DE69627930T2 - Breitbandverstärker - Google Patents

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Breitbandverstärker, der ausreichende Ausgangscharakteristiken über einen breiten Betriebsfrequenzbereich von Gleichstrom bis zu mehreren zehn Gigahertz sicherstellt.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • 4 zeigt einen Stromlaufplan eines herkömmlichen Breitbandverstärkers, de imstande ist, zweiphasige Signale zu empfangen. In 4 bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen Differentialverstärker. Eine einen Pegel verschiebende erste Sourcefolgerschaltung 2 verschiebt eine Ausgangsspannung des Differentialverstärkers 1 auf einen vorbestimmten Pegel. Eine eine Impedanz wandelnde zweite Sourcefolgerschaltung 3 ist mit der ersten Sourcefolgerschaltung 2 verbunden. Weiterhin sind Symbole VSS eine Spannungsquelle; IN1 ein Eingangsanschluß; IN2 ein invertierter Eingangsanschluß; OUT1 ein Ausgangsanschluß; und OUT2 ein invertierter Ausgangsanschluß.
  • In dem Differentialverstärker 1 sind Tr1, Tr2, Tr3 Feldeffekttransistoren (hier im weiteren Verlauf als FETs abgekürzt), sind R1 und R2 Lastwiderstände und ist D1 eine einen Pegel verschiebende Diode. In der ersten Sourcefolgerschaltung 2 sind Tr4 und Tr5 Sourcefolger-FETs, sind Tr6 und Tr7 Stromgiaellen-FETs und sind T2 und T3 einen Pegel verschiebende Dioden. Die Stufe des Sourcefolger-FET Tr5 verarbeitet ein Signal, das von einem Signal invertiert ist, das von der Stufe des Sourcefolger-FET Tr4 verarbeitet wird. In der zweiten Sourcefolgerschaltung 3 sind D4 und D5 einen Pegel verschiebende Dioden, sind Tr8 und Tr9 Sourcefolger-FETs und sind Tr10 und Tr11 Stromquellen-FETs. Die Stufe des Sourcefolger-FET Tr9 verarbeitet ein Signal, das von einem Signal invertiert wird, das von der Stufe des Sourcefolger-FET Tr8 invertiert wird.
  • Die Funktionsweise des Breitbandverstärkers, der den vorhergehenden Aufbau aufweist, wird nachstehend unter Annahmen beschrieben, daß ein Strom, der durch den FET Tr3 fließt, mit IC bezeichnet ist und die Widerstände R1 und R2 einen Widerstandswert RL aufweisen. Wenn hochpegelige und niederpegelige Signale in den Eingangsanschluß IN1 bzw. den invertierten Eingangsanschluß IN2 eingegeben werden, wird der FET Tr1 eingeschaltet und wird der FET Tr2 ausgeschaltet, so daß der Strom IC durch den FET Tr1 fließt. Andererseits wird, wenn niederpegelige Signale und hochpegelige Signale an den Eingangsanschluß IN1 bzw. den invertierten Eingangsanschluß IN2 angelegt werden, der FET Tr1 ausgeschaltet und der FET Tr2 eingeschaltet, so daß der Strom IC durch den FET Tr2 fließt. Ein Signal, das aus dem Drainanschluß des FET Tr1 oder Tr2 ausgegeben wird und der ersten Sourcefolgerschaltung 2 zugeführt wird, weist eine Amplitude ΔV = RL * IC auf.
  • Die Sourcefolgerschaltung 2, eigentlich die einem Pegel verschiebenden Dioden D2 und D3, führen eine Gleichstrom-Pegelverschiebung bezüglich eines Signals durch, das durch den Differentialverstärker 1 im Pegel verschoben werden ist, um einen Ausgangspegel zu erzielen, der für den Breitbandverstärker erforderlich ist.
  • 5A zeigt die erste Sourcefolgerschaltung 2, die sich in einem Zustand befindet, daß eine Gatespannung des Sourcefolger-FET Tr4 gerade ein hoher Pegel geworden ist. In einem Augenblick, in dem ein hochpegeliges Signal von dem Differentialverstärker 1 dem Sourcefolger-FET Tr4 zugeführt wird, erhöht sich eine Gate/Sourcespannung des Sourcefolger-FET Tr4 (um ΔVH) und erhöht sich ein Drainstrom (um ΔID1). Wenn der Innenwiderstand (Source/Drainwiderstand RDS) des Stromquellen-FET Tr6 ausreichend groß ist, fließt der Drainstrom ΔID1 in den Gateanschluß des Sourcefolger-FET Tr8 der zweiten Sourcefolgerschaltung 3, um eine Eingangskapazität Ct (Gate/Sourcekapazität CGS + Gate/Drainkapazität CGD) des Sourcefolger-FET Tr8 aufzuladen. Im allgemeinen ist eine Spannung V über einer Kapazität C eine zeitliche Integration eines dadurch fließenden Stroms, das heißt Änderungen gemäß V = (1/C)∫idt. Deshalb erhöht sich eine Gatespannung des Sourcefolger-FET Tr8, das heißt eine Sourcespannung des Sourcefolger-FET Tr4, um ΔVH, wenn die Zeit verstreicht, so daß sich die Gate/Sourcespannung des Sourcefolger-FET Tr4 um ΔVH verringert. Daher verringert sich der Injektionsstrom ID1 auf 0.
  • In diesem Fall muß der Strom ΔID1, der von dem Sourcefolger-FET Tr4 gezogen wird, erhöht werden, um schnell die Gatespannung des Sourcefolger-FET Tr8 von einem niedrigen Pegel auf einen hohen Pegel umzuschalten (das heißt eine Anstiegszeit tr1 zu verringern). Dies kann durch Erhöhen der Abmessung des FET Tr4 erzielt werden. Wenn jedoch der FET Tr4 zu groß gemacht wird, würde die Last (das heißt eine Eingangskapazität Ct des Sourcefolger-FET Tr4) bezüglich eines Ausgangssignals des Differentialverstärkers 1 der vorhergehenden Stufe übermäßig groß werden, was den Schaltbetrieb des Differentialverstärkers 1 verschlechtert. In dem Breitbandverstärker von 4 wird die Last bezüglich eines Ausgangssignals des Differentialverstärkers 1 unter Verwendung der zweistufigen Sourcefolgerschaltunger 2 und 3 verringert, in welchen die Abmessung der Sourcefolger-FETs der zweiten Sourcefolgerschaltung 3 größer als die der ersten Sourcefolgerschaltung 2 ist. Sourcefolgerschaltungen von mehr als zwei Stufen können verwendet werden, um einen sehr schnellen Verstärker zu realisieren.
  • 5B zeigt die erste Sourcefolgerschaltung 2, die sich in einem Zu stand befindet, daß die Gatespannung des Sourcefolger-FET Tr4 gerade ein niedriger Pegel geworden ist. Zu einem Augenblick, in dem ein niederpegeliges Ausgangssignal von dem Differentialverstärker 1 dem Sourcefolger-FET Tr4 zugeführt wird, verringert sich die Gate/Sourcespannung des Sourcefolger-FET Tr4 (um ΔVL), so daß sich der Drainstrom (um ΔID2) verringert und sich der Innenwiderstand erhöht. Da ein Konstantstrom durch den Stromquellen-FET Tr6 fließt, um die Quellenspannung des Sourcefolger-FET Tr4 um ΔVL zu bewirken, wird die Ladung, die in der Eingangskapazität Ct des Sourcefolger-FET Tr8 gespeichert worden ist, freigegeben und fließt ein Entladestrom durch den Stromquellen-FET Tr6 als sein Drainstrom. Um die Gatespannung des Sourcefolger-FET Tr8 schnell von einem hohen Pegel zu einem niedrigen Pegel umzuschalten (das heißt eine Abfallzeit tf zu verringern), muß der Strom des Stromguellen-FET Tr6 erhöht werden, was zu einer erhöhten Energieaufnahme der Gesamtschaltung führt. Die Grundlage einer Funktionsweise der zweiten Sourcefolgerschaltung 3 ist ähnlich zu der der ersten Sourcefolgerschaltung 2.
  • In der Breitbandverstärker, der die Sourcefolgerschaltungen aufweist, wie sie zuvor beschrieben worden sind, verbessert die Erhöhung der Anzahl von Stufen der Sourcefolgerschaltungen die Hochgeschwindigkeits-Schaltungscharakteristik, aber verschlechtert die Bandbreitencharakteristik.
  • Um dieses Problem zu lösen, ist ein Verstärker vorgeschlagen worden, welcher eine Gegentakt-Sourcefolgerschaltung verwendet. 6 zeigt einen Stromlaufplan eines herkömmlichen Verstärkers eines derartigen Typs, wie er in Toshiki Seshita et al.: "20 GHz 8b Multiplexer Implemented with 0.5 μm WNx/W-Gate GaAs MESFETs", IEEE ISSCC Digest of Technical Papers, Seiten 172 bis 173, Februar 1994 offenbart ist.
  • Die Komponenten, die die gleichen Bezugszeichen in den 4 und 6 aufweisen, sind die gleichen oder entsprechende. In 6 verwendet ein Differentialverstärker 1 einen einen Pegel verschiebenden Widerstand R4 anstelle der einen Pegel verschiebenden Diode D1 in 4. In einer Sourcefolgerschaltung 4 sind Stromquellen-FETs Tr4 und Tr7, Sourcefolger-FETs Tr4 und Tr5 und Dioden D2 und D3 die gleichen wie diejenigen in der ersten Sourcefolgerschaltung 2 in 12. Gatespannungen der Stromquellen-FETs Tr6 und Tr7 werden durch eine Vorspannungsschaltung gegeben, die Reihenwiderstände R5 und R6 und Reihenwiderstände R7 und R8 aufweist, die zwischen Masse und einer Spannungsquelle VSS vorgesehen sind. Quellenspannungen der Stromquellen-FETs Tr6 und Tr7 sind über Dioden D4 bzw. D5 gegeben. Ein Knoten ND1 an dem Sourceanschluß des Sourcefolger-FET Tr4 ist über einen Kondensator T2 mit einem Knoten ND4 an dem Geteanschluß des Stromquellen-FET Tr7 einer Stufe zum Verarbeiten eines inwertierten Signals verbunden. Ein Knoten ND2 an dem Sourceanschluß des Sourcefolger-FET Tr5 der Stufe zum Verarbeiten eines invertierten Signals ist über einen Kondensator C1 mit einem Knoten ND3 an dem Gateanschluß des Stromquellen-FET Tr6 verbunden.
  • Bei dem vorhergehenden Gegentaktaufbau empfängt der Stromquellen-FET Tr3, wenn ein niederpegeliges Signal an die Sourcefolgerschaltung 4 angelegt wird, ein invertiertes Signal und schaltet sich deshalb ein, um einen dadurch fließenden Strom zu erhöhen. Daher zieht der Stromquellen-FET Tr6 einfacher eine Ladung, die in einer Eingangskapazität einer Schaltung einer nächsten Stufe gespeichert ist, was zu einer kürzeren Signalabfallszeit tf führt. Umgekehrt wird, wenn ein hochpegeliges Signal an die Sourcefolgerschaltung 4 angelegt wird, der Strom, der in den Stromquellen-FET Tr6 fließt, verringert. Da zugelassen wird, daß der Strom, der in die Eingangskapaziät einer nächsten Stufe fließt, so viel wie möglich erhöht wird, kann eine Signaleinstiegszeit tr verkürzt werden. Weiterhin kann, da die Ansteuerströme durch Umschalten der Stromquellen-FETs Tr6 und Tr7 gesteuert werden können, die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik mit weitestgehend keiner Erhöhung der Energieaufnahme der Vorspannungs schaltung verbessert werden. Weiterhin kann noch die Bandbreite des gesamten Breitbandverstärkers erhöht werden, da die Bandbreite der Sourcefolgerschaltung 4 kraft der Frequenzcharakteristiken der Kopplungskondensatoren C1 und C2 erhöht wird.
  • Jedoch sind in dem herkömmlichen Breitbandverstärker, der die Gegentakt-Sourcefolgerschaltung 4 verwendet, um die Gatespannungen der Stromquellen-FETs Tr6 und Tr7 niedriger als ihre Sourcespannungen zu machen, wenn sie ausgeschaltet werden, die Dioden D4 und D5 mit den Sourceanschlüssen der jeweiligen FETs verbunden, was eine negative Rückkoppling durch die Innenwiderstände der Dioden D4 und D5 bewirkt. Als Ergebnis werden die Schaltcharkateristiken der Stromquellen-FETs Tr6 und Tr7 verschlechtert, was weiterhin die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik der Sourcefolgerschaltung 4 verschlechtert.
  • KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Breitbandverstärker zu schaffen, der sowohl eine ausreichend breite Bandbreite und eine ausreichend hohe Schaltgeschwindigkeit als auch eine niedrige Energieaufnahme aufweist, wobei dieser Verstärker keine Gegentakt-Sourcefolgerschaltung aufweist.
  • Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des Anspruchs 1 gelöst.
  • Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung ist Gegenstands des Anspruchs 2.
  • In dem Breitbandverstärker des Anspruchs 1 wird durch Vorsehen der Spitzenbildungsschaltung in Reihe zwischen den Ausgangsanschlüssen einer vorgeschalteten Sourcefolgerschaltung und den Eingangsanschlüssen einer nachgeschalteten Sourcefolgerschaltung bewirkt, daß die Spitzenbildungsschaltung mit der Eingangskapazität der nachgeschalteten Sourcefolgerschaltung in Reihenresonanz versetzt wird, um lediglich einen hochfrequenten Strom, das heißt einen Strom, der in den Eingang einer Schaltung einer nächsten Stufe, wie zum Beispiel einen Breitbandverstärker ließt, zu erhöhen. Keine Vorspannungsschaltung zum Zuführen von Gatespannungen der Stromquellen-FETs ist anders als bei dem Fall der Gegentakt-Sourcefolgerschaltung erforderlich. Deshalb wird die Ansteuerbarkeit ohne Erhöhen der Energieaufnahme verbessert. Die Resonanzfrequenz kann durch Ändern der Induktanzen der Spitzenbildungsschaltung geändert werden.
  • In dein Breitbandverstärker des Anspruchs 2 wird die Frequenzcharakteristik durch Machen der Resonanzfrequenz von einer Spitzenbildungsschaltung unterschiedlich zu der von mindestens einer der anderen Spitzenbildungsschaltungen zwischen den zwei Resonanzfrequenzen flach. Eine flache Spannungsverstärkungsfaktorcharakteristik kann in einem erwünschten Frequenzbereich durch Abweichen der Resonanzfrequenzen der jeweiligen Breitbandverstärker voneinander erzielt werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 zeigt einen Stromlaufplan eines Breitbandverstärkers gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 2 zeigt einen Stromlaufplan eines Breitbandverstärkers gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
  • 3 zeigt einen Graph von Frequenzcharakteristiken des Breitbandverstärkers in 2;
  • 4 zeigt einen Stromlaufplan eines herkömmliches Breitbandverstärkers;
  • 5A und 5B stellen ein Laden/Entladen in Sourcefolgerschaltungen des Breitbandverstärkers in 4 dar; und
  • 6 zeigt einen Stromlaufplan eines herkömmlichen Breitbandverstärkers mit einer Gegentakt-Sourcefolgerschaltung.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Ausführungsbeispiel 1
  • 1 zeigt einen Stromlaufplan, der ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. In 1 bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen Differentialverstärker. Eine einen Pegel verschiebende erste Sourcefolgerschaltung 2 verschiebt eine Ausgangsspannung des Differentialverstärkers 1 auf einen vorbestimmten Pegel. Eine eine Impedanz wandelnde zweite Sourcefolgerschaltung 3 ist mit der ersten Sourcefolgerschaltung 2 verbunden. Das Bezugszeichen 6 bezeichnet eine Spitzenbildungsschaltung. Der Differentialverstärker, die erste Sourcefolgerschaltung 2 und die zweite Sourcefolgerschaltung 3 sind die gleichen wie die herkömmlichen, die in 4 gezeigt sind. Das Ausführungsbeispiel ist gekennzeichnet durch die Spitzenbildungsschaltung 6, die zwischen den Ausgangsanschlüssen der ersten Sourcefolgerschaltung 2 und den Eingangsanschlüssen der zweiten Sourcefolgerschaltung 3 vorgesehen ist.
  • In dem Differentialverstärker 1 sind Tr1, Tr2 und Tr3 FETs sind R1 und R2 Lastwiderstände, ist D1 eine einen Pegel verschiebende Diode und ist R3 ein Widerstand.
  • In der ersten Sourcefolgerschaltung 2 sind Tr4 und Tr5 Sourcefolger-FETs, sind Tr6 und Tr7 Stromquellen-FETs und sind D2 und D3 einen Pegel verschiebende Dioden. Die Stufe des Sourcefolger-FET Tr5 verarbeitet ein Signal, das von einem Signal invertiert ist, das durch die Stufe des Sourcefolger-FET Tr4 verarbeitet wird. In der zweiten Sourcefolgerschaltung 3 sind D4 und D5 einen Pegel verschiebende Dioden, sind Tr8 und Tr9 Sourcefolger-FETs und sind Tr10 und Tr11 Stromquellen-FETs. Die Stufe des zweiten Sourcefolger-FET Tr9 verarbeitet ein Signal, das von einem Signal invertiert wird, das durch die Stufe des Sourcefolger-FET Tr8 verarbeitet wird. In der Spitzenbildungsschaltung 6 ist ein Induktor L1 zwischen dem Ausgangsanschluß für ein invertiertes Signal (das heißt einer Kathodenelektrode der einen Pegel veschiebenden Diode D2) der Stufe des Sourcefolger-FET Tr4 und dem Eingangsanschluß für ein invertiertes Signal (das heißt einem Gateanschluß der Sourcefolger-FET Tr8) der zweiten Sourcefolgerschaltung 3 vorgesehen. Ein Induktor L2 ist zwischen dem Ausgangsanschluß (das heißt einem Kathodenanschluß der einen Pegel verschiebenden Diode D3) der Stufe des Sourcefolger-FET Tr5 und dem Eingangsanschluß für ein nichtinvertiertes Signal (das heißt einem Gateanschluß der Sourcefolger-FET Tr9) der zweiten Sourcefolgerschaltung 3 vorgesehen.
  • Eine Reihenresonanzschaltung ist durch den Induktor L1 und die Eingangskapazität des Sourcefolger-FET Tr8 ausgebildet, so daß ein hochfrequenter Strom, der durch den Sourcefolger-FET Tr8 fließt, das heißt ein Strom, der in den Eingang einer Schaltung einer nächsten Stufe, wie um Beispiel einen Breitbandverstärker, fließt, erhöht wird. Auf eine ähnliche Weise erhöht der Induktor L2 einen hochfrequenten Strom, der durch den Sourcefolger-FET Tr9 fließt.
  • Kraft der Verwendung der Spitzenbildungsschaltung, welche lediglich einen hochfrequenten Strom erhöht, wird anders als bei dem Fall der Ge gentakt-Sourcefolgerschaltung keine Vorspannungsschaltung zum Zuführen von Gatespannungen der Stromquellen-FETs benötigt. Deshalb wird die Ansteuerbarkeit ohne ein Erhöhen der Energieaufnahme verbessert.
  • Der Reihenresonanzeffekt der Spitzenbildungsschaltung 6 ist schwächer, wenn die Ausgangsimpedanzen der Abschnitte der Schaltung der vorhergehenden Stufe, mit welcher die Induktoren L1 und L2 verbunden sind, größer sind. Deshalb maximiert der Schaltungsaufbau dieses Ausführungsbeispiels, bei welchem die Spitzenbildungsschaltung 6 mit den Ausgangsanschlüssen der eine Impedanz verringernden ersten Sourcefolgerschaltung 2 verbunden ist, anstelle als zwischen den Ausgangsanschlüssen des Differentialverstärkers 1 und den Eingangsanschlüssen der ersten Sourcefolgerschaltung 2 vorgesehen zu sein, den Reihenresonanzeffekt.
  • Die Resonanzfrequenz der Spitzenbildungsschaltung 6 kann durch Ändern der Induktanz der Induktoren L1 und L2 geändert werden.
  • Weiterhin kann die Bandbreite des Breitbandverstärkers durch Einstellen der Resonanzfrequenz der Spitzenbildungsschaltung 6 nahe der hochfrequenten Grenzfrequenz des Breitbandverstärkers erhöht werden.
  • Ausfürungsbeispiel 2
  • 2 zeigt einen Stromlaufplan, der ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. In diesem Ausführungsbeispiel sind, wie es in 2 gezeigt ist, ein erster Breitbandverstärker 7, der eine Spitzenbildungsschaltung 6 aufweist, die aus Induktoren L1 und L2 besteht, und ein zweiter Breitbandverstärker 12 der eine Spitzenbildungsschaltung 11 aufweist, die aus Induktoren L3 und L4 besteht, miteinander in Reihe geschaltet. Der erste Breitbandverstärker 7 beinhaltet einen Differentialverstärker 1, eine einen Pegel verschiebende erste Sourcefolgerschaltung 2, eine eine Impedanz wandelnde zweite Sourcefolgerschaltung 3, und die Spitzenbildungsschaltung 6, die zwischen den Ausgangsanschlüssen der ersten Sourcefolgerschaltung 2 und den Eingangsanschlüssen der zweiten Sourcefolgerschaltung 3 vorgesehen ist. Der zweite Breitbandverstärker 12 beinhaltet einen Differentialverstärker, eine einen Pegel verschiebende erste Sourcefolgerschaltung 9, eine eine Impedanz wandelnde zweite Sourcefolgerschaltung 10 und die Spitzenbildungsschaltung 12, die zwischen den Ausgangsanschlüssen der ersten Sourcefolgerschaltung 9 und den Eingangsanschlüssen der zweiten Sourcefolgerschaltung 10 vorgesehen ist.
  • Eine Induktanz Lf der Induktoren L1 und L2 der Resonanzschaltung 6 und ihre Resonanzfrequenz ff werden zu einer Induktanz Ls der Induktoren L3 und L4 der Spitzenbildungsschaltung 11 und ihrer Resonanzfrequenz fs unterschiedlich gemacht; das heißt eine Beziehung ff ≠ fs wird gebildet.
  • 3 zeigt Breitbandcharakteristiken der ersten und zweiten Breitbandverstärker 7 und 12. Genauer gesagt stellt eine durchgezogene Linie A eine Frequenzcharakteristik des Spannungsverstärkungsfaktors der Gesamtheit de s ersten und zweiten Breitbandverstärkers 7 und 12 dar, stellt eine strichpunktierte Linie C eine Frequenzcharakteristik des Spannungsverstärkungsfaktors von lediglich dem ersten Breitbandverstärker 7 dar und stellt eine gestrichelte Linie B eine Frequenzcharakteristik des Spannungsverstärkungsfaktors von lediglich dem zweiten Breitbandverstärker 12 dar.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, ist die Frequenzcharakteristik (durchgezogene Linie A) zwischen einer Resonanzfrequenz ff (= 4 GHz) des ersten Breitbandverstärkers 7 (strichpunktierte Linie C) und einer Resonanzfrequenz fs (= 5,5 GHz) des zweiten Breitbandverstärkers 12 (gestrichelte Linie B) flach. Auf diese Weise kann eine flache Spannungsverstärkungsfaktorchatakteristik in einem erwünschten Frequenzbereich durch Abweichen der Resonanzfrequenzen der jeweiligen Breitbandverstärker voneinander erzielt werden.

Claims (2)

  1. Breitbandverstärker, der aufweists: eine Mehrzahl von Sourcefolgerschaltungen, die zweiphasige Signale aufnehmen und in Reihe geschaltet sind, wobei alle Sourcefolgerschaltungen einen ersten Satz von FETs, die einen ersten Sourcefolger-FET und einen ersten Stromquellen-FET beinhalten, und einen zweiten Satz von FETs aufweisen, die einen zweiten Sourcefolger-FET und einen zweiten Stromquellen-FET beinhalten; und eine Spitzenbildungsschaltung, die zwischen Ausgangsanschlüssen einer vorgeschalteten Sourcefolgerschaltung und Eingangsanschlüssen einer nachgeschalteten Sourcefolgerschaltung in Reihe geschaltet ist, wobei die Spitzenbildungsschaltung Induktoren aufweist, die mit der nachgeschalteten Sourcefolgerschaltung in Reihe in Resonanz versetzt werden.
  2. Breitbandverstärker nach Anspruch 1, wobei der Breitbandverstärker mindestens zwei Spitzenbildungsschaltungen aufweist und eine der Spitzenbildungsschaltungen eine andere Resonanzfrequenz als mindestens eine der anderen Spitzenbildungsschaltungen aufweist.
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