DE69526336D1 - Leseschaltung für Speicherzellen mit niedriger Versorgungsspannung - Google Patents

Leseschaltung für Speicherzellen mit niedriger Versorgungsspannung

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Cristiano Calligaro
Roberto Gastaldi
Nicola Telecco
Guido Torelli
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0798732B1 (de) * 1996-03-29 2003-02-05 STMicroelectronics S.r.l. Leseverstärker mit Verstärkungsmodulation, insbesondere für Speicheranordnungen
EP0833340B1 (de) * 1996-09-30 2003-04-02 STMicroelectronics S.r.l. Leseschaltung für Halbleiter-Speicherzellen
JPH10255480A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Oki Electric Ind Co Ltd センスアンプ
JP3968818B2 (ja) * 1997-05-26 2007-08-29 富士通株式会社 アンプ
US5841718A (en) * 1997-08-08 1998-11-24 Mosel Vitelic, Inc. Use of voltage equalization in signal-sensing circuits
DE19955779A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-31 Infineon Technologies Ag Speichereinrichtung
US6459620B1 (en) * 2001-06-21 2002-10-01 Tower Semiconductor Ltd. Sense amplifier offset cancellation in non-volatile memory circuits by dedicated programmed reference non-volatile memory cells
US7038936B2 (en) 2002-02-06 2006-05-02 Evert Seevinck Reading circuit for reading a memory cell
JP2006504992A (ja) 2002-10-31 2006-02-09 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ ディスプレイにおけるライン走査
US6946882B2 (en) * 2002-12-20 2005-09-20 Infineon Technologies Ag Current sense amplifier
US7251178B2 (en) * 2004-09-07 2007-07-31 Infineon Technologies Ag Current sense amplifier
US7433253B2 (en) * 2002-12-20 2008-10-07 Qimonda Ag Integrated circuit, method of operating an integrated circuit, method of manufacturing an integrated circuit, memory module, stackable memory module
US6775186B1 (en) 2003-07-03 2004-08-10 Tower Semiconductor Ltd. Low voltage sensing circuit for non-volatile memory device
TWI402847B (zh) * 2007-06-25 2013-07-21 Higgs Opl Capital Llc 相變化記憶體之感測電路
TWI347607B (en) 2007-11-08 2011-08-21 Ind Tech Res Inst Writing system and method for a phase change memory
TWI402845B (zh) 2008-12-30 2013-07-21 Higgs Opl Capital Llc 相變化記憶體陣列之驗證電路及方法
TWI412124B (zh) 2008-12-31 2013-10-11 Higgs Opl Capital Llc 相變化記憶體
KR20110100464A (ko) * 2010-03-04 2011-09-14 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3678473A (en) * 1970-06-04 1972-07-18 Shell Oil Co Read-write circuit for capacitive memory arrays
BE789500A (fr) * 1971-09-30 1973-03-29 Siemens Ag Memoire a semiconducteurs avec elements de memorisation a un seul transistor
US4216395A (en) * 1978-01-16 1980-08-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Detector circuitry
US4247791A (en) * 1978-04-03 1981-01-27 Rockwell International Corporation CMOS Memory sense amplifier
US4253163A (en) * 1979-10-09 1981-02-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Sense amplifier-detector circuit
DE3028754C2 (de) * 1980-07-29 1982-10-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Dynamischer Leseverstärker für MOS-Halbleiterspeicher
DE3101802A1 (de) * 1981-01-21 1982-08-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierter halbleiterspeicher
US4796227A (en) * 1987-03-17 1989-01-03 Schlumberger Systems And Services, Inc. Computer memory system
EP0303815B1 (de) * 1987-08-18 1993-09-22 Siemens Aktiengesellschaft Leseverstärker für statische Speicher in CMOS-Technologie
US4843264A (en) * 1987-11-25 1989-06-27 Visic, Inc. Dynamic sense amplifier for CMOS static RAM
JPH0268796A (ja) * 1988-09-02 1990-03-08 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4951252A (en) * 1988-10-25 1990-08-21 Texas Instruments Incorporated Digital memory system
DE69014414T2 (de) * 1989-05-29 1995-06-14 Philips Electronics Nv Abtast- und Halteanordnung.
NL8901376A (nl) * 1989-05-31 1990-12-17 Philips Nv Geintegreerde geheugenschakeling met een leesversterker.
US5253137A (en) * 1989-05-31 1993-10-12 U.S. Philips Corp. Integrated circuit having a sense amplifier
FR2670061B1 (fr) * 1990-11-30 1996-09-20 Bull Sa Procede et dispositif de transfert de signaux binaires differentiels et application aux additionneurs a selection de retenue.
US5245223A (en) * 1992-03-17 1993-09-14 Hewlett-Packard Company CMOS latching comparator
KR970001344B1 (ko) * 1993-07-12 1997-02-05 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치
JP3318430B2 (ja) * 1994-03-15 2002-08-26 富士通株式会社 電源負荷回路及び半導体記憶装置
US5504443A (en) * 1994-09-07 1996-04-02 Cypress Semiconductor Corp. Differential latch sense amlifiers using feedback

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Publication number Publication date
EP0747903A1 (de) 1996-12-11
JPH08339691A (ja) 1996-12-24
EP0747903B1 (de) 2002-04-10
US5694363A (en) 1997-12-02

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