, bei der keine Wärme
auf die Halbleitereinrichtung angewandt werden muss, wenn die Struktur
in einem Testverfahren durch Löten
auf einem Testsubstrat montiert wird, und bei der die äußeren Abmessungen
der Montageoberfläche
oder Montageebene im Wesentlichen den äußeren Abmessungen der Hauptoberfläche oder
Hauptebene einer Halbleitereinrichtung entsprechen, unter Verwendung
eines herkömmlichen automatischen
Filmbonding (TAB)-Montageverfahrens.
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Um
die zuvor genannten Aufgaben gemäß der vorliegenden
Erfindung zu erfüllen,
werden eine Montagestruktur und ein Montageverfahren einer Halbleitereinrichtung
nach Anspruch 1 und 13 bereitgestellt.
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KURZBESCHREIBUNG
DER FIGUREN
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1 ist
eine Querschnittsansicht, die eine erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigt;
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2 ist
eine Unteransicht, die die erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigt;
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3 ist
eine Querschnittsansicht, die die erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigt,
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4 ist
eine Querschnittsansicht, die die erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigt;
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5 ist
eine Draufsicht, die ein Herstellungsverfahren der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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6 ist
eine Querschnittsansicht entlang einer Linie A-A in 5;
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7 ist
eine Draufsicht, die das Herstellungsverfahren der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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8 ist
eine Draufsicht, die das Herstellungsverfahren der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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9 ist
eine Querschnittsansicht entlang einer Linie B-B in 8;
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10 ist
eine Querschnittsansicht, die das Herstellungsverfahren der ersten
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung zeigt,
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11A und 11B sind
Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren gemäß einer zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigen; und
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12 ist
eine Querschnittsansicht, die eine dritte Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigt.
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AUSFÜHRLICHE
BESCHREIBUNG DER VORLIEGENDEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Bevorzugte
Ausführungsformen
gemäß der vorliegenden
Erfindung werden hier mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen
beschrieben.
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Mit
Bezug auf 1 umfasst eine Halbleitereinrichtung-Montagestruktur
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung eine Halbleitereinrichtung 10,
ein Verbindungssubstrat 30, das an der Unterseite der Halbleitereinrichtung 10 angeordnet
ist, und Leitungen 20, die derart ausgeführt sind,
dass sie zurückgewendet
sind (zum Beispiel in einer U-Form), und derart, dass ein Ende jeder
Leitung mit einer äußeren Verbindumgselektrode 12 der
Halbleitereinrichtung 10 und das andere Ende davon mit
einer Montageelektrode 40 auf dem Verbindungssubstrat 30 verbunden
ist.
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Das
Verbindungssubstrat 30 ist so angeordnet, dass die Hauptoberfläche oder
Hauptebene 11 des Verbindungssubstrats 30, auf
dem die Montageelektroden 40 bereitgestellt sind, nicht
der Schaltkreisoberfläche
oder Schaltkreisebene der Halbleitereinrichtung 10 gegenüber liegt.
Weiter sind Leiter, die mit den Montageelektroden 40 verbunden
sind, auf der Hauptebene des Verbindungssubstrats 30 bereitgestellt,
auf dem die Verbindungselektroden 40 vorgesehen sind.
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Die äußeren Verbindungselektroden 12 sind Elektroden
für das
automatische Filmbonden, die auf dem Randabschnitt der Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 vorgesehen
sind.
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Wie
zuvor beschrieben, ist jede Leitung zurückgewendet, sodass die äußere Verbindungselektrode 12,
die auf der Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 angeordnet
ist, und die Montageelektrode 40 des Verbindungssubstrats 30 miteinander
verbunden sind, und umfasst einen inneren Leitungsabschnitt 21,
einen Wendeabschnitt 22 und einen äußeren Leitungsabschnitt 23.
Die Leitung 20 wird vorzugsweise durch Beschichten eines
Trägers aus
Kupfer mit Gold gebildet. Kupfer kann den Widerstand der Leiter
herabsetzen, da es einen geringen Widerstandswert hat, und den Abfall
der Spannung durch die Leiter unterdrücken. Die Goldbeschichtung kann
die Oxidation des Kupfers, das als Trägermaterial dient, verhindern,
und gleichzeitig erleichtert sie die Verbindung der Leitung 20 und
der äußeren Verbindungselektrode 12 der
Halbleitereinrichtung 10.
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Der
innere Leitungsabschnitt 21 ist mit der äußeren Verbindungselektrode 12 verbunden,
die auf der Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 angeordnet
ist.
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Der äußere Leitungsabschnitt 23 ist
mit jeder der mehreren Montageelektroden 40 verbunden,
die auf dem Verbindungssubstrat 30 angeordnet sind.
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Der
Wendeabschnitt 22 ist zwischen dem inneren Leitungsabschnitt 21 und
dem äußeren Leitungsabschnitt 23 vorgesehen
und entspricht einem Abschnitt, der durch Biegen der Leitung 20
um 180° gebildet
wird.
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Mit
Bezug auf 1 und 2 umfasst
das Verbindungssubstrat 30 mehrere Trägersubstrate, in die ein Trägerfilm
eingeklopft (ausgeschnitten) wird. In dieser Ausführungsform
umfasst das Verbindungssubstrat 30 vier Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 und
ist in derselben oder einer ähnlichen
Form wie die äußere Form
der Halbleitereinrichtung 10 ausgestaltet. Jedes der Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 ist
vorzugsweise in der Form eines rechtwinkligen gleichschenkligen
Dreiecks gestaltet. In diesem Fall sind die vier Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 vorzugsweise
so angeordnet, dass sie im Ganzen ein Quadrat bilden, wie in 2 gezeigt.
Weiter ist vorzuziehen, dass das Material der Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 Polyamid
ist.
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Die
Montageelektroden 40 sind in einem Gittermuster auf dem
Verbindungssubstrat 30 vorgesehen. In dieser Ausführungsform
ist die Anzahl der Montageelektroden 40 auf 120 festgelegt.
Wenn die Montageelektroden 40 in einem Abstand von 1,27 mm
angeordnet sind, entsprechen die äußeren Abmessungen eines kleinen
LSI-Bausteins 100 in etwa 17 mm × 17 mm, und die äußeren Abmessungen
der Halbleitereinrichtung 10 entsprechen in etwa gleich 15
mm × 15
mm. Weiter ist die Anzahl der äußeren Verbindungselektroden 12,
die auf dem Rand der Halbleitereinrichtung 10 bereitgestellt
sind, auf 30 festgelegt, und der Abstand der äußeren Verbindungselektroden
ist auf etwa 0,5 mm festgelegt. Zum einfacheren Verständnis der
Struktur der vorliegenden Erfindung sind die äußeren Verbindungselektroden 12 und
die Leitungen 20 in den folgenden Zeichnungen dargestellt,
sodass ihre Anzahl kleiner ist als die tatsächliche Anzahl.
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Weiter
wird Dichtharz 50 zwischen die Halbleitereinrichtung 10 und
das Verbindungssubstrat 30 gefüllt. Das Dichtharz bedeckt
auch die Leitungen 20.
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Mit
Bezug auf 3 ist ein Halbleitergehäuse 100,
das die Halbleitereinrichtung-Montagestruktur
dieser Ausführungsform
aufweist, auf einem Schaltungssubstrat 200 montiert. Die
Montageelektroden 40 des Halbleitergehäuses 100 sind mit
Anschlusskontakten 201 auf dem Schaltungssubstrat 200 durch
die Lötstelle 60 verbunden.
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Mit
Bezug auf 4 sind mehrere Halbleitergehäuse 100 mit
hoher Bestückungsdichte
auf dem Schaltungssubstrat 200 montiert.
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Als
nächstes
wird ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitereinrichtung-Montagestruktur
gemäß der vorliegenden
Erfindung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen ausführlich beschrieben.
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Mit
Bezug auf 5 und 6 sind eine
Einrichtungsöffnung 310 und
Montageelektroden 40 in einem Bandträger 300 bereitgestellt.
Der Bandträger 300 wird
gebildet, indem Metalldrähte
auf einem Band aus organischem Isoliermaterial angeordnet werden.
Das Band aus organischem Isoliermaterial ist vorzugsweise aus Polyimid
gebildet, weil Polyimid eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Lösungsmittel und
eine hohe Widerstandsfähigkeit
gegen Wärme besitzt,
sodass es bei einem Erwärmungsvorgang, einem
Reinigungsvorgang usw. zur Herstellung von Elektroteilgehäusen kaum
Schaden nehmen wird, und somit ist es als Material für die Elektroteilgehäuse sehr
geeignet. Der Metalldraht wird vorzugsweise gebildet, indem Kupfer,
das als Trägermaterial
dient, mit Metall beschichtet wird.
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Eine
Kupferfolienschicht wird mit Klebstoff auf der Oberfläche des
Bands aus organischem Isoliermaterial des Bandträgers 300 befestigt
und ein Muster aus Leitungen 20, die innere Leitungsabschnitte 21 aufweisen,
die in die Einrichtungsöffnung 310 zum
Fixieren der Halbleitereinrichtung 10 vorstehen, und die
Montageelektroden 40, die als Verbindungsanschlüsse zu dem
Schaltungssubstrat 200 dienen, werden auf einer Oberfläche des
Bands aus organischem isolierendem Material gebildet.
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Die
Montageelektroden 40 sind in Bereichen in Form eines rechtwinkligen,
gleichschenkligen Dreiecks angeordnet, dessen Unterseite jeder Seite
der Einrichtungsöffnung 310 entspricht.
Dies ist so, weil die Anzahl der äußeren Elektroden groß ist, wenn
die Herstellung eines LSI-Gehäuses abgeschlossen
ist, wie hier beschrieben, und sie können somit wirkungsvoll angeordnet
werden.
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Weiter
wird der Leitungsdraht auf dem Bandträger 300 zwischen der
Montageelektrode 40 und der Leitung 20 zuvor mit
Isoliermaterial beschichtet, zum Beispiel mit Lötabdecklack oder ähnlichem.
Dies dient dazu, Kurzschlüsse
zwischen den Leitungen 20 zu verhindern, die freigelegt
werden, wenn das hergestellte LSI-Gehäuse durch Löten auf dem Schaltungssubstrat 200 montiert
wird.
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Mit
Bezug auf 7 wird die Halbleitereinrichtung 10 in
der Einrichtungsöffnung
des Bandträgers 300 montiert.
Zuerst wird die Hauptebene des Bandträgers 300, auf der
Montageelektroden 40 bereitgestellt sind, der Schaltkreisebene 11 der
Halbleitereinrichtung 10 gegenüber gestellt. Anschließend werden
die äußeren Verbindungselektroden 12,
die auf der Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 und
die inneren Leitungsabschnitte 21, die in die Einrichtungsöffnung 310 des
Bandträgers 300 vorstehen,
so positioniert, dass sie einander überlagern, und die inneren
Leitungsabschnitte 21 und die äußeren Verbindungselektroden 12 werden
miteinander verbunden.
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Die
Oberfläche
der äußeren Verbindungselektroden 12 wird
einer Goldbeschichtung unterzogen, und die so gebildete Goldbeschichtung
wird mit der Galdbeschichtung der inneren Leitumgsabschnitte 21 durch
Gold-Gold-Thermokompressionsbonden verbunden wird. Wenn der Vorgang
abgeschlossen ist, ist eine elektrische Verbindung zwischen den äußeren Verbindungselektroden 12 der
Halbleitereinrichtung 10 und den Montageelektroden 40 auf
dem Bandträger 300 entstanden.
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In
diesem Zustand kann der elektrische Test der Halbleitereinrichtung 10 leicht
durchgeführt
werden. Im Allgemeinen ist der Abstand der äußeren Verbindungselektroden
der Halbleitereinrichtung sehr gering, und jede der äußeren Verbindungselektroden
ist sehr klein. Außerdem
befinden sich die äußeren Verbindungselektroden
genau in der Nähe
der Schaltkreisebene der Halbleitereinrichtung. Darum ist es sehr
schwierig, einen Teststecksockel herzustellen, und die Kosten hierfür sind hoch.
In dem Fall, dass eine winzige Testsonde oder Ähnliches in Kontakt mit den äußeren Verbindungselektroden
der Halbleitereinrichtung gebracht wird, besteht die Gefahr, dass
die Testsonde fälschlicherweise
gegen die Schaltkreisebene stößt und die
Halbleitereinrichtung beschädigt.
In der Struktur der vorliegenden Erfindung jedoch kann die Leitung
mit der Halbleitereinrichtung sehr einfach durchgeführt werden,
indem ein Quetschanschluss oder Ähnliches
verwendet wird, durch den die Montageelektroden 40 des
Bandträgers 300 sandwichartig
von der Vorder- und Hinterseite eingeklemmt werden, und die Halbleitereinrichtung 10 wird
nicht beschädigt,
weil es unnötig
ist, den Anschluss an die Halbleitereinrichtung 10 zu bringen. Ein
Artikel, der im elektrischen Test für gut befunden wurde, rückt zu einem
weiteren Herstellungsschritt vor.
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Mit
Bezug auf 8 und 9 wird der Bandträger 300 geklopft.
Das Klopfen wird ausgeführt,
indem der Bandträger 300 in
rechtwinklige gleichschenklige Dreiecke geschnitten wird, sodass die
Montageelektroden 40 des Bandträgers 300, die mit
jeder Seite der Halbleitereinrichtung 10 verbunden sind,
von jedem rechtwinkligen gleichschenkligen Dreieck umgeben sind,
wodurch der Bandträger 100 in
vier geklopfte Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 aufgeteilt
ist, die die gleiche äußere Form
aufweisen.
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Mit
Bezug auf 10 werden die geteilten vier
Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 an
den jeweiligen Seiten der Halbleitereinrichtung zurückgewendet
(gefaltet) auf die Schaltkreisebene 11, wobei die Leitungsabschnitte
nach außen
von den äußeren Verbindungselektroden 12 der
Halbleitereinrichtung 10 an der Mitte des Wendens um 180° vorstehen.
Da jedes der geklopften Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 ein
rechtwinkliges gleichschenkliges Dreieck ist, wird ein quadratisches
Verbindungssubstrat 30 auf der Schaltkreisebene 11 der
Halbleitereinrichtung 10 gebildet. Das Verbindungssubstrat 30 ist
derart, dass es im Wesentlichen die gesamte Oberfläche der Schaltkreisebene 11 der
Halbleitereinrichtung 10 bedeckt, und somit kann eine große Anzahl
der Montageelektroden 40 in einer wirkungsvollen Anordnung angeordnet
werden.
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Mit
Bezug auf 1 wird Dichtharz 50 in
den Spalt zwischen dem Verbindungssubstrat 30 und der Halbleitereinrichtung 10 gefüllt, sodass
er die Wendeleiter 20 bedeckt. Wenn Wärme erforderlich ist, wird
das Dichtharz 50 durch Wärme gehärtet. Das Dichtharz 50 kann
aus isolierendem Formenharzmaterial gebildet sein, der für normale
Kunststoffverpackungen verwendet wird. Wenn der Spalt zwischen dem
Verbindungssubstrat 30 und der Schaltkreisebene 11 der
Halbleitereinrichtung 10 klein ist, kann das Dichtharz
kaum nach innen fließen.
In diesem Fall wird vorzugsweise Epoxidharz oder Ähnliches
verwendet, das eine geringere Viskosität besitzt.
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Mit
Bezug auf 3 wird das Halbleitergehäuse 100,
das die Halbleiter-Montagestruktur gemäß der vorliegenden Erfindung
aufweist, auf dem Schaltungssubstrat 200 montiert. Das
folgende ist eines der Montageverfahren. Zuerst werden die Lötkugeln
auf den Montageelektroden 40 des Halbleitergehäuses 100 wie
beim BGA (Ball Grid Array-Kugelgitteranordnung),
die normalerweise verwendet werden, und Lötpaste wird auf die Anschlusskontakte 201 auf
dem Schaltungssubstrat 200 durch ein Siebdruckverfahren
aufgebracht. Nachfolgend wird das Halbleitergehäuses 100 auf die Anschlusskontakte auf
dem Schaltungssubstrat 200 positioniert und auf ihnen montiert,
und der Wärmerückfluss
wird ausgeführt,
um das Montageverfahren zu beenden. Wenn eutektisches kristallines
Lot Sn63/Pb37Gew.% als Lot verwendet wird, wird die Temperatur des
Wärmerückflusses
vorzugsweise auf ungefähr
210°C eingestellt.
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Wie
zuvor beschrieben, erfolgt gemäß der vorliegenden
Erfindung der Test der Halbleitereinrichtung 10, wenn die
Halbleitereinrichtung 10 auf dem Bandträger 300 montiert ist,
und der Bandträger 300 wird
nach dem Test abgeklopft wird, um die Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 zu
bilden und die Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 werden
zurückgewendet,
sodass sie der Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 gegenüberliegen.
Daher wird die Test-Haltevorrichtung nicht mit der Halbleitereinrichtung 10 in
Kontakt gebracht, wenn die Halbleitereinrichtung 10 geprüft wird,
weil keine Montageelektrode (Anschluss) 40 auf der Halbleitereinrichtung 10 vorhanden
ist und somit die Halbleitereinrichtung 10 nicht beschädigt wird.
Außerdem
kann, wenn das Halbleitergehäuse 100 auf
dem Schaltungssubstrat 200 montiert ist, die Halbleitereinrichtung-Montagestruktur
erhalten werden, die eine äußere Abmessung
hat, die im Wesentlichen der Hauptebene der Halbleitereinrichtung 10 entspricht
und eine große Anzahl
Montageelektroden 40 aufweist.
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Außerdem wird
jeder der Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34,
die durch Schneiden in ein rechtwinkliges gleichschenkligen Dreieck
erhalten werden, dessen Unterseite jeder Seite der Einrichtungsöffnung 310 entspricht,
zur Schaltkreisoberfläche 11 zurückgewendet,
wodurch eine im Wesentlichen quadratisch geformte Montageebene von
den Trägersubstraten 31, 32, 33 und 34 erhalten
werden kann. Daher kann die Anzahl Montageelektroden 40 erhöht werden,
die zum Anschließen
mit dem Schaltungssubstrat 200 verwendet werden.
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Als
Nächstes
wird eine zweite Ausführungsform
gemäß der vorliegenden
Erfindung ausführlich mit
Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Die zweite Ausführungsform
ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Isolierfolie 70 zwischen dem
Verbindungssubstrat 30 und der Schaltkreisebene 11 der
Halbleitereinrichtung 10 vorgesehen ist. Die restliche
Bauweise ist identisch zu der der ersten Ausführungsform.
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Mit
Bezug auf 11A und 11B ist
die Isolierfolie 70 zwischen der Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 und
dem Verbindungssubstrat 30 vorgesehen und stößt gegen
jede Schaltkreisebene 11 und das Verbindungssubstrat 30.
Die Isolierfolie 70 ist so ausgestaltet, dass sie eine
solche Dicke aufweist, dass die Montageebene, die von den Trägersubstraten 31, 32, 33 und 34 aufgebaut
ist, flach ist, wenn jedes der Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34,
die das Verbindungssubstrat 30 bilden, zur Schaltkreisebene 11 der
Halbleitereinrichtung 10 zurückgewendet ist.
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Die
Isolierfolie 70 ist vorzugsweise aus Silikonkautschukfolie
ausgebildet, weil die Silikonkautschukfolie Elastizität aufweist
und somit, wenn jedes der Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 zurückgewendet
wird, um gegen die Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 zu
stoßen,
die auf die Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 angewandte Kraft
von der Silikonkautschukfolie verteilt werden kann, wodurch die
Beschädigung,
die auf die Schaltkreisebene 11 einwirkt, verringert wird.
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Als
Nächstes
wird das Herstellungsverfahren gemäß der Ausführungsform beschrieben.
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Mit
Bezug auf 11A ist die Isolierfolie 70 in
einer solchen Größe vorgesehen,
dass sie im Innern der Anordnung der äußeren Verbindungselektroden 12 auf
der Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 angeordnet
ist.
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In
Bezug auf 11B werden die Trägersubstrate 31, 32, 33 und 34 zurückgewendet,
um gegen die Isolierfolie 70 zu stoßen. In diesem Zustand wird das
Dichtharz 50 eingefüllt.
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Wie
zuvor beschrieben, kann gemäß dieser Ausführungsform,
da die Isolierfolie 70 zwischen der Schaltkreisebene 11 der
Halbleitereinrichtung 10 und dem Verbindungssubstrat 30 vorgesehen
ist, die Flachheit der Anschlussplatte 30 verbessert werden.
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In
der zuvor beschriebenen Ausführungsform
kann ein haftendes Element an jeder der beiden Seiten der Isolierfolie 70 vorgesehen
sein. In diesem Fall kann die Halbleitereinrichtung einfacher montiert werden.
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Als
Nächstes
wird eine dritte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ausführlich
beschrieben. Die dritte Ausführungsform
ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Verbindungssubstrat an der
Unterseite der Leiter vorgesehen ist. Die restliche Bauweise ist
genauso wie bei der ersten Ausführungsform.
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Mit
Bezug auf 12 ist ein Verbindungssubstrat 80 an
der Unterseite der Leiter 20 vorgesehen. Das heißt, der äußere Leiterabschnitt 23 jedes Leiters 20 ist
mit der Hauptebene verbunden, die von der Montageebene des Verbindungssubstrats 80 verschieden
ist. Das Verbindungssubstrat 80 ist mit Elektroden versehen,
die mit den äußeren Leiterabschnitten 23 zu
verbinden sind, durch Öffnungen 81, die
mit dem zuvor erwähnten
Elektroden verbunden sind, und durchdringen das Verbindungssubstrat 80, Drähte 82,
die mit den Durchgangslöchern 81 verbunden
sind und auf der Montageebene des Verbindungssubstrats 80 vorgesehen
sind und mehrere Montageelektroden 41, die mit den Drähten 82 verbunden
sind. Jede der mehreren Montageelektroden 41 ist elektrisch
mit dem Leiter 20 durch das Durchgangsloch 81 verbunden,
das das Verbindungssubstrat 80 durchdringt.
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Als
Nächstes
wird das Herstellungsverfahren gemäß dieser Ausführungsform
beschrieben.
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Drähte sind
an gewünschten
Positionen an beiden Hauptebenen des Bandträgers ausgebildet, und Durchgangslöcher 81,
durch die die Leiter an beiden Hauptebenen miteinander verbunden
sind, sind vorgesehen. Die Leiter 20 sind auf einer Hauptebene
des Bandträgers
vorgesehen und die Montageelektroden 41 sind auf der anderen
Hauptebene vorgesehen. Die Hauptebene des Bandträgers, auf dem die Montageelektroden 41 vorgesehen
sind, und die Schaltkreisebene 11 der Halbleitereinrichtung 10 liegen
einander gegenüber
und sind so zueinander positioniert, dass die inneren Leiterabschnitte 21 und die äußeren Verbindungselektroden 12 einer
Bondingverbindung unterliegen. Die auf diesen Schritt folgenden
Schritte sind genauso wie bei der ersten Ausführungsform.
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Wie
zuvor beschrieben, ist gemäß dieser Ausführungsform
das Verbindungssubstrat 80 an der Unterseite der Leiter 20 vorgesehen.
Das heißt,
ganze Abschnitte der Leiter 20 sind zwischen dem Verbindungssubstrat 80 und
der Halbleitereinrichtung 10 positioniert. Daher können, wenn
das Halbleitergehäuse
auf dem Schaltungssubstrat 200 montiert ist, Geräusche, die
aufgrund der Leiter 20 und der Drähte auf dem Schaltungssubstrat 200 auftreten,
in größerem Maße verringert
werden. Dies liegt daran, dass das Vermittlungssubstrat 80 als
Isolierelement zwischen den Leitern 20 und den Drähten auf
dem Schaltungssubstrat 200 funktioniert.
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In
dieser Ausführungsform
kann die Isolierfolie der zweiten Ausführungsform zwischen der Schaltkreisebene 11 der
Halbleitereinrichtung 10 und den Leitern 20 vorgesehen
sein. Die Dicke der Isolierfolie ist so eingestellt, dass das Verbindungssubstrat 80 flach
ist.
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Wie
aus der vorangehenden Beschreibung offensichtlich ist, wird gemäß der vorliegenden
Erfindung der Bandträger,
auf dem die Halbleitereinrichtung montiert ist, am äußeren Umfang
der Anordnung der Montageanschlüsse
auf dem Bandträger
ausgeschnitten, um Trägersubstrate
zu bilden, und die so gebildeten Trägersubstrate werden mit den
Leitern an der Mitte der Wendung zurück zur Schaltkreisbenenseite
zurückgewendet
und dann durch Dichtharz fixiert. Daher kann unter Verwendung einer TAB-Band-Bonding-Technik,
die herkömmlicherweise
allgemein angenommen wurde, die Halbleitereinrichtung-Montagestruktur erhalten
werden, die die Montageebene aufweist, die im Wesentlichen die gleiche
Größe besitzt,
wie die äußere Abmessung der
Hauptebene der Halbleitereinrichtung 10.
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Außerdem werden
gemäß der vorliegenden Erfindung,
wenn die Halbleitereinrichtung auf dem Bandträger montiert wird, die äußeren Verbindungselektroden
der Halbleitereinrichtung elektrisch mit den Montageelektroden verbunden,
die sich nicht auf der Halbleitereinrichtung befinden, und somit
kann der elektrische Halbleitereinrichtungtest einfach ausgeführt werden,
während
die Elektroden des Testers nicht in Kontakt mit der Schaltkreisebene
der Halbleitereinrichtung gebracht werden. Daher kann der Halbleitereinrichtungtest
weiter vereinfacht werden.
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Darüber hinaus
ist gemäß der vorliegenden Erfindung
die äußere Abmessung
der Halbleitereinrichtung-Montagestruktur etwas größer, als
die der Halbleitereinrichtung, um die Menge, die dem Abschnitt der
verwendeten Leiter und dem Dichtharz entspricht. Daher kann die äußere Abmessung
der Halbleiter-Montagestruktur verringert werden, um noch kleiner
als PGA (Pin Grid Array-Anschlussstiftmatrix) und QFP (Quad Flat
Package-quadratisches, flaches Chipgehäuse) zu sein. Als Ergebnis
kann trotz des kleineren Bestückungsbereichs
eine größere Anzahl
Halbleitereinrichtungen auf der Montagestruktur montiert werden
und somit kann die Halbleitereinrichtung bei hoher Dichte montiert
werden.