JPH06310618A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH06310618A JPH06310618A JP5097969A JP9796993A JPH06310618A JP H06310618 A JPH06310618 A JP H06310618A JP 5097969 A JP5097969 A JP 5097969A JP 9796993 A JP9796993 A JP 9796993A JP H06310618 A JPH06310618 A JP H06310618A
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- sealing
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体チップの表面を気密封止して
なる半導体装置およびその製造方法において、信頼性
（耐湿性）を保ちつつ、小形化できるようにすることを
最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ１１の表面を気密封止
するためのキャップ１３に端子１３ａを形成する。そし
て、このキャップ１３とシール材１２とで、チップ１１
の表面を気密封止する。また、封止内に収められたチッ
プ１１の電極から延びるＴＡＢリード１５をキャップ１
５に巻き付け、封止内のチップ１１の電極とキャップ１
３の端子１３ａとを電気的に接続する。こうして、フリ
ップチップ的な実装が可能な構造として、ほぼチップの
サイズと同程度の大きさに形成される構成となってい
る。
なる半導体装置およびその製造方法において、信頼性
（耐湿性）を保ちつつ、小形化できるようにすることを
最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ１１の表面を気密封止
するためのキャップ１３に端子１３ａを形成する。そし
て、このキャップ１３とシール材１２とで、チップ１１
の表面を気密封止する。また、封止内に収められたチッ
プ１１の電極から延びるＴＡＢリード１５をキャップ１
５に巻き付け、封止内のチップ１１の電極とキャップ１
３の端子１３ａとを電気的に接続する。こうして、フリ
ップチップ的な実装が可能な構造として、ほぼチップの
サイズと同程度の大きさに形成される構成となってい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば一部を気密
封止してなる半導体チップなどの半導体装置およびその
製造方法に関する。
封止してなる半導体チップなどの半導体装置およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップの表面を気密封止し
てなる半導体装置が提案されている（たとえば、特願平
４−４５４３４号）。この種の半導体装置は、たとえば
図５に示すように、ボンディング用のパッドが設けられ
た半導体チップ１の表面の、そのパッドの外側におい
て、気密封止のためのシール材２を介して封止部材とし
てのキャップ３が固着されて、チップ表面が気密封止さ
れた構成となっている。
てなる半導体装置が提案されている（たとえば、特願平
４−４５４３４号）。この種の半導体装置は、たとえば
図５に示すように、ボンディング用のパッドが設けられ
た半導体チップ１の表面の、そのパッドの外側におい
て、気密封止のためのシール材２を介して封止部材とし
てのキャップ３が固着されて、チップ表面が気密封止さ
れた構成となっている。
【０００３】そして、この気密封止内においては、たと
えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）方式によりポリイミドテープ４上に形成された
ＴＡＢリード５の一端側が、上記半導体チップ１のボン
ディングパッドとバンプ６を介して接続されるようにな
っている。
えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）方式によりポリイミドテープ４上に形成された
ＴＡＢリード５の一端側が、上記半導体チップ１のボン
ディングパッドとバンプ６を介して接続されるようにな
っている。
【０００４】この後、上記ＴＡＢテープ５の他端側がフ
ォーミングされてアウタリードとされることにより、小
型で、耐湿性に優れた、安価で信頼性の高い半導体装置
が実現される。
ォーミングされてアウタリードとされることにより、小
型で、耐湿性に優れた、安価で信頼性の高い半導体装置
が実現される。
【０００５】しかしながら、従来の半導体装置にあって
は、半導体チップ１の外形の外側にＴＡＢリード５が延
びているため、チップ自身の大きさよりも大きな実装面
積を必要とするなどの問題があった。
は、半導体チップ１の外形の外側にＴＡＢリード５が延
びているため、チップ自身の大きさよりも大きな実装面
積を必要とするなどの問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、ＴＡＢリードが半導体チップの外側に延び
ているため、小形化に制約を受けるという欠点があっ
た。そこで、この発明は、信頼性などを損なうことな
く、より小形化でき、高密度実装に適した半導体装置お
よびその製造方法を提供することを目的としている。
においては、ＴＡＢリードが半導体チップの外側に延び
ているため、小形化に制約を受けるという欠点があっ
た。そこで、この発明は、信頼性などを損なうことな
く、より小形化でき、高密度実装に適した半導体装置お
よびその製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置にあっては、外部と接続す
る電極を有する半導体チップと、この半導体チップの電
極部分を気密封止する封止部材と、この封止部材により
気密封止されてなる前記半導体チップの電極を外部と電
気的に接続すべく、前記半導体チップの気密封止内より
導出され、前記封止部材の外周囲に沿って内側に折り返
されてなる接続手段とから構成されている。
めに、この発明の半導体装置にあっては、外部と接続す
る電極を有する半導体チップと、この半導体チップの電
極部分を気密封止する封止部材と、この封止部材により
気密封止されてなる前記半導体チップの電極を外部と電
気的に接続すべく、前記半導体チップの気密封止内より
導出され、前記封止部材の外周囲に沿って内側に折り返
されてなる接続手段とから構成されている。
【０００８】また、この発明の半導体装置の製造方法に
あっては、半導体チップの電極に接続手段を接続する工
程と、前記接続手段の接続された前記半導体チップの電
極部分を封止部材により気密封止する工程と、前記封止
部材による前記半導体チップの電極部分の気密封止によ
り、この半導体チップの気密封止内より導出される前記
接続手段を、前記封止部材の外周囲より内側に折り返す
工程とを有して構成されている。
あっては、半導体チップの電極に接続手段を接続する工
程と、前記接続手段の接続された前記半導体チップの電
極部分を封止部材により気密封止する工程と、前記封止
部材による前記半導体チップの電極部分の気密封止によ
り、この半導体チップの気密封止内より導出される前記
接続手段を、前記封止部材の外周囲より内側に折り返す
工程とを有して構成されている。
【０００９】また、この発明の半導体装置にあっては、
外部と接続する電極を有する半導体チップと、この半導
体チップの電極部分を気密封止するとともに、前記半導
体チップの電極を外部と接続する端子を有する封止部材
と、この封止部材の端子および前記封止部材により気密
封止されてなる前記半導体チップの電極を電気的に接続
する接続手段とから構成されている。
外部と接続する電極を有する半導体チップと、この半導
体チップの電極部分を気密封止するとともに、前記半導
体チップの電極を外部と接続する端子を有する封止部材
と、この封止部材の端子および前記封止部材により気密
封止されてなる前記半導体チップの電極を電気的に接続
する接続手段とから構成されている。
【００１０】また、この発明の半導体装置にあっては、
外部と接続する電極を有する半導体チップと、この半導
体チップの電極部分を気密封止するとともに、前記半導
体チップの電極を外部と接続する端子を有する封止部材
と、この封止部材による前記半導体チップの気密封止内
より導出され、前記封止部材の外周囲より内側に折り返
されて、前記半導体チップの電極を前記封止部材の端子
と電気的に接続する接続手段とから構成されている。
外部と接続する電極を有する半導体チップと、この半導
体チップの電極部分を気密封止するとともに、前記半導
体チップの電極を外部と接続する端子を有する封止部材
と、この封止部材による前記半導体チップの気密封止内
より導出され、前記封止部材の外周囲より内側に折り返
されて、前記半導体チップの電極を前記封止部材の端子
と電気的に接続する接続手段とから構成されている。
【００１１】また、この発明の半導体装置の製造方法に
あっては、半導体チップの電極に接続手段を接続する工
程と、前記接続手段の接続された前記半導体チップの電
極部分を、前記半導体チップの電極を外部と接続する端
子を有する封止部材により気密封止する工程と、前記封
止部材によって気密封止され、前記半導体チップの気密
封止内より導出される前記接続手段を、前記封止部材の
外周囲に沿って内側に折り返す工程と、折り返された前
記接続手段を前記封止部材の端子と電気的に接続する工
程とを有して構成されている。
あっては、半導体チップの電極に接続手段を接続する工
程と、前記接続手段の接続された前記半導体チップの電
極部分を、前記半導体チップの電極を外部と接続する端
子を有する封止部材により気密封止する工程と、前記封
止部材によって気密封止され、前記半導体チップの気密
封止内より導出される前記接続手段を、前記封止部材の
外周囲に沿って内側に折り返す工程と、折り返された前
記接続手段を前記封止部材の端子と電気的に接続する工
程とを有して構成されている。
【００１２】さらに、この発明の半導体装置の製造方法
にあっては、半導体チップの電極に接続手段を接続する
工程と、前記接続手段の接続された前記半導体チップの
電極部分を、前記半導体チップの電極を外部と接続する
端子を有する封止部材により気密封止する工程と、前記
接続手段を用いて前記半導体チップの動作試験を行う工
程と、前記動作試験の後に、前記封止部材による前記半
導体チップの気密封止内より導出される前記接続手段
を、前記封止部材の外周囲に沿って内側に折り返す工程
と、折り返された前記接続手段を前記封止部材の端子と
電気的に接続する工程とを有して構成されている。
にあっては、半導体チップの電極に接続手段を接続する
工程と、前記接続手段の接続された前記半導体チップの
電極部分を、前記半導体チップの電極を外部と接続する
端子を有する封止部材により気密封止する工程と、前記
接続手段を用いて前記半導体チップの動作試験を行う工
程と、前記動作試験の後に、前記封止部材による前記半
導体チップの気密封止内より導出される前記接続手段
を、前記封止部材の外周囲に沿って内側に折り返す工程
と、折り返された前記接続手段を前記封止部材の端子と
電気的に接続する工程とを有して構成されている。
【００１３】
【作用】この発明は、上記した手段により、チップとほ
ぼ同じサイズの実装面積をもって構成できるため、より
高密度な実装が可能となるものである。
ぼ同じサイズの実装面積をもって構成できるため、より
高密度な実装が可能となるものである。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は、本発明の第１の実施例にかかる
半導体装置の概略構成を示すものである。
して説明する。図１は、本発明の第１の実施例にかかる
半導体装置の概略構成を示すものである。
【００１５】すなわち、この半導体装置は、たとえば外
部との電気的な接続のためのボンディング用のパッド
（電極）が表面に設けられた半導体チップ１１と、この
表面の上記ボンディングパッドの外側において、気密封
止のためのシール材（ガラス材料など）１２を介して固
着された封止部材としてのキャップ１３、および前記ボ
ンディングパッドとバンプ１４を介して接続されて上記
気密封止内より導出され、キャップ１３の外周囲に沿っ
て巻き付けられた接続手段としてのＴＡＢリード１５な
どにより構成されている。
部との電気的な接続のためのボンディング用のパッド
（電極）が表面に設けられた半導体チップ１１と、この
表面の上記ボンディングパッドの外側において、気密封
止のためのシール材（ガラス材料など）１２を介して固
着された封止部材としてのキャップ１３、および前記ボ
ンディングパッドとバンプ１４を介して接続されて上記
気密封止内より導出され、キャップ１３の外周囲に沿っ
て巻き付けられた接続手段としてのＴＡＢリード１５な
どにより構成されている。
【００１６】キャップ１３は、たとえば上記半導体チッ
プ１１と近い線膨脹係数を有する、つまりチップ１１の
基板がシリコン（Ｓｉ）からなる場合には同一材料のシ
リコンにより、セラミックスからなる場合にはセラミッ
クスにより形成されるものである。
プ１１と近い線膨脹係数を有する、つまりチップ１１の
基板がシリコン（Ｓｉ）からなる場合には同一材料のシ
リコンにより、セラミックスからなる場合にはセラミッ
クスにより形成されるものである。
【００１７】また、キャップ１３の一面には、多数（こ
の場合、ＴＡＢリード１５の本数と同数）の接続用の端
子１３ａが設けられているとともに、前記ＴＡＢテープ
１５を接続するための接続パターン１３ｂ、およびこの
ＴＡＢリード１５と上記端子１３ａのそれぞれとを個々
に接続するための配線パターン１３ｃが形成されてい
る。
の場合、ＴＡＢリード１５の本数と同数）の接続用の端
子１３ａが設けられているとともに、前記ＴＡＢテープ
１５を接続するための接続パターン１３ｂ、およびこの
ＴＡＢリード１５と上記端子１３ａのそれぞれとを個々
に接続するための配線パターン１３ｃが形成されてい
る。
【００１８】この場合、キャップ１３は、半導体チップ
１１のサイズとほぼ同サイズとされ、これにより小形化
が図られるとともに、そこに多数の端子１３ａを間隔を
もたせてアレイ状に配置することで、端子１３ａを介さ
ずにＴＡＢリード１５により直に実装する場合よりも、
上記ＴＡＢテープ１５と外部との接続、つまり半導体チ
ップ１１の実装をより容易なものとすることができる。
１１のサイズとほぼ同サイズとされ、これにより小形化
が図られるとともに、そこに多数の端子１３ａを間隔を
もたせてアレイ状に配置することで、端子１３ａを介さ
ずにＴＡＢリード１５により直に実装する場合よりも、
上記ＴＡＢテープ１５と外部との接続、つまり半導体チ
ップ１１の実装をより容易なものとすることができる。
【００１９】ここで、上記した半導体装置の製造方法に
ついて説明する。まず、半導体チップ１１の表面におい
て、ボンディングパッドの外側の外周上にシール材１２
が設けられる。
ついて説明する。まず、半導体チップ１１の表面におい
て、ボンディングパッドの外側の外周上にシール材１２
が設けられる。
【００２０】また、半導体チップ１１のボンディングパ
ッド上にバンプ１４が形成され、そこにＴＡＢ（Ｔａｐ
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式により
基材としてのポリイミドテープ上に形成されたＴＡＢリ
ード１５の一端側が接続される。
ッド上にバンプ１４が形成され、そこにＴＡＢ（Ｔａｐ
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式により
基材としてのポリイミドテープ上に形成されたＴＡＢリ
ード１５の一端側が接続される。
【００２１】そして、シール材１２を用いてキャップ１
３を固着することにより、半導体チップ１１の表面の気
密封止が行われる。この状態において、上記ＴＡＢリー
ド１５を試験用のリード線として周知のＢｕｒｎ−Ｉｎ
テストを実施することで、この半導体チップ１１の良否
判別が行われる。
３を固着することにより、半導体チップ１１の表面の気
密封止が行われる。この状態において、上記ＴＡＢリー
ド１５を試験用のリード線として周知のＢｕｒｎ−Ｉｎ
テストを実施することで、この半導体チップ１１の良否
判別が行われる。
【００２２】この後、上記Ｂｕｒｎ−Ｉｎテストを通っ
た半導体チップ１１について、そのＴＡＢリード１５の
他端がキャップ１３の外周囲に沿って内側に折り返さ
れ、キャップ１３に設けられた接続パターン１３ｂと接
続される。
た半導体チップ１１について、そのＴＡＢリード１５の
他端がキャップ１３の外周囲に沿って内側に折り返さ
れ、キャップ１３に設けられた接続パターン１３ｂと接
続される。
【００２３】これにより、半導体チップ１３の各電極
が、ＴＡＢリード１５、接続パターン１３ｂ、および配
線パターン１３ｃを介して、キャップ１３上の端子１３
ａのそれぞれと電気的に接続されることになる。
が、ＴＡＢリード１５、接続パターン１３ｂ、および配
線パターン１３ｃを介して、キャップ１３上の端子１３
ａのそれぞれと電気的に接続されることになる。
【００２４】図２は、キャップ１３に形成される端子１
３ａの一例を示すものである。同図（ａ）は、キャップ
１３を、たとえばセラミックスからなる基板２１上に、
端子１３ａとしてのピン状端子２２を銀２３によるロウ
付けにより形成した構成となっている。
３ａの一例を示すものである。同図（ａ）は、キャップ
１３を、たとえばセラミックスからなる基板２１上に、
端子１３ａとしてのピン状端子２２を銀２３によるロウ
付けにより形成した構成となっている。
【００２５】同図（ｂ）は、たとえばシリコンからなる
基板３１上に配設された配線パターン１３ｃの先端には
んだ材料３２を用いて端子１３ａを形成した構成となっ
ている。
基板３１上に配設された配線パターン１３ｃの先端には
んだ材料３２を用いて端子１３ａを形成した構成となっ
ている。
【００２６】同図（ｃ）は、たとえばシリコンからなる
基板４１上に配設された配線パターン１３ｃの上に金バ
ンプ４２を用いて端子１３ａを形成した構成となってい
る。同図（ｄ）は、たとえばシリコンからなる基板５１
上の配線パターン１３ｃの上に転写バンプ方式を用いて
金バンプ５２を形成することで、端子１３ａを形成した
構成となっている。
基板４１上に配設された配線パターン１３ｃの上に金バ
ンプ４２を用いて端子１３ａを形成した構成となってい
る。同図（ｄ）は、たとえばシリコンからなる基板５１
上の配線パターン１３ｃの上に転写バンプ方式を用いて
金バンプ５２を形成することで、端子１３ａを形成した
構成となっている。
【００２７】次に、この発明の第２の実施例について説
明する。図３は、本発明の第２の実施例にかかる半導体
装置の概略構成を示すものである。
明する。図３は、本発明の第２の実施例にかかる半導体
装置の概略構成を示すものである。
【００２８】この半導体装置は、信頼性（耐湿性）上で
問題となるチップの電極がその周辺部ではなく、できる
だけ中心部の近くに配設された半導体チップ６１に対し
て、上述した第１の実施例と同様の気密封止が行われて
構成されるものである。
問題となるチップの電極がその周辺部ではなく、できる
だけ中心部の近くに配設された半導体チップ６１に対し
て、上述した第１の実施例と同様の気密封止が行われて
構成されるものである。
【００２９】すなわち、半導体チップ６１の中心部の近
くに配設されたボンディングパッドの外側において、気
密封止のためのシール材（ガラス材料など）６２を介し
て封止部材としてのキャップ６３が固着されるととも
に、前記ボンディングパッドとバンプ６４を介して接続
されて上記気密封止内より導出された接続手段としての
ＴＡＢリード６５が、キャップ６３の外周囲に沿って巻
き付けられて前記キャップ６３の端子６３ａと電気的に
接続された構成とされている。
くに配設されたボンディングパッドの外側において、気
密封止のためのシール材（ガラス材料など）６２を介し
て封止部材としてのキャップ６３が固着されるととも
に、前記ボンディングパッドとバンプ６４を介して接続
されて上記気密封止内より導出された接続手段としての
ＴＡＢリード６５が、キャップ６３の外周囲に沿って巻
き付けられて前記キャップ６３の端子６３ａと電気的に
接続された構成とされている。
【００３０】この場合、上記ボンディングパッドの位置
に合わせて、キャップ６３をチップ６１のサイズよりも
小さくすることができる、つまり小さなサイズのキャッ
プ６３を用いることが可能となる。
に合わせて、キャップ６３をチップ６１のサイズよりも
小さくすることができる、つまり小さなサイズのキャッ
プ６３を用いることが可能となる。
【００３１】したがって、この第２の実施例によれば、
さらに高密度な実装を実現できるものである。次に、こ
の発明の第３の実施例について説明する。
さらに高密度な実装を実現できるものである。次に、こ
の発明の第３の実施例について説明する。
【００３２】図４は、本発明の第３の実施例にかかる半
導体装置の概略構成を示すものである。この半導体装置
は、上述した第１の実施例において、たとえば多層配線
構造を有するセラミック基板を用いて形成されたキャッ
プ７３を用いて、同様の気密封止を行ったものである。
導体装置の概略構成を示すものである。この半導体装置
は、上述した第１の実施例において、たとえば多層配線
構造を有するセラミック基板を用いて形成されたキャッ
プ７３を用いて、同様の気密封止を行ったものである。
【００３３】すなわち、半導体チップ１１の表面のボン
ディングパッドの外側において、気密封止のためのシー
ル材（ガラス材料など）１２を介して封止部材としての
キャップ７３が固着されるとともに、このキャップ７３
の端子７３ａと前記ボンディングパッドとがバンプ７４
を介して電気的に接続された構成とされている。
ディングパッドの外側において、気密封止のためのシー
ル材（ガラス材料など）１２を介して封止部材としての
キャップ７３が固着されるとともに、このキャップ７３
の端子７３ａと前記ボンディングパッドとがバンプ７４
を介して電気的に接続された構成とされている。
【００３４】この場合、上記ボンディングパッドとキャ
ップ７３の端子７３ａとを接続するためのＴＡＢリード
が不要となるとともに、キャップ７３上の配線パターン
なども必要とすることなしに、外部への実装が可能とな
る。
ップ７３の端子７３ａとを接続するためのＴＡＢリード
が不要となるとともに、キャップ７３上の配線パターン
なども必要とすることなしに、外部への実装が可能とな
る。
【００３５】上記したように、半導体チップとほぼ同じ
サイズの実装面積をもって構成できるようにしている。
すなわち、半導体チップの電極面の気密封止に用いるキ
ャップに端子を設け、この端子とチップの電極とを接続
することで、チップの外側に延びるリード線をなくすよ
うにしている。これにより、チップの大きさとほぼ同じ
大きさにて構成することができるようになるため、より
高密度な実装が可能となる。したがって、高信頼性を保
ちつつ、小形化を容易に達成し得るものである。
サイズの実装面積をもって構成できるようにしている。
すなわち、半導体チップの電極面の気密封止に用いるキ
ャップに端子を設け、この端子とチップの電極とを接続
することで、チップの外側に延びるリード線をなくすよ
うにしている。これにより、チップの大きさとほぼ同じ
大きさにて構成することができるようになるため、より
高密度な実装が可能となる。したがって、高信頼性を保
ちつつ、小形化を容易に達成し得るものである。
【００３６】なお、上記実施例においては、接続手段と
してＴＡＢテープのリードを例に説明したが、これに限
らず、たとえばリードフレームのような実装部品を用い
ることもできる。
してＴＡＢテープのリードを例に説明したが、これに限
らず、たとえばリードフレームのような実装部品を用い
ることもできる。
【００３７】また、気密封止した半導体チップの周囲を
樹脂などにより封止したり、コーティングすることも可
能である。その他、この発明の要旨を変えない範囲にお
いて、種々変形実施可能なことは勿論である。
樹脂などにより封止したり、コーティングすることも可
能である。その他、この発明の要旨を変えない範囲にお
いて、種々変形実施可能なことは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、信頼性などを損なうことなく、より小形化でき、高
密度実装に適した半導体装置およびその製造方法を提供
できる。
ば、信頼性などを損なうことなく、より小形化でき、高
密度実装に適した半導体装置およびその製造方法を提供
できる。
【図１】この発明の第１の実施例にかかる半導体装置の
概略を示す構成図。
概略を示す構成図。
【図２】同じく、キャップの構成例を示す側面図。
【図３】この発明の第２の実施例にかかる半導体装置の
概略を示す断面図。
概略を示す断面図。
【図４】この発明の第３の実施例にかかる半導体装置の
概略を示す断面図。
概略を示す断面図。
【図５】従来技術とその問題点を説明するために示す半
導体装置の断面図。
導体装置の断面図。
１１，６１…半導体チップ、１２，６２…シール材、１
３，６３，７３…キャップ（封止部材）、１３ａ…端
子、１３ｂ…接続パターン、１３ｃ…配線パターン、１
４，６４，７４…バンプ、１５，６５…ＴＡＢリード。
３，６３，７３…キャップ（封止部材）、１３ａ…端
子、１３ｂ…接続パターン、１３ｃ…配線パターン、１
４，６４，７４…バンプ、１５，６５…ＴＡＢリード。
Claims (6)
- 【請求項１】 外部と接続する電極を有する半導体チッ
プと、 この半導体チップの電極部分を気密封止する封止部材
と、 この封止部材により気密封止されてなる前記半導体チッ
プの電極を外部と電気的に接続すべく、前記半導体チッ
プの気密封止内より導出され、前記封止部材の外周囲に
沿って内側に折り返されてなる接続手段とを具備したこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップの電極に接続手段を接続す
る工程と、 前記接続手段の接続された前記半導体チップの電極部分
を封止部材により気密封止する工程と、 前記封止部材による前記半導体チップの電極部分の気密
封止により、この半導体チップの気密封止内より導出さ
れる前記接続手段を、前記封止部材の外周囲より内側に
折り返す工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 外部と接続する電極を有する半導体チッ
プと、 この半導体チップの電極部分を気密封止するとともに、
前記半導体チップの電極を外部と接続する端子を有する
封止部材と、 この封止部材の端子および前記封止部材により気密封止
されてなる前記半導体チップの電極を電気的に接続する
接続手段とを具備したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 外部と接続する電極を有する半導体チッ
プと、 この半導体チップの電極部分を気密封止するとともに、
前記半導体チップの電極を外部と接続する端子を有する
封止部材と、 この封止部材による前記半導体チップの気密封止内より
導出され、前記封止部材の外周囲より内側に折り返され
て、前記半導体チップの電極を前記封止部材の端子と電
気的に接続する接続手段とを具備したことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項５】 半導体チップの電極に接続手段を接続す
る工程と、 前記接続手段の接続された前記半導体チップの電極部分
を、前記半導体チップの電極を外部と接続する端子を有
する封止部材により気密封止する工程と、 前記封止部材によって気密封止され、前記半導体チップ
の気密封止内より導出される前記接続手段を、前記封止
部材の外周囲に沿って内側に折り返す工程と、 折り返された前記接続手段を前記封止部材の端子と電気
的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体チップの電極に接続手段を接続す
る工程と、 前記接続手段の接続された前記半導体チップの電極部分
を、前記半導体チップの電極を外部と接続する端子を有
する封止部材により気密封止する工程と、 前記接続手段を用いて前記半導体チップの動作試験を行
う工程と、 前記動作試験の後に、前記封止部材による前記半導体チ
ップの気密封止内より導出される前記接続手段を、前記
封止部材の外周囲に沿って内側に折り返す工程と、 折り返された前記接続手段を前記封止部材の端子と電気
的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097969A JPH06310618A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097969A JPH06310618A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310618A true JPH06310618A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14206505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5097969A Pending JPH06310618A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0856889A2 (en) * | 1997-02-03 | 1998-08-05 | Nec Corporation | Semiconductor device mount structure and semiconductor device mounting method |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5097969A patent/JPH06310618A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0856889A2 (en) * | 1997-02-03 | 1998-08-05 | Nec Corporation | Semiconductor device mount structure and semiconductor device mounting method |
| EP0856889A3 (en) * | 1997-02-03 | 2000-06-28 | Nec Corporation | Semiconductor device mount structure and semiconductor device mounting method |
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