DE69736107T2 - Vorspannungseinstellung für leistungsverstärker - Google Patents
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Description
- Gebiet der Erfindung
- Diese Erfindung bezieht sich auf lineare Leistungsverstärker, die ein unter Vorspannung Setzen von Verstärkern der Doherty-Bauart einschließt, aber nicht darauf begrenzt ist.
- Hintergrund der Erfindung
- Es ist wünschenswert für Funkfrequenzleistungsverstärker (RF-Leistungsverstärker), RF-Signale linear auf eine hocheffiziente Weise zu verstärken. Nichtsdestotrotz sind Kompromisse zwischen einer maximalen Effizienz und einer hohen Linearität einzugehen. Die Effizienz ist im Allgemeinen proportional zu einem Eingangsantriebspegel, wobei eine hohe Effizienz gewöhnlich nicht erreicht wird, bis sich ein Verstärker dessen maximaler Ausgangsleistung annähert, welche nicht übereinstimmend mit dem linearen Betrieb ver läuft. Verstärker der Doherty-Bauart erreichen einen Effizienzvorteil gegenüber Verstärkern der Standardklasse AB und B unterhalb einer Spitzenleistung, zum Teil wegen einer unmittelbaren Modulation von ihrer Ladelinie des Trägersignalverstärkers, sowie sich der RF-Eingangspegel verändert. Mit anderen Worten legen Verstärker der Doherty-Bauart eine noch günstigere Beziehung zwischen dem Eingangsantriebspegel und der Effizienz dar, weil die Ladelinie des Verstärkers zum Aufrechterhalten einer hohen Effizienz kontinuierlich modifiziert wird, sowie sich der Eingangsantriebspegel verändert. Zusätzlich wird die Vorspannungsleistung des Verstärkers der Doherty-Bauart bedeutend gegenüber den Verstärkern der Standardklasse AB und B reduziert.
- Ein Beispiel für solch einen Verstärker der Doherty-Bauart ist in der US-5420541 gegeben.
- Ein Verfahren zum unter Vorspannung Setzen eines Verstärkers der Doherty-Bauart wird in der US-Patentanmeldung 08/566,811 beschrieben, die den Titel "Linearer Leistungsverstärker unter Verwendung einer aktiven Vorspannung für eine hohe Effizienz und ein Verfahren dafür" trägt, am 4. Dezember 1995 im Namen von BERNARD E. SIGMON et al. mit den gleichen Rechtsnachfolgern eingereicht wurde, wie bei der vorliegenden Erfindung, und die durch Bezugnahme hierin aufgenommen ist. Die Schaltung, die in der Anmeldung, auf die oben verwiesen wird, beschrieben ist, beruht auf Veränderungen des Gates- oder Basis-Vorspannungsstroms des Trägersignalverstärkers als eine Art und Weise zum Messen einer RF-Eingangsleistung zu diesem Gerät. Solch ein Mechanismus ist nicht für MOSFET-Verstärker-Geräte (Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Transistor-Verstärkergeräte) effek tiv, da solche Geräte keinen Vorspannungsstrom bei irgendeinem RF-Antriebspegel ziehen.
- Dementsprechend besteht ein Bedarf nach einer Vorspannungsschaltung für einen Verstärker der Doherty-Bauart, der eine gutes unter Vorspannung Setzen für MOSFET- oder andere Null-Vorspannungsstrom-Verstärker bereitstellt, aber gegenüber dem dynamischen RF-Eingangsantriebsbereich effektiv ist.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 ist ein Blockdiagramm eines Leistungsverstärkers der Doherty-Bauart mit einer Vorspannungssteuerung in Übereinstimmung mit der Erfindung. -
2 ist ein Blockdiagramm einer alternativen Verwendung eines Leistungsverstärkers der Doherty-Bauart mit einer Vorspannungssteuerung in Übereinstimmung der Erfindung. -
3 ist ein Blockdiagramm einer Vorspannungssteuerschaltung für einen Trägersignalverstärker in Übereinstimmung mit der Erfindung. -
4 ist ein Blockdiagramm einer Vorspannungssteuerschaltung für einen Peaking-Verstärker in Übereinstimmung mit der Erfindung. -
5a und5b sind graphische Darstellungen von Vorspannungssteuersignalen in Übereinstimmung mit der Erfindung. -
6 ist ein Blockdiagramm eines Trägersignalverstärkers oder eines Peaking-Verstärkers in Übereinstimmung mit der Erfindung. - Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels
- Das Folgende beschreibt eine Vorrichtung zur Vorspannungssteuerung eines Leistungsverstärkers der Doherty-Bauart und ein Verfahren dafür. Der Doherty-Leistungsverstärker ist aus einem Trägersignalverstärker und einem Peaking-Verstärker zusammengesetzt. Unterschiedliche Vorspannungssignale werden dem Trägersignalverstärker und dem Peaking-Verstärker zum Bereitstellen einer konstanten Leistungsverstärkung bereitgestellt, während Intermodulationsverzerrungen begrenzt werden. In einem Ausführungsbeispiel nimmt das Trägersignalverstärker-Vorspannungssignal ab, sowie das Peaking-Verstärker-Vorspannungssignal zunimmt.
- Die vorliegende Erfindung sieht einen Leistungsverstärker vor, der einen mit einem RF-Eingangssignal gekoppelten Leistungsverteiler zum Erzeugen eines In-Phase-Signals und eines Quadraturphasensignals aus dem RF-Eingangssignal aufweist. Ein Trägersignalverstärker verstärkt das In-Phase-Signal von dem Leistungsteiler und hat einen Trägersignalverstärker-Vorspannungseingang. Ein Peaking-Verstärker verstärkt das Quadraturphasensignal von dem Leistungsteiler und hat einen Peaking-Verstärker-Vorspannungseingang. Ein Kombinierer ist mit einem Ausgang des Trägersignalverstärkers und einem Ausgang des Peaking-Verstärkers gekoppelt. Der Kombinierer kombiniert auf phasenadditive Weise das Ausgangssignal des Trägersignalverstärkers und das Ausgangssignal des Peaking-Verstärkers. Eine erste Vorspannungsschaltung ist mit dem Trägersignalverstärker gekoppelt, wobei das Trägersignal verstärker-Vorspannungseingangssignal durch die erste Vorspannungsschaltung zur Verfügung gestellt und durch ein erstes Signal gesteuert wird, das die Größe des RF-Eingangssignals des Leistungsverstärkers angibt. Eine zweite Vorspannungsschaltung ist mit dem Peaking-Verstärker gekoppelt, wobei das Peaking-Verstärker-Vorspannungseingangssignal durch die zweite Vorspannungsschaltung zur Verfügung gestellt und durch ein zweites Signal gesteuert wird, das die Größe des RF-Eingangssignals des Leistungsverstärkers angibt. Alternativ sind das erste Signal und das zweite Signal das gleiche Signal. Zusätzlich kann das erste Signal und/oder das zweite Signal von einem Ausgangssignal eines Einhüllenden-Detektors abgeleitet werden, der mit dem RF-Eingangssignal gekoppelt ist. Darüber hinaus können das erste Signal und/oder das zweite Signal zu einem Strom proportional sein, der durch den Trägersignalverstärker gezogen wird. Zusätzlich kann der Trägersignalverstärker-Vorspannungspegel abnehmen, sowie der Peaking-Verstärker-Vorspannungspegel zunimmt.
- Ein Verfahren zum Verstärken eines RF-Eingangssignals unter Verwendung eines Leistungsverstärkers weist die Schritte zum Teilen des RF-Eingangssignals in ein In-Phase-Signal und ein Quadraturphasensignal auf. Ein Trägersignalverstärker-Vorspannungseingangssignal wird relativ zu der Größe des RF-Eingangssignals variiert. Ein Peaking-Verstärker-Vorspannungseingangssignal wird relativ zu der Größe des RF-Eingangssignals variiert. Das In-Phase-Signal wird unter Verwendung eines Trägersignalverstärkers zum Erzeugen eines ersten verstärkten Signals verstärkt. Das Quadraturphasensignal wird unter Verwendung eines Peaking-Verstärkers zum Erzeugen eines zweiten verstärkten Signals verstärkt. Das erste verstärkte Signal und das zweite verstärkte Signal werden in Phase kombiniert, um ein Ausgangssignal zu erzeugen. Alternativ kann der Schritt zum Variieren des Trägersignalverstärker-Vorspannungseingangssignals und der Schritt zum Variieren des Peaking-Verstärker-Vorspannungseingangssignals derart ausgeführt werden, dass das Trägersignalverstärker-Vorspannungseingangssignal abnimmt, sowie das Peaking-Verstärker-Vorspannungseingangssignal zunimmt. Eine Einhüllenden-Detektierung des RF-Eingangssignals kann zum Herleiten der Größe des RF-Eingangssignals ausgeführt werden. Die Größe des RF-Eingangssignals kann aus einem Strom bestimmt werden, der durch den Trägersignalverstärker gezogen wird.
- Ein Blockdiagramm eines Leistungsverstärkers der Doherty-Bauart mit einer Vorspannungssteuerung ist in
1 gezeigt. Ein RF-Eingangssignal wird einem Richtungskoppler101 zugeführt, der die Funktion ausführt, einen geringen Anteil (SAMPLE) des Eingangssignals an seinen Kopplungsausgang bereitzustellen, während die Mehrheit der Eingangssignalleistung an den Hauptausgang geliefert wird. Das Hauptausgangssignal des Richtungskopplers101 wird in einen Quadratursplitter103 eingegeben. Wegen des Splittens sind das In-Phase-Signal und das Quadratur-Phasen-Signal um 3 dB kleiner in deren Größe als das RF-Eingangssignal. Das In-Phase-Ausgangssignal (In-Phase=0°) des Quadratursplitters103 wird zu einem Trägersignalverstärker105 eingegeben. Das Quadraturphasenausgangssignal (Quadraturphase=–90°) des Quadratursplitters103 wird zu einem Peaking-Verstärker107 eingegeben. Das Kopplungsausgangssignal des Richtungskopplers101 wird zu einem Detektor109 eingegeben. Der Detektor kann ein Dioden-Einhüllenden-Detektor sein, so wie er in Kapitel 9 des Buches Halbleiterfunkingenieurwesen von Herbert L. Kraus et al. (John Wiley & Söhne, New York, 1980) beschrieben ist. - Das Ausgangssignal des Detektors
109 ist eine Anzeige des RF-Eingangsleistungspegels des RF-Eingangssignals, genauso wie Eine der Größe des RF-Eingangssignals. Der Detektor109 kann derart eingerichtet sein, dass er entweder eine Spitzen- oder Durchschnittsleistung angibt. Das Ausgangssignal des Detektors wird zu einer Trägersignalverstärker-Vorspannungssteuerung111 und einer Peaking-Verstärker-Vorspannungssteuerung113 eingegeben. Das Ausgangssignal der Trägersignalverstärker-Vorspannungssteuerung111 ist ein CA-Vorspannungssteuersignal, welches zu dem Vorspannungssteuereingang des Trägersignalverstärkers105 eingegeben wird. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird der Trägersignalverstärker geringfügig über einer Abschaltung unter Vorspannung gesetzt, wenn das Detektorausgangssignal einen niedrigen Eingangssignalpegel angibt. Dieser Prozess erlaubt dem Trägersignalverstärker, eine lineare Verstärkung bei niedrigen Eingangssignalpegeln bereitzustellen. Das Ausgangssignal der Peaking-Verstärker-Vorspannungssteuerung113 ist ein PA-Vorspannungssteuersignal, welches zu dem Vorspannungssteuereingangssignal des Peaking-Verstärkers107 eingegeben wird. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird der Peaking-Verstärker unter der Abschaltung unter Vorspannung gesetzt, wenn das Detektorausgangssignal einen niedrigen Eingangssignalpegel angibt. Dieser Prozess verbessert eine Effizienz bei niedrigen Eingangssignalpegeln, nämlich durch Verhindern, dass der Peaking-Verstärker einen Strom zieht, bis das RF-Eingangs signal die Hälfte von dessen maximal zugelassener Amplitude erreicht hat. - Das Ausgangssignal des Trägersignalverstärkers
105 und das Ausgangssignal des Peaking-Verstärkers107 werden zu einem Kombinierer115 eingeben. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der Kombinierer aus einer Ein-Viertel-Wellenlängen-50-Ohm-Übertragungsleitung (1/4-Wellenlängen-50-Ohm-Übertragungsleitung)117 zusammengesetzt, deren Ausgang mit dem Peaking-Verstärkerausgang bei dem RF-Ausgangsport119 verbunden ist. Bei niedrigen Eingangssignalpegeln ist der Peaking-Verstärker inaktiv und weist eine hohe Impedanz zu dem Kombinierer115 bei dem RF-Ausgangsport119 auf. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel beträgt die Impedanz bei dem RF-Ausgangsport einen Nennwert von 25 Ohm, wobei die 1/4-Wellenlängen-50-Ohm-Übertragungsleitung117 diese Impedanz zu 100 Ohm bei dem Ausgang des Trägersignalverstärkers transformiert. Da der Trägersignalverstärker derart gestaltet ist, dass er bei einer 50 Ohm-Nennlast betrieben arbeitet, verursacht das Vorliegen einer 100 Ohm-Last, dass der Trägersignalverstärker bei der Hälfte dessen maximalen Nennausgangsleistungspegels gesättigt ist, wenn das RF-Eingangssignal die Hälfte dessen maximal zugelassener Amplitude erreicht. An dieser Stelle verursacht die Amplitude des RF-Eingangssignals, dass der Peaking-Verstärker beginnt, Leistung zu dem RF-Ausgangsport119 zu liefern. Unter diesen Bedingungen gewährleistet die 1/4-Wellenlängen-50-Ohm-Übertragüngsleitung117 ebenso, dass sich die Ausgangssignale von sowohl dem Trägersignal- als auch dem Peaking-Verstärker in deren Phase bei dem RF-Ausgangsport119 addieren, um die maximal erhältliche Ausgangsleistung und Effizienz bereitzustellen. - Ein Filter kann ebenso zwischen dem Detektor
109 und den Vorspannungssteuerschaltungen111 und113 eingesetzt werden, um jegliche Wechselstromkomponente (engl. AC component) oder Kurzzeit-Einhüllenden-Schwankungen von dem Ausgangssignal des Detektors109 zu entfernen, die die Intermodulationsverzerrung verschlechtern können. - Wenn der Trägersignalverstärker
105 und der Peaking-Verstärker107 auf oben beschriebene ideale Weise betrieben werden, könnten die Vorspannungspegel fest bei den Pegeln verbleiben, die bei dem Null-Detektorausgang hergestellt werden, das heißt es besteht kein Bedarf für irgendein Vorspannungssteuerschaltschema. Diese Situation ist selten, jedoch wahr in der Praxis. Zum Beispiel kann der Peaking-Verstärker107 eine ungenügende Verstärkung haben, wenn er derart unter Vorspannung gesetzt wird, dass er inaktiv verbleibt, bis das RF-Eingangssignal die Hälfte von dessen maximal zugelassener Amplitude erreicht. In diesem Fall ist es vorteilhaft, die Vorspannung an dem Peaking-Verstärker107 zu erhöhen, wenn das RF-Eingangssignal die Hälfte dessen maximal zugelassener Amplitude überschreitet. Zusätzlich kann es vorteilhaft sein, die Vorspannung an dem Trägersignalverstärker105 bei einem gewissen anderen RF-Eingangssignalpegel zu reduzieren, um eine konstante Verstärkung in dem Leistungsverstärker der Doherty-Bauart über einen breiten Bereich von Eingangssignalpegeln aufrechtzuerhalten. Dieser Prozess verbessert die Linearität des Leistungsverstärkers der Doherty-Bauart, wodurch der Pegel der Intermodulationsverzerrung bei dem RF-Ausgangsport119 reduziert wird. - Der Detektor
109 kann an anderer Stelle in der Schaltung verbunden werden, so dass er eine unterschiedliche Be triebsbedingung überwacht, solch eine wie das/die RF-Ausgangssignal/e oder den/die Gleichspannungseingangsstrom/ströme (engl. DC input current(s)) des Trägesignalverstärkers und/oder des Peaking-Verstärkers. Die endgültige Wahl der Position des Detektors109 und die Funktion kann derart bewerkstelligt werden, dass er die Gesamteigenschaften des Doherty-Verstärkers optimiert (z. B. die Effizienz, Verstärkung, die Verstärkungsebenheit, die Intermodulationsverzerrung usw.). Ein alternatives Ausführungsbeispiel ist in2 gezeigt. - Ein alternatives Ausführungsbeispiel des Leistungsverstärkers der Doherty-Bauart mit Vorspannungssteuerung ist in
2 gezeigt. Ein RF-Eingangssignal wird einem Quadratursplitter203 zugeführt. Das In-Phase-Ausgangssignal (In-Phase=0°) des Quadratursplitters203 wird zu einem Trägersignalverstärker205 eingegeben. Die Quadraturphasenausgangssignal (Quadraturphase=–90°) des Quadratursplitters203 wird zu einem Peaking-Verstärker207 eingegeben. Ein Differenzverstärker209 wird über einen Widerstand RS platziert, der in Reihe zu dem DC-Leistungseingang zu dem Trägersignalverstärker205 geschaltet ist (engl. Beschr. S. 7). Die Spannung über diesen Widerstand ist proportional zu dem DC-Strom, der durch den Trägersignalverstärker gezogen wird, dessen Strom wiederum proportional zu dem RF-Eingangsleistungspegel des RF-Eingangssignals ist. Das Ausgangssignal des Differenzverstärkers209 ist eine verstärkte Nachbildung der Spannung über dem Widerstand RS. Das Ausgangssignal der Trägersignalverstärker-Vorspannungssteuerschaltung211 wird zu der Trägersignalverstärker-Vorspannungssteuerung eingegeben. Das Ausgangssignal der Peaking-Verstärker-Vorspannungssteuerschaltung213 wird zu der Vorspannungssteuereingang des Peaking-Verstärkers eingegeben. Das Ausgangssignal des Trägersignalverstärkers205 und des Peaking-Verstärkers werden in einem Kombinierer215 kombiniert, welche eine Ein-Viertel-Wellenlängen-50-Ohm-Übertragungsleitung217 (1/4-Wellenlängen-50-Ohm-Übertragungsleitung) hat, die ein Ausgangssignal bei einem Knoten219 hervorruft, ähnlich zu der Funktion des Kombinierers115 , der unter Bezugnahme auf1 beschrieben ist. - Ein Blockdiagramm einer Vorspannungssteuerschaltung für einen Trägersignalverstärker ist in
3 gezeigt. Die Trägersignalverstärker-Vorspannungssteuerschaltung111 oder211 gibt ein CA-Vorspannungssteuersignal aus, das zu dem Trägersignalverstärker105 oder205 eingegeben wird. Ein Operationsverstärker301 mit dessen Leistungsversorgungseingang, der mit VCC gekoppelt ist, hat dessen positiven Eingang mit der Bezugsspannung Vos gekoppelt. Vos ist die Offset-Spannungsdifferenz. Der negative Eingang des Operationsverstärkers301 hat einen Widerstand R1 in Reihenschaltung mit dem Eingang der Vorspannungssteuerschaltung. In dem Fall von1 ist das Vorspannungssteuerschaltungseingangssignal das Ausgangssignal des Detektors109 . In dem Fall von2 ist das Vorspannungssteuerschaltungseingangssignal das Ausgangssignal des Differenzverstärkers209 . Ein Widerstand R2 ist in Reihe zwischen dem negativen Eingang des Operationsverstärkers301 und dem Ausgang des Operationsverstärkers301 gekoppelt. - Ein Blockdiagramm einer Vorspannungssteuerschaltung für einen Peaking-Verstärker ist in
4 gezeigt. Die Peaking-Verstärker-Vorspannungssteuerschaltung113 oder213 gibt ein PA-Vorspannungssteuersignal aus, das zu dem Pea king-Verstärker107 oder207 eingegeben wird. Ein Operationsverstärker401 mit dessen Leistungsversorgungseingang, der mit Vcc gekoppelt ist, hat dessen positiven Eingang mit dem Eingangssignal der Vorspannungssteuerschaltung113 oder213 gekoppelt. In dem Fall von1 ist das Vorspannungssteuerschaltungseingangssignal das Ausgangssignal des Detektors109 . In dem Fall von2 ist das Vorspannungssteuerschaltungseingangssignal das Ausgangssignal des Differenzverstärkers209 . Ein Reihenwiderstand R3 ist zwischen der Bezugsspannung Vos und dem negativen Eingang des Differenzverstärkers platziert. Ein anderer Reihenwiderstand R4 ist in Reihe zwischen dem negativen Eingang des Operationsverstärkers401 und dem Ausgang des Operationsverstärkers401 gekoppelt. - Die Vorspannungssteuerschaltungen
111 ,113 ,211 und213 sind wie gezeigt zum Handhaben einer positiven Spannung als deren Eingangssignal gestaltet. Die Vorspannungssteuerschaltungen111 ,113 ,211 und213 können leicht von jemandem mit Fachwissen in der Technik zum Handhaben der negativen Eingangssignale modifiziert werden. - Ein Diagramm des CA-Vorspannungssteuersignals bezüglich des Detektorausgangssignals ist in
5A gezeigt. Das CA-Vorspannungssteuersignal verläuft in der entgegengesetzten Richtung wie das Ausgangssignal des Detektors109 oder209 . Das CA-Vorspannungssteuersignal verbleibt nahe Vcc bis das Ausgangssignal (Vdet) des Detektors109 oder209 einen Pegel von im Wesentlichen Vos+(Vos-Vcc)R1/R2 erreicht. Das CA-Vorspannungssteuersignal fällt dann mit einer Steigung, die durch das Verhältnis –R2/R1 bestimmt wird, bis es einen Pegel nahe Null erreicht. - Zum Beispiel sei angenommen, dass das CR-Vorspannungssteuersignal von 5V bis 0V variieren muss, sowie das Ausgangssignal des Detektors
109 oder209 von 4V bis 5V wandert, was eine Steigung von –5 ist. Der erste Schritt ist, Vcc=5V um festzulegen, um den gewünschten Bereich der Änderung des CA-Vorspannungssteuersignals zu erhalten. Als nächstes muss das Verhältnis R2/R1=5 sein, um die gewünschte Steigung zu erhalten, welche durch Festlegen von R1=1000 Ohm und R2=5000 Ohm bewerkstelligt wird. Schließlich ergibt das Lösen der obigen Gleichung für Vos mit Vdet=4V und Vcc=5V den erforderlichen Wert von Vos, welcher näherungsweise 4,17V ist. - Es sollte angemerkt werden, dass die Trägersignalverstärker-Vorspannungssteuerschaltung von
3 ebenso für den Differenzverstärker209 verwendet werden kann. In diesem Fall wird die Bezugsspannung Vos mit dem Ende von Rs am nächsten der Versorgungsspannung DC verbunden und der Anschluss, der mit EINGANG bezeichnet ist, wird mit dem gegenüberliegenden Ende von Rs verbunden. Der Gesamtstrom zu der Spannungsübertragungsfunktion ist RsR2/R1. - Ein Diagramm des PA-Vospannungssteuersignal bezüglich des Detektorausgangssignals ist in
5B gezeigt. Das PA-Vorspannungssteuersignal verläuft in der gleichen Richtung wie das Ausgangssignal des Detektors109 oder209 . Das PA-Vorspannungssteuersignal verbleibt nahe Null, bis das Ausgangssignal (Vdet) des Detektors109 oder209 einen Pegel von im Wesentlichen (Vos)R4/(R3+R4) erreicht. Das PA-Vorspannungssteuersignal steigt dann mit einer Steigung an, die durch die Verhältnis (R3+R9)/R3 bestimmt ist, bis es einen Pegel nahe von Vcc erreicht. - Zum Beispiel sei angenommen, dass PA-Vorspannungssteuersignal von 0 V bis 5 V variieren muss, sowie das Ausgangssignal des Detektors
109 oder209 von 2,5 V bis 5 V wandert, was eine Steigung von 2 ist. Der erste Schritt ist, Vcc = 5 V festzulegen, um den gewünschten Bereich der Variation des PA-Vorspannungssteuersignals zu erhalten. Als nächstes muss das Verhältnis (R3+RQ)/R3 gleich 2 sein, um die gewünschte Steigung zu erhalten, welche durch Festlegen von R3 = 1000 Ohm und R4 = 1000 Ohm bewerkstelligt wird. Schließlich ergibt das Lösen der obigen Gleichung für Vos mit Vdet = 2,5 V und Vcc = 5 V den erforderlichen Wert von Vos, welcher 5 V beträgt. - Ein Blockdiagramm eines Trägersignalverstärkers
105 oder205 oder eines Peaking-Verstärkers107 oder207 ist in6 gezeigt. Der Eingang zu dem Verstärker106 ist mit einer Eingangssignalabgleichungsschaltung601 verbunden. Der Ausgang der Eingangssignalabgleichungsschaltung ist mit dem Gate eines RF-Leistungsverstärkungsgerätes603 verbunden. Das Leistungsverstärkungsgerät603 kann ein MOSFET-Leistungsverstärkungsgerät sein, zum Beispiel ein VMOS oder MDMOS. Die Funktion der Eingangssignalabgleichungsschaltung601 ist es, die RF-Impedanz bei dem Gate des MOSFET-Geräts603 , welche typischerweise ungefähr ein Ohm ist, zu dem Pegel zu transformieren, der für das optimale Funktionieren der RF-Eingangs-Source erforderlich ist, welche typischerweise 50 Ohm beträgt. Die Eingangssignalabgleichungsschaltung kann durch Verwendung verschiedener Kombinationen von reaktiven Komponenten, Transformatoren und Übertragungsleitungen ausgeführt werden, wie in dem Buch Halbleiterfunkingenieurwesen von Herbert L. Krauss et al. (John Wiley & Söhne, New York, 1980) beschrieben ist. Das Gate des Transistors603 wird mit der Spannungsversorgung Vgg durch einen Widerstand R5. Das Gate des Transistors603 ist ebenso mit einer Masse durch einen Widerstand R6 verbunden. Die Source des Transistors603 ist mit der Masse verbunden. Der Drain des Transistors603 ist mit der Versorgungsspannung Vdd über eine RF-Spule verbunden. Der Vorspannungsteuereingang ist mit dem Gate des Transistors603 über einen Widerstand Rgc verbunden. Rgc ist derart ausgewählt, dass er die gewünschte Variation der Gate-Vorspannungsspannung Vg gibt, sowie das Detektorausgangssignal von einem Minimum zu einem Maximum wandert. Diese Veränderung von Vg ist im Wesentlichen Vcc*1000/(1000+Rgc) unter der Annahme, dass R5 = R6 = 2000 Ohm ist. Vgg wird dann festgelegt, mit der angemessenen Vorspannungssteuerschaltung111 ,113 ,211 oder213 verbunden, um die gewünschte Vg bei dem minimalen Ausgangssignal des Detektors109 oder209 zu ergeben. Der Drain des Transistors603 ist mit einer Ausgangssignalabgleichungsschaltung607 verbunden, welche die Impedanz bei dem Drain des MOSFET-Geräts603 , welche typischerweise ungefähr 1 Ohm ist, zu der Impedanz bei dem RF-Ausgangsport109 transformiert, welche typischerweise 50 Ohm ist. Die Ausgangssignalabgleichungsschaltung kann durch Verwendung verschiedener Kombinationen von reaktiven Komponenten, Transformatoren und Übertragungsleitungen ausgeführt sein, wie in dem Halbleiterfunkingenieurwesen von Herbert L.Krauss et al. (John Wiley & Söhne, New York, 1980) beschrieben ist. Die Ausgangssignalabgleichungsschaltung gibt das RF-Ausgangssignal des Verstärkers aus. - Die vorliegende Erfindung sieht eine Vorspannungssteuerung von Doherty-Leistungsverstärkern vor, die einen Null-Vorspannungsstrom haben. Das oben beschriebene Vorspan nungsschema stellt eine verbesserte Effizienz verglichen mit den Doherty-Verstärkern des Stands der Technik unter Verwendung von MOSFET-Geräten durch Halten des Peaking-Verstärkers in fester Abschaltung, bis der Trägersignalverstärker dessen Sättigungspunkt erreicht hat, zur Verfügung. Dieses Vorspannungsschema erhält ebenso eine noch konstantere Leistungsverstärkung als eine Funktion eines Leistungspegels bei dem Doherty-Leistungsverstärker aufrecht, weil die Vorspannung zu dem Trägersignalverstärker abnimmt, sowie die Vorspannung zu dem Peaking-Verstärker zunimmt. Diese Abnahme der Verstärkungsveränderung führt zu einer verringerten Intermodulationsverzerrung (verbesserte Linearität) bei dem Doherty-Leistungsverstärker.
Claims (10)
- Leistungsverstärker, aufweisend: einen an ein RF-Eingangssignal gekoppelten Leistungsteiler (
103 ) zum Erzeugen eines In-Phase-Signals und eines Quadraturphasensignals aus dem RF-Eingangssignal; einen Trägersignalverstärker (105 ) zum Verstärken des In-Phase-Signals von dem Leistungsteiler, wobei der Trägersignalverstärker einen Trägersignalverstärker-Vorspannungseingang hat; einen Peaking-Verstärker (107 ) zum Verstärken des Quadraturphasensignals von dem Leistungsteiler, wobei der Peaking-Verstärker einen Peaking-Verstärker-Vorspannungseingang hat; einen Kombinierer (115 ), der an einen Ausgang des Trägersignalverstärkers und an einen Ausgang des Peaking-Verstärkers gekoppelt ist, wobei der Kombinierer dazu vorgesehen ist auf phasenadditive Weise die Ausgabe des Trägersignalverstärkers und die Ausgabe des Peaking-Verstärkers zu kombinieren; eine erste Vorspannungsschaltung (111 ), die mit dem Trägersignalverstärker gekoppelt ist, wobei der Trägersignalverstärker-Vorspannungseingangssignal durch die erste Vorspannungsschaltung zur Verfügung gestellt und durch ein erstes Signal gesteuert wird, das die Größe des RF-Eingangssignals des Leistungsverstärkers angibt; eine zweite Vorspannungsschaltung (113 ), die mit dem Peaking-Verstärker gekoppelt ist, wobei der Peaking-Verstärker-Vorspannungseingangssignal durch die zweite Vorspannungsschaltung zur Verfügung gestellt und durch ein zweites Signal gesteuert wird, das die Größe des RF-Eingangssignals des Leistungsverstärkers angibt. - Leistungsverstärker gemäß Anspruch 1, wobei das erste Signal und das zweite Signal das gleiche Signal sind.
- Leistungsverstärker gemäß Anspruch 1, wobei das erste Signal aus einem Ausgangssignal eines Einhüllenden-Detektors abgeleitet wird, der mit dem RF-Eingangssignal gekoppelt ist.
- Leistungsverstärker gemäß Anspruch 1, wobei das zweite Signal von einem Ausgang eines Einhüllenden-Detektors abgeleitet wird, der mit dem RF-Eingangssignal gekoppelt ist.
- Leistungsverstärker gemäß Anspruch 1, wobei der Trägersignalverstärker einen Strom zieht und das erste Signal proportional zu dem Strom ist.
- Leistungsverstärker gemäß Anspruch 1, wobei der Trägersignalverstärker einen Strom zieht und das zweite Signal proportional zu dem Strom ist.
- Leistungsverstärker gemäß Anspruch 1, wobei der Trägersignalverstärker-Vorspannungspegel verringert wird, sowie der Peaking-Verstärker-Vorspannungspegel erhöht wird.
- Verfahren zum Verstärken eines RF-Eingangssignals unter Verwendung eines Leistungsverstärkers, das die folgenden Schritte aufweist: Teilen des RF-Eingangssignals in ein In-Phase-Signal und ein Quadraturphasensignal; Variieren eines Trägersignalverstärker-Vorspannungseingangssignals relativ zu der Größe des RF-Eingangssignals; Variieren eines Peaking-Verstärker-Vorspannungseingangssignals relativ zu der Größe des RF-Eingangssignals; Verstärken des In-Phase-Signals unter Verwendung eines Trägersignalverstärkers, um ein erstes verstärktes Signal zu erzeugen; Verstärken des Quadraturphasensignals unter Verwendung eines Peaking-Verstärkers, um ein zweites verstärktes Signal zu erzeugen; und Kombinieren, in Phase, des ersten verstärkten Signals mit dem zweiten verstärkten Signal, um ein Ausgabesignal zu erzeugen.
- Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei der Schritt zum Variieren des Trägersignalverstärker-Vorspannungseingangssignals und der Schritt zum Variieren des Peaking-Verstärker-Vorspannungseingangssignals derart ausgeführt werden, dass das Trägersignalverstärker-Vorspannungseingangssignal abnimmt, sowie das Peaking-Verstärker-Vorspannungseingangssignal zunimmt.
- Verfahren gemäß Anspruch 8, das weiterhin zumindest einen der folgenden Schritte aufweist: den Schritt zum Einhüllenden-Detektierens des RF-Eingangssignals, um die Größe des RF-Eingangssignals; den Schritt zum Bestimmen der Größe des RF-Eingangssignals aus einem Strom, der durch den Trägersignalverstärker aufgenommen wird.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6085074A (en) * | 1997-02-28 | 2000-07-04 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for amplifying an amplitude-varying signal |
US6097252A (en) * | 1997-06-02 | 2000-08-01 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for high efficiency power amplification |
US5861777A (en) * | 1997-07-02 | 1999-01-19 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for compensation of phase distortion in power amplifiers |
US5886575A (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for amplifying a signal |
US6084468A (en) * | 1997-10-06 | 2000-07-04 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for high efficiency wideband power amplification |
US6359506B1 (en) * | 1998-04-02 | 2002-03-19 | Ericsson Inc. | Linear modulation using a linear and a non-linear amplifier |
US6028485A (en) * | 1998-08-03 | 2000-02-22 | Motorola, Inc. | Power amplification apparatus and method therefor |
US6233440B1 (en) * | 1998-08-05 | 2001-05-15 | Triquint Semiconductor, Inc. | RF power amplifier with variable bias current |
EP1041712B1 (de) * | 1999-03-31 | 2009-01-28 | NTT Mobile Communications Network Inc. | Vorwärtskopplungsverstärker |
US6157253A (en) * | 1999-09-03 | 2000-12-05 | Motorola, Inc. | High efficiency power amplifier circuit with wide dynamic backoff range |
EP1230732B1 (de) * | 1999-11-11 | 2008-05-28 | Broadcom Corporation | Gigabit ethernet senderempfänger mit analoger eingangsschaltung |
US6374092B1 (en) * | 1999-12-04 | 2002-04-16 | Motorola, Inc. | Efficient multimode power amplifier |
US6359504B1 (en) * | 2000-01-28 | 2002-03-19 | Lucent Technologies Inc. | Power amplifier using upstream signal information |
US6816003B2 (en) | 2000-02-04 | 2004-11-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Circuits with dynamic biasing |
US6320462B1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-11-20 | Raytheon Company | Amplifier circuit |
KR20010104951A (ko) * | 2000-05-17 | 2001-11-28 | 타이 중 치 | 비직조의 합성직물 |
SE516145C2 (sv) * | 2000-06-06 | 2001-11-26 | Ericsson Telefon Ab L M | Sammansatt förstärkare |
SE516847C2 (sv) * | 2000-07-07 | 2002-03-12 | Ericsson Telefon Ab L M | Sammansatt förstärkare samt sändare som innefattar en sådan förstärkare |
WO2002003543A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
US6639463B1 (en) * | 2000-08-24 | 2003-10-28 | Lucent Technologies Inc. | Adaptive power amplifier system and method |
US6731173B1 (en) * | 2000-10-23 | 2004-05-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Doherty bias circuit to dynamically compensate for process and environmental variations |
EP1202467B1 (de) * | 2000-10-24 | 2004-07-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Signalsender mit Impulssteuerung der Verstärkung |
US6384679B1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-07 | National Semiconductor Corporation | Rail-to-rail amplifier with reduced GM and compensating cap |
US6731172B2 (en) * | 2001-01-16 | 2004-05-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Doherty power amplifier with integrated quarter wave transformer/combiner circuit |
WO2002063768A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Circuits with dynamic biasing |
US20020186079A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-12 | Kobayashi Kevin W. | Asymmetrically biased high linearity balanced amplifier |
US6864742B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-03-08 | Northrop Grumman Corporation | Application of the doherty amplifier as a predistortion circuit for linearizing microwave amplifiers |
US6469581B1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-10-22 | Trw Inc. | HEMT-HBT doherty microwave amplifier |
US6756844B2 (en) * | 2001-08-07 | 2004-06-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Distortion compensation amplification apparatus of feed forward type and adaptive pre-distortion type |
US6917246B2 (en) * | 2001-09-10 | 2005-07-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Doherty bias circuit to dynamically compensate for process and environmental variations |
US6700444B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-03-02 | Cree Microwave, Inc. | N-way RF power amplifier with increased backoff power and power added efficiency |
US6791417B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-09-14 | Cree Microwave, Inc. | N-way RF power amplifier circuit with increased back-off capability and power added efficiency using selected phase lengths and output impedances |
US6737922B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-05-18 | Cree Microwave, Inc. | N-way RF power amplifier circuit with increased back-off capability and power added efficiency using unequal input power division |
KR100553252B1 (ko) * | 2002-02-01 | 2006-02-20 | 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 | 휴대용 단말기의 전력 증폭 장치 |
US8811917B2 (en) * | 2002-05-01 | 2014-08-19 | Dali Systems Co. Ltd. | Digital hybrid mode power amplifier system |
US6985704B2 (en) | 2002-05-01 | 2006-01-10 | Dali Yang | System and method for digital memorized predistortion for wireless communication |
US8064850B2 (en) | 2002-05-01 | 2011-11-22 | Dali Systems Co., Ltd. | High efficiency linearization power amplifier for wireless communication |
US8472897B1 (en) | 2006-12-22 | 2013-06-25 | Dali Systems Co. Ltd. | Power amplifier predistortion methods and apparatus |
US8380143B2 (en) | 2002-05-01 | 2013-02-19 | Dali Systems Co. Ltd | Power amplifier time-delay invariant predistortion methods and apparatus |
SE524408C2 (sv) * | 2002-06-19 | 2004-08-03 | Ericsson Telefon Ab L M | Effektiv generering av radiofrekventa strömmar |
KR100450744B1 (ko) | 2002-08-29 | 2004-10-01 | 학교법인 포항공과대학교 | 도허티 증폭기 |
KR100480496B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-04-07 | 학교법인 포항공과대학교 | 도허티 증폭기를 이용한 신호 증폭 장치 |
JP2004221646A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Nec Corp | ドハ−ティ増幅器 |
KR20040079597A (ko) * | 2003-03-08 | 2004-09-16 | 학교법인 포항공과대학교 | 적응 바이어스 제어 기술을 이용한 초고주파 도허티증폭장치 |
US7038539B2 (en) * | 2003-05-06 | 2006-05-02 | Powerwave Technologies, Inc. | RF amplifier employing active load linearization |
CN1853343B (zh) * | 2003-09-17 | 2012-01-11 | 日本电气株式会社 | 放大器 |
WO2005043747A2 (en) * | 2003-10-21 | 2005-05-12 | Wavics, Inc. | High linearity doherty communication amplifier with bias control |
US7339426B2 (en) * | 2004-03-19 | 2008-03-04 | Powerwave Technologies, Inc. | High efficiency linear amplifier employing dynamically controlled back off |
US7064615B2 (en) * | 2004-03-24 | 2006-06-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for doherty amplifier biasing |
US7440733B2 (en) * | 2004-04-09 | 2008-10-21 | Powerwave Technologies, Inc. | Constant gain nonlinear envelope tracking high efficiency linear amplifier |
US7123096B2 (en) * | 2004-05-26 | 2006-10-17 | Raytheon Company | Quadrature offset power amplifier |
US20060017509A1 (en) * | 2004-07-21 | 2006-01-26 | Veitschegger William K | Auxiliary transistor gate bias control system and method |
US7355470B2 (en) * | 2006-04-24 | 2008-04-08 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning |
US7327803B2 (en) | 2004-10-22 | 2008-02-05 | Parkervision, Inc. | Systems and methods for vector power amplification |
US7148746B2 (en) * | 2004-10-26 | 2006-12-12 | Andrew Corporation | High efficiency amplifier |
US7295065B2 (en) * | 2004-11-18 | 2007-11-13 | Beecem Communications Inc. | High efficiency doherty amplifier with a segmented main amplifier |
SE528473C2 (sv) * | 2005-02-28 | 2006-11-21 | Infineon Technologies Ag | Monolitiskt integrerad effektförstärkaranordning |
WO2007003219A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Freescale Semiconductor, Inc | Wireless communication unit, integrated circuit and biasing circuit therefor |
KR101122383B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2012-03-26 | 삼성전자주식회사 | 선형성 개선을 위한 멀티 모드용 전력 증폭기 |
JP2007053540A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Nec Corp | ドハティ型増幅器 |
US20070075780A1 (en) * | 2005-10-05 | 2007-04-05 | Enver Krvavac | Apparatus and method for adaptive biasing of a Doherty amplifier |
US8334722B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-12-18 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation and amplification |
US7911272B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-03-22 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including blended control embodiments |
US9106316B2 (en) | 2005-10-24 | 2015-08-11 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification |
US7831221B2 (en) * | 2005-12-13 | 2010-11-09 | Andrew Llc | Predistortion system and amplifier for addressing group delay modulation |
US8093946B2 (en) * | 2006-03-17 | 2012-01-10 | Nujira Limited | Joint optimisation of supply and bias modulation |
US7937106B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-05-03 | ParkerVision, Inc, | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including architectural embodiments of same |
US8031804B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-10-04 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF tower transmission, modulation, and amplification, including embodiments for compensating for waveform distortion |
JP4831571B2 (ja) * | 2006-05-02 | 2011-12-07 | 富士通株式会社 | 増幅器ユニット及びその故障検出方法 |
US7518448B1 (en) * | 2006-09-27 | 2009-04-14 | Nortel Networks Limited | Amplifier mode switch |
US20080122542A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Gregory Bowles | Enhanced amplifier with auxiliary path bias modulation |
JP2008147857A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高効率増幅器 |
KR101107888B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2012-01-25 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전력 증폭 장치 |
US9026067B2 (en) | 2007-04-23 | 2015-05-05 | Dali Systems Co. Ltd. | Remotely reconfigurable power amplifier system and method |
KR20100014339A (ko) | 2006-12-26 | 2010-02-10 | 달리 시스템즈 씨오. 엘티디. | 다중 채널 광대역 통신 시스템에서의 기저 대역 전치 왜곡 선형화를 위한 방법 및 시스템 |
US8274332B2 (en) | 2007-04-23 | 2012-09-25 | Dali Systems Co. Ltd. | N-way Doherty distributed power amplifier with power tracking |
WO2008144017A1 (en) | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification |
WO2008156800A1 (en) | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Parkervision, Inc. | Combiner-less multiple input single output (miso) amplification with blended control |
US8224266B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-07-17 | Dali Systems Co., Ltd. | Power amplifier predistortion methods and apparatus using envelope and phase detector |
JP5169122B2 (ja) * | 2007-10-09 | 2013-03-27 | 住友電気工業株式会社 | ドハティ増幅装置 |
CN102150361B (zh) * | 2007-12-07 | 2016-11-09 | 大力系统有限公司 | 基带导出的射频数字预失真 |
JP4950083B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2012-06-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高効率電力増幅器 |
JP5338262B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-11-13 | 日本電気株式会社 | 電力増幅器およびその増幅方法 |
US7944293B2 (en) * | 2008-12-11 | 2011-05-17 | Samsung Electro-Mechanics Company, Ltd. | Systems and methods for an adaptive bias circuit for a differential power amplifier |
WO2010084544A1 (ja) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | 日本電気株式会社 | 高周波増幅器、無線装置及び制御方法 |
WO2010125714A1 (ja) | 2009-04-28 | 2010-11-04 | パナソニック株式会社 | 電力増幅器 |
US8804870B2 (en) * | 2009-12-21 | 2014-08-12 | Dali Systems Co. Ltd. | Modulation agnostic digital hybrid mode power amplifier system and method |
CN102948081B (zh) | 2009-12-21 | 2016-06-01 | 大力系统有限公司 | 具有宽带功率放大器的远程射频头单元及方法 |
US8351877B2 (en) | 2010-12-21 | 2013-01-08 | Dali Systems Co. Ltfd. | Multi-band wideband power amplifier digital predistorition system and method |
US8542768B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-09-24 | Dali Systems Co. Ltd. | High efficiency, remotely reconfigurable remote radio head unit system and method for wireless communications |
US8447245B2 (en) | 2010-01-22 | 2013-05-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | Radio frequency transmitter having an amplifier with power supply modulation |
EP2372905B1 (de) * | 2010-04-01 | 2012-06-20 | Alcatel Lucent | Doherty-Verstärkeranordnung mit verbessertem Wirkungsgrad |
US8183929B2 (en) * | 2010-04-09 | 2012-05-22 | Viasat, Inc. | Multi-chip doherty amplifier with integrated power detection |
US8803599B2 (en) * | 2010-05-26 | 2014-08-12 | Stmicroelectronics, Inc. | Dendrite resistant input bias network for metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) devices |
JP5527047B2 (ja) | 2010-06-29 | 2014-06-18 | 富士通株式会社 | 増幅装置 |
JP2012034134A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 増幅器 |
US8682338B2 (en) | 2010-09-14 | 2014-03-25 | Dali Systems Co., Ltd. | Remotely reconfigurable distributed antenna system and methods |
WO2012139126A1 (en) | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification |
WO2012167111A2 (en) | 2011-06-02 | 2012-12-06 | Parkervision, Inc. | Antenna control |
US8829998B2 (en) * | 2012-10-23 | 2014-09-09 | Airspan Networks Inc. | Doherty power amplifier |
EP2980989A4 (de) * | 2013-03-26 | 2016-11-09 | Nec Corp | Leistungsverstärkungsvorrichtung und leistungsverstärkungsverfahren |
US9136804B2 (en) * | 2013-07-29 | 2015-09-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Switch-mode amplifier |
CN104348425A (zh) * | 2013-07-31 | 2015-02-11 | 展讯通信(上海)有限公司 | 一种实现多个射频功率放大单元的自适应兼容系统及方法 |
JP2015046795A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 株式会社東芝 | 電力増幅装置、及び電力増幅装置の制御方法 |
EP3047348A4 (de) | 2013-09-17 | 2016-09-07 | Parkervision Inc | Verfahren, vorrichtung und system für die darstellung einer datenträgerzeitfunktion |
JP2015104062A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 三菱電機株式会社 | 高効率増幅器 |
JP5833094B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-12-16 | 株式会社東芝 | 電力増幅装置、及び電力増幅装置の制御方法 |
CN105900334B (zh) * | 2014-01-16 | 2018-12-04 | 瑞典爱立信有限公司 | 用于调节峰值功率能力的方法和装置 |
JP2015220680A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 三菱電機株式会社 | 高効率増幅器 |
US9806681B2 (en) * | 2015-02-15 | 2017-10-31 | Skyworks Solutions, Inc. | Doherty power amplifier having AM-AM compensation |
JP6776709B2 (ja) | 2016-08-04 | 2020-10-28 | 富士通株式会社 | 電力増幅装置、半導体集積回路および電力増幅装置の制御方法 |
KR102029558B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2019-10-07 | 삼성전기주식회사 | 광대역 선형화가 개선된 파워 증폭 장치 |
KR20200114745A (ko) * | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 삼성전자주식회사 | 전력증폭기 소손 방지를 위한 전압 보호 회로 및 이를 포함하는 전자 장치 |
US11190154B2 (en) * | 2019-06-14 | 2021-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier circuit |
WO2024034682A1 (ja) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | 株式会社村田製作所 | ドハティ増幅回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2210028A (en) * | 1936-04-01 | 1940-08-06 | Bell Telephone Labor Inc | Amplifier |
JPH06507775A (ja) * | 1992-03-13 | 1994-09-01 | モトローラ・インコーポレイテッド | 電力増幅器結合回路 |
US5311143A (en) * | 1992-07-02 | 1994-05-10 | Motorola, Inc. | RF amplifier bias control method and apparatus |
US5420541A (en) * | 1993-06-04 | 1995-05-30 | Raytheon Company | Microwave doherty amplifier |
US5568086A (en) * | 1995-05-25 | 1996-10-22 | Motorola, Inc. | Linear power amplifier for high efficiency multi-carrier performance |
-
1996
- 1996-06-28 US US08/672,710 patent/US5757229A/en not_active Expired - Lifetime
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1997
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