DE69525558T2 - Methode zur Herstellung eines Dünnfilm-Transistors mit invertierter Struktur - Google Patents

Methode zur Herstellung eines Dünnfilm-Transistors mit invertierter Struktur

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2833545B2 (ja) * 1995-03-06 1998-12-09 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3082679B2 (ja) * 1996-08-29 2000-08-28 日本電気株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO1998057506A1 (en) * 1997-06-12 1998-12-17 Northern Telecom Limited Directory service based on geographic location of a mobile telecommunications unit
JP2001308339A (ja) 2000-02-18 2001-11-02 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4785229B2 (ja) 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN100477129C (zh) * 2006-02-08 2009-04-08 财团法人工业技术研究院 薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法
KR101576813B1 (ko) * 2007-08-17 2015-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2009060922A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and display device having the thin film transistor
TWI535037B (zh) 2008-11-07 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61237420A (ja) * 1985-04-13 1986-10-22 Oki Electric Ind Co Ltd Ｐ型アモルフアスシリコン薄膜の製造方法
US4882295A (en) * 1985-07-26 1989-11-21 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making a double injection field effect transistor
US5270224A (en) * 1988-03-11 1993-12-14 Fujitsu Limited Method of manufacturing a semiconductor device having a region doped to a level exceeding the solubility limit
JPH01241175A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Seikosha Co Ltd 非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法
JPH01302769A (ja) * 1988-05-30 1989-12-06 Seikosha Co Ltd 逆スタガー型シリコン薄膜トランジスタの製造方法
US5053354A (en) * 1988-05-30 1991-10-01 Seikosha Co., Ltd. Method of fabricating a reverse staggered type silicon thin film transistor
JPH07114285B2 (ja) * 1988-12-16 1995-12-06 日本電気株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US5109260A (en) * 1989-07-10 1992-04-28 Seikosha Co., Ltd. Silicon thin film transistor and method for producing the same
EP0606114A1 (en) * 1989-08-11 1994-07-13 Seiko Instruments Inc. Method of producing field effect transistor
JPH04505833A (ja) * 1990-10-05 1992-10-08 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 基準構造の地形の伝搬地形による装置の自己アライメント
JPH04321275A (ja) * 1991-04-19 1992-11-11 Nec Corp 薄膜トランジスタ
JPH04367277A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Nec Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH04367276A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Nec Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH0583197A (ja) * 1991-09-21 1993-04-02 Alpine Electron Inc デイジタルオーデイオ装置

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EP0678907B1 (en) 2002-02-27
DE69525558D1 (de) 2002-04-04
KR0180323B1 (ko) 1999-04-15
EP0678907A3 (en) 1997-08-20
KR950030282A (ko) 1995-11-24

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