DE69713844T2 - Zinn-silber-beschichtungsbad und damit beschichtete objekte - Google Patents
Zinn-silber-beschichtungsbad und damit beschichtete objekteInfo
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Description
- Die Erfindung bezieht sich auf eine Plattier- bzw. Beschichtungslösung, mit der eine Zinn/Silber-System-Legierung mit niedrigem Schmelzpunkt erzeugt wird, sowie auf ein Verfahren zum Plattieren bzw. Beschichten der Plattierlösung.
- Die Verschmutzung von Grundwasser durch Blei wird zur Zeit als Umweltverschmutzung betrachtet, und Produkte, die Blei einschließen, sind stark eingeschränkt, so daß Zinn/Blei-Lötmittel durch bleifreies Lötmittel ersetzt wurde. Somit sollten Plattierschichten, die mit Zinn/Blei-Lötmittel beschichtet sind, durch bleifreies Lötmittel ersetzt werden.
- Indem Zinn/Silber-System-Legierungen anstelle der Zinn/Blei- Lötmittellegierung anzuwenden ist, hat die Matsushita Electric Company eine Zinn/Silber-Lötmittelpaste offenbart (S. Nikkei Sangyo Press, 1. Februar 1996). Nun ist ein Verfahren zum Erzeugen der Zinn/Silber-Lötmittelschicht erforderlich. Angesichts des Unterschieds im Elektroabscheidungspotential zwischen Silber und Zinn von 900 mV oder mehr als dem Standard- Oxidations-Reduktionspotential, ist z. B. Kaliumzyanid in der Plattierlösung eingeschlossen, um Zinn und Silber beim Erzeugen der Zinn/Silber-Legierungsschicht gemeinsam abzuscheiden. Mit Cyanid gibt es viele Probleme der Verschmutzung von Abwasser, der Arbeitssicherheit etc., so daß eine Zinn/Silber-Plattierlösung ohne Cyanide erforderlich ist.
- Andererseits besitzen Legierungen, die erzeugt wurden, indem Wismut, Kupfer etc. zu den Zinn/Silber-Legierungen hinzugefügt wurden, bessere Löteigenschaften, so daß eine Plattierlösung auf der Basis der Zinn/Silber-System-Legierung erforderlich geworden ist.
- Eine Aufgabe der Erfindung ist es, die Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung bereitzustellen, welche zur Anwendung anstelle der Zinn/Blei-Legierung-Plattierlösung in der Lage ist, ohne Cyanide zu enthalten.
- Um die Aufgabe zu lösen umfaßt die Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung der Erfindung die folgenden Grundbestandteile (a)-(e):
- (a) eine Zinnverbindung;
- (b) eine Silberverbindung;
- (c) mindestens einem Bestandteil, der aus Wismutverbindungen und Kupferverbindungen ausgewählt ist;
- (d) eine Pyrophosphorverbindung; und
- (e) ein Iodid.
- Die Pyrophosphorverbindung in der Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung kann Pyrophosphat und/oder Pyrophosphorsäure einschließen.
- Die Zinnverbindung in der Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung kann eine Zinnverbindung einer anorganischen Säure oder eine Zinnverbindung einer organischen Säure einschließen.
- Die Silberverbindung in der Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung kann eine Silberverbindung einer anorganischen Säure oder eine Silberverbindung einer organischen Säure einschließen.
- Die Wismutverbindung in der Zinn/Silber-System-Legierung- Plattierlösung kann eine Wismutverbindung einer anorganischen Säure oder eine Wismutverbindung einer organischen Säure einschließen.
- Die Kupferverbindung in der Zinn/Silber-System-Legierung- Plattierlösung kann eine Kupferverbindung einer anorganischen Säure oder eine Kupferverbindung einer organischen Säure einschließen.
- Als nächstes besteht das Merkmal des Verfahrens des elektrolytischen Plattierens der vorliegenden Erfindung darin, daß die Plattierlösung eine Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung ist, die folgende Grundbestandteile (a)-(e) umfaßt:
- (a) eine Zinnverbindung;
- (b) eine Silberverbindung;
- (c) mindestens einem Bestandteil, der aus Wismutverbindungen und Kupferverbindungen ausgewählt ist;
- (d) eine Pyrophosphorverbindung; und
- (e) ein Iodid.
- Ferner umfaßt das Plattier- bzw. Beschichtungsverfahren der vorliegenden Erfindung die Schritte: Erzeugen einer Harzschicht auf einer Oberfläche eines Werkstücks; Bilden eines vorbestimmten Musters in der Harzschicht in Form einer Plattiermaske; und Ausführen des elektrolytischen Plattierens auf der Oberfläche des Werkstücks mit einer Zinn/Silber-System- Legierung-Plattierlösung, die folgende fünf Grundbestandteile (a)-(e) umfaßt:
- (a) eine Zinnverbindung;
- (b) eine Silberverbindung;
- (c) mindestens einem Bestandteil, der aus einer aus Wismutverbindungen und Kupferverbindungen bestehenden Gruppe ausgewählt wird;
- (d) eine Pyrophosphorverbindung; und
- (e) ein Iodid.
- In diesem Verfahren kann die Harzschicht eine Schicht von photoempfindlichem Harz sein, und die Schicht des photempfindlichen Harzes kann unter Verwendung der Photolithographie zu dem vorbestimmten Muster gebildet werden.
- In den Verfahren kann die Pyrophosphorverbindung Pyrophosphat und/oder Pyrophosphorsäure einschließen.
- In den Verfahren kann die Zinnverbindung eine Zinnverbindung einer anorganischen Säure oder eine Zinnverbindung einer organischen Säure einschließen.
- In den Verfahren kann die Silberverbindung eine Silberverbindung einer anorganischen Säure oder eine Silberverbindung einer organischen Säure einschließen.
- In den Verfahren kann die Wismutverbindung eine Wismutverbindung einer anorganischen Säure oder eine Wismutverbindung einer organischen Säure einschließen.
- In den Verfahren kann die Kupferverbindung eine Kupferverbindung einer anorganischen Säure oder einer Kupferverbindung einer organischen Säure sein.
- Bei der Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung der vorliegenden Erfindung ist eine vorbestimmte Menge an Pyrophosphat, die der Koordinationszahl des in der Lösung gebildeten Metalls entspricht, beigefügt, um dem Metall Pyrophosphorsäureionen hinzuzufügen, so daß Pyrophosphor-Komplexionen des Metalls stärker stabilisiert werden können. Vorzugsweise beträgt die Molarität der Phosphorsäureionen das Zweifache der Molarität oder mehr in bezug auf Zinn und Kupfer.
- Pyrophosphat, z. B. Kaliumpyrophosphat, Natriumpyrophosphat, und/oder Pyrohosphorsäure können als eine Pyrophosphorverbindung angewandt werden.
- In der Plattierlösung kann die Menge an Jodverbindung gegebenenfalls in einem Bereich verändert werden, in dem die Komplexionen von Silber und Wismut stabil existieren können, wobei die Konzentration von Jodionen (I&supmin;) auf 0,5 Mol/l oder mehr gebracht wird, damit die Komplexionen der Jodverbindung des Metalls stärker stabilisiert sind. Vorzugsweise beträgt die Konzentration der Jodionen (I&supmin;) 1,5 Mol/l oder mehr.
- Jodid, z. B. Kaliumjodid und Natriumjodid; Jodit, z. B. Kaliumjodit und Natriumjodit; und Jod können allein als die Jodverbindung angewandt werden; und eine Mischung von zwei oder mehreren können als die Jodverbindung verwendet werden.
- Die Zinnverbindungen in der Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung sind nicht beschränkt, so daß eine Zinnverbindung einer anorganischen Säure oder eine Zinnverbindung einer organischen Säure wie Zinnchlorid, Zinnchlorid-2-Hydrat, Zinnsulfat, Zinnpyrophosphat, Zinnsäure, Zinnmethansulfonat allein oder gemeinsam als die Zinnverbindung zugegeben werden kann.
- Die Silberverbindungen in der Zinn/Silber-System-Legierung- Plattierlösung sind nicht beschränkt; eine Silberverbindung einer anorganischen Säure oder eine Silberverbindung einer organischen Säure, z. B. Silberjodid, Silberchlorid, Silbernitrat, Silbersulfat, Silbermethansulfonat können allein oder gemeinsam als die Silberverbindung zugegeben werden.
- Die Wismutverbindungen in der Zinn/Silber-System-Legierung- Plattierlösung sind nicht beschränkt; eine Wismutverbindung einer anorganischen Säure oder eine Wismutverbindung einer organischen Säure, z. B. Bismutchlorid, Wismutjodid, Wismutcitrat, können allein oder gemeinsam als die Wismutverbindung zugegeben werden.
- Die Kupferverbindungen in der Zinn/Silber-System-Legierung- Plattierlösung sind nicht beschränkt; eine Kupferverbindung einer anorganischen Säure oder eine Kupferverbindung einer organischen Säure, z. B. Kupfer(I)-Chlorid, Kupfer(II)-Chlorid, Kupfersulfat, Kupferpyrophosphat, Kufercarbonat, Kupfernitrat, können allein oder gemeinsam als die Kupferverbindung zugegeben werden.
- Das Mischungsverhältnis und der Silberverbindungen und der Zinnverbindungen in der Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung kann wahlweise verändert werden. Auch das Mischungsverhältnis des Bestandteils bzw. der Bestandteile, die aus der Gruppe ausgewählt werden, die aus Wismutverbindungen und Kupferverbindungen besteht, kann wahlweise verändert werden. Im Fall des Erzeugens einer Legierung mit niedrigem Schmelzpunkt sollte das Mischungsverhältnis der Zinnverbindungen größer sein als dasjenige der anderen Bestandteile.
- Der pH der Plattierlösung kann eingestellt werden durch Hinzufügen von Säure, z. B. Phosphorsäure, Salzsäure, oder von Lauge, z. B. Kaliumhydroxid und Natriumhydroxid. Der bevorzugte pH beträgt 5-10, jedoch kann er in einem pH-Bereich liegen, bei dem sich die Qualität der Plattierlösung nicht verändert.
- Ferner können Komplexiermittel, Aufheller, oberflächenaktive Mittel etc. zu der Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung zugegeben werden.
- Oxalat, Tartrat, Citrat, Glycin, Sulfit, Thiosulfat etc. können als Komplexiermittel zugegeben werden.
- Pepton, β-Naphtol, Aminoaldehyd, Formaldehyd, Acetaldehyd, Polyethylenglycol, Methylacrylat, Salicylsäure, Salicylsäurederivat, N,N'-Dimethylformamid, Hexaethylentetramin, Malonsäure etc. können allein oder gemeinsam als Aufheller zugegeben werden.
- Insbesondere können L-Ascorbinsäure, Phenol, Hydrochinon, Resorcin etc. allein oder gemeinsam als Antioxidationsmittel für Zinn zugegeben werden.
- Natriumlaurylsulfat, Polyoxyethylen-nonyphenylether, Benzalkoniumchlorid etc. können allein oder gemeinsam als dem oberflächenaktiven Mittel zugegeben werden.
- Mit der Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung können gewöhnliche Elektroplattierprozesse ausgeführt werden. Zum Beispiel können mit der Plattierlösung eine Pulsplattierung und eine periodische Umkehrstromplattierung ausgeführt werden. Die Plattierung kann zum Beispiel unter den folgenden Bedingungen ausgeführt werden: Die Temperatur der Plattierlösung beträgt 20-80ºC; die Lösung wird gerührt oder nicht gerührt; es erfolgt eine galvanostatische oder eine potentiostatische Elektrolyse. Zum Beispiel kann Zinn, Silber, Kupfer, Zinn/Silber- Legierung, Zinn/Silber/Kuper-Legierung, Zinn/Silber-Wismutlegierung, Platin, mit Titan plattiertes Platin und Kohlenstoff als eine Anode verwendet werden.
- Die zu beschichtenden bzw. zu pattierenden Werkstücke sind nicht beschränkt; jegliche Materialien, die elektrisch plattiert bzw. beschichtet werden können, können als Werkstücke angewandt werden.
- Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die folgenden wenigen Ausführungsformen beschränkt, und die Zusammensetzung der Plattierlösung kann wahlweise je nach Zweck verändert werden.
- Sn&sub2;P&sub2;O&sub7; 21 g/l
- K&sub4;P&sub2;O&sub7; 66 g/l
- AgI 0,5 g/l
- KI 330 g/l
- BiI&sub3; 3 g/l
- Die Zinn/Silber/Wismut-Legierung-Plattierlösung schließt die oben beschriebenen Bestandteile ein. Der pH wird durch Zugabe von Pyrophosphorsäure auf 4 eingestellt. Reine Kupfersubstrate werden mit der Plattierlösung elektroplattiert unter den Bedingungen: Temperatur 25ºC; kein Rühren; und kathodische Stromdichte 0,7 A/dm². Durch das Plattieren können Zinn/Silber/Wismut-Legierungsschichten, die 83% Zinn, 3,5% Silber und 13,5% Wismut enthalten, auf den Substraten gebildet werden.
- Lötbarkeitstests der Kupfersubstrate, die mit der Zinn/Silber/Wismut-Legierung plattiert sind, werden durchgeführt mittels eines Lötprüfers (Typ SAT-2000 von Rhesca Corporation) unter den Bedingungen: Zinn/Silber-Lötmittel (mit 3,5 Gew.-% Silber); Temperatur 250ºC; 30 W/W-% Kolophonium oder ohne Spülfließmittel. Als Ergebnis des Tests besitzt die plattierte Schicht eine gute Lötbarkeit ohne Entnetzen weichen Lötmittels.
- Sn&sub2;P&sub2;O&sub7; 21 g/l
- K&sub4;P&sub2;O&sub7; 66 g/l
- AgI 0,5 g/l
- KI 330 g/l
- CuP&sub2;O&sub7; 0, 5 g/l
- Die Zinn/Silber/Kupfer-Legierungs-Plattierlösung schließt die oben beschriebenen Bestandteile ein. Die Plattierlösung ist lichtdurchlässig und blau; der pH beträgt 9,0; die äußere Erscheinung der Plattierlösung wurde für zwei Wochen gehalten. Reine Kupfersubstrate werden in der Plattierlösung elektroplattiert unter den Bedingungen: Temperatur 25ºC; kein Rühren; und kathodische Stromdichte 0,5A/dm² und 1 A/dm². Durch das Plattieren bei einer kathodischen Stromdichte von 0,5 A/dm² können Zinn/Silber/Kupfer-Legierungsschichten, die 78% Zinn, 18% Silber und 4% Kupfer enthalten, auf den Substraten gebildet werden; durch das Plattieren mit einer kathodischen Stromdichte von 1 A/dm² können Legierungsschichten, die 94% Zinn, 5% Silber und 1% Kupfer enthalten, auf den Substraten gebildet werden.
- Lötbarkeitstests der Kupfersubstrate, die mit der Zinn/Silber/Kupfer-Legierung plattiert sind, werden ausgeführt mittels eines Lötprüfgeräts (Typ SAT-2000 von Rhesca Corporation) unter den Bedingungen: Zinn/Silber/Lötmittel (mit 3,5 Gew.-% Silber), Temperatur 250ºC; 30WW-% Cholophonium oder ohne Spülfließmittel. Als Ergebnis des Tests besaß die plattierte Schicht eine gute Lötbarkeit ohne Entnetzen weichen Lötmittels.
- Sn&sub2;P&sub2;O&sub7; 103 g/l
- K&sub4;P&sub2;O&sub7; 330 g/l
- AgI 1,2 g/l
- KI 332 g/l
- CuP&sub2;O&sub7; 1,2 g/l
- Die Zinn/Silber/Kupfer-Legierung-Plattierlösung enthält die oben beschriebenen Bestandteile. Die Plattierlösung ist lichtdurchlässig und blau; der pH beträgt 9,0; die äußere Erscheinung der Plattierlösung blieb für sechs Monate erhalten ohne Abscheidung etc. Reine Kupfersubstrate werden elektroplattiert mit der Plattierlösung unter den Bedingungen: Temperatur 25ºC; kein Rühren; und kathodische Stromdichte 0,2-2 A/dm². Die Zusammensetzung der Zinn/Silber/Kupfer-Schichten (Menge an Silber und Kupfer: Gew.-%) und deren äußere Erscheingungen (o bedeutet grau und nicht glänzend; und bedeutet grau und halbglänzend) in bezug auf die jeweilige Stromdichte sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1
- Lötbarkeitstests der Kupfersubstrate, die mit der Zinn/Silber/Kupfer-Legierung plattiert sind, werden ausgeführt mittels eines Lötprüfgeräts (Typ SAT-2000 von Rhesca Corporation) unter den Bedingungen: Zinn/Silber/Lötmittel (mit 3,5 Gew.-% Silber), Temperatur 250ºC; 30WW-% Kolophonium oder ohne Spülfließmittel. Als Ergebnis des Tests besaßen die plattierten Schichten eine gute Lötbarkeit ohne Entnetzen weichen Lötmittels.
- Die Schmelzpunkte der Zinn/Silber/Kupfer-Legierungsschichten werden durch ein thermisches Analysegerät (DSC) gemessen; die gemessenen Schmelzpunkte bzw. die Anfangsschmelztemperatur aller Schichten betragen 217ºC.
- Ein photoempfindlicher Harzfilm (eine Resistfilmschicht), dessen Dicke etwa 25 um beträgt, wird auf einem reinen Kupfersubstrat gebildet, dann werden 50 Reihen und Zeilen von Löchern, das heißt 2500 Löcher, von denen jedes einen Durchmesser von 100 um besitzt und die längs und quer mit Zwischenräumen von 100 um angeordnet sind, in die Resistfilmschicht mittels der Photolithographie gebohrt, so daß die Kupferoberflächen in Form von inneren Bodenflächen der Löcher exponiert sind. Zinn/Silber/Wismut-Legierungsschichten mit einer Dicke von etwa 25 um werden auf den exponierten Kupferoberflächen gebildet unter den Bedingungen: Verwendung der Legierungsplattierlösung der Ausführungsform 1; Stromdichte 1,5 A/dm²; kein Rühren; und Temperatur 25ºC. Nach dem Erzeugen der Legierungsschichten wird die Resistfilmschicht entfernt, dann werden die plattierten Bereiche (die Zinn/Silber/Wismut-Legierungsbereiche) mittels eines Elektronenmikroskops begutachtet; die Legierungsschichten sind auf der Innenkontur der Löcher korrekt gebildet. Die Zusammensetzungen der Legierungsschichten werden mittels eines Elektronensonden-Röntgenmikroanalysegeräts analysiert; die Legierungsschichten schließen 83% Zinn, 3,5% Silber und 13,5% Wismut ein, und die Dicken der Legierungsschichten sind nahezu gleich.
- Es ist zu beachten, daß auch eine nicht-photoempfindliche Resistfilmschicht angewandt werden kann. In diesem Fall kann die Resistfilmschicht in das gewünschte Muster mittels eines Lasers, zum Beispiel eines Excimer-Lasers, gebildet werden kann.
- Ein photoempfindlicher Resistfilm (eine Resistfilmschicht), dessen Dicke etwa 25 um beträgt, wird auf einem reinen Kupfersubstrat gebildet, dann werden 50 Reihen und Zeilen von Löchern, nämlich 2500 Löcher, von denen jedes einen Durchmesser von 100 um aufweist und welche längs und quer mit Zwischenräumen von 100 um angeordnet sind, in die Resistfilmschicht mittels der Photolithographie gebohrt, so daß die Kupferoberflächen als innere Bodenseiten der Löcher exponiert sind. Zuerst werden die exponierten Oberflächen mit Nickel plattiert, dessen Dicke etwa 5 um beträgt, dann werden sie mit der Zinn/Silber/Kupfer-Legierlösung der Ausführungsform 2 unter den Bedingungen der Ausführungsform 2 elektroplattiert. Nach dem Erzeugen der Legierungsschichten wird die Resistfilmschicht entfernt, dann werden die plattierten Legierungsbereiche mittels Elektronenmikroskopie begutachtet: die Legierungsschichten sind dicker gebildet als die Resistfilmschicht, und sie sind wie Pilze geformt (der Durchmesser der von der Oberfläche der Resistfilmschicht hervorstehenden Teile ist größer als derjenige der Löcher).
- Die pilzförmigen Legierungsschichten werden in Wasserstoffatmosphäre geschmolzen, so daß sie in Halbkreise mit einem Durchmesser von 100 um und einer Höhe von 70 um gebildet werden. Die halbkugelförmige Legierung wird mittels des Elektronensonden-Röntgenmikroanalysegeräts analysiert: Zinn, Silber und Kupfer sind gleichförmig in der halbkreisförmigen Legierung verteilt.
- Es ist zu beachten, daß auch eine nicht-photoempfindliche Resistfilmschicht angewandt werden kann. In diesem Fall kann die Resistfilmschicht in das gewünschte Muster mittels Laser, z. B. einem Excimer-Laser, gebildet werden.
- Bei der Plattierlösung der vorliegenden Erfindung kann ohne Verwendung jeglicher Cyanide die Zinn/Silber-System-Legierungsschicht gebildet werden, von der erwartet wird, daß sie eine ziemlich nützliche Lötmittel-Ersatzlegierung für die Schicht einer Zinn/Blei-Lötmittellegierung darstellt.
Claims (14)
1. Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung mit den
folgenden Grundbestandteile (a)-(e)
(a) eine Zinnverbindung;
(b) eine Silberverbindung;
(c) mindestens einem Bestandteil, der aus Wismutverbindungen
und Kupferverbindungen ausgewählt ist;
(d) eine Pyrophosphorverbindung; und
(e) ein Iodid.
2. Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung gemäß Anspruch
1,
wobei die Pyrophosphorverbindung Pyrophosphat und/oder
Pyrophosphorsäure einschließt.
3. Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung gemäß Anspruch
1 oder 2,
wobei die Zinnverbindung eine Zinnverbindung einer
anorganischen Säure oder eine Zinnverbindung einer organischen Säure
einschließt.
4. ZinnjSilber-System-Legierung-Plattierlösung gemäß Anspruch
1 oder 2,
wobei die Silberverbindung eine Silberverbindung einer
anorganischen Säure oder eine Silberverbindung einer organischen
Säure einschließt.
5. Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung gemäß Anspruch
1, 2, 3 oder 4,
wobei die Wismutverbindung eine Wismutverbindung einer anorganischen
Säure oder eine Wismutverbindung einer organischen
Säure einschließt.
6. Zinn/Silber-System-Legierung-Plattierlösung gemäß Anspruch
1, 2, 3, 4 oder 5,
wobei die Kupferverbindung eine Kupferverbindung einer
anorganischen Säure oder eine Kupferverbindung einer organischen
Säure einschließt.
7. Verfahren zum elektrolytischen Plattieren, dadurch
gekennzeichnet, daß die Plattierlösung eine Zinn/Silber-System-
Legierung-Plattierlösung ist, die folgende Grundbestandteile
(a)-(e) umfaßt:
(a) eine Zinnverbindung;
(b) eine Silberverbindung;
(c) mindestens einen Bestandteil, der aus Wismutverbindungen
und Kupferverbindungen ausgewählt ist;
(d) eine Pyrophosphorverbindung; und
(e) ein Iodid.
8. Plattierverfahren mit den Schritten:
- Erzeugen einer Harzschicht auf einer Oberfläche eines
Werkstücks;
- Bilden eines vorbestimmten Musters in der Harzschicht als
Plattiermaske; und
- Ausführen des elektrolytischen Plattierens auf der
Oberfläche des Werkstücks mit einer Zinn/Silber-System-Legierung-
Plattierlösung, die folgende fünf Grundbestandteile (a)-(e)
umfaßt:
(a) eine Zinnverbindung;
(b) eine Silberverbindung;
(c) mindestens einem Bestandteil, der aus einer aus
Wismutverbindungen und Kupferverbindungen bestehenden Gruppe ausgewählt
wird;
(d) eine Pyrophosphorverbindung; und
(e) ein Iodid.
9. Plattierverfahren gemäß Anspruch 8,
wobei die Harzschicht eine Schicht von photoempfindlichem Harz
ist und die Schicht des photempfindlichen Harzes unter
Verwendung der Photolithographie zu dem vorbestimmten Muster
gebildet wird.
10. Plattierverfahren gemäß Anspruch 7, 8 oder 9,
wobei die Pyrophosphorverbindung Pyrophosphat und/oder
Pyrophosphorsäure einschließt.
11. Plattierverfahren gemäß Anspruch 7, 8, 9 oder 10,
wobei die Zinnverbindung eine Zinnverbindung einer
anorganischen Säure oder eine Zinnverbindung einer organischen Säure
einschließt.
12. Plattierverfahren gemäß Anspruch 7, 8, 9, 10 oder 11,
wobei die Silberverbindung eine Silberverbindung einer
anorganischen Säure oder eine Silberverbindung einer organischen
Säure einschließt.
13. Plattierverfahren gemäß Anspruch 7, 8, 9, 10, 11 oder 12,
wobei die Wismutverbindung eine Wismutverbindung einer
anorganischen Säure oder eine Wismutverbindung einer organischen
Säure einschließt.
14. Plattierverfahren gemäß Anspruch 7, 8, 9, 10, 11, 12 oder
13,
wobei die Kupferverbindung eine Kupferverbindung einer
anorganischen Säure oder einer Kupferverbindung einer organischen
Säure einschließt.
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Families Citing this family (19)
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|---|---|---|---|---|
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| US6508927B2 (en) | 1998-11-05 | 2003-01-21 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Tin-copper alloy electroplating bath |
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| JP2001181889A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-03 | Nippon Macdermid Kk | 光沢錫−銅合金電気めっき浴 |
| DE10014852A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Enthone Omi Deutschland Gmbh | Verfahren zur Abscheidung einer Silber-Zinn-Legierung |
| US7628903B1 (en) * | 2000-05-02 | 2009-12-08 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Silver and silver alloy plating bath |
| DE10025106A1 (de) * | 2000-05-20 | 2001-11-22 | Stolberger Metallwerke Gmbh | Elektrisch leitfähiges Metallband und Steckverbinder hieraus |
| US6924044B2 (en) * | 2001-08-14 | 2005-08-02 | Snag, Llc | Tin-silver coatings |
| US7122108B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-10-17 | Shipley Company, L.L.C. | Tin-silver electrolyte |
| US20040007469A1 (en) * | 2002-05-07 | 2004-01-15 | Memgen Corporation | Selective electrochemical deposition methods using pyrophosphate copper plating baths containing ammonium salts, citrate salts and/or selenium oxide |
| JP3961381B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2007-08-22 | 株式会社共立 | 内燃エンジン用シリンダ及びその内周面処理方法 |
| US20070037005A1 (en) * | 2003-04-11 | 2007-02-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Tin-silver electrolyte |
| US20050085062A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Semitool, Inc. | Processes and tools for forming lead-free alloy solder precursors |
| KR100698662B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2007-03-23 | 에프씨엠 가부시끼가이샤 | 주석-은-구리 3원합금으로 이루어지는 표면을 형성한단자, 그것을 갖는 부품 및 제품 |
| US20080308300A1 (en) * | 2007-06-18 | 2008-12-18 | Conti Mark A | Method of manufacturing electrically conductive strips |
| CN102517615A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-06-27 | 张家港舒马克电梯安装维修服务有限公司镀锌分公司 | 一种Sn-Ag合金电镀液 |
| KR101596437B1 (ko) * | 2014-04-25 | 2016-03-08 | 주식회사 에이피씨티 | 플립칩 패키지 구리 필라의 제조 방법과 이를 위한 동계 전기도금액 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU406950A1 (ru) * | 1971-09-06 | 1973-11-21 | Способ электролитического осаждения сплава серебро- кобальт | |
| JPS543810B2 (de) * | 1972-06-21 | 1979-02-27 | ||
| JPS543142B2 (de) * | 1972-06-16 | 1979-02-19 | ||
| JPS6026691A (ja) * | 1983-07-23 | 1985-02-09 | Kumamotoken | 銀−スズ合金めつき液 |
| US6001289A (en) * | 1991-12-04 | 1999-12-14 | Materials Innovation, Inc. | Acid assisted cold welding and intermetallic formation |
| JP3274232B2 (ja) * | 1993-06-01 | 2002-04-15 | ディップソール株式会社 | 錫−ビスマス合金めっき浴及びそれを使用するめっき方法 |
| JP3481020B2 (ja) * | 1995-09-07 | 2003-12-22 | ディップソール株式会社 | Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき浴 |
-
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