DE69425389T2 - Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch - Google Patents
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein auf Bestrahlung empfindliches Resistmaterial, insbesondere ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch.
- Das strahlungsempfindliche Gemisch ist als solches bereits bekannt. Insbesondere wird das positiv arbeitende Gemisch kommerziell als ein Resistmaterial verwendet, das neben o- Chinondiazid ein Bindemittel enthält, welches in einer wässrig-alkalischen Lösung löslich ist, wie beispielsweise Poly(4-hydroxystyrol) oder Novolak. Dieses System ist jedoch bezüglich der Empfindlichkeit und dem Auflösungsvermögen bei Bestrahlung, insbesondere bei Bestrahlung im kurzen Wellenlängenbereich, nicht zufriedenstellend. Novolak ist als Bindemittel in einem Einzelschicht-Resistmaterial für tiefes UV (220-300 nm) ungeeignet, weil es eine hohe natürliche Absorption in einer UV-2 Region (220-300 nm) besitzt. Andererseits besitzt das Poly(hydroxystyrol) (PHS) vorteilhaftere Absorptionseigenschaften im UV Bereich, eine grössere Hitzebeständigkeit und eine bessere Beständigkeit gegen Trockenätzung.
- Das positiv arbeitende, strahlungsempfindliche Gemisch für UV-2, worin PHS als Bindemittel mit einer säureempfindlichen Seitengruppe verwendet wird, ist beispielsweise aus dem US- Patent 4,491,628 bekannt. Es ist ebenfalls bekannt, dass die Empfindlichkeit auf Strahlung des strahlungsempfindlichen Gemisches durch Zugabe einer Verbindung verstärkt werden kann, welche nach Bestrahlung eine Säure freisetzt, die eine katalytische Wirkung auf die sekundäre Reaktion besitzt. Beispiele der Verbindung, welche nach Bestrahlung eine starke Säure bilden kann, sind ein Diazoniumsalz, ein Phosphoniumsalz, ein Sulfoniumsalz, ein Iodoniumsalz, ein Nitrobenzylester, ein phenolisches Methansulfonat, eine Diazoverbindung, eine Halogenverbindung, eine Bis-sulfonylmethanverbindung und eine Bis- sulfonyldiazomethanverbindung.
- Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch, enthaltend ein PHS Copolymer, eine säurebildende Verbindung und das N,O-Acetal eines Oligomoleküls als Lösungsinhibitor, wird von H. Roeschert et al. in "Critical Process Parameters of an acetalbased deep UV photoresist" [Advances in Resist Technology and Processing IX, herausgegeben von Anthony E. Novembre, Proc. SPIE 1672, 33-45 (1992)] beschrieben. Das latente Säurebild dieses lichtempfindlichen Gemisches ist unvorteilhafterweise instabil. Das Problem der Instabilität des latenten Säurebildes ist ein grundlegendes Problem der neuen Resistmaterialien, welche nach dem Prinzip einer chemischen Verstärkung arbeiten. Dieses Problem wird ausführlich in der technischen Literatur besprochen, beispielsweise in "Airborne chemical contamination of a chemically amplified resist", S. A. MacDonnald et al., "Advance in Resist Technology and Processing VIII", herausgegeben von Hiroshi Itoh, Proc. SPIE 1466, 2-12 (1991). Ferner zeigen Studien von L. Schlegel ein Diffusionsproblem in chemisch verstärkten Resistmaterialien (siehe L. Schlegel et al., Jap. Journ. of Applied Physics Series 5, Proc. of 1991 International Microprocess Conference, Seiten 175-180). In einem hochauflösenden Resistmaterial für 248 nm ist der mittlere Bewegungsradius der Säure, die als Katalysator dient, derselbe wie derjenige der Grösse der aufzulösenden Struktur. Eine Methode zur Bestimmung der Diffusionslänge und der Diffusionskonstante in chemisch verstärkten Resistmaterialien wird von J. Nakamura in Jap. Journ. of Applied Physics (Bd. 30, Nr. 10, Oktober 1991, Seiten 2619-2625) beschrieben. In einem chemisch verstärkten System, das auf eine Veränderung des latenten Säurebildes sehr empfindlich ist, weil es eine niedrige Schwelle für die Aktivierungsenergie aufweist, begrenzt das grundlegende physikalische Phänomen die Auflösung. Falls kein Zusatz verwendet wird, haben die von H. Roeschert et al. in [Advances in Resist Technology and Processing IX, herausgegeben von Anthony E. Novembre, Proc. SPIE 1672, 33-45 (1992)] beschriebenen Resistmaterialien wegen des Diffusionsproblems die folgenden ungünstigen Eigenschaften.
- 1) Die Auflösung fällt nur auf 0,5 um.
- 2) Eine hohe Auflösung kann nur durch eine ungünstige Abweichung von der Linearität erreicht werden.
- 3) Der Belichtungsspielraum ist sehr klein.
- 4) Die Stabilität des latenten Bildes ist während der Wartezeit zwischen der Belichtung und dem nachfolgenden Einbrennen nach der Belichtung so gering, dass die Linienverschlankung in einem nicht belichteten Resistbereich bemerkenswert gross ist.
- Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines neuen, positiv arbeitenden, strahlungsempfindlichen Gemisches, welches in einem kurzwelligen UV- Bereich eine hohe Strahlungsempfindlichkeit besitzt, in einer wässrig-alkalischen Lösung entwickelt werden kann, ein stabiles, säurelatentes Bild besitzt und zur Herstellung eines Halbleiters verwendet wird.
- Die oben beschriebene Aufgabe kann mit einem strahlungsempfindlichen Gemisch gemäss der vorliegenden Erfindung erreicht werden, welches als unentbehrliche Komponenten enthält:
- a) ein in Wasser unlösliches, jedoch in einer wässrig-alkalischen Lösung lösliches Bindemittel,
- b) eine Verbindung, enthaltend mindestens eine säurespaltbare Bindung,
- c) eine Verbindung, welche durch Bestrahlung eine Säure bilden kann, und
- d&sub1;) eine basische Ammoniumverbindung oder d&sub2;) eine basische Sulfoniumverbindung.
- Jede der Komponenten a) bis d&sub1;) bzw. d&sub2;) wird allein oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren dieser Komponenten verwendet.
- Das positiv arbeitende, strahlungsempfindliche Gemisch gemäss der ersten Erfindung enthält als unentbehrliche Komponenten,
- a) ein in Wasser unlösliches, jedoch in einer wässrig-alkalischen Lösung lösliches Bindemitte,
- b) eine Verbindung, enthaltend mindestens eine säurespaltbare Bindung,
- c) eine Verbindung, welche durch Bestrahlung eine Säure bilden kann, und
- d&sub1;) eine basische Ammoniumverbindung.
- Jede der Komponenten a) bis d&sub1;) wird allein oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren Arten dieser Komponenten verwendet.
- Der Gehalt der basischen Ammoniumverbindung als der Komponente d&sub1;) beträgt 0,01 bis 1,00 Moläquivalente, bezogen auf die Maximalmenge einer theoretisch aus der Verbindung c) herstellbaren Säure.
- Solch eine Verbindung d&sub1;) ist beispielsweise als ein Phasentransferkatalysator bekannt und im Handel in Form einer wässrigen Ammoniumhydroxid-Lösung oder einer Methanol-Lösung erhältlich. Die Zugabe dieser basischen Verbindung zu einer Resist-Lösung führt zur Bildung eines Phenolat-Anions in der Resist-Matrix, und das Anion neutralisiert die Säure, welche in das nicht belichtete Gebiet diffundiert. Dementsprechend ist in der vorliegenden Erfindung die Verwendung eines Ammoniumzusatzes in dem strahlungsempfindlichen Gemisch für die Kontrolle der Diffusion einer Säure sehr nützlich.
- Die Verwendung eines Ammoniumzusatzes in dem strahlungsempfindlichen Gemisch ist beispielsweise aus der offengelegten Japanischen Anmeldung Nr. 5124311992 bekannt. Die offengelegte Japanischen Anmeldung Nr. 51243/1992 beschreibt nur die Zugabe einer Alkylammoniumverbindung zur Resistzusammensetzung in einer geringen Menge, das ist, 0,01 bis 1 Gew.-%, bezogen auf den Säureerzeuger. In diesem Fall ist die Wirkung des Ammoniumzusatzes nur mit Eigenschaften verbunden, welche den Kontrast erhöhen und einen Unterschied in der Löslichkeit bewirken.
- Ammoniumverbindungen, welche alle nachfolgenden Anforderungen erfüllen können, sind gemäss der vorliegenden Erfindung von Vorteil.
- 1) Die Löslichkeit in der Resistzusammensetzung ist zufriedenstellend
- 2) Die thermische Stabilität ist zufriedenstellend.
- 3) Das Gegenion ist genügend basisch.
- Die basische Ammoniumverbindung d&sub1;) ist ein quaternäres Ammoniumsalz der allgemeinen Formel (I)
- [NR¹R²R³R4]&spplus;X&sub1;&supmin; (I)
- worin R¹ bis R&sup4; jeweils unabhängig voneinander für eine C&sub1;&submin;&sub1;&sub8;Alkyl-, Cycloalkyl-, Alkylaryl- oder Aryl-Gruppe stehen, wobei eine oder mehrere aliphatische CH&sub2;-Gruppen hiervon durch ein Sauerstoffatom ersetzt sein können; und X&sub1; ein basisches Anion mit einem pKB-Wert von -3 bis +5 bedeutet.
- Besonders vorteilhafte Verbindungen sind Ammoniumverbindungen der allgemeinen Formel (I), worin R¹ bis R&sup4; jeweils unabhängig voneinander für Methyl, Ethyl, Propyl, Isopropyl, Butyl, Dodecyl, Phenyl oder Benzyl stehen; und X&sub1; eine Hydroxyl-Gruppe oder OR' (worin R' für eine C&sub1;-C&sub4;Alkyl-Gruppe steht), OCOR" (worin R" für eine C&sub1;-C&sub1;&sub0;Alkyl- oder eine Aryl- Gruppe steht) oder OCOO&supmin; bedeutet.
- Es ist überraschend, dass zusätzlich zu Alkoholaten mit einem negativen pKB-Wert, die folglich in der Lage sind in der Harzmatrix ein Polyphenolat-Anion zu bilden und stark basischen Anionen, wie Carbonate oder Hydroxide, schwach basische Anionen, wie beispielsweise Acetate oder allgemein Carbonsäure-Anionen ebenfalls geeignet sind den nicht belichteten Resistbereich zu puffern, um das saure latente Bild zu stabilisieren. Der Acetat-Puffer ist kein Katalysator für die Acetal-Hydrolyse.
- Das strahlungsempfindliche Gemisch wird in einem nicht polaren Lösungsmittel, wie Propylenglykolmonomethyletheracetat (PGMEA) oder Ethylenglykolmonomethyletheracetat formuliert. Aus diesem Grund wird Methanol oder Wasser durch PGMEA ersetzt. Dies ist für die Herstellung der Ammoniumacetat-Lösung von Vorteil, weil mit einem Lösungsmittel unter alkalischen Bedingungen eine Esterspaltungsreaktion stattfindet.
- Das positiv arbeitende, strahlungsempfindliche Gemisch gemäss der zweiten Erfindung enthält als unentbehrliche Komponenten
- a) ein in Wasser unlösliches, jedoch in einer wässrig-alkalischen Lösung lösliches Bindemittel,
- b) eine Verbindung, welche mindestens eine säurespaltbare Bindung enthält,
- c) eine Verbindung, welche durch Bestrahlung eine Säure bilden kann, und d&sub2;) eine basische Sulfoniumverbindung.
- Jede der Komponenten a) bis d&sub2;) wird allein oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren Arten der Komponenten verwendet.
- Die basische Sulfoniumverbindung als Komponente d&sub2;) ist vorzugsweise ein Vertreter der Gruppe von Verbindungen der folgenden Formeln (II) bis (V)
- [SR&sup5;R&sup6;R&sup7;]&spplus;X&sub2;&supmin; (II)
- worin
- R&sup5;, R&sup6; und R&sup7; jeweils unabhängig voneinander für eine C&sub1;-C&sub1;&sub8;Alkyl-, Aryl- oder Heteroaryl-Gruppe oder für Aryl, welches mono-, di- oder trisubstituiert ist mit Alkyl, Alkylaryl, Aryl, Halogen, Alkoxy, Phenoxy, Phenylthio, Phenylsulfonyl oder Phenylsulfinyl;
- Y für [CH&sub2;]n, worin n 0 oder 1 ist, O oder S;
- R&sup8; und R&sup9; für ein C&sub1;-C&sub4;Alkyl, Alkoxy oder ein Halogen;
- R¹&sup0; und R¹¹ für ein C&sub1;-C&sub4;Alkyl, Alkoxy oder ein Halogen stehen;
- n 5 oder 6; und
- X&sub2;&supmin; in basisches Anion mit einem pKB-Wert von -3 bis +5 bedeutet.
- Der Gehalt der basischen Sulfoniumverbindung als der Komponente d&sub2;) beträgt von 0,01 bis 2,00 Moläquivalente, bezogen auf die Maximalmenge einer theoretisch aus der Verbindung c) herstellbaren Säure.
- Sulfoniumverbindungen, welche alle nachfolgenden Anforderungen erfüllen können, sind geeignet.
- 1) Die Löslichkeit im Resist ist zufriedenstellend.
- 2) Die Hitzebeständigkeit ist zufriedenstellend.
- 3) Das Gegenion ist genügend basisch.
- Besonders bevorzugte Beispiele der Sulfoniumverbindung sind Sulfoniumsalze der allgemeinen Formeln (II) bis (V), worin R&sup5;, R&sup6; und R&sup7; jeweils unabhängig voneinander Methyl, Ethyl, Propyl, Isopropyl, Butyl, Phenyl, Biphenyl, Tolyl, Xylyl, Chlorphenyl, Bromphenyl, Methoxyphenyl, Ethoxyphenyl, Propyloxyphenyl, Butyloxyphenyl, tert- Butyloxyphenyl, Phenoxyphenyl, Thiophenoxyphenyl oder Phenylsulfonylphenyl bedeuten; Y für [CH&sub2;]n, worin n 0 oder 1 ist, O oder S steht; R&sup8; und R&sup9; für ein C&sub1;-C&sub4; Alkyl, Methoxy, Ethoxy, Chlor oder Brom stehen; R¹&sup0; und R¹¹ für ein C&sub1;-C&sub4;Alkyl, Methoxy, Ethoxy, Chlor oder Brom stehen; n 5 oder 6 bedeutet; und X&sub2; eine Hydroxyl-Gruppe oder OR (worin R für eine C&sub1;-C&sub4;Alkyl-Gruppe steht), OCOR (worin R für eine C&sub1;-C&sub1;&sub0;Alkyl-, Aryl- oder eine Alkylaryl- Gruppe steht) oder OCOO&supmin; bedeutet.
- Die Sulfoniumsalze sind aus der technischen Literatur gut bekannt und als photochemische Polymerisationskatalysatoren technisch sehr bedeutsam. Die Verwendung von Sulfoniumsalzen in strahlungsempfindlichen Gemischen wird beispielsweise im US-Patent Nr. 4,491,628 beschrieben. Die Verwendung von Oniumsalzen in Resistmaterialien wird ganz allgemein von Crivello in Org. Coatings and Appl. Polym. Sci., 48, 65-69 (1985) beschrieben. Die Synthese und die optischen Eigenschaften der Oniumsalze sind in "Cationic Polymerisation-Iodonium and Sulfonium Salt Photoinitiators" von J. V. Crivello, Advances in Polymer Science 62, Verlag Berlin, Heidelberg 1984 zusammengefasst.
- J. L. Dectar und N. P. Hacker berichten in Journal of American Chemical Society, 1990, 112, 6004-6015 über die Resultate intensiver mechanistischen Studien bezüglich eines Mechanismus, wie ein Sulfoniumsalz eine Säure bildet.
- Über einen Versuch, Sulfoniumhydroxide aus Sulfoniumhalogenid mit Silberoxid herzustellen, wird in Journal of American Chemical Society 73 (1951), Seite 1967 berichtet. Diese Verbindungen bilden sich in Form eines instabilen Öls, welches sich unter Absonderung von Sulfidgeruch unmittelbar, sogar bei Raumtemperatur, zersetzt.
- In diesem Zusammenhang wurde überraschenderweise gefunden, dass die in der Literatur beschriebene Instabilität des Triphenylsulfoniumhydroxids nicht auf eine Lösung der Verbindung in polaren und nicht polaren Lösungsmitteln zutrifft.
- Ferner haben die jetzigen Erfinder eine Methode entwickelt, um die Verunreinigung der Verbindung mit einem metallischen Ion bei der Herstellung der gewünschten Sulfoniumhydroxide zu vermeiden. Diese Methode ist für die Verwendung des erfindungsgemässen, strahlungsempfindlichen Gemisches in der Halbleitertechnologie sehr wichtig. Es wird Ionenaustauschchromatografie in polaren und nicht polaren Eluiermitteln verwendet. In diesem Fall wird die Verwendung eines Amberlyst-Harzes mit einer quaternären Ammoniumgruppe als Ionenaustausch-Harz bevorzugt. Im Prinzip kann das Ionenaustausch-Harz mit einer Lösung eines geeigneten Tetraalkylammoniums mit einem basischen Gegen-Ion in eine basische Form übergeführt werden.
- Tetramethylammoniumhydroxid ist besonders geeignet. Wasser, Alkohole, Tetrahydrofuran und nicht polare organische Lösungsmittel sind als Eluiermittel geeignet. Methanol oder Ethanol sind besonders bevorzugt.
- Im allgemeinen werden entsprechende Halogenide zur Herstellung von Sulfoniumhydroxiden verwendet. Man kann auch andere Anionen, beispielsweise Metallfluoride, Tetrafluorborate, Hexafluorphosphate und Alkyl- oder fluorierte Alkylsulfonate von Komplexen verwenden. Das Sulfoniumsalz wird in einer kleinen Menge eines Eluiermittels gelöst und danach auf eine Ionenaustausch-Kolonne gegeben. Die Eluierrate ist wesentlich geringer als diejenige des Austausches eines starken Elektrolyten durch Ionenaustauschchromatografie, obwohl dieses von der Dimension der Kolonne und der Beladung abhängt. Dies deshalb, weil viel Zeit notwendig ist zum Erreichen eines Gleichgewichtszustandes auf dem theoretischen Standard, im Vergleich zu dem Fall, wo die Verbindung stark in einem Eluiermittel dissoziiert ist.
- Der Gehalt der Base in dem eluierten Volumen wird durch Titration festgestellt und ist im Einklang mit dem theoretischen Wert. Die Titrationskurve von Triphenylsulfoniumhydroxid in Wasser/Methanol mit 0,1 N HCl zeigt eine klare Puffereigenschaft im Bereich von pH = 7.
- Deshalb befindet sich Triphenylsulfoniumhydroxid eher in der amphoteren Molekülform als in der erwarteten Form eines starken Elektrolyten.
- Durch die obige Methode kann ein Prozentanteil des Ionenaustausches von 99,8% erreicht werden. Andere Eigenschaften der basischen Sulfoniumsalz-Lösung können durch UV- Spektroskopie untersucht werden. Es wird keine Veränderung in der Position der maximalen Absorption und des maximalen Absorptionswertes beobachtet im Vergleich zu denjenigen des verwendeten nicht basischen Sulfoniumsalzes. Deshalb ist der Einfluss dieses Anions auf die Absorptionseigenschaften des Sulfoniumchromophoren gering.
- Danach kann man das Eluiermittel im Vakuum verdampfen, um es durch andere geeignete Lösungsmittel zu ersetzen.
- Diese Methode ermöglicht die Herstellung einer Lösung mit einer bestimmten Konzentration an Sulfoniumhydroxid in einem Lösungsmittel, welches für die Formulierung eines Resists geeignet ist.
- Dass die Konzentration von Sulfoniumhydroxid in der Lösung konstant ist, kann durch Feststellung des Basengehaltes mittels Titration in unterschiedlichen Zeitintervallen bewiesen werden.
- Wie oben beschrieben, ist das erfindungsgemässe Verfahren bezüglich des basischen Sulfoniumsalzes nicht auf die Herstellung von Hydroxiden beschränkt, und andere basische und nicht basische Lösungen können abhängig vom pKB-Wert des Anions ebenfalls durch Ionenaustauschchromatografie hergestellt werden. Die Hydroxide können besonders einfach durch Zugabe von konjugierten Säuren in alle anderen basischen und nicht basischen Verbindungen übergeführt werden.
- 1) [Ph&sub3;S]&spplus;(OH)&supmin; + HO-Aryl → [Ph&sub3;S]&spplus; &supmin;O-Aryl
- 2) [Ph&sub3;S]&spplus;(OH)&supmin; + HO-CO-R → [Ph&sub3;S]&spplus; &supmin;O-CO-R
- 3) [Ph&sub3;S]&spplus;(OH)&supmin; + HO-SO&sub2;-R → [Ph&sub3;S]&spplus; &supmin;O-SO&sub2;-R
- Sulfoniumsalze mit dem gewünschten Anion können sehr einfach mittels der oben beschriebenen Methode hergestellt werden, d. i. durch Verwendung einer korrekt hergestellten Ionenaustauschkolonne oder durch Titration der Hydroxidlösung mit der entsprechenden konjugierten Säure.
- Die oben beschriebene Methode besitzt die folgenden technischen Vorteile.
- 1) Die Operation kann ohne Einbringung von Metallionen durchgeführt werden.
- 2) Ein Sulfoniumsalz, welches in isolierter Form instabil ist, kann hergestellt und in einem strahlungsempfindlichen Gemisch verwendet werden.
- 3) Ein Sulfoniumsalz, welches nicht in reiner Form hergestellt werden kann, kann hergestellt und in einem strahlungsempfindlichen Gemisch verwendet werden.
- Das Verfahren zur Herstellung einer basischen Sulfoniumhydroxid-Lösung ist besonders für die einfache Herstellung einer Sulfoniumacetat-Lösung durch Hydrolyse eines Esters geeignet. Propylenglykolmonomethyletheracetat (PGMEA) ist ein bevorzugtes Lösungsmittel in der Resist-Technologie. Der Ersatz des Eluiermittels für die basische Sulfoniumhydroxid- Lösung durch PGMEA bewirkt eine Esterspaltung des Lösungsmittels, sodass die Herstellung in kurzer Zeit vollständig beendet ist.
- Das basische Anion bewirkt eine Säure-Basen-Reaktion mit einem phenolischen Bindemittel in einer Resist-Matrix, um ein Polyphenolat-Anion zu bilden, das eine Säure neutralisiert, welche in den nicht belichteten Bereich diffundiert ist.
- Es ist erstaunlich, dass schwach basische Anionen, wie Acetate oder allgemein Carbonsäure-Anionen, ebenfalls von Vorteil sind und die Säure puffern, welche in den nicht belichteten Bereich diffundiert ist, und die Acetalhydrolyse nicht katalysieren.
- Dieses stabilisiert ein latentes Säurebild, verbessert die Auflösung in der Lithografie, steigert die Stabilität in der Periode zwischen der Belichtung und der Entwicklung und steigert die Verarbeitungstoleranz (Belichtungsspielraum).
- Die Zugabe einer basischen Verbindung zu dem strahlungsempfindlichen Gemisch zwecks chemischer Verstärkung, veranlasst die Base nicht nur die Säure, welche in den nicht belichteten Bereich diffundiert ist, sondern auch die im belichteten Bereich befindliche Säure, zu neutralisieren, was paradox ist, weil die Anwesenheit einer Säure notwendig ist, um die Löslichkeit zu differenzieren.
- Der technische Vorteil des basischen Sulfoniumhydroxids im Vergleich zum nicht- photoaktiven basischen Zusatz besteht darin, dass das basische Sulfoniumhydroxid, als solches, photoaktiv ist und im belichteten Bereich neutralisiert. Aus diesem Grund wird es möglich, zu einem Resist eine grosse Menge Base hinzuzufügen, ohne die Empfindlichkeit gegenüber der Bestrahlung zu verlieren.
- In der ersten und zweiten Erfindung ist ein Bindemittel mit einer phenolischen Hydroxylgruppe als Bindemittel geeignet und Poly(hydroxystyrol) ist besonders geeignet, weil es eine hohe thermische Stabilität, einen guten Ätzwiderstand und eine hohe UV- Transparenz im Bereich von 248 nm besitzt. Besonders bevorzugte Beispiele des Bindemittels sind Poly(4-hydroxystyrol) und ein Copolymer hiervon mit einem Alkylsubstituierten 4-Hydroxystyrol. Copolymere, d. i. Poly[4-hydroxystyrol-co-4-hydroxy-3- methylstyrol] und Poly[4-hydroxystyrol-co-4-hydroxy-3,5-dimethylstyrol], sind besonders bevorzugt. Das Monomerenverhältnis kann in einem Bereich von 10 bis 90% variiert werden. Um jedoch optimale Löslichkeitseigenschaften zu erhalten, liegt das Monomerenverhältnis besonders bevorzugt im Bereich von 2 : 1 bis 1 : 2. Die Löslichkeit hiervon in einem wässrigalkalischen Entwickler ist besonders wichtig für die Polymer-Matrix. Das Molekulargewicht MW kann sich im Bereich von 3,000 bis 10,000 Dalton, vorzugsweise im Bereich von 8,000 bis 30,000 bewegen und der Dispersionsgrad sollte 2 oder weniger betragen.
- Die Einstellung der Hydrophilie der Resist-Matrix erfolgt durch Vermischen von Poly(4- hydroxystyrol) mit anderen phenolischen Bindemitteln. Alkyl-substituierte Polyvinylphenole, im besonderen Poly(4-hydroxy-3-methylstyrol) und Novolak sind ebenfalls bevorzugt, so wie andere phenolische Bindemittel, welche mit PHS vermischt werden können.
- Eine Verbindung mit mindestens einer C-O-C oder C-N-C Bindung ist als Verbindung mit mindestens einer säurespaltbaren Bindung bevorzugt. Bevorzugte Beispiele hiervon sind Verbindungen der folgenden allgemeinen Formel (VI)
- worin
- R¹² für eine C&sub1;-C&sub4;Alkylen Gruppe steht,
- R¹³ eine C&sub1;-C&sub4;Alkyl Gruppe bedeutet,
- R¹&sup4; eine C&sub1;-C&sub1;&sub0;Alkyl oder Aryl Gruppe bedeutet,
- Z für eine -CO-, -O-CO- oder -NH-CO- Gruppe steht, und
- n eine ganze Zahl von mehr als 1 ist
- Chemisch sind Poly-N,O-acetale wichtig, welche durch eine säurekatalysierte Umesterung einer entsprechenden Alkoholkomponente und eines Dimethylacetal eines entsprechenden Aldehyds hergestellt werden. Der Kondensationsgrad und die Molekular-gewichtsverteilung werden durch Variation von Polykondensationsbedingungen eingestellt.
- Geeignete Beispiele der Säure erzeugenden Verbindung umfassen Diazoniumsalze, Iodoniumsalze, Sulfoniumsalze, Halogenide und o-Chinondiazidosulfonsäureester. Die oben beschriebenen Oniumsalze werden üblicherweise in einer, in organischen Lösungsmitteln löslichen, Form verwendet, in vielen Fällen als ein Tetrafluorborat, ein Hexafluorphosphat, ein Hexafluorantimonat oder ein Hexafluorarsenat oder ein Sulfonat, beispielsweise ein Trifluormethylsulfonat oder ein Hexafluorpropylsulfonat. Unter den Halogenverbindungen werden Triazine, Oxazole, Oxadiazole, Thiazole und 2-Pyrone, welche durch eine Trichlormethyl- und/oder eine Tribrommethyl-Gruppe substituiert sind, bevorzugt. Zusätzlich sind halogenierte, insbesondere chlorierte und bromierte aromatische Verbindungen als Säurebildner ebenfalls von Vorteil.
- Verbindungen, welche eine Sulfonsäure bilden können eine gute thermische Stabilität besitzen und vorteilhafte Absorptionseigenschaften im Bereich von 248 nm aufweisen, werden bevorzugt.
- Phenolische Sulfonsäureester, Bis-sulfonylmethane oder Bis-sulfonyldiazomethane der allgemeinen Formel (VII) sind besonders bevorzugt, weil sie eine hohe säurebildende Fähigkeit und eine hohe Transparenz im DUV-Bereich aufweisen.
- worin R und R' jeweils unabhängig voneinander eine Alkyl-, Cycloalkyl-, Aryl-, Heteroaryl- oder eine halogenierte Aryl-Gruppe bedeuten.
- Sulfonium-sulfonate, wie Triarylsulfonium-sulfonat und Bis-(4-chlorphenylsulfonyl)- diazomethan sind besonders vorteilhaft. Das oben beschriebene Sulfonium-sulfonat kann beispielsweise bereitet werden, indem man Sulfonsäure zu einer Lösung eines basischen Sulfoniumsalzes hinzufügt, und spezifischere Beispiele hiervon sind Triphenyl-sulfoniumsulfonate. Die Zugabe einer Sulfonsäure zu einer überschüssigen Menge einer Lösung eines basischen Sulfoniumsalzes führt zu einer in-situ Mischung von Sulfonium-sulfonat als einer photoaktiven Verbindung und einem Sulfoniumsalz als einem Zusatz. Beispiele der hierbei verwendeten Sulfonsäuren sind eine Alkylsulfonsäure, eine teilweise oder gänzlich fluorierte Alkylsulfonsäure, eine Arylsulfonsäure oder eine, durch Halogen, ein Alkyl, ein Alkoxy, Nitro, Cyano oder ein Alkylhalogenid substituierte Arylsulfonsäure. Der Gehalt der Verbindung c) bewegt sich im Bereich von 1 bis 10 Gew.-%, bezogen auf den festen Bestandteil. In einigen Fällen verleiht eine Mischung von photoaktiven Verbindungen einer Art oder mehrerer Arten dem Resist vorteilhafte Eigenschaften.
- Eine Mischung der Komponenten a) bis d&sub1;) oder d&sub2;) gemäss der vorliegenden Erfindung, wird in der Weise in einem organischen Lösungsmittel gelöst, so dass sich der Feststoffgehalt ganz allgemein in einem Bereich von 5 bis 40 Gew.-% bewegt. Aliphatische Ketone, Ether und Ester und jede Mischung hiervon, sind als Lösungsmittel bevorzugt. Besonders bevorzugte Lösungsmittel sind Alkylenglykolmonoalkylether, wie 1-Methoxy-2- propanol und Alkylenglykolalkyletherester, wie 1-Methoxy-2-propanol-acetat (PGMEA).
- Ferner ist es ebenfalls möglich andere Zusätze hinzuzufügen, wie Adhäsionsverbesserer, Vernetzungsmittel, Farbstoffe und Weichmacher.
- Falls erwünscht, kann eine geringe Menge eines Sensibilisators mit dem Zweck zugesetzt werden, einen Säurebildner vom langwelligen UV bis zum sichtbaren Bereich strahlungsempfindlich zu machen. Für diesen Zweck werden polycyclische, aromatische Verbindungen, wie Pyren und Perylen bevorzugt. Ferner ist es ebenfalls möglich Farbstoffe zu verwenden, welche als Sensibilisatoren dienen können.
- Eine Photoresist-Lösung mit der erfindungsgemässen, strahlungsempfindlichen Mischung wird auf einem geeigneten Substrat, beispielsweise einem Silikonplättchen mit einer oxidierten Oberfläche, zentrifugalbeschichtet und eine Schicht mit einer Dicke von allgemein 0,1 bis 5 um, vorzugsweise im Bereich von 0,5 bis 1,5 um gebildet, die getrocknet (beispielsweise bei einer Temperatur von 70 bis 130ºC) und bildweise mittels einer geeigneten Lichtquelle durch eine Photomaske bestrahlt wird. Die Bestrahlung erfolgt bevorzugt mit einer kurzwelligen UV Bestrahlung (tiefes UV) im Wellenlängenbereich von 200 bis 300 nm. Die Lichtquelle ist besonders bevorzugt ein KrF (248 nm) Excimerlaser. Nach der bildweisen Bestrahlung wird eine Einbrennbehandlung (Nachbelichtungseinbrennen) bei 40 bis 90ºC während 180 bis 30 Sek. durchgeführt. Einbrennen bei 60ºC während 60 Sek. ist bevorzugt. Der Photoresist wird vorzugsweise mit einem alkalischen Entwickler, welcher kein metallisches Ion enthält, beispielsweise einer wässrigen Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung, entwickelt. Falls eine wässrige Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung gebraucht wird, liegt die Konzentration im Bereich von 1,0 bis 4,0 Gew.-%. Die Auflösung beträgt weniger als 0,5 um. Die für die erfindungsgemässe, strahlungsempfindliche Mischung notwendige Bestrahlungsenergie befindet sich im allgemeinen im Bereich von 5 bis 100 mJ/cm².
- Falls erwünscht, wird die entwickelte Resiststruktur gehärtet. Dieses wird im allgemeinen erreicht, indem man die Resiststruktur auf einer heissen Platte auf eine Temperatur unterhalb der Fliesstemperatur erhitzt und anschliessend die gesamte Oberfläche der Resiststruktur mit einer Xenon-Quecksilberdampf-Lampe (in einem Bereich von 200 bis 250 nm) bestrahlt. Danach wird die Resiststruktur durch Aushärtung vernetzt, sodass sie ganz allgemein eine Fliessbeständigkeit bei einer Temperatur bis 200ºC aufweist.
- Das erfindungsgemässe, strahlungsempfindliche Gemisch wird vorzugsweise als Resistmaterial bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen oder verschiedenen elektronischen Komponenten verwendet. In diesem Fall kann das aus diesem Gemisch hergestellte Registriermaterial in der nachfolgenden Stufe als Maske verwendet werden. Danach wird beispielsweise eine Ätzung des Schichtträgers, eine Ionen-Einpflanzung in den Schichtträger oder eine Metallabtrennung durchgeführt. Ferner ist das erfindungsgemässe, strahlungsempfindliche Gemisch für die Herstellung von lithographischen Platten geeignet.
- Eine Kolonne mit einer Länge von 55 cm und einem inneren Durchmesser von 5 cm wurde mit 700 g Amberlyst A-26 in Chlorid-Form beladen. Dazu wird das Harz in Methanol dispergiert und in die Kolonne eingelassen. 3 Liter Methanol werden zu 3 Litern einer 0,54 N Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid hinzugefügt. Die vorbereitete Kolonne wird mit der alkalischen Lösung in eine Hydroxid-Form übergeführt.
- Die Kolonne wird mit 3 Liter Methanol bis zum neutralen pH-Wert gewaschen.
- 30 mMol (10,29 g) Triphenylsulfoniumbromid werden in einer geringen Menge Methanol gelöst und die Lösung auf die Kolonne gegeben. Die Eluierungsgeschwindigkeit beträgt 30 mllh. Die Eluierung wird mittels Potentiometrie oder UV Absorption registriert. Die Basicität wird durch Titration mit 0,1 N HCl festgestellt. Ein Bromidion-Test unter Verwendung von Silbernitrat ist negativ. Mit dieser Bestimmung wurde gefunden, dass der prozentuelle Austausch 99,8% betrug. Methanol wird im Vakuum in einem Rotationsverdampfer verdampft und schliesslich durch PGMEA ersetzt, bis eine 0,1 N Lösung von Triphenylsulfoniumhydroxid (TPSH) in PGMEA erhalten wird.
- Die neu hergestellte TPSH-Lösung wird bei der Formulierung des strahlungsempfindlichen Gemisches verwendet. Der Basengehalt dieser Lösung wird 24 Stunden nach der Zubereitung neu festgestellt. Es wurde mittels der Titrationskurve gefunden, dass TPSH vollständig in das Triphenylsulfoniumacetat übergeführt ist.
- Es wird keine Veränderung der TPSH-Konzentration in der Lösung festgestellt, wenn Methanol durch Propylenglykolmonomethylether ersetzt wird.
- Tri (4-methylphenyl) sulfoniumhydroxid und Tri (4-chlorphenyl) sulfoniumhydroxid wurden in derselben Weise, wie oben beschrieben, hergestellt. TPSH wurde ebenfalls unter Verwendung anderer Sulfoniumsalze, wie Triphenylsulfonium-trifluormethan-sulfonat, hergestellt.
- Die folgenden Ausgangsmaterialien wurden in den folgenden Beispielen der ersten Erfindung verwendet.
- Poly [4-hydroxystyrol-co-4-hydroxy-3-methylstyrol] (2 : 1 Polymer):
- Mw = 14000 g/Mol,
- MN = 7000 g/Mol und
- optische Dichte (248 nm) = 0,18/um&supmin;¹,
- R¹³ = n-Propyl,
- R¹² = Ethylen,
- R¹&sup4; = Aryl,
- Z = O-CO- und
- n:Mw = 2500 Mol/g, Mw/MN > 2,5
- Photoaktive Verbindung C: Bis (4-chlor-phenylsulfonyl) diazomethan
- Photoaktive Verbindung D: Bis (4-chlor-phenylsulfonyl) methan
- Photoaktive Verbindung E: Triphenylsulfoniumtriflat
- Photoaktive Verbindung F: Triphenylsulfoniumheptafluorpropyl-sulfonat
- Lösungsmittel: 1-Methoxy-propylenglykol-2-acetat (PGMEA)
- Der Anteil der Komponenten der strahlungsempfindlichen Gemische im Test wird in Gewichtsteilen ausgedrückt.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt.
- Polymer A 1,40 Gewichtsteile
- Poly-N,O-acetal B 0,70 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung C, D, E, F 0,04 Gewichtsteile (Tabelle A)
- Ammoniumzusatz 0,0 bis 100 Mol% zu PAC (Tabelle A)
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 60ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine 2,38 Gew.-%ige Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,265 N) entwickelt.
- Die Resultate wurden in Form einer 1 : 1 Auflösung von Linien und Abständen (Linie/Abstand Struktur) ausgedrückt.
- Im Haltezeit-Test wurde die zeitliche Periode zwischen der Bestrahlung und PEB variiert und die Entwicklung erfolgte unmittelbar nach PEB. Die Resultate wurden in Form einer Verschlankung der Linien der erhaltenen Struktur im Vergleich zu der Strukturbreite, welche man mit derselben Dosis ohne Haltezeit erhält, beurteilt.
- Diese Beispiele sind in der folgenden Tabelle zusammengefasst. In der Tabelle steht "PAC" für eine photoaktive Verbindung. TABELLE A
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polyhydroxystyrol, dessen phenolische OH-Gruppe zu 40% durch eine tert. Butyloxycarbonyl-Gruppe substituiert war 2,00 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- Tetrabutylammoniumhydroxid als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 50%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert, und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 90ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,15 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polyhydroxystyrol, dessen phenolische OH-Gruppe zu 40% durch eine Trimethylsilyl-Gruppe substituiert war 2,00 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- Tetrabutylammoniumhydroxid als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 50%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert, und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 70ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,15 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polyhydroxystyrol, dessen phenolische OH-Gruppe zu 40% durch eine Tetrahydropyranyl-Gruppe substituiert war 2,00 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- Tetrabutylammoniumhydroxid als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 50%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 70ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,15 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polyhydroxystyrol, dessen phenolische OH-Gruppe zu 40% durch eine tert. Butylester-Gruppe substituiert war 2,00 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- Tetrabutylammoniumhydroxid als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 50%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Wirbelbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 90ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,15 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polymer A 1,60 Gewichtsteile
- Terephthalaldehyd-tetrakis-phenoxyethylacetal 0,40 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- Tetrabutylammoniumhydroxid als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 30%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 60ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,27 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polymer A 1,60 Gewichtsteile
- Phenoxyethyl-orthoester der Benzoesäure 0,40 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- Tetrabutylammoniumhydroxid als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 30%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 60ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,27 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
- In den folgenden Beispielen der zweiten Erfindung wurden dieselben Ausgangsverbindungen verwendet, welche im Beispiel A verwendet wurden. Der Anteil der Bestandteile der untersuchten, strahlungsempfindlichen Gemische ist in Gewichtsteilen ausgedrückt.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt.
- Polymer A 1,40 Gewichtsteile
- Poly-N,O-acetal B 0,70 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung C, D, E, F 0,04 Gewichtsteile (Tabelle B)
- Sulfoniumzusatz 0 bis 100 Mol% zu PAC (Tabelle B)
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 60ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine 2,38 Gewichts%ige Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,265 N) entwickelt.
- Die Resultate des lithographischen Druckes wurden in Form einer 1 : 1 Auflösung von Linien und Abständen (Linie/Abstand Struktur) ausgedrückt.
- In dem Haltezeit Test wurde der Zeitabschnitt zwischen der Bestrahlung und PEB variiert und die Entwicklung unmittelbar nach PEB durchgeführt. Die Resultate wurden in Form einer Zeilenverschlankung der erhaltenen Struktur im Vergleich zu der Strukturbreite, welche man mit derselben Dosis ohne Haltezeit erhält, beurtelt.
- Diese Beispiele sind in der folgenden Tabelle zusammengefasst. In der Tabelle steht "PAC" für eine photoaktive Verbindung. TABELLE B
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polyhydroxystyrol, dessen phenolische OH-Gruppe zu 40% durch eine tert.Butyloxycarbonyl-Gruppe substituiert war 2,00 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- TPSH als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 50%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 90ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,15 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polyhydroxystyrol, dessen phenolische OH-Gruppe zu 40% durch eine Trimethylsilyl-Gruppe substituiert war 2,00 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- TPSH als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 50%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 70ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,15 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polyhydroxystyrol, dessen phenolische OH-Gruppe zu 40% durch eine Tetrahydropyranyl-Gruppe substituiert war 2,00 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- TPSH als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 50%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 70ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,15 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
- Es wurde ein strahlungsempfindliches Gemisch mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
- Polyhydroxystyrol, dessen phenolische OH-Gruppe zu 40% durch eine tert.Butylester-Gruppe substituiert war 2,00 Gewichtsteile
- Photoaktive Verbindung E: 0,05 Gewichtsteile
- PGMEA 8,00 Gewichtsteile
- TPSH als 0,1 mMol/g Lösung in PGMEA (50 Mol% bezogen auf die Menge der Verbindung E im Resist) 50%
- Diese Lösung wurde durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 um filtriert und das Filtrat mittels Zentrifugalbeschichtung auf ein Silikonplättchen aufgebracht, welches vorgängig mit Hexamethyldisilazan als Adhäsionsverbesserer behandelt wurde, um eine gleichmässige Schicht mit einer Dicke von 1 um zu bilden. Das beschichtete Plättchen wurde auf einer heissen Platte bei 120ºC während 60 Sekunden getrocknet (sanft eingebrannt) und danach strukturiert, sodass eine bilderweise Belichtung durchgeführt werden konnte. Die Bestrahlung erfolgte mit einem Canon-Stepper mit einer numerischen Oeffnung von 0,37 und KrF Excimerlaser-Bestrahlung bei 248 nm unter Verwendung von Testmasken mit verschiedenen Strukturen und Dimensionen. Die Haltezeitperiode zwischen Bestrahlung und nachfolgendem Einbrennen (Einbrennen nach der Belichtung: PEB) und der Entwicklung ist ein wichtiger Verfahrensparameter, und in diesen Bestrahlungsversuchen betrug die Haltezeit weniger als 2 Minuten, falls nicht anders angegeben. Das Einbrennen nach der Belichtung wurde üblicherweise bei 90ºC während 60 Sekunden durchgeführt. Das belichtete Plättchen wurde durch Eintauchen in eine Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung (0,15 N) entwickelt.
- Die Auflösung des Resist Materials wurde in derselben Weise beurteilt wie diejenige der obigen Beispiele. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass dieselbe Verbesserung, wie sie in den obigen Beispielen erzielt wurde, erzielt werden konnte.
Claims (21)
1. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch, enthaltend als
unentbehrliche Komponenten
a) ein in Wasser unlösliches, jedoch in einer wässrigen alkalischen Lösung
lösliches Bindemittel,
b) eine Verbindung, mit mindestens einer durch eine Säure spaltbaren Bindung,
c) eine Verbindung, die durch Bestrahlung eine Säure bilden kann, und
d&sub1;) eine basische Ammoniumverbindung oder d&sub2;) eine basische
Sulfoniumverbindung.
2. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die erwähnte Verbindung b) mindestens eine C-O-C oder C-N-C Bindung besitzt,
welche durch eine Säure spaltbar ist.
3. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin der Gehalt der basischen Ammoniumverbindung als der Komponente d&sub1;) von
0,01 bis 1,00 Moläquivalente, bezogen auf die Maximalmenge einer theoretisch aus
der Verbindung c) herstellbaren Säure, beträgt.
4. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die erwähnte basische Ammoniumverbindung als die Komponente d&sub1;) eine durch
die folgende allgemeine Formel (I) dargestellte Verbindung ist:
[NR¹R²R³R&sup4;]&spplus;X&sub1;&supmin; (I)
worin R¹ bis R&sup4; jeweils unabhängig voneinander für eine C&sub1;-C&sub1;&sub8;Alkyl-, Cycloalkyl-,
Alkylaryl- oder Aryl-Gruppe stehen, mit der Massgabe, dass eine oder mehrere
aliphatische CH&sub2;-Gruppen hiervon durch ein Sauerstoffatom ersetzt sein können; und
X&sub1; ein basisches Anion mit einem pKB-Wert von -3 bis +5 bedeutet.
5. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die erwähnte basische Ammoniumverbindung d&sub1;) eine durch die folgende
allgemeine Formel (I) dargestellte Verbindung ist:
[NR¹R²R³R&sup4;]&spplus;X&sub1;&supmin; (I)
worin R¹ bis R&sup4; jeweils unabhängig voneinander für Methyl, Ethyl, Propyl, Isopropyl,
Butyl, Dodecyl, Phenyl oder Benzyl stehen; und X&sub1; eine Hydroxyl-Gruppe oder OR'
(worin R' für eine C&sub1;-C&sub4;Alkyl-Gruppe steht), OCOR" (worin R" für eine C&sub1;-C&sub1;&sub0;Alky(-
oder eine Aryl-Gruppe steht) oder OCOO&supmin; bedeutet.
6. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin der Gehalt der basischen Sulfoniumverbindung als der Komponente d&sub2;) von 0,01
bis 2,00 Moläquivalente, bezogen auf die Maximalmenge einer theoretisch aus der
Verbindung c) herstellbaren Säure, beträgt.
7. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die erwähnte basische Sulfoniumverbindung als die Komponente d&sub2;) aus der
Gruppe von Verbindungen ausgewählt ist, welche durch die folgenden Formeln (II) bis
(V) dargestellt sind:
[SR&sup5;R&sup6;R&sup7;]&spplus;X&sub2;&supmin; (II)
worin
R&sup5;, R&sup6; und R&sup7; jeweils unabhängig voneinander eine C&sub1;-C&sub1;&sub8;Alkyl-, Aryl- oder
Heteroaryl-Gruppe oder eine durch Alkyl, Alkylaryl, Aryl, Halogen,
Alkoxy, Phenoxy, Phenylthio, Phenylsulfonyl oder Phenylsulfinyl
mono-, di- oder trisubstituierte Aryl-Gruppe bedeuten;
Y für [CH&sub2;]n, worin n 0 oder 1 ist, O oder S steht;
R&sup8; und R&sup9; für ein C&sub1;-C&sub4;Alkyl, Alkoxy oder ein Halogen stehen;
R¹&sup0; und R¹¹ für ein C&sub1;-C&sub4;Alkyl, Alkoxy oder ein Halogen stehen;
n 5 oder 6 bedeutet; und
X&sub2;&supmin; ein basisches Anion mit einem p KB Wert von -3 bis +5 bedeutet.
8. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1
worin die erwähnte basische Sulfoniumverbindung als die Komponente d&sub2;) aus der
Gruppe von Verbindungen ausgewählt ist, welche durch die folgenden Formeln (II) bis
(V) dargestellt sind:
[SR&sup5;R&sup6;R&sup7;]&spplus;X&sub2;&supmin; (II)
worin
R&sup5;, R&sup6; und R&sup7; jeweils unabhängig voneinander Methyl, Ethyl, Propyl, Isopropyl,
Butyl, Phenyl, Biphenyl, Tolyl, Xylyl, Chlorphenyl, Bromphenyl,
Methoxyphenyl, Ethoxyphenyl, Propyloxyphenyl, Butyloxyphenyl, tert-
Butyloxyphenyl, Phenoxyphenyl, Phenylthiophenyl oder
Phenylsulfonylphenyl bedeuten;
Y für [CH&sub2;]n, worin n 0 oder 1 ist, O oder S steht;
R&sup8; und R&sup9; für ein C&sub1;-C&sub4;Alkyl, Methoxy, Ethoxy, Chlor oder Brom stehen;
R¹&sup0; und R¹¹ für ein C&sub1;-C&sub4;Alkyl, Methoxy, Ethoxy, Chlor oder Brom stehen;
n 5 oder 6 bedeutet; und
X&sub2;&supmin; eine Hydroxyl-Gruppe oder OR (worin R für eine C&sub1;-C&sub4;Alkyl-Gruppe
steht), OCOR (worin R für eine C&sub1;-C&sub1;&sub0;Alkyl-, Aryl- oder eine Alkylaryl-
Gruppe steht) oder OCOO&supmin; bedeutet.
9. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin das erwähnte Bindemittel als Komponente a) eine phenolische Hydroxyl-Gruppe
enthält.
10. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin das erwähnte Bindemittel als die Komponente a) Polyvinylphenol, ein
alkylsubstituiertes Polyvinylphenol oder dessen Copolymer enthält.
11. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin das erwähnte Bindemittel als die Komponente a) ein anderes phenolisches
Bindemittel neben Polyvinylphenol enthält.
12. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die erwähnte Verbindung als die Komponente b) eine durch die folgende
allgemeine Formel (VI) dargestellte Verbindung ist:
worin
R&sub1;&sub2; für eine C&sub1;-C&sub4;Alkylen-Gruppe steht,
R&sub1;&sub3; eine C&sub1;-C&sub4;Alkyl-Gruppe bedeutet,
R&sub1;&sub4; eine C&sub1;-C&sub1;&sub0;Alkyl- oder Aryl-Gruppe bedeutet,
Z aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus -CO-, -O-CO- oder -NH-CO- besteht,
und
n eine ganze Zahl grösser als 1 ist.
13. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die Konzentration der erwähnten Verbindung als der Komponente b) von 1 bis
60 Gew.-% beträgt.
14. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die erwähnte Verbindung als die Komponente c) nach photochemischer
Zersetzung eine Sulfonsäure bildet.
15. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die erwähnte Verbindung als die Komponente c) ein α,α-bis-Sulfonyldiazomethan
Derivat der folgenden allgemeinen Formel (VII) ist:
worin R und R' für eine Alkyl-, Cycloalkyl-, Aryl-, halogenierte Aryl- oder Heteroaryl-
Gruppe stehen.
16. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die erwähnte Verbindung als die Komponente c) ein Sulfoniumsalz, ein α,α-bis-
Sulfonyldiazomethan Derivat oder ein phenolischer Sulfonsäureester ist.
17. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die Konzentration der erwähnten Verbindung als der Komponente c) in dem
erwähnten Gemisch bis zu 10 Gew.-% beträgt.
18. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1,
worin die erwähnte Verbindung als die Komponente c) ein Salz des Sulfonium-
Sulfonats ist, welches durch Zugabe einer Sulfonsäure zu einem basischen
Sulfoniumsalz hergestellt wird.
19. Ein positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 18,
worin die erwähnte Sulfonsäure eine Alkylsulfonsäure, eine teilweise oder gänzlich
fluorierte Alkylsulfonsäure, eine Arylsulfonsäure oder eine Arylsulfonsäure ist, welche
durch Halogen, ein Alkyl, ein Alkoxy, Nitro, Cyano oder ein halogeniertes Alkyl
substituiert ist.
20. Ein strahlungsempfindliches Registriermaterial mit einer Substratschicht und einer
strahlungsempfindlichen Schicht, worin die erwähnte strahlungsempfindliche Schicht
ein strahlungsempfindliches Gemisch gemäss Patentanspruch 1 enthält.
21. Ein Verfahren zur Herstellung einer Lösung einer basischen oder nicht basischen
Sulfoniumverbindung (A) der Formeln (II)-(V) zur Verwendung als Photoresist-Material,
das auf Bestrahlung mit einem aktiven Lichtstrahl empfindlich ist
[SR&sup5;R&sup6;R&sup7;]&spplus;X&sub2;&supmin; (II)
worin
R&sup5;, R&sup6; und R&sup7; jeweils unabhängig voneinander eine C&sub1;-C&sub1;&sub8;Alkyl-, Aryl- oder
Heteroaryl-Gruppe oder eine durch Alkyl, Alkylaryl, Aryl, Halogen,
Alkoxy, Phenoxy, Phenylthio, Phenylsulfonyl oder Phenylsulfinyl
mono-, di- oder trisubstituierte Aryl-Gruppe bedeuten;
Y für [CH&sub2;]n (worin n 0 oder 1 ist), O oder S steht;
R&sup8; und R&sup9; für ein C&sub1;-C&sub4;Alkyl, Alkoxy oder ein Halogen stehen;
R¹&sup0; und R&sup9; für ein C&sub1;-C&sub4;Alkyl, Alkoxy oder ein Halogen stehen;
n 5 oder 6 bedeutet; und
X&sub2;&supmin; ein basisches Anion mit einem p KB Wert von -3 bis +5 bedeutet,
welches folgende Stufen umfasst:
(a) Lösung eines Sulfoniumsalzes (B) in einem von Metall-Ionen freien polaren oder
nicht polaren Lösungsmittel, um eine Lösung zu bereiten, wobei das erwähnte
Sulfoniumsalz (B) den erwähnten Formeln (II)-(V) entspricht, worin R&sup5; bis R¹¹, Y
und n die oben angegebene Bedeutung besitzen und X&sub2;&supmin; ein basisches Anion mit
einem pK Wert von -3 bis +5 bedeutet;
(b) in Kontakt bringen der erwähnten Lösung mit einem basischen
Ionenaustauschharz mit einer quaternären Ammoniumgruppe, während einer
genügend langen Zeitspanne, um das Anion von (B) durch ein Hydroxid-Ion zu
ersetzen und eine Sulfoniumhydroxid-Lösung zu bereiten;
(c) Abtrennung der erwähnten Sulfoniumhydroxid-Lösung vom Harz; und
gegebenenfalls
(d) Zugabe einer Verbindung mit einem aktiven Wasserstoff oder dessen Basen-
labilen Prekursor zur erwähnten Sulfoniumhydroxid-Lösung, um eine Lösung der
Sulfoniumverbindung (A) zu erhalten, worin X&sub2;&supmin; für ein anderes basisches Anion
als ein Hydroxy-Ion steht.
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Families Citing this family (51)
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|---|---|---|---|---|
| DE4306069A1 (de) * | 1993-03-01 | 1994-09-08 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen mit verbessertem Kontrast |
| DE4408318C2 (de) * | 1993-03-12 | 1999-09-09 | Toshiba Kk | Positiv arbeitende Lichtempfindliche Zusammensetzung |
| KR960015081A (ko) * | 1993-07-15 | 1996-05-22 | 마쯔모또 에이이찌 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
| US5683856A (en) * | 1994-10-18 | 1997-11-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive-working photosensitive composition |
| JP3317597B2 (ja) * | 1994-10-18 | 2002-08-26 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| JP3549592B2 (ja) * | 1994-11-02 | 2004-08-04 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 放射線感応性組成物 |
| JPH08262720A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Hoechst Ind Kk | 可塑剤を含む放射線感応性組成物 |
| US5609989A (en) * | 1995-06-06 | 1997-03-11 | International Business Machines, Corporation | Acid scavengers for use in chemically amplified photoresists |
| US5952150A (en) * | 1995-06-08 | 1999-09-14 | Jsr Corporation | Radiation sensitive resin composition |
| JP2956824B2 (ja) * | 1995-06-15 | 1999-10-04 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
| JP3045274B2 (ja) * | 1995-06-15 | 2000-05-29 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型化学増幅型レジスト組成物 |
| DE19533608A1 (de) * | 1995-09-11 | 1997-03-13 | Basf Ag | Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen |
| DE19533607A1 (de) * | 1995-09-11 | 1997-03-13 | Basf Ag | Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen |
| JP3073149B2 (ja) | 1995-10-30 | 2000-08-07 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| TW477913B (en) * | 1995-11-02 | 2002-03-01 | Shinetsu Chemical Co | Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions |
| US5879856A (en) * | 1995-12-05 | 1999-03-09 | Shipley Company, L.L.C. | Chemically amplified positive photoresists |
| EP0869393B1 (de) * | 1997-03-31 | 2000-05-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positiv-arbeitende photoempfindliche Zusammensetzung |
| EP0874281B1 (de) * | 1997-04-23 | 2002-12-04 | Infineon Technologies AG | Chemisch verstärkter Resist |
| US5866299A (en) * | 1997-06-18 | 1999-02-02 | Shipley Company, L.L.C. | Negative photoresist composition |
| US6358672B2 (en) * | 1998-02-05 | 2002-03-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming semiconductor device pattern including cross-linking and flow baking a positive photoresist |
| JP3955384B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2007-08-08 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
| US6127089A (en) * | 1998-08-28 | 2000-10-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Interconnect structure with low k dielectric materials and method of making the same with single and dual damascene techniques |
| US6852466B2 (en) | 1998-12-23 | 2005-02-08 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions particularly suitable for short wavelength imaging |
| SG78412A1 (en) | 1999-03-31 | 2001-02-20 | Ciba Sc Holding Ag | Oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
| US6365322B1 (en) | 1999-12-07 | 2002-04-02 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photoresist composition for deep UV radiation |
| KR100550936B1 (ko) * | 1999-12-08 | 2006-02-13 | 제일모직주식회사 | 히드록시스티렌계 포토레지스트 조성물의 제조방법 및그에 의해 수득된 포토레지스트 조성물 |
| JP3972568B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2007-09-05 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩 |
| EP2036721B1 (de) * | 2000-11-30 | 2011-02-09 | FUJIFILM Corporation | Flachdruckplattenvorläufer |
| US7192681B2 (en) | 2001-07-05 | 2007-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
| JP3917422B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2007-05-23 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成材料 |
| US20040067435A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image forming material |
| DE10243742B4 (de) * | 2002-09-20 | 2007-11-08 | Qimonda Ag | Verfahren zur Strukturierung von Halbleitersubstraten unter Verwendung eines Fotoresists |
| US7160667B2 (en) * | 2003-01-24 | 2007-01-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image forming material |
| JP4009852B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2007-11-21 | 信越化学工業株式会社 | 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4029288B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2008-01-09 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4081677B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2008-04-30 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4346358B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2009-10-21 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法、パターン形成方法 |
| JP4612999B2 (ja) | 2003-10-08 | 2011-01-12 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP4494060B2 (ja) | 2004-03-30 | 2010-06-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP4524154B2 (ja) | 2004-08-18 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP4784760B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| KR100839357B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2008-06-19 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 및 커패시터 제조 방법 |
| US8153346B2 (en) | 2007-02-23 | 2012-04-10 | Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. | Thermally cured underlayer for lithographic application |
| US20100136477A1 (en) | 2008-12-01 | 2010-06-03 | Ng Edward W | Photosensitive Composition |
| JP5746829B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2015-07-08 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US10377692B2 (en) * | 2009-09-09 | 2019-08-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition |
| JP5516384B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2014-06-11 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
| KR101813298B1 (ko) | 2010-02-24 | 2017-12-28 | 바스프 에스이 | 잠재성 산 및 그의 용도 |
| KR20120066924A (ko) * | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 제일모직주식회사 | 오르토-니트로벤질 에스테르 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| JP6006999B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-10-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| CN107207456B (zh) | 2015-02-02 | 2021-05-04 | 巴斯夫欧洲公司 | 潜酸及其用途 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3620786A (en) * | 1969-08-27 | 1971-11-16 | Dow Chemical Co | Starch and cellulosic products treated with water-soluble sulfonium derivatives of diphenyl ether |
| US4329480A (en) * | 1978-03-31 | 1982-05-11 | The Dow Chemical Company | Cyclic meta-sulfonium-phenoxide zwitterions |
| US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| US4933377A (en) * | 1988-02-29 | 1990-06-12 | Saeva Franklin D | Novel sulfonium salts and the use thereof as photoinitiators |
| US5114473A (en) * | 1988-08-25 | 1992-05-19 | Union Carbide Chemicals And Plastics Technology Corporation | Transition metal recovery |
| US5047568A (en) * | 1988-11-18 | 1991-09-10 | International Business Machines Corporation | Sulfonium salts and use and preparation thereof |
| JPH0451243A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-19 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
| US5334316A (en) * | 1990-10-10 | 1994-08-02 | Brigham Young University | Process of using polytetraalkylammonium and polytrialkylamine-containing ligands bonded to inorganic supports for removing and concentrating desired ions from solutions |
| DE4111283A1 (de) * | 1991-04-08 | 1992-10-15 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend saeurelabile gruppierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern |
| US5378802A (en) * | 1991-09-03 | 1995-01-03 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Method for removing impurities from resist components and novolak resins |
| JPH05127369A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Nec Corp | レジスト材料 |
| US5443736A (en) * | 1993-10-20 | 1995-08-22 | Shipley Company Inc. | Purification process |
-
1994
- 1994-02-14 KR KR1019940002535A patent/KR100355254B1/ko not_active IP Right Cessation
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-
1997
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