DE69831759T2 - Infrarotempfindliches bolometer - Google Patents

Infrarotempfindliches bolometer Download PDF

Info

Publication number
DE69831759T2
DE69831759T2 DE69831759T DE69831759T DE69831759T2 DE 69831759 T2 DE69831759 T2 DE 69831759T2 DE 69831759 T DE69831759 T DE 69831759T DE 69831759 T DE69831759 T DE 69831759T DE 69831759 T2 DE69831759 T2 DE 69831759T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bridges
level
inner part
absorber
bolometer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69831759T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69831759D1 (de
Inventor
Baek Sang Jung-Gu JU
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WiniaDaewoo Co Ltd
Original Assignee
Daewoo Electronics Co Ltd
Dongbu Daewoo Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daewoo Electronics Co Ltd, Dongbu Daewoo Electronics Corp filed Critical Daewoo Electronics Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69831759D1 publication Critical patent/DE69831759D1/de
Publication of DE69831759T2 publication Critical patent/DE69831759T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Description

  • TECHNISCHER BEREICH DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein infrarotempfindliches Bolometer und spezieller ein infrarotempfindliches Bolometer, das strukturell eine Neigung einer Stütze kompensieren kann.
  • STAND DER TECHNIK
  • Ein Strahlungsdetektor ist eine Vorrichtung, die ein Ausgangssignal erzeugt, das eine Funktion der Menge an Strahlung ist, die auf einem aktiven Bereich des Detektors auftrifft. Infrarotempfindliche Detektoren sind solche Detektoren, die empfindlich sind gegenüber einer Strahlung im infraroten Bereich des elektromagnetischen Spektrums. Es gibt zwei Arten von infrarotempfindlichen Detektoren, nämlich thermische Detektoren einschließlich Bolometern und Photonendetektoren.
  • Die Photonendetektoren funktionieren in Abhängigkeit von der Anzahl an Photonen, die auf einem Wandlerbereich des Detektors auftreffen und mit Elektronen darin wechselwirken. Da sie in Abhängigkeit direkter Wechselwirkungen zwischen Elektronen und Photonen arbeiten, sind die Photonendetektoren hoch empfindlich und haben verglichen mit den Bolometern eine hohe Ansprechgeschwindigkeit. Sie haben jedoch einen Nachteil insofern, als die Photonendetektoren lediglich bei niedrigen Temperaturen gut arbeiten, was zu einer Notwendigkeit führt, darin ein zusätzliches Kühlsystem zu beinhalten.
  • Die Bolometer arbeiten andererseits in Abhängigkeit von einer Änderung der Temperatur des Wandler- bzw. Umsetzerbereichs des Detektors aufgrund der Absorption der Strahlung. Die Bolometer liefern ein Ausgangssignal, d.h. eine Änderung des Widerstands des Materials (genannt bolometrische Elemente), das proportional zu der Temperatur des Wandlerbereichs ist.
  • Die bolometrischen Elemente wurden sowohl aus Metallen wie auch Halbleitern hergestellt. In Metallen beruht die Widerstandsänderung im wesentlichen auf Änderungen der Trägermobilität, die typischerweise mit der Temperatur abnimmt. Eine größere Empfindlichkeit kann mit bolometrischen Elementen aus einem Halbleiter hohen spezifischen Widerstands erzielt werden, bei denen die freie Trägerdichte eine Exponentialfunktion der Temperatur ist.
  • In den 1 und 2 sind eine perspektivische Ansicht und eine Querschnittsansicht gezeigt in Darstellung eines Dreiniveaubolometers 100, das offenbart ist in der US-Anmeldung mit der Seriennummer 09/102,364 mit dem Titel "BOLOMETER HAVING AN INCREASED FILL FACTOR". Das Bolometer 100 umfaßt ein Aktivmatrixniveau bzw. eine Aktivmatrixebene 10, ein Trägerniveau bzw. eine Trägerebene 20, ein Paar Stützen 40 und ein Absorptionsniveau bzw. eine Absorptionsebene 30.
  • Das Dokument WO-A-00 03214 offenbart ebenfalls ein derartiges Bolometer. Das Aktivmatrixniveau 10 hat ein Substrat 12, das eine integrierte Schaltung (nicht gezeigt) aufweist, ein Paar Verbindungsanschlüsse 14 und eine Schutzschicht 16. Jeder der aus Metall hergestellten Verbindungsanschlüsse 14 ist an der Oberseite des Substrats 12 angeordnet. Die beispielsweise aus Siliciumnitrid (SiNx) hergestellte Schutzschicht 16 deckt das Substrat 12 ab. Das Paar Verbindungsanschlüsse 14 ist elektrisch mit der integrierten Schaltung verbunden.
  • Das Trägerniveau 20 weist ein aus Siliciumnitrid (SiNx) hergestelltes Paar Brücken 22 auf, wobei jede der Brücken 22 eine an ihrer Oberseite ausgebildete Leitung 24 hat. Jede der Brücken 22 ist mit einem Verankerungsabschnitt 22a, einem Schenkelabschnitt 22b und einem erhabenen Abschnitt 22c versehen, wobei der Verankerungsabschnitt 22a ein Durchgangsloch 26 aufweist, durch das ein Ende der Leitung 24 elektrisch mit dem Verbindungsanschluß 14 verbunden ist und wobei der Schenkelabschnitt 22b den erhabenen Abschnitt 22c trägt bzw. stützt.
  • Das Absorptionsniveau 30 ist mit einem bolometrischen Element 32 versehen, das von einem Absorber 31 umgeben ist und einer IR-empfindlichen Absorberschicht 33, die oben auf dem Absorber 31 ausgebildet ist. Der Absorber 31 wird hergestellt durch Abscheiden von Siliciumnitrid vor und nach der Ausbildung des bolometrischen Elements 32, um das bolometrische Element 32 zu umgeben. Titan (Ti) wird als Material für das bolometrische Element 32 gewählt aufgrund der Leichtigkeit, mit der es ausgebildet werden kann. Eine Serpentinenform verleiht dem bolometrischen Element 32 hohen spezifischen Widerstand bzw. hohe Widerstandsfähigkeit.
  • Jede der Stützen 40 ist zwischen dem Absorptionsniveau 30 und dem Trägerniveau 20 angeordnet. Jede der Stützen 40 weist einen elektrischen Leiter bzw. eine elektrische Leitung 42 aus einem Metall wie beispielsweise Titan (Ti) auf und ist umgeben von einem isolierenden Material 44, das beispielsweise aus Siliciumnitrid (SiNx) hergestellt ist. Das obere Ende des elektrischen Leiters 42 ist elektrisch an einem Ende des serpentinenförmigen bolometrischen Elements 32 angeschlossen und das untere Ende des elektrischen Leiters 42 ist elektrisch mit der Leitung 24 auf der Brücke 22 derart verbunden, daß jedes Ende des serpentinenförmigen bolometrischen Elements 32 in dem Absorptionsniveau 30 elektrisch mit der integrierten Schaltung des Aktivmatrixniveaus 10 über die elektrischen Leiter 42, die Leitungen 24 und die Verbindungsanschlüsse 14, verbunden ist.
  • Wenn es einer Infrarotstrahlung ausgesetzt ist, so erhöht sich der spezifische Widerstand des serpentinenförmigen bolometrischen Elements 32 und bewirkt eine dementsprechende Strom- und Spannungsänderung. Der veränderte Strom oder die Spannung wird durch die integrierte Schaltung verstärkt, derart, daß der verstärkte Strom oder die Spannung von einer Erfassungsschaltung (nicht gezeigt) ausgelesen wird.
  • Bei dem oben beschriebenen infrarotempfindlichen Bolometer ist die Brücke des Trägerniveaus mit freischwebender bzw. auskragender Form versehen, um ihre Länge zu vergrößern und dabei eine Minderung des Wärmeaustauschs zwischen dem Aktivmatrixniveau und dem Absorptionsniveau zu ermöglichen, wobei jedoch die freischwebende Form immer noch ein Paar Probleme aufwirft. Eines der Problem der infrarotempfindlichen Bolometer besteht in der in der Brücke vorliegenden elastischen Belastung als inhärenter Teil des Abscheidevorgangs. Wenn die elastische Belastung, beispielsweise die Zugspannung, in der Brücke auferlegt ist, so wird der erhabene Abschnitt der Brücke mit einer nach oben konkaven Krümmung gekrümmt, um sich von der elastischen Belastung zu befreien, während der Verankerungsabschnitt an dem Aktivmatrixniveau befestigt ist, was zu einer Auferlegung einer Neigung der Stütze führt, die oben auf dem erhabenen Abschnitt positioniert ist und zu einer Biegung des Absorbers führt.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist daher ein Hauptziel der vorliegenden Erfindung, ein infrarotempfindliches Bolometer vorzusehen, das strukturell eine Neigung einer Stütze kompensieren kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das infrarotempfindliche Bolometer vorgesehen, das all die in Anspruch 1 wiedergegebenen Charakteristika umfaßt. Abhängige Ansprüche definieren zusätzliche Ausführungsbeispiele.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die obigen und andere Ziele und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden offensichtlich aus der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen, in denen:
  • 1 eine perspektivische Ansicht zeigt unter Wiedergabe eines zuvor offenbarten infrarotempfindlichen Bolometers;
  • 2 eine schematische Querschnittsansicht wiedergibt unter Darstellung des infrarotempfindlichen Bolometers der 1 entlang A-A;
  • 3 eine perspektivische Ansicht zeigt in Darstellung eines infrarotempfindlichen Bolometers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung;
  • 4 eine schematische Querschnittsansicht vorsieht unter Darstellung des infrarotempfindlichen Bolometers der 3 entlang B-B; und
  • 5 eine schematische Querschnittsansicht wiedergibt unter Darstellung einer Brücke des infrarotempfindlichen Bolometers bei Krümmung der Brücke.
  • AUSFÜHRUNGSBEISPIELE DER ERFINDUNG
  • In den 3, 4 und 5 sind eine perspektivische Ansicht in Darstellung eines infrarotempfindlichen Bolometers 200, eine schematische Querschnittsansicht in Darstellung des infrarotempfindlichen Bolometers 200 bzw. eine schematische Querschnittsansicht unter Darstellung einer Brücke des infrarotempfindlichen Bolometers 200 bei gekrümmter Brücke in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung, vorgesehen. Es sei festgehalten, daß in den 3, 4 und 5 erscheinende, gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen wiedergegeben sind.
  • Das in den 3 und 4 gezeigte, erfindungsgemäße Bolometer 200 umfaßt ein Aktivmatrixniveau 110, ein Trägerniveau 120, ein Paar Stützen 140 und ein Absorptionsniveau 130.
  • Das Aktivmatrixniveau 110 hat ein Substrat 112, das eine integrierte Schaltung (nicht gezeigt) aufweist, ein Paar Ver bindungsanschlüsse 114 (siehe auch 2(14)) und eine Schutzschicht 116. Jeder aus einem Metall hergestellte Verbindungsanschluß 114 ist auf der Oberseite des Substrats 112 angeordnet und elektrisch mit der integrierten Schaltung verbunden. Die beispielsweise aus Siliciumnitrid (SiNx) hergestellte Schutzschicht 116 deckt das Substrat 112 ab, um zu verhindern, daß die Verbindungsanschlüsse 114 und die integrierte Schaltung chemisch und physikalisch während des Herstellens des infrarotempfindlichen Bolometers 200 beschädigt werden.
  • Das Trägerniveau 120 weist ein Paar Brücken 122 auf, die aus einem isolierenden Material, wie beispielsweise Siciliumnitrid (SiNx), Siliciumoxid (SiO2) oder Siliciumoxynitrid (SiOxNy) hergestellt sind und ein Paar leitende Leitungen 124 aus einem Metall, wie beispielsweise Titanium (Ti), wobei jede der Leitungen 124 oben auf der entsprechenden Brücke 122 angeordnet ist. Jede der Brücken 122 ist mit einem Verankerungsabschnitt 122a, einem Schenkelabschnitt 122b und einem erhabenen Abschnitt 122c versehen. Der Verankerungsabschnitt 122a weist ein Durchgangsloch 126 auf, durch das ein Ende jeder der Leitungen 124 elektrisch mit dem entsprechenden Verbindungsanschluß 114 verbunden ist. Der Schenkelabschnitt 112b trägt den erhabenen Abschnitt 122c. Der erhabene Abschnitt 122c ist mit einem inneren Teil 301 und einem äußeren Teil 302 versehen, wobei eine Seite 301a des inneren Teils 301 mit dem äußeren 302 verbunden ist und eine andere Seite 301b des inneren Teils 301 von dem äußeren Teil 302 über einen Spalt 303 getrennt ist, wodurch der innere Teil 301 gegenüber dem äußeren Teil 302 freischwebend ist.
  • Das Absorptionsniveau 130 ist mit einem bolometrischen Element 132 versehen, das von einem Absorber 131 umgeben ist, einer reflektierenden Schicht 133, die am Boden des Absorbers 131 ausgebildet ist und einer IR-Strahlung absorbierenden Schicht 134, die oben auf dem Absorber 131 angeordnet ist. Der Absorber 131, der aus einem isolierenden Material mit einer niedrigen Wärmeleitfähigkeit, wie beispielsweise Siliciumnitrid (SiNx), Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumoxynitrid (SiOxNy) hergestellt ist, wird erzeugt durch Abscheiden des isolierenden Materials vor und nach der Ausbildung des bolometrischen Elements 132, um das bolometrische Element 132 zu umgeben. Das bolometrische Element 132 ist aus Metall, beispielsweise Titan, hergestellt und hat eine Serpentinenform. Die reflektierende Schicht 133 ist aus einem Metall, wie beispielsweise Al oder Pt hergestellt und wird dazu verwendet, um die übersandte IR-Strahlung an den Absorber 131 zurückzuführen. Die IR-Strahlung absorbierende Beschichtung 134 ist beispielsweise aus Schwarzgold hergestellt und wird dazu verwendet, den Absorptionswirkungsgrad für die einfallende IR-Strahlung zu verstärken.
  • Jede der Stützen 140 wird oben auf dem inneren Teil 301 der Brücke 122 in dem Trägerniveau 120 und an dem Boden des Absorbers 131 des Absorptionsniveaus 130, angeordnet. Jede der Stützen 140 weist einen elektrischen Leiter bzw. eine elektrische Leitung 142 aus einem Metall, wie beispielsweise Titan (Ti), auf, der von einem isolierenden Material 144 beispielsweise aus Siliciumnitrid (SiNx), Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumoxynitrid (SiOxNy) umgeben ist. Das obere Ende jedes elektrischen Leiters 142 ist elektrisch mit einem Ende des bolometrischen Elements 132 verbunden und das untere Ende des elektrischen Leiters 142 ist elektrisch mit der Leitung 124 auf der Brücke 122 derart verbunden, daß jedes der Enden des bolometrischen Elements 132 in dem Absorptionsniveau 130 elektrisch mit der integrierten Schaltung des Aktivmatrixniveaus 110 über die entsprechenden elektrischen Leiter 142, die entsprechenden Leitungen 124 und die entsprechenden Verbindungsanschlüsse 114, verbunden ist.
  • Wenn es einer Infrarotstrahlung ausgesetzt ist, so ändert sich der spezifische Widerstand des bolometrischen Elements 132 und bewirkt eine demgemäße Änderung eines Stroms und einer Spannung. Der veränderte Strom oder die veränderte Spannung wird durch die integrierte Schaltung derart verstärkt, daß der verstärkte Strom oder die Spannung durch eine Erfas sungs- bzw. Erkennungsschaltung (nicht gezeigt) ausgelesen wird.
  • 5 sieht eine schematische Querschnittsansicht unter Darstellung einer Brücke 122 des infrarotempfindlichen Bolometers 200 vor, wobei die in der Brücke 122 vorhandene, elastische Belastung in ihre Krümmung abgegeben wird. Der innere Teil 301 und der äußere Teil 302 sind in Bezug auf die darin auferlegte Zugspannung mit einer nach oben konkaven Krümmung, gekrümmt. Eine Tangentenlinie B der Krümmung bei der Verbindungsseite 301a des inneren Teils 301 hat einen ersten Winkel (81) zur horizontalen Linie A, wobei der erste Winkel (θ1) als Anfangswinkel des inneren Teils 301 gilt. Eine andere Tangentenlinie C der Krümmung bei der getrennten Seite 301b des inneren Teils 301, gegenüber der Verbindungsseite 301a, hat einen zweiten Winkel (–θ2) für die Tangentenlinie B. Da die Stütze 140 oben auf der getrennten Seite 301b des inneren Teils 301 positioniert ist, ergibt sich der Neigungswinkel (θ3) der Stütze 140 als Summe des ersten Winkels (θ1) und des zweiten Winkels (–θ2). Da jedoch die Länge des inneren Abschnitts 301 gleich derjenigen des äußeren Abschnitts 302 ist, nähert sich der Neigungswinkel (θ3) der Stütze 140 etwa Null, was wiederum strukturell die Neigung der Stütze 140 zur aufrechten Stellung hin kompensiert und daher den Absorber 131 davon abhält, gebogen zu werden.
  • Während die vorliegende Erfindung in Bezug auf lediglich gewisse bevorzugte Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, können andere Modifikationen und Variationen vorgenommen werden, ohne von dem Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen, wie er in den folgenden Ansprüchen wiedergegeben ist.

Claims (5)

  1. Infrarotempfindliches Bolometer (200) umfassend: ein Aktivmatrixniveau (110), aufweisend ein Substrat (112) und ein Paar Verbindungsanschlüsse (14); ein Trägerniveau (120), das mit einem Paar Brücken und einem Paar Leitungen (124) versehen ist, wobei jede der Brücken (122) mit einem Verankerungsabschnitt (122a), einem Schenkelabschnitt (122b) und einem erhabenen Abschnitt (122c) versehen ist, wobei der Verankerungsabschnitt befestigt ist an dem Aktivmatrixniveau und der erhabene Abschnitt von dem Aktivmatrixniveau beabstandet ist; ein Absorptionsniveau (130), das ein bolometrisches Element (132) aufweist, welches von einem Absorber (131) umgeben ist; dadurch gekennzeichnet, daß es ein Paar Stützen (140) umfaßt, wobei eine Stütze oben auf dem inneren Teil jeder Brücke positioniert ist, jede der Stützen einen elektrischen Leiter (142) aufweist, wobei jedes Ende des bolometrischen Elements elektrisch mit dem entsprechenden Verbindungsanschluß über den entsprechenden Leiter und die entsprechende Leitung verbunden ist, und der erhabene Abschnitt jeder der Brücken einen inneren Teil (301) aufweist, der gegenüber einem äußeren Teil (302) frei schwebt, der innere Teil von dem äußeren Teil über einen Spalt (303) getrennt ist, derart, daß bei Auftreten einer Belastung in einer der Brücken, der innere Teil und der äußere Teil eine nach oben konkave Krümmung haben, derart, daß die Stützen aufrecht stehen und den Absorber von einer Biegung abhalten.
  2. Bolometer nach Anspruch 1, bei welchem eine Seite des inneren Teils in jeder der Brücken mit deren äußerem Teil verbunden ist.
  3. Bolometer nach Anspruch 2, bei welchem andere Seiten des inneren Teils in jeder der Brücken von deren äußerem Teil über einen Spalt getrennt sind.
  4. Bolometer nach Anspruch 1, bei welchem das Absorptionsniveau des weiteren eine reflektierende Schicht aufweist, die am Boden des Absorbers ausgebildet ist.
  5. Bolometer nach Anspruch 4, bei welchem das Absorptionsniveau des weiteren eine IR-Strahlen absorbierende Beschichtung aufweist, die oben auf dem Absorber ausgebildet ist.
DE69831759T 1998-12-18 1998-12-18 Infrarotempfindliches bolometer Expired - Lifetime DE69831759T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR1998/000443 WO2000037905A1 (en) 1998-12-18 1998-12-18 Infrared bolometer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69831759D1 DE69831759D1 (de) 2005-11-03
DE69831759T2 true DE69831759T2 (de) 2006-03-23

Family

ID=19531212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69831759T Expired - Lifetime DE69831759T2 (de) 1998-12-18 1998-12-18 Infrarotempfindliches bolometer

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1147387B1 (de)
JP (1) JP3396719B2 (de)
CN (1) CN1163734C (de)
DE (1) DE69831759T2 (de)
WO (1) WO2000037905A1 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2875298B1 (fr) * 2004-09-16 2007-03-02 Commissariat Energie Atomique Detecteur thermique de rayonnement electromagnetique comportant une membrane absorbante fixee en suspension
JP4770549B2 (ja) * 2006-03-28 2011-09-14 パナソニック電工株式会社 赤外線センサ
CN101246052B (zh) * 2008-03-18 2010-05-12 吉林省光电子产业孵化器有限公司 一种微型光辐射探测器的制作方法
KR101408905B1 (ko) * 2013-04-25 2014-06-19 한국과학기술원 고 응답 멤스 디바이스 및 그 제조방법
CN103759838B (zh) * 2014-01-13 2016-06-01 浙江大立科技股份有限公司 微桥结构红外探测器及其制造方法
WO2019031234A1 (ja) 2017-08-10 2019-02-14 浜松ホトニクス株式会社 光検出器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3827212C1 (de) * 1988-08-11 1989-12-14 Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De
JP3374498B2 (ja) * 1993-12-27 2003-02-04 株式会社デンソー 赤外線センサ
JPH08129875A (ja) * 1994-10-28 1996-05-21 Hewlett Packard Co <Hp> 導電性針の位置ずれを低減したプローブ装置
US5844238A (en) * 1996-03-27 1998-12-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Infrared imager using room temperature capacitance sensor
JPH10111178A (ja) * 1996-10-08 1998-04-28 Nikon Corp 熱型赤外線センサ及びこれを用いたイメージセンサ
JPH10185681A (ja) * 1996-11-08 1998-07-14 Mitsuteru Kimura 熱型赤外線センサとその製造方法およびこれを用いた赤外線イメージセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
CN1337002A (zh) 2002-02-20
WO2000037905A1 (en) 2000-06-29
CN1163734C (zh) 2004-08-25
DE69831759D1 (de) 2005-11-03
EP1147387A1 (de) 2001-10-24
EP1147387B1 (de) 2005-09-28
JP3396719B2 (ja) 2003-04-14
JP2002533666A (ja) 2002-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60006749T2 (de) Infrarotdetektormatrix mit Mikrobrückenstruktur
DE60119185T2 (de) Thermischer Infrarotdetektor mit einem Schild zur Verbesserung des Füllfaktors
DE69737492T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Bauelements mit rückseitem Strahlungseintritt
DE4102524C2 (de) Infrarotsensor
DE69732862T2 (de) Halbleiteranordnung zur aufnahme von infrarotbildern
DE4039380C2 (de) Halbleiterphotodetektor
DE3437334C2 (de) Infrarotdetektor
DE19633849B4 (de) Infrarotdetektor und Herstellungsverfahren für diesen
DE19539696A1 (de) Infrarotsensor und Herstellungsverfahren dafür
DE2619312A1 (de) Halbleiter-heizelement
DE69831759T2 (de) Infrarotempfindliches bolometer
DE2910959A1 (de) Strukturierter spannungsentlastungspuffer aus kupfer und diesen puffer enthaltende halbleiterbauteilanordnung
DE60224880T2 (de) Mikrobolometer und verfahren zu dessen herstellung
DE102005003657A1 (de) Infrarotstrahlungsdetektor mit Infrarotstrahlunssensor und Gehäuse
DE69923159T2 (de) Festkörperbildmatrix
DE3539402C2 (de)
DE1489266A1 (de) Mantelthermoelement fuer hohe Temperaturen
DE69831818T2 (de) Bolometer mit bolometrischem zinkoxidelement
DE10317385B4 (de) Supraleitender Strahlungsdetektor
DE2049507B2 (de) Lichtempfindliche Halbleitern-
DE3100979C2 (de) Planares Halbeiterbauelement
DE69935931T2 (de) Halbleiter-energiedetektor
DE69835037T2 (de) Infrarotempfindliches bolometer mit stabiler struktur
DE69830622T2 (de) Mit einem schlangenartigen spannungsausgleichenden element versehenes bolometer
DE69724926T2 (de) Thermoelektrischer Fühler

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition