DE69732287T2 - Ladungsempfindlicher verstärker mit hoher gleichtaktsignalunterdrückung - Google Patents

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Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ladungsempfindliche Verstärker und insbesondere auf ladungsempfindliche Verstärker mit Differenzeingangsanschlüssen und hoher Gleichtaktsignalunterdrückung.
  • Hintergrund der Erfindung
  • EP-A-1 159 654 beschreibt eine Verstärkerschaltung (in 3 und 4), bei der die Basisanschlüsse von zwei NPN-Bipolartransistoren von einer Vorspannungsquelle angesteuert (vorgespannt) werden, während die Gateanschlüsse von zwei P-Kanal-MOS-Transistoren von einem Eingangssignal angesteuert werden. Die P-Kanal-MOS-Transistoren empfangen und verarbeiten das Eingangssignal, während die Rolle der Bipolartransistoren ist, den Gesamtwirkungsgrad der Schaltung zu verbessern. Die Bipolar-Flächentransitoren empfangen keinerlei Eingangssignal, die von den MOS-Transistoren empfangen werden.
  • Ladungsempfindliche Verstärker spielen eine bedeutende Rolle in Abbildungssystemen aufgrund der geringen Kapazität der gegenständlichen Signale als Strom, d.h. Ladung, und Tastverhältnis. Beispielsweise in Flachgroßbild-Abbildungssystemen für medizinische und Dokumentenabbildungsanwendungen auf der Grundlage von amorphem Silizium ist der Bildsensor typischerweise als eine Gruppe Pixel angeordnet, von denen jedes auch einen fotoempfindlichen Element und einem Dünnfilmtransistor (TFT) besteht.
  • Um Abbildungs-Bildwechselfrequenzen zu erzielen, die für Videoverarbeitung und -anzeige geeignet sind, sind alle Datenleitungsverbindungen für den Sensor an den Rand der Gruppe zum Anschluss an eine außerhalb angeordnete Steuerschaltung geführt, die eine Reihenwahl- und Ladungssensorschaltung enthält. Da die Auflösung einer solchen Gruppe zunimmt, werden mehr Pixel für jede Datenleitung notwendig, mit der Folge, dass weniger Signalkapazität für jedes Pixel zur Verfügung steht. Da die Anzahl der Pixel für eine gegebene aktive Sensorfläche zunimmt, nimmt ferner die Gesamt-Parasitärkapazität auf jeder Datenleitung zu, da die Größe eines jeden TFT durch die Rate bestimmt ist, mit der die Bildinformation aus der Gruppe ausgelesen oder abgetastet wird, und kann daher im Allgemeinen nicht entsprechend dem Pixelabstand linear skaliert werden.
  • Bei der fluoroskopischen Abbildung können die der minimalen Dosisrate zugeordneten Signalpegel so gering wie 600 Elektron sein, während die Parasitärkapazität einer jeden Datenleitung etwa 100 pF ist. Unter diesen Umständen ist es für jeden ladungsempfindlichen Verstärker, der mir einer solchen Datenleitung verbunden ist, schwierig, sowohl die 1/f- als auch die thermischen Rauschkomponenten des Verstärkers und das eingangsbezogene Stromversorgungsrauschen auf einen Wert von weniger als 1 μV zu begrenzen.
  • Eine konventionelle Strategie zum Begrenzen des Rauschens eines ladungsgekoppelten Verstärkers ist die Verwendung einer einseitigen Architektur mit einem P-Kanal-Halbleitermetalloxid-Feldeffekttransistor (P-MOSFET) als Eingangsvorrichtung. Diese einseitige Architektur kann das Verstärkerrauschen um einen Faktor von bis zur Wurzel aus 2 vermindern.
  • Für viele Anwendungen ist das größte mit der Stromversorgung zusammenhängende Rauschproblem das Stromversorgungsrauschen von auf dem Chip angeordneten Schalterkreisen. Bei Großflächenabbildung verlangen die Pixel eine Vorspannung, die wenigstens kapazitiv, wenn nicht direkt, in die Datenleitungen eingekoppelt wird. Das Rauschen auf den Stromversorgungsleitungen, die die Gruppe vorspannen, wird daher direkt in den Eingang der ladungsempfindlichen Verstärker eingekoppelt, die mit den Datenleitungen verbunden sind. Da die Begrenzung des Stromversorgungsrauschens auf einen Wert von 1 μV RMS eine sehr schwierige Aufgabe ist, muss das dem Eingang aufgeprägte Stromversorgungsrauschen irgendwie unterdrückt werden. Leider ist die ideale Struktur zum Unterdrücken dieses Rauschens ein Differenzeingangsverstärker, der einen zweiten P-MOSFET benötigt, wodurch das Verstärkerrauschen über die Parasitärkapazität der Datenleitung um einen Faktor von wenigstens der Wurzel aus 2 zunimmt.
  • Dementsprechend wäre es erwünscht, einen ladungsempfindlichen Verstärker zu haben, der in der Lage ist, das Stromversorgungsrauschen zu unterdrücken, ohne das Verstärkereigenrauschen zu erhöhen.
  • Übersicht über die Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung ist durch die unabhängigen Ansprüche bestimmt.
  • Ein ladungsempfindlicher Verstärker nach der Erfindung hat eine hohe Gleichtaktsignalunterdrückung zum Unterdrücken von eingangsbezogenem Rauschen sowie eine hohe Stromversorgungsrauschunterdrückung. Ein solcher ladungsempfindlicher Verstärker kann vorteilhaft in mehrkanaligen ladungsempfindlichen Verstärkerchips zum Auslesen von Bilddaten von Groß flächen-Bildsensoren verwendet werden, wie Abbildungssystemen für medizinische und Dokumentenabbildungsanwendungen auf der Grundlage von amorphem Silizium.
  • Ein ladungsempfindlicher Verstärker mit hoher Gleichtaktsignalunterdrückung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält eine stromgesteuerte Transistorschaltung, eine spannungsgesteuerte Transistorschaltung und eine Ausgangsschaltung. Die stromgesteuerte Transistorschaltung ist so aufgebaut, dass sie einen Gleichstromeingangs-Bezugswert mit einem Gleichtakt-Eingangssignal empfängt und dementsprechend eine erste Gleichtakt-Signalkomponente erzeugt. Das Verhältnis der ersten Gleichtakt-Signalkomponente zu dem Gleichtakt-Eingangssignal entspricht einer ersten Signalverstärkung. Die spannungsgesteuerte Transistorschaltung ist mit der stromgesteuerten Transistorschaltung gekoppelt und so aufgebaut, dass sie ein Dateneingangssignal mit dem Gleichtakt-Eingangssignal empfängt und dementsprechend eine Daten-Signalkomponente sowie eine Gleichtakt-Signalkomponente erzeugt. Das Verhältnis der zweiten Gleichtakt-Signalkomponente zu dem Gleichtakt-Eingangssignal entspricht einer zweiten Signalverstärkung. Die Ausgangsschaltung ist mit der strom- oder der spannungsgesteuerten Transistorschaltung oder beiden gekoppelt und so aufgebaut, dass sie die Daten-Signalkomponente sowie die erste und die zweite Gleichtakt-Signalkomponente empfängt und kombiniert und dementsprechend ein Ausgangssignal erzeugt, das dem Daten-Eingangssignal entspricht. Das Verhältnis des Ausgangssignals zu dem Daten-Eingangssignal entspricht im Wesentlichen der zweiten Signalverstärkung. Die erste und die zweite Signalverstärkung sind im Wesentlichen gleich und von entgegengesetzter Polarität, und die erste sowie die zweite Gleichtakt-Signalkomponente heben einander im Wesentlichen auf.
  • In einer Ausführungsform sind die stromgesteuerte und die spannungsgesteuerte Transistorschaltungen in einer entgegengesetzten Schaltungskonfiguration miteinander verbunden und haben Halbleiterausgangsbereiche vom gleichen Leitfähigkeitstyp (z.B. ein NPN-BJT bzw. eine N-Kanal-MOSFET oder ein PNP-BJT bzw. ein P-Kanal-MOSFET).
  • Diese und andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen aus einer Betrachtung der folgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung und der begleitenden Zeichnungen hervor.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine vereinfachte schematische Zeichnung eines ladungsempfindlichen Verstärkers, der nicht der vorliegenden Erfindung entspricht.
  • 2 ist eine vereinfachte schematische Zeichnung einer alternativen Anordnung des ladungsempfindlichen Verstärkers von 1, der nicht der vorliegenden Erfindung entspricht.
  • 3 ist eine vereinfachte schematische Zeichnung eines ladungsempfindlichen Verstärkers gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 4 ist eine vereinfachte schematische Zeichnung einer alternativen Ausführungsform des ladungsempfindlichen Verstärkers von 3.
  • 5 ist eine detaillierte Schemazeichnung eines Verstärkers, der die ladungsempfindliche Verstärkerschaltung von 1 enthält und der nicht der vorliegenden Erfindung entspricht.
  • Detaillierte Beschreibung der Figuren
  • Gemäß 1 enthält ein ladungsempfindlicher Verstärker mit hoher Gleichtaktsignalunterdrückung einen NPN-Bipolarflächentransistor (BJT) Q1, einen P-Kanal-Halbleitermetalloxid-Feldeffekttransistor (P-MOSFET) M1 und einen Lastwiderstand Rload, die in einer Totempfahl-Schaltungskonfiguration miteinander verbunden sind, wie gezeigt. Diese Differenzverstärkerkonfiguration ist an ihrem "positiven", d.h. nicht-invertierenden Eingangsanschluss mit der Basis des Transistors Q1 und an ihrem "negativen", d.h. invertierenden Eingangsanschluss mit dem Gate des Transistors M1 verbunden. Die Verwendung eines BJT am nicht-invertierenden Eingang ersetzt in vorteilhafter Weise einen Schrotrauschgenerator im Emitterstrom eines BJT für den Rauschspannungserzeuger, der einem MOSFET-Gate zugeordnet ist. (Es sei angemerkt, dass der ladungsempfindliche Verstärker mit hoher Gleichtaktsignalunterdrückung typischerweise von einer invertierenden Verstärkerstufe gefolgt wird, die in den meisten Anwendungsfällen innerhalb der Rückkopplungsschleife angeordnet sein würde. Die Bezeichnungen "invertierend" und "nicht-invertierend" werden hier daher auf der Grundlage der Annahme verwendet, dass eine solche invertierende Verstärkerstufe vorhanden ist.)
  • Der Basisanschluss des Transistors Q1 empfängt das nicht-invertierende Eingangssignal IN+, während das Gate des Transistors M1 das invertierende Eingangssignal IN– empfängt. In einem Abbildungssystem verwendet ist das nicht-invertierende Eingangssignal IN+ eine positive Bezugsspannung, während das invertierende Eingangssignal IN– das Eingangssignal von einer ausgewählten Spalte von Pixelelementen innerhalb der Sensorgruppe ist. Mit der Widerstandslast Rload am Kollektor des Transistors Q1 ist das Ausgangssignal OUT ein verstärktes Signal mit hoher Gleichtakteingangssignalunterdrückung. Diese hohe Gleichtakteingangssignalunter drückung wird aufgrund der im Wesentlichen gleichen Signalverstärkungen von den Eingängen IN+, IN– zum Ausgang OUT erreicht.
  • Die im Wesentlichen gleichen Signalverstärkungen A+, A– von diesen Eingängen IN+, IN– zum Ausgang OUT kann man als auf der folgenden Analyse beruhend ansehen. Vom invertierenden Eingang IN– zum Ausgang OUT ist die Signalverstärkung A– das Produkt der Verstärkung vom invertierenden Eingang IN– zum Emitter des Transistors Q1 multipliziert mit der Verstärkung vom Emitter des Transistors Q1 zum Ausgang OUT. Die Verstärkung A– des invertierenden Eingangssignals ist die Verstärkung (Transkonduktanz) gm M1 des Transistors M1 als Source-Folger mit der Transkonduktanz des Transistors Q1 als Last, multipliziert mit der Verstärkung (Transkonduktanz) gm Q1 des Verstärkers mit gemeinsamer Basis, der von dem Transistor Q1 und dem Lastwiderstand Rload gebildet wird. Dieses kann sein
    Figure 00050001
    ausgedrückt wie folgt:
  • Figure 00050002
  • Bezüglich des nicht-invertierenden Eingangssignals IN+ ist die Eingangsstufe der Transistor Q1 als Verstärker mit gemeinsamem Emitter, wobei seine Emitterdegeneration gleich der Transkonduktanz des Transistors M1 ist.
  • Figure 00050003
  • Entsprechend kann das nicht-invertierende Eingangssignal A+ wie folgt ausgedrückt werden:
  • Figure 00050004
  • Aufgrund des Vorstehenden kann man erkennen, dass in wenigstens erster Annäherung die invertierenden und nicht-invertierenden Eingangssignale IN– bzw. IN+ im Wesentlichen gleich sind. Während diese Analyse näherungsweise in dem Sinne gilt, dass eine Anzahl von Wirkungen höherer Ordnung nicht in Betracht gezogen worden sind (wie beispielsweise eine Gate-Rückmodulation im Transistor M1), zeigen Schaltungssimulationen unter Verwendung von Modellen für einen 0,8 μm-BiCMOS-Prozess eine Verstärkung, die bis auf 0,5% passt, d.h. eine Gleichtaktsignalunterdrückung von 46 dB.
  • Zusätzlich zu der geschaffenen hohen Gleichtaktsignalunterdrückung zeigt die Schaltung der 1 auch eine hohe Unterdrückung von Rauschen, das über ihre Stromversorgungsanschlüsse VDD, VSS empfangen wird. Diese Unterdrückung beruht auf der Tatsache, dass die Impedanzen, die in den Verstärker von der Stromversorgungsanschlüssen VDD und VSS her sehen (d.h. den Lastwiderstand Rload in Serie mit der Kollektorimpedanz des Transistors Q1 bzw. der Drainimpedanz des Transistors M1), sehr hoch sind, wodurch die Eingangsanschlüsse IN+, IN– von den Modulationssignalen, d.h. vom Rauschen auf den Stromversorgungsanschlüssen VDD, VSS, wirksam isoliert sind.
  • Eine Charakteristik dieser Schaltung, die, je nach der speziellen Anwendung, als Nachteil betrachtet werden kann, ist die relativ hohe Eingangsversatzspannung (etwa 1,5 V), die zwischen den zwei Eingangsanschlüssen IN+, IN– Notwendig ist. Bei vielen Einsatzfällen, die ladungsempfindliche Verstärker wie diesen verwenden, ist das nicht-invertierende Eingangssignal IN+ jedoch typischerweise eine Bezugsgleichspannung. Eine solches Eingangsversatzspannungserfordernis ist daher kein Problem.
  • Gemäß 2 verwendet eine alternative Anordnung des ladungsempfindlichen Verstärkers von 1 einen PNP-BJT als Transistor Q1 und einen N-Kanal-MOSFET als Transistor M1, wobei deren jeweilige Verbindungen entsprechend vertauscht sind. Während diese Ausführungsform im Wesentlichen die gleichen Vorteile wie der ladungsempfindliche Verstärker von 1 zeigt, hat sie doch einen Nachteil dahingehend; dass sie einen N-MOSFET als die Signaleingangsvorrichtung verwendet, was zu einem höheren Pegel des 1/f-Rauschens führt.
  • Gemäß 4 verwendet eine Ausführungsform eines ladungsempfindlichen Verstärkers nach der vorliegenden Erfindung einen NPN-BJT als Q1 und einen N-MOSFET als M1 in einer entgegengesetzten Schaltungskonfiguration, die mit einer Stromquelle ISS vorgespannt ist und ein Differenzausgangssignal OUT liefert. Während diese Ausführungsform im Wesentlichen die gleichen Vorteile wie der ladungsempfindliche Verstärker von 1 zeigt, ist ein Nachteil die geringere Verstärkung wegen der Verwendung eines PNP-BJT.
  • Gemäß 5 hat ein Verstärker, der einen ladungsempfindlichen Verstärker speziell der Schaltung von 1 enthält, als Q1 einen NPN-BJT und als M1 einen P-MOSFET, die zwischen die positiven und die negativen Stromversorgungsanschlüsse VDD und VSS geschaltet sind. Der Lastwiderstand am Kollektor des Transistors Q1 ist in Form von Widerstandsschaltungselementen ausgeführt, die von einem P-MOSFET Q4 und NPN-BJTs Q4 und Q5 gebildet werden. Der Drainanschluss des Transistors M1 ist mit dem negativen Stromversorgungsanschluss VSS über den Kanal des P-MOSFET M10 verbunden. Wie oben angemerkt, ist der nicht-invertierende Eingang AINB eine Bezugsgleichspannung von etwa 2,5 V, während das invertierende Eingangssignal AIN ein Datensignal ist, das um den Gleichspannungspegel von etwa 1 V zentriert ist.
  • Auf der Grundlage des vorangehend Erläuterten kann man sehen, dass ein ladungsempfindlicher Verstärker entsprechend den Ausführungsformen eine Reihe von Vorteilen hat, wenn er in einem geladenen, integrierten Verstärker verwendet wird: Differenzeingang; niedriges eingangsbezogenes thermisches und 1/f-Rauschen; hohes Stromversorgungsunterdrückungsverhältnis; hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis; und Eingangsanschluss hoher Impedanz.
  • Zahlreiche andere Modifikationen und Veränderungen im Aufbau und dem Verfahren zum Betrieb dieser Erfindung ergeben sich für den Fachmann, ohne den Schutzbereich der Erfindung zu verlassen. Obgleich die Erfindung im Zusammenhang mit speziellen bevorzugten Ausführungsformen beschrieben worden ist, versteht sich doch, dass die Erfindung, wie sie beansprucht wird, nicht in ungeeigneter Weise auf diese speziellen Ausführungsformen beschränkt werden sollte.

Claims (12)

  1. Vorrichtung, die einen ladungsempfindlichen Verstärker mit hoher Gleichtakt-Signalunterdrückung enthält, wobei der ladungsempfindliche Verstärker umfasst: eine stromgesteuerte Transistorschaltung (Q1), die so konfiguriert ist, dass sie einen Gleichstromeingang-Bezugswert (IN+) mit einem Gleichtakt-Eingangssignal empfängt und dementsprechend eine erste Gleichtakt-Signalkomponente erzeugt, wobei ein Verhältnis der ersten Gleichtakt-Signalkomponente zu dem Gleichtakt-Eingangssignal einer ersten Signalverstärkung entspricht; eine spannungsgesteuerte Transistorschaltung (M1), die mit der stromgesteuerten Transistorschaltung (Q1) gekoppelt und so konfiguriert ist, dass sie ein Dateneingangssignal (IN–) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal empfängt und dementsprechend eine Daten-Signalkomponente sowie eine Gleichtakt-Signalkomponente erzeugt, wobei ein Verhältnis der zweiten Gleichtakt-Signalkomponente zu dem Gleichtakt-Eingangssignal einer zweiten Signalverstärkung entspricht, und eine Ausgangsschaltung, die mit der strom- oder der spannungsgesteuerten Transistorschaltung (Q1, M1) oder beiden gekoppelt und so konfiguriert ist, dass sie die Daten-Signalkomponente sowie die erste und die zweite Gleichtakt-Signalkomponente empfängt und kombiniert und dementsprechend ein Ausgangssignal (OUT) erzeugt, das dem Daten-Eingangssignal (IN–) entspricht, wobei ein Verhältnis des Ausgangssignals (OUT) zu dem Daten-Eingangssignal (IN–) im Wesentlichen der zweiten Signalverstärkung entspricht; wobei die erste und die zweite Signalverstärkung im Wesentlichen gleich und von entgegengesetzter Polarität sind und die erste sowie die zweite Gleichtakt-Signalkomponente einander im Wesentlichen aufheben; und wobei die strom- und die spannungsgesteuerte Transistorschaltung in Differentialschaltungskonfiguration gekoppelt sind und das Ausgangssignal (OUT) ein Differential-Ausgangssignal mit einer ersten und einer zweiten Differentialsignalphase umfasst, die durch die strom- bzw. die spannungsgesteuerte Transistorschaltung (Q1, M1) erzeugt werden.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die stromgesteuerte Transistorschaltung (Q1) einen Bipolar-Operationstransistor umfasst und die spannungsgesteuerte Transistorschaltung (M1) einen Unipolar-Operationstransistor umfasst.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die stromgesteuerte Transistorschaltung (Q1) einen Bipolar-Flächentransistor umfasst und die spannungsgesteuerte Transistorschaltung (M1) einen Metalloxid-Feldeffekttransistor umfasst.
  4. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die stromgesteuerte Transistorschaltung (Q1) einen ersten Halbleiter-Ausgangsbereich eines Leitfähigkeitstyps enthält, von dem die erste Gleichtakt-Signalkomponente erzeugt wird, und die spannungsgesteuerte Transistorschaltung (M1) einen zweiten Halbleiter-Ausgangsbereich des Leitfähigkeitstyps enthält, von dem die Daten-Signalkomponente und die zweite Gleichtakt-Signalkomponente erzeugt werden.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei die stromgesteuerte Transistorschaltung (Q1) einen pnp-Bipolar-Flächentransistor umfasst und die spannungsgesteuerte Transistorschaltung (M1) einen p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor umfasst.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei die stromgesteuerte Transistorschaltung (Q1) einen npn-Bipolar-Flächentransistor umfasst und die spannungsgesteuerte Transistorschaltung (M1) einen n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor umfasst.
  7. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Ausgangsschaltung eine Vielzahl von Schaltungselementen umfasst, die eine Vielzahl von Schaltungs(Rload)-Widerstandseigenschaften aufweisen.
  8. Verfahren zum Verstärken eines ladungsempfindlichen Signals mit hoher Gleichtakt-Signalunterdrückung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Empfangen eines Gleichstrom-Eingangs-Bezugswertes (IN+) mit einem Gleichtakt-Eingangssignal und dementsprechend Erzeugen einer ersten Gleichtakt-Signalkomponente mit einer stromgesteuerten Transistorschaltung (Q1), wobei ein Verhältnis der ersten Gleichtakt-Signalkomponente zu dem Gleichtakt-Eingangssignal einer ersten Signalverstärkung entspricht; Empfangen eines Daten-Eingangssignals (IN–) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und dementsprechend Erzeugen einer Daten-Signalkomponente sowie einer zweiten Gleichtakt-Signalkomponente mit einer spannungsgesteuerten Transistorschaltung (M1), wobei die strom- und die spannungsgesteuerte Transistorschaltung in einer Differentialschaltungskonfiguration gekoppelt sind und ein Verhältnis der zweiten Gleichtakt-Signalkomponente zu dem Gleichtakt-Eingangssignal einer zweiten Signalverstärkung entspricht; und Kombinieren der ersten und der zweiten Gleichtakt-Signalkomponente sowie der Daten-Signalkomponente und dementsprechend Erzeugen eines Ausgangssignals, das dem Daten-Signaleingang (IN–) entspricht, wobei ein Verhältnis des Ausgangssignals (OUT) zu dem Daten-Eingangssignal (IN–) im Wesentlichen der zweiten Signalverstärkung entspricht; wobei die erste und die zweite Signalverstärkung im Wesentlichen gleich und von entgegengesetzter Polarität sind und die erste sowie die zweite Gleichtakt-Signalkomponente einander im Wesentlichen aufheben; und wobei das Ausgangssignal (OUT) ein Differential-Ausgangssignal mit einer ersten und einer zweiten Differential-Signalphase umfasst, die durch die strom- bzw. die spannungsgesteuerte Transistorschaltung (Q1, M1) erzeugt werden.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei: der Schritt des Empfangens eines Gleichspannungs-Eingangs-Bezugswertes (IN+) mit einem Gleichtakt-Eingangssignal und des dementsprechenden Erzeugens einer ersten Gleichtakt-Signalkomponente mit einer stromgesteuerten Transistorschaltung (Q1) das Empfangen des Gleichstrom-Eingangs-Bezugswertes (IN+) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und das dementsprechende Erzeugen der ersten Gleichtakt-Signalkomponente mit der stromgesteuerten Transistorschaltung (Q1) umfasst, die einen ersten Halbleiter-Ausgangsbereich eines Leitfähigkeitstyps enthält, von dem die erste Gleichtakt-Signalkomponente erzeugt wird; und der Schritt des Empfangens eines Daten-Eingangssignals (IN–) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und des dementsprechenden Erzeugens einer Daten-Signalkomponente sowie einer zweiten Gleichtakt-Signalkomponente mit einer spannungsgesteuerten Transistorschaltung (M1) das Empfangen des Daten-Eingangssignals (IN–) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und das dementsprechende Erzeugen der Daten-Signalkomponente sowie der zweiten Gleichtakt-Signalkomponente mit der spannungsgesteuerten Transistorschaltung (M1) umfasst, die einen zweiten Halbleiter-Ausgangsbereich des Leitfähigkeitstyps enthält, von dem die Daten-Signalkomponente und die zweite Gleichtakt-Signalkomponente erzeugt werden.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei: der Schritt des Empfangens eines Gleichstrom-Eingangs-Bezugswertes (IN+) mit einem Gleichtakt-Eingangssignal und des dementsprechenden Erzeugens einer ersten Gleichtakt-Signalkomponente mit einer stromgesteuerten Transistorschaltung (Q1) das Empfangen des Gleichstrom-Eingangs-Bezugswertes (IN+) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und das dementsprechende Erzeugen der ersten Gleichtakt-Signalkomponente mit einem pnp-Bipolar-Flächentransistor umfasst; und der Schritt des Empfangens des Daten-Eingangssignals (IN–) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und des dementsprechenden Erzeugens einer Daten-Signalkomponente sowie einer zweiten Gleichtakt-Signalkomponente mit einer spannungsgesteuerten Transistorschaltung (M1) das Empfangen des Daten-Eingangssignals (IN–) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und das dementsprechende Erzeugen der Daten-Signalkomponente sowie der zweiten Gleichtakt-Signalkomponente mit einem p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor umfasst.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, wobei: der Schritt des Empfangens eines Gleichstrom-Eingangs-Bezugswertes (IN+) mit einem Gleichtakt-Eingangssignal und des dementsprechenden Erzeugens einer ersten Gleichtakt-Signalkomponente mit einer stromgesteuerten Transistorschaltung (Q1) das Empfangen des Gleichstrom-Eingangs-Bezugswertes (IN+) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und das dementsprechende Erzeugen der ersten Gleichtakt-Signalkomponente mit einem npn-Bipolar-Flächentransistor umfasst; und der Schritt des Empfangens eines Daten-Eingangssignals (IN–) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und des dementsprechenden Erzeugens einer Daten-Signalkomponente sowie einer zweiten Gleichtakt-Signalkomponente mit einer spannungsgesteuerten Transistorschaltung (M1) das Empfangen des Daten-Eingangssignals (IN–) mit dem Gleichtakt-Eingangssignal und das dementsprechende Erzeugen der Daten-Signalkomponente sowie der zweiten Gleichtakt-Signalkomponente mit einem n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor umfasst.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei der Schritt des Kombinierens der ersten und der zweiten Gleichtakt-Signalkomponente sowie der Daten-Signalkomponente und des dementsprechenden Erzeugens eines Ausgangssignals (OUT), das dem Daten-Eingangssignal (IN–) entspricht, das Kombinieren der ersten und der zweiten Gleichtakt-Signalkomponente sowie der Daten-Signalkomponente und das dementsprechende Erzeugen des Ausgangssignals (OUT), das dem Daten-Eingangssignal (IN–) entspricht, mit einer Vielzahl von Schaltungselementen umfasst, die eine Vielzahl von Schaltungs(Rload)-Widerstandseigenschaften aufweisen.
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