JPH07201912A - フィルムキャリア方式半導体装置及びフィルムキャリア - Google Patents
フィルムキャリア方式半導体装置及びフィルムキャリアInfo
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- JPH07201912A JPH07201912A JP33698393A JP33698393A JPH07201912A JP H07201912 A JPH07201912 A JP H07201912A JP 33698393 A JP33698393 A JP 33698393A JP 33698393 A JP33698393 A JP 33698393A JP H07201912 A JPH07201912 A JP H07201912A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】組立て取扱い性が良く、プリント基板等への接
続信頼性を高める。 【構成】ポリイミドフィルム１の表面に銅箔パターンＰ
を形成したフィルムキャリアには、デバイスホール、ア
ウターリードホールはない。半導体チップ搭載部、及び
アウターリード部はポリイミドフィルム１で裏打ちされ
たままである。アウターリード７の近傍に折曲げ用のス
リット１７を形成する。パターン中央の半導体チップ搭
載部に半導体チップ１０を搭載して、チップとインナー
リード８とを金線１１で結線する。銅箔パターンＰが外
側になるようにスリット１７からフィルムキャリアを折
曲げ、折曲げにより重なったポリイミドフィルム１同士
を接着剤１５で接合して、パターンＰの折曲げ部をフィ
ルム１に裏打ちされたアウターリード７としている。こ
れによりチップ１０が装置の表側、アウターリードが装
置の裏側に来るので、ＬＣＣと等価になる。
続信頼性を高める。 【構成】ポリイミドフィルム１の表面に銅箔パターンＰ
を形成したフィルムキャリアには、デバイスホール、ア
ウターリードホールはない。半導体チップ搭載部、及び
アウターリード部はポリイミドフィルム１で裏打ちされ
たままである。アウターリード７の近傍に折曲げ用のス
リット１７を形成する。パターン中央の半導体チップ搭
載部に半導体チップ１０を搭載して、チップとインナー
リード８とを金線１１で結線する。銅箔パターンＰが外
側になるようにスリット１７からフィルムキャリアを折
曲げ、折曲げにより重なったポリイミドフィルム１同士
を接着剤１５で接合して、パターンＰの折曲げ部をフィ
ルム１に裏打ちされたアウターリード７としている。こ
れによりチップ１０が装置の表側、アウターリードが装
置の裏側に来るので、ＬＣＣと等価になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリア方式半
導体装置、及びその組立てに用いるフィルムキャリアに
関するものである。
導体装置、及びその組立てに用いるフィルムキャリアに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリアの平面図を図３
に、このフィルムキャリアを用いて半導体チップを搭載
したフィルムキャリア方式半導体装置の断面図を図４に
示す。これらの図を参照しながら、従来例を説明する。
に、このフィルムキャリアを用いて半導体チップを搭載
したフィルムキャリア方式半導体装置の断面図を図４に
示す。これらの図を参照しながら、従来例を説明する。
【０００３】フィルムキャリアは約５０〜１２５μm 厚
のポリイミドフィルム１上に約３５μm 厚の銅箔２等の
金属層をラミネートして基体としている。ポリイミドフ
ィルム１表面には接着剤３をコーティングして銅箔２と
のラミネートを確保している。このポリイミドフィルム
１にはフィルムを搬送すると同時に後工程で位置決めな
どに使用するスプロケットホール４や、半導体チップ上
の電極と接続する際のインナリード８を形成するための
デバイスホール５、信号を取り出す外部接続端子となる
アウターリード７を配置するアウターリードホール６な
どの穴をパンチング等で加工する。
のポリイミドフィルム１上に約３５μm 厚の銅箔２等の
金属層をラミネートして基体としている。ポリイミドフ
ィルム１表面には接着剤３をコーティングして銅箔２と
のラミネートを確保している。このポリイミドフィルム
１にはフィルムを搬送すると同時に後工程で位置決めな
どに使用するスプロケットホール４や、半導体チップ上
の電極と接続する際のインナリード８を形成するための
デバイスホール５、信号を取り出す外部接続端子となる
アウターリード７を配置するアウターリードホール６な
どの穴をパンチング等で加工する。
【０００４】ポリイミドフィルム１に貼り合わせた銅箔
２は表面に感光性レジストを塗布してから、露光、現
像、エッチングなどにより任意の銅パターンＰに形成す
る。この銅パターンＰの一部がインナーリード８やアウ
ターリード７を構成する。半導体チップ上の金バンプ９
と対応して、インナーリード８は４０〜６０μm と非常
に狭く細い。したがって、これに対応して信号を取り出
すアウターリード７の幅も０．２〜０．４mmと狭いもの
になっている。
２は表面に感光性レジストを塗布してから、露光、現
像、エッチングなどにより任意の銅パターンＰに形成す
る。この銅パターンＰの一部がインナーリード８やアウ
ターリード７を構成する。半導体チップ上の金バンプ９
と対応して、インナーリード８は４０〜６０μm と非常
に狭く細い。したがって、これに対応して信号を取り出
すアウターリード７の幅も０．２〜０．４mmと狭いもの
になっている。
【０００５】このフィルムキャリアを用いて図４に示す
半導体チップ１０を搭載したフィルムキャリア方式半導
体装置を製作する。すなわち、インナーリード８は半導
体チップ１０に形成した金バンプ９とギャングボンディ
ングで接続する。アウターリードホール６で切断されて
ポリイミドフィルム１の裏打ちのないアウターリード７
は、ダウンセット加工した後、プリント基板１６上に接
合される。
半導体チップ１０を搭載したフィルムキャリア方式半導
体装置を製作する。すなわち、インナーリード８は半導
体チップ１０に形成した金バンプ９とギャングボンディ
ングで接続する。アウターリードホール６で切断されて
ポリイミドフィルム１の裏打ちのないアウターリード７
は、ダウンセット加工した後、プリント基板１６上に接
合される。
【０００６】したがって、従来のフィルムキャリア方式
半導体装置では、プリント基板１６との接合部１４を構
成するアウタリード７は、０．０３５mm厚で、０．２５
mm幅程度の銅箔のみからなっている。
半導体装置では、プリント基板１６との接合部１４を構
成するアウタリード７は、０．０３５mm厚で、０．２５
mm幅程度の銅箔のみからなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のフィル
ムキャリア方式半導体装置には次のような欠点があっ
た。
ムキャリア方式半導体装置には次のような欠点があっ
た。
【０００８】(1) プリント基板等への実装の際、アウタ
リードは可撓性フィルムで裏打ちされていないため、１
本１本が機械的に非常に弱く変形しやすい。このため、
専用の実装装置を用いないとプリント基板等への実装が
難しい。
リードは可撓性フィルムで裏打ちされていないため、１
本１本が機械的に非常に弱く変形しやすい。このため、
専用の実装装置を用いないとプリント基板等への実装が
難しい。
【０００９】(2) アウターリードが変形しやすいことか
らテープ状で取り扱うが、その際、ガードリングを設け
て取り扱う等の特別な保護が必要である。またアウター
リードが細いため断線しやすい等接続信頼性に劣る。
らテープ状で取り扱うが、その際、ガードリングを設け
て取り扱う等の特別な保護が必要である。またアウター
リードが細いため断線しやすい等接続信頼性に劣る。
【００１０】(3) アウターリードが外側に出たＱＦＰ
（Quad Flat Package ）構造であるため、実装面積がＬ
ＣＣ(Leadless chip carrier) 方式に比べ大きくなる。
（Quad Flat Package ）構造であるため、実装面積がＬ
ＣＣ(Leadless chip carrier) 方式に比べ大きくなる。
【００１１】(4) ＬＣＣと同様なハンドリングができな
いため、既存のハンドリング装置が使用できず、組立て
取扱い性が悪い。
いため、既存のハンドリング装置が使用できず、組立て
取扱い性が悪い。
【００１２】(5) なお、半導体チップとインナーリード
の接続はギャングボンディング方式であり、デバイスホ
ールにはみ出したフィルムに裏打ちされていない銅パタ
ーンと接続させるため、インナーリードも変形しやす
い。なお、フィルムキャリアのパターン上にはんだバン
プを形成し半導体チップを裏返しにして接続するフリッ
プチップ方式もあるが、これについても事情は変らな
い。
の接続はギャングボンディング方式であり、デバイスホ
ールにはみ出したフィルムに裏打ちされていない銅パタ
ーンと接続させるため、インナーリードも変形しやす
い。なお、フィルムキャリアのパターン上にはんだバン
プを形成し半導体チップを裏返しにして接続するフリッ
プチップ方式もあるが、これについても事情は変らな
い。
【００１３】本発明の目的は、アウタリードを補強する
ことによって、前記した従来技術の欠点を解消して、組
立て取扱い性および接続信頼性を高めることが可能で、
しかも小型で安価なフィルムキャリア方式半導体装置を
提供することにある。
ことによって、前記した従来技術の欠点を解消して、組
立て取扱い性および接続信頼性を高めることが可能で、
しかも小型で安価なフィルムキャリア方式半導体装置を
提供することにある。
【００１４】また、本発明の目的は、上記したフィルム
キャリア方式半導体装置を実現することが可能なフィル
ムキャリアを提供することにある。
キャリア方式半導体装置を実現することが可能なフィル
ムキャリアを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ア方式半導体装置は、可撓性フィルムの表面に導体パタ
ーンを形成したフィルムキャリアを備え、該フィルムキ
ャリア上の半導体チップが搭載されるチップ搭載部、及
び導体パターンの外部端子の可撓性フィルムを除去せず
に残存させ、上記外部端子の近傍に可撓性フィルムを除
去した折曲げ用のスリットを形成し、上記チップ搭載部
に半導体チップを搭載して可撓性フィルムで裏打ちし、
半導体チップ上の電極と上記導体パターンの内部端子と
を結線し、上記導体パターンを外側にして上記スリット
から上記外部端子を裏面側に折曲げて可撓性フィルム同
士を重ね、重ねた可撓性フィルム同士を接合して裏面側
の外部端子が可撓性フィルムに裏打ちされるようにした
ものである。
ア方式半導体装置は、可撓性フィルムの表面に導体パタ
ーンを形成したフィルムキャリアを備え、該フィルムキ
ャリア上の半導体チップが搭載されるチップ搭載部、及
び導体パターンの外部端子の可撓性フィルムを除去せず
に残存させ、上記外部端子の近傍に可撓性フィルムを除
去した折曲げ用のスリットを形成し、上記チップ搭載部
に半導体チップを搭載して可撓性フィルムで裏打ちし、
半導体チップ上の電極と上記導体パターンの内部端子と
を結線し、上記導体パターンを外側にして上記スリット
から上記外部端子を裏面側に折曲げて可撓性フィルム同
士を重ね、重ねた可撓性フィルム同士を接合して裏面側
の外部端子が可撓性フィルムに裏打ちされるようにした
ものである。
【００１６】上記可撓性フィルム同士の接合は接着剤を
介して行うことが好ましい。また、外部端子がプリント
基板等との接続部を構成することから、外部端子の長さ
は少なくとも１．５mmあることが好ましい。
介して行うことが好ましい。また、外部端子がプリント
基板等との接続部を構成することから、外部端子の長さ
は少なくとも１．５mmあることが好ましい。
【００１７】また、上記フィルムキャリア方式半導体装
置に用いる本発明のフィルムキャリアは、可撓性フィル
ムの表面に導体パターンを形成したフィルムキャリアで
あって、該フィルムキャリア上の半導体チップが搭載さ
れるチップ搭載部、及び導体パターンの外部端子の可撓
性フィルムを除去せずに残存させ、上記外部端子の近傍
に可撓性フィルムを除去した折曲げ用のスリットを形成
したものである。
置に用いる本発明のフィルムキャリアは、可撓性フィル
ムの表面に導体パターンを形成したフィルムキャリアで
あって、該フィルムキャリア上の半導体チップが搭載さ
れるチップ搭載部、及び導体パターンの外部端子の可撓
性フィルムを除去せずに残存させ、上記外部端子の近傍
に可撓性フィルムを除去した折曲げ用のスリットを形成
したものである。
【００１８】
【作用】一般に、フィルムキャリアテープは約５０〜１
２５μm 厚のポリイミドフィルム上に接着剤を塗布して
あり、その接着剤を介して導体パターンとなる銅箔をラ
ミネートして構成する。したがって、この銅箔付きポリ
イミドフィルムを１８０°直に折り曲げることは難し
い。そこで、折り曲げやすくするため、可撓性フィルム
にスリットを形成する。
２５μm 厚のポリイミドフィルム上に接着剤を塗布して
あり、その接着剤を介して導体パターンとなる銅箔をラ
ミネートして構成する。したがって、この銅箔付きポリ
イミドフィルムを１８０°直に折り曲げることは難し
い。そこで、折り曲げやすくするため、可撓性フィルム
にスリットを形成する。
【００１９】また、導体パターンを外側にしてフィルム
キャリアを折り曲げる場合、プリント基板等との接続部
分となる外部端子の長さは、信頼性の面から１．５mm以
上は必要である。
キャリアを折り曲げる場合、プリント基板等との接続部
分となる外部端子の長さは、信頼性の面から１．５mm以
上は必要である。
【００２０】また、プリント基板側のめっきは通常はん
だめっきが多い。したがって、これに合わせて外部端子
へのめっきは、はんだめっきとすることが好ましいが、
Ｓｎあるいは金等のはんだねれ性の良好なめっきでもよ
い。
だめっきが多い。したがって、これに合わせて外部端子
へのめっきは、はんだめっきとすることが好ましいが、
Ｓｎあるいは金等のはんだねれ性の良好なめっきでもよ
い。
【００２１】フィルムキャリア上の半導体チップ搭載部
の可撓性フィルムを残すと、この上に半導体チップが搭
載できるので裏面は障害物がなくフラットになる。従っ
て、裏面側をプリント基板等に押し付けることができ、
フィルムキャリアの折曲げにより外部端子を裏面側にも
って来ることができる。なお、インナリードは可撓性フ
ィルムで裏打ちされるため強度が向上する。
の可撓性フィルムを残すと、この上に半導体チップが搭
載できるので裏面は障害物がなくフラットになる。従っ
て、裏面側をプリント基板等に押し付けることができ、
フィルムキャリアの折曲げにより外部端子を裏面側にも
って来ることができる。なお、インナリードは可撓性フ
ィルムで裏打ちされるため強度が向上する。
【００２２】可撓性フィルムを除去して導体パターンの
みで構成された外部端子に代り、可撓性フィルムに裏打
ちされた導体パターン部を外部端子として使うことがで
き、強度が向上する。
みで構成された外部端子に代り、可撓性フィルムに裏打
ちされた導体パターン部を外部端子として使うことがで
き、強度が向上する。
【００２３】また、導体パターンを外側にして折曲げる
ことにより、外部端子が半導体装置の裏面に来る。この
ためプリント基板等との接続部となるアウターリードが
装置の外側からはみ出さず、ＬＣＣに似た半導体装置と
なる。
ことにより、外部端子が半導体装置の裏面に来る。この
ためプリント基板等との接続部となるアウターリードが
装置の外側からはみ出さず、ＬＣＣに似た半導体装置と
なる。
【００２４】従って、フィルムキャリア方式半導体装置
の実装の際の取扱い性が容易になり、半導体装置を小型
化できる。
の実装の際の取扱い性が容易になり、半導体装置を小型
化できる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１及び図２を用い
て説明する。図２は本実施例によるフィルムキャリアの
平面図を示す。フィルムキャリアは図３に示した従来の
ものと基本的には変りはないが、デバイスホール、アウ
ターリードホールがない点で異なる。
て説明する。図２は本実施例によるフィルムキャリアの
平面図を示す。フィルムキャリアは図３に示した従来の
ものと基本的には変りはないが、デバイスホール、アウ
ターリードホールがない点で異なる。
【００２６】すなわち、フィルムキャリア上のパターン
Ｐの中央の半導体チップ搭載部１８には穴は開けられて
おらずポリイミドフィルム１が残されている。したがっ
て、チップ搭載部１８に臨むインナリード８はポリイミ
ドフィルム１に裏打ちされている。また、アウターリー
ド７の部分にも穴は開けられておらず、アウターリード
７はポリイミドフィルム１に裏打ちされている。もっと
も、アウターリード７の近傍に、アウターリード７と交
叉する方向にポリイミドフィルム１を取り除いた折曲げ
用のスリット１７が形成してある。
Ｐの中央の半導体チップ搭載部１８には穴は開けられて
おらずポリイミドフィルム１が残されている。したがっ
て、チップ搭載部１８に臨むインナリード８はポリイミ
ドフィルム１に裏打ちされている。また、アウターリー
ド７の部分にも穴は開けられておらず、アウターリード
７はポリイミドフィルム１に裏打ちされている。もっと
も、アウターリード７の近傍に、アウターリード７と交
叉する方向にポリイミドフィルム１を取り除いた折曲げ
用のスリット１７が形成してある。
【００２７】なお、銅箔２からなる回路パターンＰの所
定部分には、熱保護用のソルダーレジスト１２（図１参
照）や、Ｓｎめっき、はんだめっきが施される。また、
図中、銅箔２をポリイミドフィルム１上にラミネートす
る接着剤３（図４参照）は省略してある。
定部分には、熱保護用のソルダーレジスト１２（図１参
照）や、Ｓｎめっき、はんだめっきが施される。また、
図中、銅箔２をポリイミドフィルム１上にラミネートす
る接着剤３（図４参照）は省略してある。
【００２８】このようなフィルムキャリアを用いてフィ
ルムキャリア方式半導体装置を作成するために、図１
（Ａ）に示すように半導体チップ１０をチップ搭載部
Ｐ、すなわちパターン中心のポリイミドフィルム１上に
搭載してＡｇペースト１５で接着する。この半導体チッ
プ１０上の電極とフィルム上のインナリード８とを２５
μm の金線１１を用いワイヤボンド方式で結線した。そ
の後、ポティングレジン１３によりワイヤボンディング
部を含めて半導体チップ１０を封止する。
ルムキャリア方式半導体装置を作成するために、図１
（Ａ）に示すように半導体チップ１０をチップ搭載部
Ｐ、すなわちパターン中心のポリイミドフィルム１上に
搭載してＡｇペースト１５で接着する。この半導体チッ
プ１０上の電極とフィルム上のインナリード８とを２５
μm の金線１１を用いワイヤボンド方式で結線した。そ
の後、ポティングレジン１３によりワイヤボンディング
部を含めて半導体チップ１０を封止する。
【００２９】最後に、アウタリード７の端にあたるフィ
ルムキャリアテープの外側を切断し、アウターリード７
の裏面のフィルム１側に接着剤１５を塗布し、１８０°
折り曲げてプリント基板１６との接続部１４を形成す
る。この作業は、回路パターンＰが外側になるようにス
リット１７からフィルムキャリアを折曲げ、折曲げによ
り重なったポリイミドフィルム１同士を接着剤１５で接
合することにより行なう。これにより、回路パターンＰ
の折曲げ部をポリイミドフィルム１に裏打ちされたアウ
ターリード７とすることができる。アウタリード７の長
さは１．５mm以上とした。
ルムキャリアテープの外側を切断し、アウターリード７
の裏面のフィルム１側に接着剤１５を塗布し、１８０°
折り曲げてプリント基板１６との接続部１４を形成す
る。この作業は、回路パターンＰが外側になるようにス
リット１７からフィルムキャリアを折曲げ、折曲げによ
り重なったポリイミドフィルム１同士を接着剤１５で接
合することにより行なう。これにより、回路パターンＰ
の折曲げ部をポリイミドフィルム１に裏打ちされたアウ
ターリード７とすることができる。アウタリード７の長
さは１．５mm以上とした。
【００３０】図１（Ｂ）はこのようにして製造したフィ
ルムキャリア方式半導体装置をプリント基板１６に実装
した例を示す横断面図である。基板１６とははんだめっ
きにより接続してある。半導体装置の表面に半導体チッ
プ１０が位置する。また、裏面にアウターリード７が位
置するため、装置の外側にアウターリードははみ出さな
い。
ルムキャリア方式半導体装置をプリント基板１６に実装
した例を示す横断面図である。基板１６とははんだめっ
きにより接続してある。半導体装置の表面に半導体チッ
プ１０が位置する。また、裏面にアウターリード７が位
置するため、装置の外側にアウターリードははみ出さな
い。
【００３１】このように上記実施例によれば、半導体チ
ップとインナーリードとの接続は、フィルムの裏打ちの
ない変形しやすいインナーリード上にギャングボンディ
ング方式やフリップチップ方式で接続するのではなく、
フィルムにより裏打ちされたインナーリードにワイヤボ
ンディングで行なうようにしている。また、アウターリ
ードにあっては、フィルムキャリアをポリイミドフィル
ムを付けたまま、裏面側に折曲げた構造とし、インナー
リードがポリイミドフィルムに裏打ちされた形態となっ
ている。
ップとインナーリードとの接続は、フィルムの裏打ちの
ない変形しやすいインナーリード上にギャングボンディ
ング方式やフリップチップ方式で接続するのではなく、
フィルムにより裏打ちされたインナーリードにワイヤボ
ンディングで行なうようにしている。また、アウターリ
ードにあっては、フィルムキャリアをポリイミドフィル
ムを付けたまま、裏面側に折曲げた構造とし、インナー
リードがポリイミドフィルムに裏打ちされた形態となっ
ている。
【００３２】従って、従来のフィルムキャリア方式半導
体装置に比べ、格段にインナーリードやアウターリード
の変形が少ない。また、特にアウターリードを半導体装
置の裏面に折り曲げてＬＣＣに似た構成としたことによ
り、ＬＣＣと同様に取り扱うことができる。その結果、
一般的な半導体装置と同様なハンドリングが可能であ
り、既存のハンドリング装置を使ってプリント基板への
実装ができる。
体装置に比べ、格段にインナーリードやアウターリード
の変形が少ない。また、特にアウターリードを半導体装
置の裏面に折り曲げてＬＣＣに似た構成としたことによ
り、ＬＣＣと同様に取り扱うことができる。その結果、
一般的な半導体装置と同様なハンドリングが可能であ
り、既存のハンドリング装置を使ってプリント基板への
実装ができる。
【００３３】また、本実施例による半導体装置は、アウ
タリードが外に出ないので、従来のフィルムキャリア方
式半導体装置に比べ、実装後の表面積は約６０％程度に
小さくでき、電子機器の高密度化に大きく貢献できる。
タリードが外に出ないので、従来のフィルムキャリア方
式半導体装置に比べ、実装後の表面積は約６０％程度に
小さくでき、電子機器の高密度化に大きく貢献できる。
【００３４】さらに、インナーリードもアウターリード
も共に、フィルムにより裏打ちされて保護が図られてい
るので、ガードリングを設けて取り扱う等の特別な保護
を必要としない。またアウターリードは細くても断線し
ずらく、接続信頼性に優れる。
も共に、フィルムにより裏打ちされて保護が図られてい
るので、ガードリングを設けて取り扱う等の特別な保護
を必要としない。またアウターリードは細くても断線し
ずらく、接続信頼性に優れる。
【００３５】なお、上記実施例において、スリット部の
パターン強度を向上するために、スリット部の銅箔パタ
ーンに補強材を塗布してもよい。
パターン強度を向上するために、スリット部の銅箔パタ
ーンに補強材を塗布してもよい。
【００３６】
【発明の効果】(1) 請求項１に記載の発明によれば、外
部端子が可撓性フィルムに裏打ちされた導体パターンか
ら構成されているため、可撓性フィルムに裏打ちされて
いない従来のものに比べ格段に外部端子の変形が少な
い。また、外部端子が半導体装置の裏面に来るようにフ
ィルムキャリアを折り曲げてあるので、外部端子が半導
体装置の外側にはみ出す従来のものに比べ、実装後の表
面積を大幅に小さくでき、高密度実装が可能となる。ま
た、外部端子が裏面に来るのでＬＣＣに似た構成とな
り、ＬＣＣと同様なハンドリングが可能となり、組立て
性がよく、安価に製造できる。
部端子が可撓性フィルムに裏打ちされた導体パターンか
ら構成されているため、可撓性フィルムに裏打ちされて
いない従来のものに比べ格段に外部端子の変形が少な
い。また、外部端子が半導体装置の裏面に来るようにフ
ィルムキャリアを折り曲げてあるので、外部端子が半導
体装置の外側にはみ出す従来のものに比べ、実装後の表
面積を大幅に小さくでき、高密度実装が可能となる。ま
た、外部端子が裏面に来るのでＬＣＣに似た構成とな
り、ＬＣＣと同様なハンドリングが可能となり、組立て
性がよく、安価に製造できる。
【００３７】(2) 請求項２に記載の発明によれば、可撓
性フィルム同士の接合は接着剤を介して行うので接合が
容易かつ確実である。
性フィルム同士の接合は接着剤を介して行うので接合が
容易かつ確実である。
【００３８】(3) 請求項３に記載の発明によれば、外部
端子の長さが少なくとも１．５mmあるので、外部端子接
続の信頼性が向上する。
端子の長さが少なくとも１．５mmあるので、外部端子接
続の信頼性が向上する。
【００３９】(4) 請求項４に記載の発明によれば、外部
端子の可撓性フィルムを残存させるので外部端子の強度
を向上できる。また、折曲げ用のスリットを形成したの
で外部端子の裏面側への折曲げが容易になる。また、チ
ップ搭載部の可撓性フィルムを残存させてフィルム表面
にチップを搭載するようにしたので、外部端子を裏面側
へ折り曲げてもチップが障害とならない。
端子の可撓性フィルムを残存させるので外部端子の強度
を向上できる。また、折曲げ用のスリットを形成したの
で外部端子の裏面側への折曲げが容易になる。また、チ
ップ搭載部の可撓性フィルムを残存させてフィルム表面
にチップを搭載するようにしたので、外部端子を裏面側
へ折り曲げてもチップが障害とならない。
【図１】本発明のフィルムキャリア方式半導体装置の折
曲げ前の状態図、及び折曲折げ後にプリント基板に実装
した実施例の断面図である。
曲げ前の状態図、及び折曲折げ後にプリント基板に実装
した実施例の断面図である。
【図２】本発明のフィルムキャリア方式半導体装置の実
施例を説明するためフィルムキャリアテープの平面図。
施例を説明するためフィルムキャリアテープの平面図。
【図３】従来例のフィルムキャリアテープの平面図。
【図４】従来例のフィルムキャリアテープを用いて半導
体チップを搭載し、半導体装置として完成させた後、プ
リント基板に実装した横断面図。
体チップを搭載し、半導体装置として完成させた後、プ
リント基板に実装した横断面図。
１ ポリイミドフィルム ２ 銅箔 ７ アウターリード ８ インナーリード １０ 半導体チップ １１ 金線 １２ ソルダーレジスト １３ ポティングレジン １４ プリント基板接続部 １５ 接着剤 １６ プリント基板 １７ スリット １８ チップ搭載部 １９ 金ペースト Ｐ パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｒ
Claims (4)
- 【請求項１】可撓性フィルムの表面に導体パターンを形
成したフィルムキャリアを備え、該フィルムキャリア上
の半導体チップが搭載されるチップ搭載部、及び導体パ
ターンの外部端子の可撓性フィルムを除去せずに残存さ
せ、上記外部端子の近傍に可撓性フィルムを除去した折
曲げ用のスリットを形成し、上記チップ搭載部に半導体
チップを搭載して可撓性フィルムで裏打ちし、半導体チ
ップ上の電極と上記導体パターンの内部端子とを結線
し、上記導体パターンを外側にして上記スリットから上
記外部端子を裏面側に折曲げて可撓性フィルム同士を重
ね、重ねた可撓性フィルム同士を接合して裏面側の外部
端子が可撓性フィルムに裏打ちされるようにしたことを
特徴とするフィルムキャリア方式半導体装置。 - 【請求項２】上記可撓性フィルム同士の接合は接着剤を
介して行うことを特徴とする請求項１に記載のフィルム
キャリア方式半導体装置。 - 【請求項３】上記外部端子の長さが少なくとも１．５mm
あることを特徴とする請求項１または２に記載のフィル
ムキャリア方式半導体装置。 - 【請求項４】可撓性フィルムの表面に導体パターンを形
成したフィルムキャリアであって、 該フィルムキャリア上の半導体チップが搭載されるチッ
プ搭載部、及び導体パターンの外部端子の可撓性フィル
ムを除去せずに残存させ、上記外部端子の近傍に可撓性
フィルムを除去した折曲げ用のスリットを形成したこと
を特徴とするフィルムキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33698393A JPH07201912A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | フィルムキャリア方式半導体装置及びフィルムキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33698393A JPH07201912A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | フィルムキャリア方式半導体装置及びフィルムキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201912A true JPH07201912A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18304401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33698393A Pending JPH07201912A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | フィルムキャリア方式半導体装置及びフィルムキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201912A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087716A (en) * | 1997-02-03 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Semiconductor device package having a connection substrate with turned back leads and method thereof |
| US6593648B2 (en) | 2000-08-31 | 2003-07-15 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of making the same, circuit board and electronic equipment |
| JP2008130678A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置、積層型半導体装置およびインターポーザ基板 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33698393A patent/JPH07201912A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087716A (en) * | 1997-02-03 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Semiconductor device package having a connection substrate with turned back leads and method thereof |
| KR100281667B1 (ko) * | 1997-02-03 | 2001-02-15 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치 실장 구조 및 반도체 장치 실장 방법 |
| US6593648B2 (en) | 2000-08-31 | 2003-07-15 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of making the same, circuit board and electronic equipment |
| JP2008130678A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置、積層型半導体装置およびインターポーザ基板 |
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