DE69733411T2 - Störisolierungsschaltung - Google Patents

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Ein-/Ausgabe(I/O)-Schaltkreise, und spezieller einen I/O-Schaltkreis, der von zu einer vorhersagbaren Zeit nach einer Zustandsänderung auftretendem Rauschen isoliert ist.
  • 2. Relevanter Hintergrund
  • Digitale Schaltkreise empfangen und verarbeiten logische Signale. Diese logischen Signale umfassen zwei oder mehr "Zustände" oder logische Niveaus, wo jeder Zustand typischerweise durch eine eindeutige elektrische Spannung dargestellt wird. Die meisten digitalen Schaltkreise sind binär, mit zwei Zuständen (d.h. logisches HOCH und logisches TIEF), die durch zwei elektrische Spannungen dargestellt werden. Um Strom zu sparen, die Schaltkreisdichte auf Chips zu erhöhen und die Schaltgeschwindigkeit der logischen Schaltkreise zu erhöhen, besteht ein Trend zur Verringerung der Spanne zwischen den beiden elektrischen Spannungen. Üblicherweise erhältliche Schaltkreise verwenden 3,3 V und 0,0 V Stromzufuhrsammelschienen, die eine Spanne zwischen logischen Niveaus von etwa 3 V zulassen.
  • Eine grundlegende Fähigkeit jedes logischen Schaltkreises ist seine Fähigkeit, zwischen der Spannung zu unterscheiden oder einen Unterschied zu machen, die jeden der logischen Zustände darstellt. Im Fall binärer Logik können die logischen Signale theoretisch durch Vergleich mit einer Referenz unterschieden werden; je mehr jedoch die Spanne zwischen Logikniveauspannungen abnimmt, desto problematischer wird dieser Vergleich.
  • Auch ist, wenn mehr als zwei logische Niveaus verwendet werden, die Differenz zwischen benachbarten Logikniveauspannungen schwierig zu unterscheiden. In diesen Schaltkreisen wird der Logikniveaudiskriminator in steigendem Maß empfindlich für Rauschen, insbesondere Rauschen, das die Spannung an den Stromzufuhrsammelschienen beeinflusst.
  • Beispielsweise wird in einem dynamischen RAM-Schaltkreis (DRAM-Schaltkreis) eine ganze Reihe von Speicherzellen auf einmal adressiert, unter Verwendung einer Reihenadressierleitung. Jede Reihenadressierleitung erstreckt sich über einen Speicherchip zu Hunderten von Speicherschaltkreisen. Die Reihenadressierleitung hat eine signifikante Kapazität und die Speicherschaltkreise selbst sind eine signifikante kapazitive Last. Von daher verursacht der Reihenaddressiervorgang einen signifikanten Stromfluss in der Verdrahtung der Stromversorgungssammelschiene und einen entsprechenden Stromwiderstands(IR)-Spannungsverlust in der Sammelschienenverdrahtung. Der Spannungsverlust führt zu einer inkorrekten Unterscheidung zwischen logischen Niveaus für eine kurze Zeitspanne nach dem Auftreten des Reihenadressiersignals, wenn nicht Schritte unternommen werden, um sicherzustellen, dass die Stromversorgungssammelschienen nicht durch die Signalübertragung belastet werden.
  • Vorangehende Schaltkreise versuchen, das Sammelschienenbelastungsproblem durch unabhängiges Lenken (Routing) von Strom (VDD) – und Erde (VSS) – Sammelleitungen über den integrierten Schaltkreis zu lösen. Auf diese Weise werden Schaltkreise, die zur Unterscheidung von Logikniveaus verwendet werden, an Spannungsversorgungssammelschienen gekoppelt, die von den belasteten Versorgungssammelschienen getrennt sind.
  • Ein unabhängiges Routing verbraucht jedoch mehr Chipfläche, was zu größeren, teureren Chips führt. Auch kann unabhängiges Routing den Strom- und Erde-Gesamtwirksamkeitsgrad verringern.
  • Eine andere Lösung ist die Verwendung von Schmitt-Triggern in den Diskriminatorschaltkreisen. Ein Schmitt-Trigger ist im Wesentlichen ein Komparator mit Hysterese. Schmitt-Trigger reduzieren jedoch nur die Rauschempfindlichkeit und beseitigen sie nicht. Da sie Hysterese einbringen, verringern sie die Eingangsniveauspanne, wodurch sie weniger effizient werden, wenn die Spanne der elektrischen Spannung zwischen den logischen Niveaus sich verringert.
  • Eine andere Lösung ist die Verwendung von "Störspitzenbeseitigungs"- oder "Spannungssprungbeseitigungs"-Schaltkreisen. Diese Schaltkreise fügen im Wesentlichen eine Verzögerung in Reihe mit dem Eingang hinzu, bevor ein gültiges Ausgangssignal verfügbar gemacht wird. Bespielsweise würde in einem Speicherschaltkreis ein Störspitzenbeseitigungsschaltkreis einen Datenausgang erst nach einer Verzögerung, die zum Stabilisieren der Stromversorgungssammelschienen ausreicht, gültig machen. Während diese Schaltkreise einen gültigen Datenausgang sicherstellen, fügen sie per Definition Verzögerung und langsames Ansprechen des Systems hinzu. Von daher besteht weiterhin ein Bedarf an einem Ein-/Ausgabeschaltkreis, der rauschunempfindlich ist, aber dennoch keine übermäßige Verzögerung hinzufügt oder die Eingangsniveauspanne verringert.
  • In EP-A-O 237 989 ist ein Empfänger für einen integrierten Schaltkreis gemäß der Einleitung von Anspruch 1 beschrieben. Spezifischer offenbart EP-A-O 237 898 einen LSI-Chipschaltkreis, der einen Eingangspuffer umfasst, der ein externes Eingangssignal empfängt und in Reaktion darauf ein gepuffertes Eingangssignal erzeugt, wobei der Puffer selektiv durch ein Steuersignal befähigt wird, ein Latch, das das gepufferte Eingangssignal empfängt und ein gelatchtes Ausgangssignal erzeugt, einen Verzögerungsschaltkreis, der gekoppelt ist, um das gelatchte Ausgangssignal zu empfangen, und einen Komparator, der sowohl das gelatchte Ausgangssignal als auch das verzögerte Signal empfängt und der einen Ausgang aufweist, der mit dem Eingangspuffer gekoppelt ist, um das Steuersignal zu erzeugen.
  • Ein Verfahren zum Empfangen eines Signals in einem integrierten Schaltkreis gemäß der Einleitung von Anspruch 6 ist auch von EPA-0 237 898 bekannt.
  • Das Hauptziel der vorliegenden Erfindung ist die Überwindung des vorgenannten Problems der Bereitstellung eines Schaltkreises, der unempfindlich für zu einer vorhersagbaren Zeit nach einer Zustandsänderung stattfindendes Rauschen ist, ohne die Eingangsniveauspanne zu verringern.
  • Zur Erzielung dessen ist der erfindungsgemäße Empfänger durch die in dem kennzeichnenden Teil von Anspruch 1 beanspruchten Merkmale gekennzeichnet und verschafft die Erfindung ein Verfahren gemäß dem kennzeichnenden Teil von Anspruch 6.
  • Grundlegend umfasst gemäß der Erfindung der Eingangspuffer einen CMOS-Inverter, einen ersten Schalter, der zwischen dem CMOS-Inverter und einer VDD-Spannungsversorgung gekoppelt ist, wobei der erste Schalter eine Steuerelektrode aufweist, um das Steuersignal zu empfangen, und einen zweiten Schalter, der zwischen dem CMOS-Inverter und einer VSS-Spannungsversorgung gekoppelt ist, wobei der zweite Schalter eine Steuerelektrode aufweist, um das Steuersignal zu empfangen.
  • Ein Verzögerungsschaltkreis ist gekoppelt, um das gelatchte Ausgangssignal zu empfangen und ein verzögertes Signal zu erzeugen. Ein Komparator ist gekoppelt, um sowohl das gelatchte Ausgangssignal als auch das verzögerte Signal zu empfangen. Der Komparator weist einen Ausgang auf, der mit dem Eingangspuffer gekoppelt ist, um das Steuersignal zu erzeugen.
  • Die vorliegende Erfindung beinhaltet auch ein Verfahren zum Empfangen eines Signals in einem integrierten Schaltkreis. Das empfangene Signal wird von einem Verstärker verstärkt und an ein Latch gekoppelt. Der Verstärker wird als Reaktion auf eine Veränderung im Zustand des gelatchten Signals von dem Latch entkoppelt. Nach einer vorgewählten Zeitdauer wird der Verstärker wieder an den Latch gekoppelt.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 illustriert in Blockdiagrammform einen Rauschisolationsschaltkreis in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung;
  • 2 illustriert ein Logikschaltkreisdiagramm, das die in 1 gezeigte Ausführung verwirklicht;
  • 3 illustriert ein schematisches Diagramm, das den Logikschaltkreis von 2 verwirklicht;
  • 4 illustriert ein Timingdiagramm eines Logikschaltkreises des Standes der Technik;
  • 5 illustriert ein Timingdiagramm eines Schaltkreises in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung;
  • 6 illustriert ein Timingdiagramm beispielhafter Steuersignale, die von einem Schaltkreis in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung erzeugt wurden.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die vorliegende Erfindung beinhaltet einen Rauschisolationsschaltkreis, der so wirkt, dass er gültige Daten latcht, wenn sie zuerst verfügbar sind, und den gelatchten Ausgang daran hindert, sich während Zeitspannen, wo Rauschen erwartet wird, zu verändern. Solch erwartetes Rauschen tritt in Schaltkreisen auf, wenn die Stromversorgungen zu vorhersagbaren Zeiten belastet werden. Die vorliegende Erfindung ist jedoch auf jeden Schaltkreis beziehungsweise jede Situation anwendbar, worin das Auftreten vorhersagbaren Rauschens für eine bekannte Zeitdauer nach der Zustandsveränderung des Signals auftritt.
  • Die vorliegende Erfindung wird in dem Empfängerteil eines Ein-/Ausgabe(I/O)-Geräts verwendet. Wenn als Eingang verwendet, so isoliert der Schaltkreis in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung selektierte Schaltkreistechnik von aus einer vorangehenen Stufe erzeugtem Rauschen. Wenn als Ausgang verwendet, so isoliert der Schaltkreis in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung externe Schaltkreistechnik von intern in dem Chip erzeugtem Rauschen. Diese Anwendungen sind im Wesentlichen äquivalent.
  • 1 illustriert eine Ausführung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung in Blockdiagrammform. Ein Eingangspuffer 101 ist gekoppelt, um ein externes Eingangssignal zu empfangen. Der Eingangspuffer 101 hat Stromverbindungspunkte, die an eine erste Stromversorgung VCC und an eine zweite, in 1 auf Erdepotential befindliche, Stromversorgung gekoppelt sind. Die zweite Stromversorgung wird als VSS bezeichnet und kann in manchen Systemen eine negative Spannung sein. In konventionellen Schaltkreisen wird der Puffer 101 direkt an die Stromversorgungen gekoppelt, sodass er eine konstante Stromquelle empfängt und konstant aktiviert und betriebsbereit bleibt. In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist jedoch ein erster Schalter 102 in Reihe zwischen einem Stromverbindungspunkt von Puffer 101 und der ersten Stromversorgung VCC gekoppelt. Ein zweiter Schalter 103 ist in Reihe mit einem zweiten Stromverbindungspunkt von Puffer 101 und der VSS-Stromversorgung gekoppelt. VCC ist typischerweise eine positive Stromversorgung, während VSS negativ oder Erde ist. In typischen Anwendungen ist VDD 5 Volt oder 3,3 Volt, während VSS Erde ist.
  • Der Eingangspuffer 101 ist als ein invertierender Verstärker gezeigt, obwohl andere Eingangspufferschalttechnik bekannt ist und äquivalent zu der gezeigten besonderen Ausführung sein kann. In der gesamten Beschreibung der bevorzugten Ausführung sind spezifische Polaritäten notiert und sind invertierende oder nicht invertierende Ausgänge und Eingänge zu jedem der Geräte dargestellt, obwohl es verstanden werden sollte, dass Inversion eine Frage der Gestaltungswahl ist und entweder verwendet werden kann oder nicht, solange die Ausgangsfunktionalität erzielt wird.
  • Der Ausgang des Eingangspuffers 101 ist an das Latch 104 gekoppelt. Der Puffer 101 enthält Ausgangstreiber, die eine ausreichend niedrige Impedanz haben, um den Zustand von Latch 104 zu ändern. Das Latch 104 ist asynchron, da es kein Taktsignal benötigt und dazu dient, welches Signal auch immer zu latchen, das von Puffer 101 angelegt wird, wenn der Puffer 101 aktiviert ist. Wenn jedoch die Schalter 102 und 103 ausgeschaltet sind, ist der Puffer 101 deaktiviert und kann nicht treiben oder den Zustand von Latch 104 ändern. In diesem Fall wird das Latch 104 in seinem bestehenden Zustand bleiben, bis der Eingangspuffer 101 reaktiviert wird.
  • Der Ausgang von Latch 104 ist an einen Ausgangstreiber 106 gekoppelt, der Verstärkerschalttechnik enthält, welche ausreicht, um das Ausgangssignal auf externe Schalttechnik (nicht dargestellt) zu treiben. Der Ausgangstreiber 106 verschafft auch die korrekte Polarität für das Ausgangssignal, sodass der Ausgang zu der Eingangspolarität passt.
  • Der Ausgang von Latch 104 ist auch an einen durch die Verzögerung 107 und Vergleichsschaltung 110 gebildeten Steuerschaltkreis gekoppelt. Die Verzögerungsschaltung 107 verschafft oder generiert eine verzögerte Version des gelatchten Signals an seinem Ausgang. In der bevorzugten Ausführung invertiert die Verzögerungsschaltung 107 auch das Latchsignal, sodass in stetigem Zustand der Eingang zur Vergleichsschaltung 110 stets derselbe ist. Die Vergleichsschaltung 110 umfasst Verknüpfungslogik, die, in der bevorzugten Ausführungsform, ein logisches Hoch erzeugt, wenn beide Eingänge zu Vergleichsschaltung 110 dieselben sind. Die Vergleichsschaltung 110 erzeugt ein logisches Tief, wenn die binären Zustände der Eingänge sich voneinander unterscheiden. Im allgemeinen verschafft die Vergleichsschaltung 110 eine Funktion vom exklusiven ODER-Typ mit einem invertierten Ausgang. Die Vergleichsschaltung 110 gibt ein Steuersignal an dem Verbindungspunkt 124 ab, der an den Schalter 102 gekoppelt ist. Das Steuersignal an Verbindungspunkt 124 wird auch durch den Inverter 116 an den Schalter 103 mittels des Verbindungspunkts 125 gekoppelt.
  • Im Betrieb, wenn der Eingang zu Puffer 101 sich ändert, wird das neue Signal gelatcht und in dem Latch 104 gehalten. Die Verzögerungsschaltung 107 stellt sicher, dass die Eingänge zur Vergleichsschaltung 110 für eine vorgewählte Zeitspanne (bestimmt durch die Verzögerung 107), nachdem der Ausgang von Latch 104 sich ändert, unterschiedliche logische Zustände haben. Die Vergleichsschaltung 110 erzeugt dann ein Steuersignal 124, das den Schalter 102 während der vorgewählten Zeitspanne deaktiviert. Gleichermaßen schaltet das invertierte Steuersignal auf Leitung 125 den Schalter 103 während der vorgewählten Zeitspanne ab. Von daher ist der Eingangspuffer 101 während der vorgewählten Zeit deaktiviert oder entaktiviert und kann den Ausgang von Latch 104 oder Ausgangstreiber 106 nicht ändern. Die von der Verzögerungsschaltung 107 bereitgestellte Verzögerung ist so gewählt, dass sie von ausreichender Dauer ist, um das Stabilisieren etwaiger Stromschwankungen auf den VDD- oder VSS-Stromversorgungssammelschienen zu gestatten.
  • 2 zeigt den Schaltkreis von 1 auf einem Gate-Niveau-Logikdiagramm. Das Latch 104 wird praktischerweise durch ein Paar in einem regenerativen Schaltkreis gekoppelter Inverter 201 und 202 verschafft. Vorteilhafterweise ist der Inverter 201 ein schwacher Inverter im Vergleich zu Inverter 202. Diese Anordnung gestattet es dem Eingangspuffer 101, ein Signal nur dann auf das Latch zu treiben, wenn der Puffer 101 aktiviert ist, während das Latch 104 unempfindlich für Veränderungen im Ausgang von Puffer 101 gemacht wird, wenn der Puffer 101 deaktiviert ist. In einer spezifischen Verwirklichung umfasst der Ausgangspuffer 106 ein Paar in Reihe geschalteter Inverter, die so dimensioniert sind, dass sie die erforderliche Ausgangsimpedanz vorsehen.
  • Die Vergleichsschaltung 110 wird praktischerweise durch ein ODER-Gate 203 gebildet, das das verzögerte Signal von der Verzögerung 107 und das gelatchte Signal von Latch 104 empfängt. Ein NICHT-UND-Gate 204 empfängt ebenfalls das verzögerte Signal von der Verzögerung 107 und das gelatchte Signal von Latch 104. Die Ausgänge der Gates 203 und 204 werden als Eingänge zu dem NICHT-UND-Gate 205 gekoppelt. Der Ausgang von Gate 205 wird an den Verbindungspunkt 124 gekoppelt. Die in 2 gezeigte, die Logikschaltung verwirklichende Vergleichsschaltung 110 ist nur ein Beispiel und illustriert einen praktischen Schaltkreis zur Verwirklichung der oben beschriebenen Verknüpfungslogik. Es sind jedoch äquivalente Schaltkreise bekannt und können abhängig von der verwendeten besonderen Logiktechnologie wünschenswerter sein. Wie in 3 gezeigt, ist die Verwirklichung der vorliegenden Erfindung unter Verwendung von CMOS-Technologie beabsichtigt. Die in 2 gewählten Gates sind in erster Linie gewählt, um die Schalttechnik zur Verwirklichung in CMOS-Technologie zu vereinfachen.
  • Wie in 3 gezeigt, ist die Verzögerungsschaltung 107 als eine Vielzahl von in Reihe gekoppelten Invertern verwirklicht. In der bevorzugten Ausführung wird eine ungerade Zahl von Invertern verwendet, sodass der Dauerzustandsausgang von Verzögerung 107 im Vergleich zu dem Dauerzustandsausgang des Latchs invertiert ist. Dies kann, falls gewünscht, mit geeigneten Modifikationen an der übrigen Schalttechnik verändert werden. Es kann jede beliebige Anzahl von Verzögerungszuständen in der Verzögerungsschaltung 107 verwendet werden, um jede gewünschte Verzögerung zu verschaffen, solange der Eingangspuffer 101 in ausreichender Zeit reaktiviert wird, um das nächste Signal zu empfangen.
  • Das ODER-Gate 203 wird durch ein CMOS-NICHT-ODER-Gate gebildet, das Transistoren 301, 302, 303 und 304 umfasst. Die Gates der Transistoren 301 und 304 sind an den Ausgang von Latch 104 gekoppelt. Die Gates der Transistoren 302 und 303 sind an den Ausgang der Verzögerungsschaltung 107 gekoppelt. Der Ausgang des CMOS-NICHT-ODER-Gates ist von dem Drain von 304 an den Eingang des CMOS-Inverters 111 gekoppelt. Die Einzelheiten von CMOS 111 sind nicht gezeigt und sind in der Industrie wohlbekannt.
  • Das NICHT-UND-Gate 204 wird von Transistoren 307, 308, 309 und 306 gebildet. Die Gates der Transistoren 307 und 308 sind an den Ausgang der Verzögerungsschaltung 107 gekoppelt. Die Gates der Transistoren 306 und 309 sind an den Ausgang von Latch 104 gekoppelt. Der Ausgang des NICHT-UND-Gates 204 ist an den Eingang des NICHT-UND-Gates 205 gekoppelt. Das NICHT-UND-Gate 205 umfasst Transistoren 311, 312, 313 and 314. Ein Eingang des NICHT-UND-Gates 205 wird durch die Gates der Transistoren 311 und 312 gebildet, während der zweite Eingang des NICHT-UND-Gates 205 durch die Gates der Transistoren 313 und 314 gebildet wird. Der Ausgang des NICHT-UND-Gates 205 ist der Verbindungspunkt 124, der zum Schalter 102 zurückgekoppelt wird, um ein negativ werdendes Steuersignal zu Schalter 102 zu verschaffen.
  • Der Schalter 102 ist ein P-Kanal-Transistor in der bevorzugten Ausführung und ist daher an, während ein logisches Tief-Signal an Leitung 124 angelegt wird. Der Schalter 103 umfasst einen N-Kanal-Transistor, der an ist, während ein logisches Hoch-Signal an den Verbindungspunkt 125 angelegt wird. Der in 3 gezeigte Schaltkreis 100 erzeugt ein logisches Tief an Verbindungspunkt 124 und ein logisches Hoch an Verbindungspunkt 125 während des stabilen Zustands (d.h. während sowohl der Eingang als auch der verzögerte Eingang denselben logischen Wert haben), mit entgegengesetzten Zuständen für die vorgewählte Zeitspanne, nachdem der Eingang zu Puffer 101 seinen Zustand ändert.
  • 46 illustrieren Wellendiagramme, die Vorteile des Rauschisolationsschaltkreises in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung zeigen. 4 ist eine Vorrichtung des Standes der Technik ohne Rauschimmunität. In jeder der 46 stellt die horizontale Achse die Zeit und die vertikale Achse die Spannung dar. Zur Zeit 01 hat das Eingangssignal Vin den Wechsel von einem logischen Tief zu einem logischen Hoch abgeschlossen. Nach einer kurzen Dauer zu Zeitspanne 03 nähert sich das fettgedruckt dargestellte Ausgangssignal ebenfalls einem logischen Hoch-Niveau. Annähernd zur Zeit 05 tritt eine Rauschspitze an den Stromversorgungssammelschienen auf, die die VSS-Stromversorgung auf annähernd 1 Volt und die VCC-Stromversorgung auf annähernd 4 Volt zwingt. Es ist ersichtlich, dass während dieser Zeitspanne das Eingangssignal Vin viel dichter bei VSS als bei VCC ist. Dies führt zu einer unkorrekten Bestimmung des logischen Niveaus von Vin, was den Ausgang zwingt, zur Zeit 08 plötzlich auf ein logisches Tief zu schalten. Sobald die Stromversorgungsspitze sich stabilisiert hat, kehrt Vout wieder zu dem korrekten logischen Wert zurück.
  • Etwa zur Zeit 20 tritt ein negativ werdender Rauschpuls auf den Stromversorgungsleitungen auf. während dieser Stromspitze ist Vin viel näher an VCC als an VSS, was zu einer unkorrekten Unterscheidung des logischen Niveaus von Vin führt. Vout reagiert, indem es nach oben zu einem logischen Hoch springt, bis das Stromversorgungsrauschen abklingt. Nach dem Stabilisieren des Stromversorgungsrauschens kehrt Vout zu dem korrekten Wert zurück.
  • 5 illustriert eine korrigierte, rauschimmune Wellenform, erzeugt von Schaltkreis 100 in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung. Im Vergleich von 4 und 5 ist deutlich ersichtlich, dass das zu den Zeiten 05 und 20 auftretende Stromversorgungsrauschen nicht die Ausgangsspannung von Vout beeinflusst. Wie in 6 gezeigt, sind die von Schaltkreis 100 an den Verknüpfungspunkten 124 und 125 erzeugten Signale für die in 5 gezeigte überlegene Leistung und Rauschimmunität verantwortlich. Zur Zeit 03, gleichzeitig mit der Ausgangsänderung, fällt das Steuersignal auf der Leitung 124 auf ein logisches Tief ab, während das Steuersignal auf Leitung 125 auf ein logisches Hoch ansteigt. Dies führt zur Deaktivierung der Schalter 102 und 103 und Deaktivierung des Eingangspuffers 101. Der Eingangspuffer 101 bleibt in dem in 6 gezeigten Beispiel deaktiviert bis etwa zur Zeit 11. Nach Zeit 11 ist genügend Zeit verstrichen, seit die Spannungen an der Stromversorgung stabil sind.
  • Gleichermaßen fällt während der negativ werdenden Stromversorgungsspitzen das Steuersignal auf Leitung 125 auf ein logisches Tief ab, während das Steuersignal auf Leitung 124 gleichzeitig mit der Ausgangsspannungsänderung auf ein logisches Hoch geht, wobei es den Eingangspuffer 101 deaktiviert. Der Eingangspuffer 101 bleibt während der Versorgungsspannungsspitze deaktiviert, was zu einer korrekten Ausgangsspannung von dem Schaltkreis in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung führt.
  • Obwohl die Erfindung mit einem gewissen Grad an Besonderheit beschrieben wurde, versteht es sich, dass die vorliegende Offenbarung nur als Beispiel vorgelegt wurde.

Claims (8)

  1. Verstärker für einen integrierten Schaltkreis, umfassend: einen Eingangspuffer (101-103), der einen Eingang aufweist, der gekoppelt ist, um ein externes Eingangssignal zu empfangen, und einen Ausgang, der gekoppelt ist, um dem externen Eingangssignal entsprechend ein gepuffertes Eingangssignals zu erzeugen, wobei der Eingangspuffer (101-103) durch ein Steuersignal (124) auf selektive Weise aktiviert wird, ein Latch (104), das gekoppelt ist, um das gepufferte Eingangssignal zu empfangen und aus dem gepufferten Eingangssignal ein gelatchtes Ausgangssignal zu erzeugen, eine Verzögerungsschaltung (107), die gekoppelt ist, um das gelatchte Ausgangssignal zu empfangen, und einen Ausgang, der gekoppelt ist, um ein verzögertes Signal zu erzeugen, und einen Komparator (110), der Eingänge aufweist, die gekoppelt sind, um sowohl das gelatchte Ausgangssignal als auch das verzögerte Signal zu empfangen, wobei der Komparator (110) einen Ausgang aufweist, der mit dem Eingangspuffer (101-103) gekoppelt ist, um das Steuersignal (124) zu erzeugen, dadurch gekennzeichnet, dass der Eingangspuffer (101-103) umfasst: einen CMOS-Inverter (101), einen ersten Schalter (102), der zwischen dem CMOS-Inverter (101) und einer VDD-Spannungsversorgung (VCC) gekoppelt ist, wobei der erste Schalter (102) eine Steuerelektrode aufweist, um das Steuersignal (124) zu empfangen, und einen zweiten Schalter (103), der zwischen dem CMOS-Inverter (101) und einer VSS-Spannungsversorgung gekoppelt ist, wobei der zweite Schalter (103) eine Steuerelektrode aufweist, um das Steuersignal (124) zu empfangen.
  2. Empfänger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass er außerdem eine Ausgangstreiberschaltung (106) umfasst, die gekoppelt ist, um das gelatchte Ausgangssignal zu empfangen, und einen Ausgang, der gekoppelt ist, um eine Ausgabe an eine externe Schaltung zu erzeugen.
  3. Empfänger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste CMOS-Inverter (101) einen Eingang aufweist, der gekoppelt ist, um das externe Eingangssignal zu empfangen, und einen Ausgang, der gekoppelt ist, um das gepufferte Eingangssignal zu erzeugen, der erste Schalter (102) einen P-Kanal-FET (102) umfasst, der zwischen dem CMOS-Inverter (101) und der VDD-Spannungsversorgung (VCC) gekoppelt ist, wobei der P-Kanal-FET (102) eine Gateelektrode zum Empfangen des Steuersignals (124) aufweist, der Eingangspuffer außerdem einen zweiten CMOS-Inverter (116) umfasst, der einen Eingang aufweist, der gekoppelt ist, um das Steuersignal (124) zu empfangen, und einen Ausgang, der gekoppelt ist, um ein Inverter-Steuersignal (125) zu erzeugen, und der zweite Schalter (103) einen N-Kanal-FET (103) umfasst, der zwischen dem CMOS-Inverter (101) und der VSS-Spannungsversorgung gekoppelt ist, wobei der N-Kanal-FET (103) eine Gateelektrode zum Empfangen des invertierten Steuersignals (125) aufweist.
  4. Empfänger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verzögerungsschaltung (107) eine Vielzahl von in Reihe gekoppelten CMOS-Invertern umfasst.
  5. Empfänger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Komparator (110) ein exklusives ODER-Gate (203, 204) mit zwei Eingängen umfasst, mit einem ersten Eingang, der mit dem verzögerten Signal gekoppelt ist, einen zweiten Eingang, der mit dem gelatchten Ausgangssignal gekoppelt ist, und einem Umkehrausgang, der das Steuersignal (124) ausgibt.
  6. Verfahren zum Empfangen eines Signals in einem integrierten Schaltkreis, umfassend: das Verstärken (101) des empfangenen Signals durch einen Eingangspuffer (101-103), das Koppeln des verstärkten Signals mit einem Latch (104), und das Latchen (104) des verstärkten Signals, dadurch gekennzeichnet, dass es umfasst: das Bereitstellen der Verstärkerfunktion durch einen CMOS-Inverter (101) des Eingangspuffers (101-103), das Koppeln eines ersten Schalters (102) des Eingangspuffers (101-103) zwischen dem CMOS-Inverter (101) und einer VDD-Spannungsversorgung (VCC), das Koppeln eines zweiten Schalters (103) des Eingangspuffers (101-103) zwischen dem CMOS-Inverter (101) und einer VSS-Spannungsversorgung, das Entkoppeln (102, 103) des verstärkten Signals von dem Latch (104) einer Änderung im Zustand des gelatchten Signals entsprechend, und nach einer vorgewählten Zeitdauer (107), das Wiederkoppeln (102, 103) des verstärkten Signals mit dem Latch (104).
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Entkoppelns das Deaktivieren des Verstärkers (101) umfasst, der die Verstärkerfunktion bereitstellt.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass es außerdem die Schritte umfasst des: Erzeugens (107) eines verzögerten verstärkten Signals, das um die vorgewählte Zeitdauer verzögert ist, Vergleichens (110) des verzögerten verstärkten Signals mit dem verstärkten Signal, dem Vergleichsschritt entsprechend, Durchführens des Entkopplungsschritts (102; 103), wenn das verzögerte verstärkte Signal vom verstärkten Signal abweicht, und dem Vergleichsschritt (110) entsprechend, Durchführens des wiederkopplungsschritts wenn das verzögerte verstärkte Signal im Wesentlichen dem verstärkten Signal gleicht.
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DE (1) DE69733411T2 (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1148790A2 (de) * 1999-02-08 2001-10-31 Unilever Plc Kalt gebrühter tee
GB9902777D0 (en) * 1999-02-08 1999-03-31 Unilever Plc Cold water infusing leaf tea
CN1086916C (zh) * 1999-12-02 2002-07-03 王芳 天然茶精的制备方法
US6699977B1 (en) 2000-06-09 2004-03-02 Cp Kelco Aps Low methoxyl pectins, processes thereof, and stabilized aqueous systems comprising the same
US20060204616A1 (en) * 2003-04-15 2006-09-14 Novozymes A/S Tea production process
US20050074520A1 (en) * 2003-10-01 2005-04-07 Sensient Flavors Inc. Method for the production of natural botanical extracts
US20050074521A1 (en) * 2003-10-01 2005-04-07 Sensient Flavors Inc. Method for the production of natural botanical extracts
US20050074519A1 (en) * 2003-10-01 2005-04-07 Sensient Flavors Inc. Method for the production of natural botanical extracts
US7232585B2 (en) * 2004-06-24 2007-06-19 Xel Herbaceuticals, Inc. Green tea formulations and methods of preparation
US20060088627A1 (en) * 2004-10-25 2006-04-27 Sensient Flavors Inc. Methods for the production of food grade extracts
JP4562682B2 (ja) * 2006-04-17 2010-10-13 花王株式会社 精製緑茶抽出物の製造法
CN101189990B (zh) * 2006-11-28 2010-06-30 大闽食品(漳州)有限公司 一种速溶茶粉的加工方法
JP5649789B2 (ja) * 2009-01-29 2015-01-07 高砂香料工業株式会社 茶類エキス及びその製造方法
AU2011316803B2 (en) 2010-10-22 2015-04-02 Bepex International, Llc System and method for the continuous treatment of solids at non-atmospheric pressure
CN102210361B (zh) * 2011-06-30 2012-10-03 云南益康生物科技有限公司 一种新鲜茶叶细胞破壁制作方法
CN102293281B (zh) * 2011-06-30 2013-03-20 云南益康生物科技有限公司 一种鲜茶叶食品和速溶鲜茶叶精的制作方法
JP6309234B2 (ja) * 2013-09-27 2018-04-11 ポッカサッポロフード&ビバレッジ株式会社 乳化剤含有コーン茶飲料の製造方法
WO2015044081A2 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Unilever Plc Preservative free, acid stable, tea and honey concentrate

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2863775A (en) * 1954-09-09 1958-12-09 Transcontinental Dev Company Method of production of tea concentrate directly from tea leaves when the leaves arein a green state, and product of said method
US2831772A (en) * 1956-03-22 1958-04-22 Afico Sa Beverage preparation
GB1249932A (en) * 1969-07-10 1971-10-13 Tenco Brooke Bond Ltd Enzymatic solubilisation of tea cream
US3959497A (en) * 1970-07-30 1976-05-25 The Coca-Cola Co. Enzymatic solubilization of tea cream
GB1380135A (en) * 1971-03-05 1975-01-08 Unilever Ltd Cold water soluble tea
CA995512A (en) * 1972-01-31 1976-08-24 Gary W. Sanderson Tea
US3812266A (en) * 1972-01-31 1974-05-21 Lipton T Inc Green tea conversion using tannase and natural tea enzymes
DE2610533A1 (de) * 1975-03-17 1976-10-07 Unilever Nv Verfahren zur herstellung von mit kaltem wasser extrahierbaren teeblaettern
US4051264A (en) * 1975-09-05 1977-09-27 Thomas J. Lipton, Inc. Cold water extractable tea leaf and process
US4478939A (en) * 1981-12-24 1984-10-23 Novo Industri A/S SPS, SPS-ase and method for producing SPS-ase
US4483876A (en) * 1983-05-03 1984-11-20 Novo Industri A/S Enzymatic method for production of instant tea
US4639375A (en) * 1983-08-12 1987-01-27 The Procter & Gamble Company Enzymatic treatment of black tea leaf
JPS61133724A (ja) * 1984-12-03 1986-06-21 Nec Corp 半導体集積回路
JPS62214714A (ja) * 1986-03-15 1987-09-21 Fujitsu Ltd ノイズ対策回路を備えたlsi装置
JPH0197014A (ja) * 1987-10-09 1989-04-14 Toshiba Corp 半導体集積回路
JPH04130514A (ja) * 1990-09-20 1992-05-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0537342A (ja) * 1991-07-29 1993-02-12 Nec Kyushu Ltd 半導体論理入力回路
US5445836A (en) * 1994-05-12 1995-08-29 Kraft Foods, Inc. Enzymatic clarification of tea extracts

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