JPH04130514A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04130514A JPH04130514A JP2252571A JP25257190A JPH04130514A JP H04130514 A JPH04130514 A JP H04130514A JP 2252571 A JP2252571 A JP 2252571A JP 25257190 A JP25257190 A JP 25257190A JP H04130514 A JPH04130514 A JP H04130514A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- level
- signal
- input
- ext
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の回路に関するものである。
第2図は半導体装置の標準的な入カバソファの一例であ
り、入カバソファのVSSラインは他の回路のVStラ
インと共通になっていて、他の回路の動作状態でVSS
ラインにスパイクノイズが発生し、さらにExt−in
端子がTTLレベルであると、入力バッファ回路の状態
が不安定になり、バッファ回路の出力信号Xも不安定に
なり内部回路誤動作する可能性があり、また、TTLレ
ベルスタンバイ電流も多く流れていた。
り、入カバソファのVSSラインは他の回路のVStラ
インと共通になっていて、他の回路の動作状態でVSS
ラインにスパイクノイズが発生し、さらにExt−in
端子がTTLレベルであると、入力バッファ回路の状態
が不安定になり、バッファ回路の出力信号Xも不安定に
なり内部回路誤動作する可能性があり、また、TTLレ
ベルスタンバイ電流も多く流れていた。
〔発明が解決しようとする[i)
従来の半導体装置は上記のように構成されているので、
内部回路の動作状態とE xt −inの状態でバッフ
ァ出力信号にノイズが発生して、内部回路に誤動作が生
じたり、TTLレベルスタンバイ電流が多く流れるなど
の問題点があった。
内部回路の動作状態とE xt −inの状態でバッフ
ァ出力信号にノイズが発生して、内部回路に誤動作が生
じたり、TTLレベルスタンバイ電流が多く流れるなど
の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、バッファ回路の動作安定とTTLレベルスタ
ンバイ電流を低減することを目的とする。
たもので、バッファ回路の動作安定とTTLレベルスタ
ンバイ電流を低減することを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、入カバソファ回路に状態
変化検出回路と1ショットパルス発生回路と入力信号レ
ベルをMOSレベルでラッチする回路を構成するもので
ある。
変化検出回路と1ショットパルス発生回路と入力信号レ
ベルをMOSレベルでラッチする回路を構成するもので
ある。
この発明における半導体装置は、入力バッファ回路の動
作安定化により、voラインノイズによる誤動作防止と
TTLスタンバイ電流の低減化ができる。
作安定化により、voラインノイズによる誤動作防止と
TTLスタンバイ電流の低減化ができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図においてil)は入力信号の状態変化を検出して1シ
ョットパルス信号を発生する回路で、(2)は入力信号
をラッチ回路に導びくゲート回路で(3)は入力信号を
ラッチする回路である。
図においてil)は入力信号の状態変化を検出して1シ
ョットパルス信号を発生する回路で、(2)は入力信号
をラッチ回路に導びくゲート回路で(3)は入力信号を
ラッチする回路である。
動作原理は第1図においてExt−4nから入ってくる
入力信号は、+11の状態変化検出回路で信号レベルの
変化点だけを検出してパルス信号出し、(2)のトラン
スファゲート開き(31のランチ回路へ接続してその時
点のレベルをMOSレベルで保持する。
入力信号は、+11の状態変化検出回路で信号レベルの
変化点だけを検出してパルス信号出し、(2)のトラン
スファゲート開き(31のランチ回路へ接続してその時
点のレベルをMOSレベルで保持する。
こうすることによって、半導体装内のV□ラインにノイ
ズが発生しかつ、E xt −inのレベルがTTLレ
ベルであったとしても、Ext−4nのレベルが変化し
ない限りラッチ部分でMOSレベルを保持したままなの
で誤動作をすることがない。また、TTLレベルによる
貫通電流もなくなる。
ズが発生しかつ、E xt −inのレベルがTTLレ
ベルであったとしても、Ext−4nのレベルが変化し
ない限りラッチ部分でMOSレベルを保持したままなの
で誤動作をすることがない。また、TTLレベルによる
貫通電流もなくなる。
以上のように、この発明によればTTLレベルによる入
力でも誤動作が生じることもな(また、スタンバイ電流
を低減する効果が得られる。
力でも誤動作が生じることもな(また、スタンバイ電流
を低減する効果が得られる。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す回
路図、第2図は一般的な入力バンファ回路の一例でNO
R回路である。 図において、(1)は状態変化検出回路、(2)はトラ
ンスファゲート、(3)はランチ回路である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
路図、第2図は一般的な入力バンファ回路の一例でNO
R回路である。 図において、(1)は状態変化検出回路、(2)はトラ
ンスファゲート、(3)はランチ回路である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- 入力バッファ回路に状態変化検出回路と1ショットパル
ス発生回路を備えて信号レベルをラッチすることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2252571A JPH04130514A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2252571A JPH04130514A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04130514A true JPH04130514A (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=17239232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2252571A Pending JPH04130514A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04130514A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5786719A (en) * | 1995-03-06 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mode setting circuit and mode setting apparatus used to select a particular semiconductor function |
EP0887935A1 (en) * | 1997-06-27 | 1998-12-30 | United Memories, Inc. | Noise isolation circuit |
US7055285B2 (en) | 2000-02-21 | 2006-06-06 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Trim and glass run attachment structure in vehicle door |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2252571A patent/JPH04130514A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5786719A (en) * | 1995-03-06 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mode setting circuit and mode setting apparatus used to select a particular semiconductor function |
EP0887935A1 (en) * | 1997-06-27 | 1998-12-30 | United Memories, Inc. | Noise isolation circuit |
US7055285B2 (en) | 2000-02-21 | 2006-06-06 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Trim and glass run attachment structure in vehicle door |
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