DE69823888T2 - Schnelle spannungserzeugung auf dem chip für integrierte schaltungen niedriger leistung - Google Patents

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    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6646950B2 (en) * 2001-04-30 2003-11-11 Fujitsu Limited High speed decoder for flash memory
WO2004109711A1 (ja) * 2003-06-05 2004-12-16 Fujitsu Limited 冗長メモリのブースタ回路を有する半導体メモリ
CN1323434C (zh) * 2003-09-02 2007-06-27 台湾积体电路制造股份有限公司 整合闪存与高电压组件的制造方法
US7466620B2 (en) * 2006-01-04 2008-12-16 Baker Mohammad System and method for low power wordline logic for a memory
US7529117B2 (en) * 2007-03-07 2009-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Design solutions for integrated circuits with triple gate oxides
CN101620886B (zh) * 2008-07-02 2012-01-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于闪存器件的字线增压器
JP5808937B2 (ja) * 2011-04-20 2015-11-10 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体メモリの内部電源電圧生成回路及び内部電源電圧生成方法
CN108958639B (zh) * 2017-05-19 2021-07-06 华邦电子股份有限公司 快闪存储器存储装置
JP2021149999A (ja) 2020-03-23 2021-09-27 キオクシア株式会社 半導体記憶装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910004737B1 (ko) * 1988-12-19 1991-07-10 삼성전자 주식회사 백바이어스전압 발생회로
KR0172337B1 (ko) * 1995-11-13 1999-03-30 김광호 반도체 메모리장치의 내부승압전원 발생회로
US5708387A (en) * 1995-11-17 1998-01-13 Advanced Micro Devices, Inc. Fast 3-state booster-circuit
JPH09320267A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Oki Micro Design Miyazaki:Kk 昇圧回路の駆動方法および昇圧回路

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