JPS61237420A - Ｐ型アモルフアスシリコン薄膜の製造方法 - Google Patents
Ｐ型アモルフアスシリコン薄膜の製造方法Info
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- JPS61237420A JPS61237420A JP60079049A JP7904985A JPS61237420A JP S61237420 A JPS61237420 A JP S61237420A JP 60079049 A JP60079049 A JP 60079049A JP 7904985 A JP7904985 A JP 7904985A JP S61237420 A JPS61237420 A JP S61237420A
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- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はＰ型アモルファスシリコン薄膜の製造方法に
関する。
関する。
（従来の技術）
近年、アモルファスシリコン薄膜を用いて太陽電池、電
子写真感光体、光センサ、その他の各種の光電変換デバ
イスが開発され実用化されている。一般に水素化アモル
ファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと称する）が用いら
れ、通常は、このａ−３ｉ：Ｈをシランガス（Ｓ ｔ７
１Ｈ２７１−１−７、但しｎ≧１）のグロー放電分解法
（プラズマＣｖＤ）で作製している。また、作製された
ａ−５ｉ；Ｈ膜の電気的及び光学的特性は作製時の成長
条件に大きく依存することが知られている。
子写真感光体、光センサ、その他の各種の光電変換デバ
イスが開発され実用化されている。一般に水素化アモル
ファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと称する）が用いら
れ、通常は、このａ−３ｉ：Ｈをシランガス（Ｓ ｔ７
１Ｈ２７１−１−７、但しｎ≧１）のグロー放電分解法
（プラズマＣｖＤ）で作製している。また、作製された
ａ−５ｉ；Ｈ膜の電気的及び光学的特性は作製時の成長
条件に大きく依存することが知られている。
このａ−５ｉ：Ｈ膜を用いて上述した光電変換デバイス
を作製する場合、このａ−３ｉ：Ｈに要求される最も重
要な特性は光発生キャリアの寿命が充分に長いこと（光
電流が大きいこと）である、そのため、従来はａ−３ｉ
：ＨＪｌｌの作製時の高周波（ＲＦ）パワー密度を０
、２ Ｗ／ ｃ ｍ ２程度かそれ以下に小さくして、
この膜が荷電粒子によって受ける損傷を少なくすること
により、この特性を大きくするようになしていた。しか
し、ＲＦパワーを小さくした結果、膜の成長速度が２０
０〜３００Å／分というように低速度となっていた。
を作製する場合、このａ−３ｉ：Ｈに要求される最も重
要な特性は光発生キャリアの寿命が充分に長いこと（光
電流が大きいこと）である、そのため、従来はａ−３ｉ
：ＨＪｌｌの作製時の高周波（ＲＦ）パワー密度を０
、２ Ｗ／ ｃ ｍ ２程度かそれ以下に小さくして、
この膜が荷電粒子によって受ける損傷を少なくすること
により、この特性を大きくするようになしていた。しか
し、ＲＦパワーを小さくした結果、膜の成長速度が２０
０〜３００Å／分というように低速度となっていた。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、上述した種々のデバイスはＰＩＮ構造が一般
的である。この構造のＰ型膜を作製するに際し１例えば
モノシラン（Ｓ Ｉ Ｈ４） ｉ：用いる場合には、ジ
ボラン（Ｂ２Ｈ６）を混合比で１Ｏ−４以上添加（ドー
プ）する必要があった（文献Ｉ： 「ソリッド ステイ
ト コミュニケイシｗ ７ズＪ （Ｓｏｌｉｄ ５ｔ
ａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｎｏｇ）、１７゜（１
９７５）、ｐｐＨ９３〜１１９５） 、 Ｌかしながら
、低成長速度で膜成長を行う場合、ジボラン（Ｂ２Ｈ６
）をドープしていくと、膜質が作製条件に敏感となり、
膜が表面モフォロジーを有するようになってくるので、
膜質の均一な膜を作製することが困難となる（「アプラ
イド フィジックス し タ −（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙ
ｓ、 Ｌｅｔｔ、） Ｊ 、 ３Ｂ、 （２）、（１９
８１）、ｐｐ９２〜９００例えば、作製条件によっては
、膜の白濁、ブリスターが発生し、そのような膜ではリ
ーク電流が多くなり、その上、膜の下地層への付着力が
弱くなるので、上述した各種のデバイスの作製にこの・
ような膜の使用は不適切であった。
的である。この構造のＰ型膜を作製するに際し１例えば
モノシラン（Ｓ Ｉ Ｈ４） ｉ：用いる場合には、ジ
ボラン（Ｂ２Ｈ６）を混合比で１Ｏ−４以上添加（ドー
プ）する必要があった（文献Ｉ： 「ソリッド ステイ
ト コミュニケイシｗ ７ズＪ （Ｓｏｌｉｄ ５ｔ
ａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｎｏｇ）、１７゜（１
９７５）、ｐｐＨ９３〜１１９５） 、 Ｌかしながら
、低成長速度で膜成長を行う場合、ジボラン（Ｂ２Ｈ６
）をドープしていくと、膜質が作製条件に敏感となり、
膜が表面モフォロジーを有するようになってくるので、
膜質の均一な膜を作製することが困難となる（「アプラ
イド フィジックス し タ −（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙ
ｓ、 Ｌｅｔｔ、） Ｊ 、 ３Ｂ、 （２）、（１９
８１）、ｐｐ９２〜９００例えば、作製条件によっては
、膜の白濁、ブリスターが発生し、そのような膜ではリ
ーク電流が多くなり、その上、膜の下地層への付着力が
弱くなるので、上述した各種のデバイスの作製にこの・
ような膜の使用は不適切であった。
低成長速度の場合に膜質が悪くなる原因は、成膜時に膜
の表面に付着したボロン（Ｂ）原子が会合してシリコン
（Ｓｔ）のネットワーク形成を妨げる結果、ミクロな空
胞が出来るためであると考えられている。このような会
合したＢ原子が増加すると、ドーピング効率（膜中で７
クセプタとして働く４配位Ｂ原子数の膜中の全Ｂ原子数
に対する比）が低下してしまう、ドーピング効率が低下
すると、所定の抵抗或いはフェルミ準位の膜を得るため
に、一層多量のＢをドープする必要が生じ、その結果、
ますます膜質が劣化することとなる。
の表面に付着したボロン（Ｂ）原子が会合してシリコン
（Ｓｔ）のネットワーク形成を妨げる結果、ミクロな空
胞が出来るためであると考えられている。このような会
合したＢ原子が増加すると、ドーピング効率（膜中で７
クセプタとして働く４配位Ｂ原子数の膜中の全Ｂ原子数
に対する比）が低下してしまう、ドーピング効率が低下
すると、所定の抵抗或いはフェルミ準位の膜を得るため
に、一層多量のＢをドープする必要が生じ、その結果、
ますます膜質が劣化することとなる。
このように、従来のＰｙＪｌａ−５＊：Ｈ＠膜の製造方
法によれば、Ｂドープ量の増大とドーピング効率の低下
という悪循環を繰り返すこととなり、−向に膜質の向上
を図ることが出来なかった。
法によれば、Ｂドープ量の増大とドーピング効率の低下
という悪循環を繰り返すこととなり、−向に膜質の向上
を図ることが出来なかった。
このため、従来は、基板選択、基板温度、ＲＦパワー、
その他の成長条件を最適化することが必要であった。
その他の成長条件を最適化することが必要であった。
そこで、この出願に係る発明者等が種々の研究及び実験
を重ねたところ、Ｐｙ！Ｓ、ａ−３ｉ：Ｈ薄膜を高速成
長させると、上述したようなドーピング効率を高めるこ
とが出来、その結果、従来と同一のドーピング効率を得
ようとする場合の混合比（［ＢＺＨ６］／ ［５ｉＨａ
］）を従来よりも低くすること出来るので、１１１の白
濁や、ブリスター゛の発生を回避或いは低減することが
出来ることが分った。
を重ねたところ、Ｐｙ！Ｓ、ａ−３ｉ：Ｈ薄膜を高速成
長させると、上述したようなドーピング効率を高めるこ
とが出来、その結果、従来と同一のドーピング効率を得
ようとする場合の混合比（［ＢＺＨ６］／ ［５ｉＨａ
］）を従来よりも低くすること出来るので、１１１の白
濁や、ブリスター゛の発生を回避或いは低減することが
出来ることが分った。
従って、この発明の目的は均一で、ドーピング効率が高
く、従来よりも少ないＢのドープ量でＰ型性の強いＰ型
膜−５ｉ：Ｈ＠膜を製造する方法を提供することにある
。
く、従来よりも少ないＢのドープ量でＰ型性の強いＰ型
膜−５ｉ：Ｈ＠膜を製造する方法を提供することにある
。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明によれば、ジボラ
ンとシランとの混合ガスとを反応容器内に送り、混合ガ
スのグロー放電分解によりＰ型アモルファスシリコン薄
膜を下地層上に成長させて製造するに当り、 この反応容器内の混合ガス圧を１００〜３００Ｐａの範
囲内の値とし及び高周波パワー密度を０．２〜０ 、５
Ｗ／ ｃ 〜２の範囲内の値としたことを特徴とする
。
ンとシランとの混合ガスとを反応容器内に送り、混合ガ
スのグロー放電分解によりＰ型アモルファスシリコン薄
膜を下地層上に成長させて製造するに当り、 この反応容器内の混合ガス圧を１００〜３００Ｐａの範
囲内の値とし及び高周波パワー密度を０．２〜０ 、５
Ｗ／ ｃ 〜２の範囲内の値としたことを特徴とする
。
さらに、この発明の好適実施例においては、成長速度を
１ｏｏｏÅ／分以上とすることが出来る。
１ｏｏｏÅ／分以上とすることが出来る。
（作用）
この発明においては、上述したように、混合ガス圧を１
００〜３００Ｐａの範囲内の値とし、ＲＦパワー密度を
０．２〜０．５Ｗ／ｃｍ２の範囲内の値とする。圧力が
１００Ｐａよりも低いと成長速度が遅くなってしまいド
ーピング効率が低下し、また、３００Ｐａよりも高いと
グロー放電が行われなくなってしまうので、実用的では
ない。
００〜３００Ｐａの範囲内の値とし、ＲＦパワー密度を
０．２〜０．５Ｗ／ｃｍ２の範囲内の値とする。圧力が
１００Ｐａよりも低いと成長速度が遅くなってしまいド
ーピング効率が低下し、また、３００Ｐａよりも高いと
グロー放電が行われなくなってしまうので、実用的では
ない。
このような範囲内で成長条件を設定すると、Ｐ型ａ−５
ｉ：Ｈ１ｉｉｌｔ！の成長速度を少なくてもｉ。
ｉ：Ｈ１ｉｉｌｔ！の成長速度を少なくてもｉ。
００Å／分以上、典型例では３０００Å／分程度とする
ことが出来る。従って、ドーピング効率を高めることが
出来、これがため、Ｂのドープ量を低減させることが出
来ることとなる。
ことが出来る。従って、ドーピング効率を高めることが
出来、これがため、Ｂのドープ量を低減させることが出
来ることとなる。
゛このように、Ｐ型ａ−５ｉ：Ｈｌｌｌを高速成長させ
ると、後述する第１図に示す特性曲線図からも明らかな
ように、Ｂのドープ量は従来のような低速成長時に得ら
れた膜の暗電導度σＪを得るための混合比は従来のｌ／
１０程度で良い、さらに。
ると、後述する第１図に示す特性曲線図からも明らかな
ように、Ｂのドープ量は従来のような低速成長時に得ら
れた膜の暗電導度σＪを得るための混合比は従来のｌ／
１０程度で良い、さらに。
Ｂのドープ量が１０−５程度で、また、成長速度を速め
た場合には、それ以下でも膜はＰ型となり、しかも、Ｂ
のドープ量の増分に対応する暗電導度σｄ の変化も従
来の場合よりも大きく、少ないドープ量でＰ型の強い膜
を得ることが出来る。
た場合には、それ以下でも膜はＰ型となり、しかも、Ｂ
のドープ量の増分に対応する暗電導度σｄ の変化も従
来の場合よりも大きく、少ないドープ量でＰ型の強い膜
を得ることが出来る。
さらに、高速成長させるので、Ｂのドープに起因するＰ
型ａ−３ｔ：Ｈｉ＊Ｍの白濁、ブリスター等の発生を回
避或いは低減し、従って、モフォロジーのない膜質の均
一な膜を得ることが出来。
型ａ−３ｔ：Ｈｉ＊Ｍの白濁、ブリスター等の発生を回
避或いは低減し、従って、モフォロジーのない膜質の均
一な膜を得ることが出来。
又、下地層への膜の付着力を低下させることがない。
（実施例）
以下１図面を参照して、この発明の実施例につき説明す
る。
る。
第２図はこの発明によるＰ！！！１ａ−３ｉ：Ｈ薄膜の
作製に使用したグロー放電分解装置の一例を概略的に示
す縦断面図である。尚、この図において、断面を表わす
ハツチング等は省略して示しである。
作製に使用したグロー放電分解装置の一例を概略的に示
す縦断面図である。尚、この図において、断面を表わす
ハツチング等は省略して示しである。
このグロー放電分解装置において、１０は円筒状の反応
容器、！２はその軸心付近に設けた基板加熱用のヒータ
、１４はこのヒータ１２の周囲を回転するように取り付
けられ膜成長が行われる下地層としての例えば円筒状の
基板、１Ｂは基板１４を回転駆動するためのモータ、１
８は反応室と連通ずる穴を有し内部にそれぞれガス導入
口２０及び排気口２２が形成されている外部電極、２４
はガス導入口２０と結合し反応室内に流量調整器（ＮＦ
Ｃ） ２Ｇを介して所望の反応ガス５ｆＨａ及びＢ７
Ｈｔ、を送給するためのガス導入管、２８は排気口２２
と結合し反応室の反応済みの不要なガスを排気するため
の排気管、３０は反応室内の混合ガス圧を制御するため
の自動圧力制御装置（＾ＰＣ） 、 ３２はメカニカル
ブースターポンプ（ＭＢＰ） 、 ３４は油回転ポンプ
（ＲＰ）、 ３１１はマツチングボックス、３日はＲＦ
主電源あり、これらの構成は従来既知であるのでその詳
細な説明は省略する。
容器、！２はその軸心付近に設けた基板加熱用のヒータ
、１４はこのヒータ１２の周囲を回転するように取り付
けられ膜成長が行われる下地層としての例えば円筒状の
基板、１Ｂは基板１４を回転駆動するためのモータ、１
８は反応室と連通ずる穴を有し内部にそれぞれガス導入
口２０及び排気口２２が形成されている外部電極、２４
はガス導入口２０と結合し反応室内に流量調整器（ＮＦ
Ｃ） ２Ｇを介して所望の反応ガス５ｆＨａ及びＢ７
Ｈｔ、を送給するためのガス導入管、２８は排気口２２
と結合し反応室の反応済みの不要なガスを排気するため
の排気管、３０は反応室内の混合ガス圧を制御するため
の自動圧力制御装置（＾ＰＣ） 、 ３２はメカニカル
ブースターポンプ（ＭＢＰ） 、 ３４は油回転ポンプ
（ＲＰ）、 ３１１はマツチングボックス、３日はＲＦ
主電源あり、これらの構成は従来既知であるのでその詳
細な説明は省略する。
両ポンプ３２及び３４を作動させ、排気口２２から反応
室内を排気しながら、ヒータ１２によって基板１４を２
００〜３００℃の間の温度にする。この状態で、Ｂ２Ｈ
６及びＳｉＨ，ガスをそれぞれ流量調整器２Ｂで調整し
ながら、Ｂをドープしない場合から混合比［ＢＺ Ｈ６
］ ／ ［Ｓ ｉＨｎ ］が１Ｏ−３程度のまでの範囲
の値に設定しかつ全流量を３００〜７００５ＣＣＭとし
て反応室に導入する。′自動圧力制御装置３０により内
部圧力を１００〜３０ＯＰａの間の値に設定した後、Ｒ
Ｆパワーを３００〜７５０Ｗの間の値として基板１４と
外部電極１８との間でグロー放電させて膜を作製する。
室内を排気しながら、ヒータ１２によって基板１４を２
００〜３００℃の間の温度にする。この状態で、Ｂ２Ｈ
６及びＳｉＨ，ガスをそれぞれ流量調整器２Ｂで調整し
ながら、Ｂをドープしない場合から混合比［ＢＺ Ｈ６
］ ／ ［Ｓ ｉＨｎ ］が１Ｏ−３程度のまでの範囲
の値に設定しかつ全流量を３００〜７００５ＣＣＭとし
て反応室に導入する。′自動圧力制御装置３０により内
部圧力を１００〜３０ＯＰａの間の値に設定した後、Ｒ
Ｆパワーを３００〜７５０Ｗの間の値として基板１４と
外部電極１８との間でグロー放電させて膜を作製する。
ここで、有効電極面積は１５００ｃｍ２であるので。
ＲＦパワー密度は０．２〜０．５Ｗ／Ｃｍ”となる、こ
のようにして作成した膜の成長速度は約３０００λ／分
という高速となる。
のようにして作成した膜の成長速度は約３０００λ／分
という高速となる。
第１図はこのような、種々の成長条件で行って得られた
実験結果の一例を示す混合比−暗電導度特性（ドーピン
グ特性）曲線図である。
実験結果の一例を示す混合比−暗電導度特性（ドーピン
グ特性）曲線図である。
第１図において、曲線Ｉはこの発明の方法で製作された
膜の特性を示し１曲線■は従来の方法で製作された膜の
特性をそれぞれ示す、尚、同図の横軸には混合比（［Ｂ
２ Ｈ６］ ／ ［５ｔＨａ ］）をププロトしてあり
、縦軸には暗電導度σＬ をプロットして示しである。
膜の特性を示し１曲線■は従来の方法で製作された膜の
特性をそれぞれ示す、尚、同図の横軸には混合比（［Ｂ
２ Ｈ６］ ／ ［５ｔＨａ ］）をププロトしてあり
、縦軸には暗電導度σＬ をプロットして示しである。
この発明による膜の成長条件は、全流量５００５ＣＣＭ
、圧力を２００Ｐａ、ＲＦパワーを４００Ｗ、成長速度
を約３０００λ／分とし、従来の膜の成長条件は全流量
１５０３ＣＣＭ、圧力を７ＯＰａ、ＲＦパワーを３００
Ｗ、成長速度を３００Å／分とした。そして、この発明
及び従来の場合共に、混合比はＢをドープしない零の場
合から混合比が約１Ｏ−３までの範囲内で変化させ、そ
の他の条件はこの発明及び従来の方法共に、同一の条件
として実験を行った。
、圧力を２００Ｐａ、ＲＦパワーを４００Ｗ、成長速度
を約３０００λ／分とし、従来の膜の成長条件は全流量
１５０３ＣＣＭ、圧力を７ＯＰａ、ＲＦパワーを３００
Ｗ、成長速度を３００Å／分とした。そして、この発明
及び従来の場合共に、混合比はＢをドープしない零の場
合から混合比が約１Ｏ−３までの範囲内で変化させ、そ
の他の条件はこの発明及び従来の方法共に、同一の条件
として実験を行った。
この第１図の実験結果からも理解出来るように、従来方
法の場合には、曲線■で示されるように混合比が１Ｏ−
４より大きくなると暗電導度σムが増加してこの値を境
として膜がＰ型となり、Ｂドープ量の増分に対するσ藏
の変化量はそれほど大きくはないことが分る。
法の場合には、曲線■で示されるように混合比が１Ｏ−
４より大きくなると暗電導度σムが増加してこの値を境
として膜がＰ型となり、Ｂドープ量の増分に対するσ藏
の変化量はそれほど大きくはないことが分る。
一方、この発明の方法の場合には、曲線工で示されるよ
うに、混合比が１Ｏ−５付近の値を境にして膜はＰ型と
なり、Ｂドープ量の増分に対するσよ の変化量は従来
よりも大きく、同一のＢドープ量では従来よりも遥に暗
電導度σ五が大きくＰ型が強まるという高いドーピング
効率が得られることが分る。
うに、混合比が１Ｏ−５付近の値を境にして膜はＰ型と
なり、Ｂドープ量の増分に対するσよ の変化量は従来
よりも大きく、同一のＢドープ量では従来よりも遥に暗
電導度σ五が大きくＰ型が強まるという高いドーピング
効率が得られることが分る。
また、従来の膜の場合には、混合比が１Ｏ−４以上で基
板への付着力の低下が見られたが、この方法により得ら
れた膜の場合には、そのような付着力の低下は見られな
かった。
板への付着力の低下が見られたが、この方法により得ら
れた膜の場合には、そのような付着力の低下は見られな
かった。
このように、この発明の方法によれば、ドーピング効率
が高くなるが、その原因は成長速度の高速化の結果であ
ると考えられ、例えば、成長速度を１００ＯＡ／分とな
る条件において作製した場合には、ドーピング特性は１
図示していないが、曲線Ｉと夏との中間の特性を示す、
このように、成長速度は速い方がドーピング効率は良く
なる。
が高くなるが、その原因は成長速度の高速化の結果であ
ると考えられ、例えば、成長速度を１００ＯＡ／分とな
る条件において作製した場合には、ドーピング特性は１
図示していないが、曲線Ｉと夏との中間の特性を示す、
このように、成長速度は速い方がドーピング効率は良く
なる。
上述した実験結果は特定の成長条件において得られたも
のであるが、この発明の範囲内の他の成長条件で得られ
た膜も従来よりもドーピング効率が著しく向上している
。
のであるが、この発明の範囲内の他の成長条件で得られ
た膜も従来よりもドーピング効率が著しく向上している
。
尚、高速成長を達成するには、原理的には原料ガスを多
く導入し、気圧を高くしてＲＦパワーを高くしてグロー
放電分解を行えば良いが、原料ガスを増量すると、ガス
効率が下り、気圧を高くし過る（＞２００Ｐａ）と、放
電は不安定となる。
く導入し、気圧を高くしてＲＦパワーを高くしてグロー
放電分解を行えば良いが、原料ガスを増量すると、ガス
効率が下り、気圧を高くし過る（＞２００Ｐａ）と、放
電は不安定となる。
また、ＲＦパワーの上限は電流容量によって制限される
。
。
また、上述したこの発明の実施例ではシランガスとして
ＳｉＨ，とじたが、 Ｓ ｉ＠ ）（２ｔｎｌ’ ｎ
≧２のシランガスでも良い。
ＳｉＨ，とじたが、 Ｓ ｉ＠ ）（２ｔｎｌ’ ｎ
≧２のシランガスでも良い。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明の方法に
よれば、高速成長で、Ｐ型膜−３ｉ：Ｈ薄膜を作成する
ことが出来ると共に、単に成長速度が速くなるというだ
けでなく、ドーピング効率が高くなるので、Ｂドープ量
が少ない状態ですなわち混合比（ＣＢ２ Ｈ６］ ／
［Ｓ ｉ Ｈ４］ ）が従来の十分の−又はそれ以下の
小さい値で、Ｐ型膜とすることが出来る。
よれば、高速成長で、Ｐ型膜−３ｉ：Ｈ薄膜を作成する
ことが出来ると共に、単に成長速度が速くなるというだ
けでなく、ドーピング効率が高くなるので、Ｂドープ量
が少ない状態ですなわち混合比（ＣＢ２ Ｈ６］ ／
［Ｓ ｉ Ｈ４］ ）が従来の十分の−又はそれ以下の
小さい値で、Ｐ型膜とすることが出来る。
また、Ｂドープ量が少なくて済むということは、膜質の
均一な膜を得る最適成長条件の範囲を従来よりも広げる
ことが出来、有利である。
均一な膜を得る最適成長条件の範囲を従来よりも広げる
ことが出来、有利である。
さらに、Ｂドープ量を多くしても、膜のＰ型持性がます
ます強まるが、従来のように膜の白濁。
ます強まるが、従来のように膜の白濁。
ブリスター等が発生することがなく、しかも、膜の下地
層への付着力が弱まることがない。
層への付着力が弱まることがない。
第１図はこの発明のＰ型アモルファスシリコン薄膜の製
造方法の説明に供する特性曲線図。 第２図はこの発明の実施に使用した装置の概略を示す断
面図である。 ｌＯ・・・反応容器、 １２・・・ヒータ１４・
・・下地層（基板）、１８・・・モータ１８・・・外部
電極、 ２０・・・ガス導入口２２・・・排気口
、 ２４・・・導入管２Ｂ・・・流量調整装置
、 ２８・・・排気管３０・・・自動圧力制御装置 ３２・・・メカニカルブースタポンプ ３４・・・油回転ポンプ、 ３６・・・マツチングボ
ックス３８・・・高周波（ＲＦ）電源。 特許出願人 沖電気工業株式会社第２図 手続補正書 昭和６１年６月２８日
造方法の説明に供する特性曲線図。 第２図はこの発明の実施に使用した装置の概略を示す断
面図である。 ｌＯ・・・反応容器、 １２・・・ヒータ１４・
・・下地層（基板）、１８・・・モータ１８・・・外部
電極、 ２０・・・ガス導入口２２・・・排気口
、 ２４・・・導入管２Ｂ・・・流量調整装置
、 ２８・・・排気管３０・・・自動圧力制御装置 ３２・・・メカニカルブースタポンプ ３４・・・油回転ポンプ、 ３６・・・マツチングボ
ックス３８・・・高周波（ＲＦ）電源。 特許出願人 沖電気工業株式会社第２図 手続補正書 昭和６１年６月２８日
Claims (2)
- （１）ジボランとシランとの混合ガスとを反応容器内に
送り、該混合ガスのグロー放電分解によりＰ型アモルフ
ァスシリコン薄膜を下地層上に成長させて製造するに当
り、 前記反応容器内の混合ガス圧を１００〜３００Ｐａの範
囲内の値とし及び高周波パワー密度を０．２〜０．５Ｗ
／ｃｍ＾２の範囲内の値としたこと を特徴とするＰ型アモルファスシリコン薄膜の製造方法
。 - （２）成長速度を１０００Å／分以上の値としたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＰ型アモルファ
スシリコン薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60079049A JPS61237420A (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | Ｐ型アモルフアスシリコン薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60079049A JPS61237420A (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | Ｐ型アモルフアスシリコン薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61237420A true JPS61237420A (ja) | 1986-10-22 |
Family
ID=13679044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60079049A Pending JPS61237420A (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | Ｐ型アモルフアスシリコン薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61237420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0707344A3 (en) * | 1994-09-19 | 1996-08-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor device using a thin layer of polysilicon and method of making it |
| US5561074A (en) * | 1994-04-22 | 1996-10-01 | Nec Corporation | Method for fabricating reverse-staggered thin-film transistor |
-
1985
- 1985-04-13 JP JP60079049A patent/JPS61237420A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5561074A (en) * | 1994-04-22 | 1996-10-01 | Nec Corporation | Method for fabricating reverse-staggered thin-film transistor |
| EP0707344A3 (en) * | 1994-09-19 | 1996-08-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor device using a thin layer of polysilicon and method of making it |
| US5670793A (en) * | 1994-09-19 | 1997-09-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a polycrystalline silicon film with crystal grains having a uniform orientation |
| US6187100B1 (en) | 1994-09-19 | 2001-02-13 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and production thereof |
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