CN1337002A - 红外辐射热测量计 - Google Patents
红外辐射热测量计 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1337002A CN1337002A CN98814365.8A CN98814365A CN1337002A CN 1337002 A CN1337002 A CN 1337002A CN 98814365 A CN98814365 A CN 98814365A CN 1337002 A CN1337002 A CN 1337002A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bolometer
- electric bridge
- pair
- inner part
- active matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- -1 titanium metals Chemical class 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
一种改进的红外辐射热测量计(200)能在结构上对接线柱的倾斜进行补偿,其包括:一活性基体层(110),该活性基体层包括一基片(112)和一对连接端子(114);一设有一对电桥(122)和一对导线(124)的支撑层(120),其中每个电桥(122)均设有一个锚定部分(122a)、一个支路部分(122b)和一个提升部分(122c),锚定部分(122a)固定在活性基体层(110)上,其中每个电桥的提升部分(122c)均包括一个从一外部件(302)悬臂式伸出的内部件(301);一个吸收层(130),该吸收层包括一个被一吸收体(131)包围的辐射热测量元件(132);以及一对设置在电桥(122)内部件(301)顶部的接线柱(140),每个接线柱(140)包括一电导管(142),其中,辐射热测量元件(132)的每一端通过相应的电导管(142)和导线(124)而电连接至相应的连接端子(114)。
Description
本发明的技术领域
本发明涉及一种红外辐射热测量计，而更特别地，本发明涉及一种在结构上对接线柱的倾斜进行补偿的红外辐射热测量计。
背景技术
辐射检测器是一种能产生输出信号的装置，该输出信号是投射到该检测器的活性区域的辐射量的函数。红外线检测器是对电磁波谱中红外线范围内的辐射敏感的设备。红外线检测器分两种，为热敏式检测器和光子检测器，其中热敏式检测器即包括辐射热测量计。
光子检测器是基于投射到检测器的传感器区域内的电子上并与之交互作用的光子的数量而进行工作的。由于光子检测器根据电子和光子的直接交互作用而进行工作，因此其相比辐射热测量计具有更高的灵敏度以及响应速度。然而，光子检测器具有一个缺点，即其只有在低温情况下才能很好工作，因此需要在其内部安装一个附加的冷却系统。
相反，辐射热测量计是基于检测器的传感器区域由于吸收辐射而产生的温度变化而进行工作。辐射热测量计产生一个输出信号，即材料(称为辐射热测量元件)电阻率的变化，该信号与传感器区域内的温度变化成比例。辐射热测量元件一直由金属和半导体材料制成。对于金属材料，其电阻率的变化基本上是由于载流子的迁移率的变化，该电阻率通常随着温度的降低而降低。在高电阻率的半导体辐射热测量元件中能获得较高的灵敏度，在这种元件中，自由载流子的密度是温度的指数函数。
图1和图2是公开于美国专利系列申请号No.09/102,364、名称为“具有增加的占空系数的辐射热测量计”的三层辐射热测量计100的透视图和横截面图，该辐射热测量计100包括一活性基体层10，一支撑层20，一对接线柱40以及一个吸收层30。
上述活性基体层10包括一具有集成电路(未示出)的基片12，一对连接端子14和一保护层16。每个连接端子14由金属制成并设置在基片12的顶部。保护层16由例如氮化硅(SiNx)构成并覆盖住基片12。所述一对连接端子14电连接至所述集成电路。
上述支撑层20包括一对由氮化硅(SiNx)制成的电桥22，每个电桥22具有形成于其顶部的导线24。每个电桥22设有一个锚定部分22a，一支路部分22b和一提升部分22c，所述锚定部分22a包括一通孔26，通过该孔，导线24的一端电连接至所述连接端子14，支路部分22b支撑所述提升部分22c。
所述吸收层30设有一由吸收体31包围的辐射热测量元件32和形成在该吸收体31顶部的红外线吸收体涂层33。上述吸收体31是在辐射热测量元件32形成之前和之后由氮化硅淀积并包围住辐射热测量元件32而制成。钛(Ti)由于易成型而被选择用来制成辐射热测量元件32。辐射热测量元件32的螺旋形状可使其具有高电阻率。
每个接线柱40位于所述吸收层30和支撑层20之间。每个接线柱40包括一由例如钛(Ti)等金属制成并且由绝热材料44所包围的电导管42，上述绝热材料44例如由氮化硅(SiNx)制成。该电导管42的顶端被电连接至所述螺旋形辐射热测量元件32的一端，而其底端被电连接至电桥22上的导线24，这样，通过所述电导管42，导线24和连接端子14，在吸收层30内的所述螺旋形辐射热测量元件32的每一端都被电连接至所述活性基体层10的集成电路。
当暴露在红外线辐射中时，螺旋形辐射热测量元件32的电阻会增加，从而相应地引起电流和电压的变化。变化的电流或电压通过所述集成电路被放大，放大后的电流和电压可由一检测电路(未示出)读出。
在上述红外辐射热测量计中，支撑层的电桥设置为悬臂式形状以便能延长其长度，从而能减少活性基体层和吸收层之间的热量交换，但悬臂式形状仍然存在一些问题。其中之一就是在红外辐射热测量计的电桥内所产生的弹性应力，这是淀积过程的固有成分。当弹性应力比如张应力作用在电桥上时，电桥的提升部分被弯曲成一个向上凹的曲度，以便释放弹性应力，同时锚定部分被固定到活性基体层上，从而使设在提升部分顶部的接线柱倾斜并使吸收体弯曲。
本发明的概述
因此，本发明的一个主要目的是提供一种能够在结构上补偿接线柱倾斜的红外辐射热测量计。
根据本发明的一个方面，提供了一种红外辐射热测量计，该辐射热测量计包括：一活性基体层，其包括一基片和一对连接端子；一设有一对电桥和一对导线的支撑层，其中每个电桥均设有一个锚定部分、一个支路部分和一个提升部分，锚定部分固定在活性基体层上而提升部分远离活性基体层，其中每个电桥的提升部分均包括一个从一外部件悬臂式伸出的内部件；一个吸收层，该吸收层包括一个被一吸收体包围的辐射热测量元件；以及一对设置在电桥的内部件顶部的接线柱，每个接线柱包括一电导管，其中辐射热测量元件的每一端通过相应的电导管和导线而电连接至相应的连接端子。
附图简述
结合附图，从下面给出的最佳实施例的描述中，本发明的上述和其它目的和性能得到清楚的描述，其中：
图1是一示出已有技术中辐射热测量计的透视图；
图2示出了沿上述图1中A-A线所截取的红外辐射热测量计的横截面示意图；
图3示出根据本发明的一个红外辐射热测量计的透视图；
图4示出了沿上述图3中B-B线所截取的红外辐射热测量计的横截面示意图；以及
图5示出了红外辐射热测量计的电桥在弯曲时的横截面示意图。
本发明的实施例
图3、4和5中分别提供了根据本发明的红外辐射热测量计200的透视图、横截面示意图以及在桥弯曲时的横截面示意图。应该注意的是，在图3、4和5中出现的相同部分由相同的标号表示。
示于图3和4中的本发明辐射热测量计200包括一活性基体层110，一支撑层120，以及一对接线柱140和一个吸收层130。
有源矩阵层110具有一包括集成电路(未示出)的基片112，一对连接端子114和一保护层116。每个由金属制成的连接端子114位于基片112的顶部并且电连接至上述集成电路。由例如氮化硅构成的保护层116覆盖住基片112，以便保护连接端子114和集成电路在生产红外辐射热测量计200时不会遭受化学和物理的损坏。
支撑层120包括一对由绝热材料比如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiO2Nx)构成的电桥122和一对由金属比如由钛(Ti)构成的导线124，其中每个导线124均设置在相应电桥的顶部。每个电桥122设有一个锚定部分122a，支路部分122b和提升部分122c。所述锚定部分122a包括一通孔126，通过该孔，导线124的一端电连接至相应的连接端子114。支路部分122b支撑着上述提升部分122c。提升部分122c设有一内部件301和一外部件302，其中内部件301的一侧301a与外部件302相连，而其另一侧301b与外部件302间隔开一个间隙303，由此使内部件301从外部件302悬臂式伸出。
所述吸收层130设有一个被一吸收体131包围的辐射热测量元件132、一个形成于所述吸收体底部的反射层133以及一个形成于所述吸收体顶部的红外线吸收体涂层134。吸收体131由具有低导热性的绝热材料比如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNx)等制成，是在辐射热测量元件32形成之前和之后由氮化硅淀积并包围住辐射热测量元件32而被制成。辐射热测量元件132是由金属例如钛(Ti)制成，并成型为螺旋形状。反射层133是由金属例如铝(Al)或铂(Pt)制成，用于将传送来的红外线(IR)反射回吸收体131。红外线吸收体涂层134由例如黑金制成，用于增强对入射红外线(IR)的吸收效果。
每个接线柱140位于所述支撑层120内的电桥122的内部件301的顶部和吸收层130的吸收体131的底部上。每个接线柱140包括一由例如钛(Ti)等金属制成并且由绝热材料144所包围的电导管142，这些绝热材料比如有氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNx)。每个电导管142的顶端电连接至所述辐射热测量元件132的一端，而其底端被电连接至电桥122的导线124，这样，通过相应的电导管142、导线124和连接端子114，吸收层130中的所述辐射热测量元件132的每一端都被电连接至所述活性基体层110的集成电路上。
当暴露在红外线辐射中时，辐射热测量元件132的电阻率发生变化，从而相应地引起电流和电压的变化。变化的电流或电压通过所述集成电路被放大，从而放大后的电流和电压可由一检测电路(未示出)读出。
图5示出了红外辐射热测量计200的电桥122的横截面示意图，其中在电桥122内所存在的弹性应力被释放成弯曲形状。内部件301与外部件302根据施加在其上的相应弹性应力被弯曲成一个向上凹的曲度。在内部件301的连接侧301a处曲度的一个切线B与水平线A呈一第一角度(θ1)，该第一角度(θ1)为内部件301的最初角度。在内部件301上与连接侧301a相对立的独立侧301b处曲度的另一切线C与切线B呈第二角度(-θ2)。当接线柱140设置在内部件301独立侧301b的顶端时，接线柱140的倾斜角度(θ3)是第一角度(θ1)和第二角度(-θ2)之和。然而，因为内部件301的长度近似于外部件302的长度，所以接线柱140的倾斜角度(θ3)近似于零，这就在结构上将倾斜的接线柱校正为垂直，从而保持住吸收体131不致弯曲。
虽然本发明仅仅参照一些最佳实施例进行了描述，但是，在不脱离如权利要求中所述的本发明的范围的情况下，可以作出其它的修改和变型。
Claims (5)
1.一种红外辐射热测量计，其包括：
一活性基体层，其包括一基片和一对连接端子；
一设有一对电桥和一对导线的支撑层，其中每个电桥均设有一个锚定部分、一个支路部分和一个提升部分，锚定部分固定在活性基体层上而提升部分远离活性基体层，其中每个电桥的提升部分均包括一个从一外部件悬臂式伸出的内部件；
一个吸收层，该吸收层包括一个被一吸收体包围的辐射热测量元件；以及
一对设置在电桥的内部件顶部的接线柱，每个接线柱包括一电导管，其中辐射热测量元件的每一端通过相应的电导管和导线而电连接至相应的连接端子。
2.根据权利要求1的辐射热测量计，其特征在于，每个电桥中的内部件的一侧连接至电桥的外部件。
3.根据权利要求1的辐射热测量计，其特征在于，每个电桥中的内部件的另一侧与电桥的外部件间隔开一个间隙。
4.根据权利要求1的辐射热测量计，其特征在于，吸收层还包括一个形成于吸收体底部的反射层。
5.根据权利要求1的辐射热测量计，其特征在于，吸收层还包括一个形成在吸收体顶部的红外线吸收体涂层。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR1998/000443 WO2000037905A1 (en) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | Infrared bolometer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1337002A true CN1337002A (zh) | 2002-02-20 |
| CN1163734C CN1163734C (zh) | 2004-08-25 |
Family
ID=19531212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB988143658A Expired - Fee Related CN1163734C (zh) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 红外辐射热测量计 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1147387B1 (zh) |
| JP (1) | JP3396719B2 (zh) |
| CN (1) | CN1163734C (zh) |
| DE (1) | DE69831759T2 (zh) |
| WO (1) | WO2000037905A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103759838A (zh) * | 2014-01-13 | 2014-04-30 | 浙江大立科技股份有限公司 | 微桥结构红外探测器及其制造方法 |
| CN110998254A (zh) * | 2017-08-10 | 2020-04-10 | 浜松光子学株式会社 | 光检测器 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2875298B1 (fr) * | 2004-09-16 | 2007-03-02 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur thermique de rayonnement electromagnetique comportant une membrane absorbante fixee en suspension |
| JP4770549B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-09-14 | パナソニック電工株式会社 | 赤外線センサ |
| CN101246052B (zh) * | 2008-03-18 | 2010-05-12 | 吉林省光电子产业孵化器有限公司 | 一种微型光辐射探测器的制作方法 |
| KR101408905B1 (ko) * | 2013-04-25 | 2014-06-19 | 한국과학기술원 | 고 응답 멤스 디바이스 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3827212C1 (zh) * | 1988-08-11 | 1989-12-14 | Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De | |
| JP3374498B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2003-02-04 | 株式会社デンソー | 赤外線センサ |
| JPH08129875A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | 導電性針の位置ずれを低減したプローブ装置 |
| US5844238A (en) * | 1996-03-27 | 1998-12-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Infrared imager using room temperature capacitance sensor |
| JPH10111178A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Nikon Corp | 熱型赤外線センサ及びこれを用いたイメージセンサ |
| JPH10185681A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-07-14 | Mitsuteru Kimura | 熱型赤外線センサとその製造方法およびこれを用いた赤外線イメージセンサ |
-
1998
- 1998-12-18 EP EP98959288A patent/EP1147387B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 WO PCT/KR1998/000443 patent/WO2000037905A1/en active IP Right Grant
- 1998-12-18 JP JP2000589915A patent/JP3396719B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-18 DE DE69831759T patent/DE69831759T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 CN CNB988143658A patent/CN1163734C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103759838A (zh) * | 2014-01-13 | 2014-04-30 | 浙江大立科技股份有限公司 | 微桥结构红外探测器及其制造方法 |
| CN103759838B (zh) * | 2014-01-13 | 2016-06-01 | 浙江大立科技股份有限公司 | 微桥结构红外探测器及其制造方法 |
| CN110998254A (zh) * | 2017-08-10 | 2020-04-10 | 浜松光子学株式会社 | 光检测器 |
| US11519785B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-12-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69831759T2 (de) | 2006-03-23 |
| WO2000037905A1 (en) | 2000-06-29 |
| CN1163734C (zh) | 2004-08-25 |
| DE69831759D1 (de) | 2005-11-03 |
| EP1147387A1 (en) | 2001-10-24 |
| EP1147387B1 (en) | 2005-09-28 |
| JP3396719B2 (ja) | 2003-04-14 |
| JP2002533666A (ja) | 2002-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6441374B1 (en) | Thermal type infrared ray detector with thermal separation structure for high sensitivity | |
| EP0429566B1 (en) | Radiation detector array using radiation sensitive bridges | |
| US7541582B2 (en) | Method for production of a device for thermal detection of radiation comprising an active microbolometer and a passive microbolometer | |
| US6091126A (en) | Electromagnetic wave detector | |
| CN1163733C (zh) | 红外线辐射热测量器及其制造方法 | |
| CN1163734C (zh) | 红外辐射热测量计 | |
| US6262417B1 (en) | Infrared bolometer | |
| WO1994001743A1 (en) | Microstructure design for high ir sensitivity | |
| CN1177204C (zh) | 结构稳定的红外线辐射热测量器 | |
| CN1327535A (zh) | 红外辐射热测量计及其制造方法 | |
| CN1177203C (zh) | 红外辐射热测量计 | |
| CN1177202C (zh) | 具有氧化锌辐射热测量元件的辐射热测量器 | |
| KR100299642B1 (ko) | 3층구조의적외선흡수볼로메터 | |
| EP1144967B1 (en) | Structurally stable infrared bolometer | |
| WO2000033032A1 (en) | Infrared bolometer with an enhanced structural stability and integrity | |
| JPH0222872A (ja) | 光センサ装置 | |
| KR100529133B1 (ko) | 적외선 흡수 볼로메터 | |
| EP1131612B1 (en) | Bolometer including an absorber made of a material having a low deposition-temperature and a low heat-conductivity | |
| WO2000003214A1 (en) | Bolometer having an increased fill factor | |
| KR20000044816A (ko) | 구조적 안정화를 위한 적외선 흡수 볼로메터 | |
| JP2002523770A (ja) | 反射層を有するボロメーター | |
| KR20000044815A (ko) | 적외선 흡수 볼로메터 | |
| KR20000044817A (ko) | 적외선 흡수 볼로메터 | |
| KR20000046515A (ko) | 적외선 볼로메터 | |
| KR20000026863A (ko) | 적외선 볼로메터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20030807 Address after: Seoul Applicant after: Daewoo Electronics Co., Ltd. Address before: Seoul Applicant before: Daewoo Electronics Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: FENGYE VISION TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: DAEWOO ELECTRONICS CO., LTD. Effective date: 20130425 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130425 Address after: Ontario Patentee after: Fengye Vision Technology Co., Ltd. Address before: Seoul, South Kerean Patentee before: Daewoo Electronics Co., Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20040825 Termination date: 20141218 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |