DE69207179T2 - Optoelektronisches bauteil - Google Patents
Optoelektronisches bauteilInfo
- Publication number
- DE69207179T2 DE69207179T2 DE69207179T DE69207179T DE69207179T2 DE 69207179 T2 DE69207179 T2 DE 69207179T2 DE 69207179 T DE69207179 T DE 69207179T DE 69207179 T DE69207179 T DE 69207179T DE 69207179 T2 DE69207179 T2 DE 69207179T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light
- optoelectronic component
- component according
- semiconductor element
- cap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 61
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000009365 direct transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein optoelektronisches Bautel, welches eine Anzahl lichtaussendener und/oder lichtempfangender Halbleiterelemente enthält, die auf einem Grundkörper angeordnet sind, sowie eine Kappe, welche den Grundkörper umgibt und zusammen mit diesem ein geschlossenes Gehäuse für die Halbleiterelemente bildet.
- Es ist bereits bekannt, optoelektronische Bauteile in sogenannten Transistorgehäusen unterzubringen. Ein gängiges benutztes Gehäuse dieser Art enthält einen runden Grundkörper, auf dessen einen ebenen Oberfläche ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterelemente angeordnet ist/sind. Nach Montage des Halbleiterelementes/der Halbleiterelemente auf dem Grundkörper wird eine entsprechende runde Kappe über dem Grundkörper aufgebracht und mit diesem, beispielsweise durch Schweißen der Verbindung, verbunden. Bei Gehäusen dieser Art ist ein gewisses Spiel zwischen der Kappe und dem Grundkörper erforderlich. Hierdurch ist es möglich, daß sich die Position der Kappe relativ zum Grundkörper in unkontrollierter Weise in der Zeit zwischen dem Aufsetzen der Kappe auf den Grundkörper und der folgenden Verschweißung der Kappe mit dem Grundkörper verändert. Bei beispielsweise solchen optoelektronischen Bauteilen, die eine Mehrzahl von Halbleiterelementen mit getrennten Lichtöffnungen oder Linsen enthalten, bedeutet eine Drehung der Kappe relativ zum Grundkörper, nachdem die Kappe in der gewünschten Position aufgesetzt worden ist, daß die Funktionsfähigkeit des Bauteils beeinträchtigt oder vollständig aufgehoben wird. Auch im Falle von Bauteilen, die mit einem einzigen zentral angeordneten Halbleiterelement und mit einer zentral angeordneten Lichtöffnung oder Linse in der Kappe versehen sind und im Prinzip rotationssymmetrisch sind, ist eine exakte Zentrierung der Kappe relativ zum Grundkörper oft erforderlich. Infolge des Spiels zwischen der Kappe und dem Grundkörper kann eine Verlagerung der Position der Kappe relativ zum Grundkörper in der Zeit zwischen dem Aufsetzen der Kappe und der anschließenden Verschweißung mit dem Grundkörper leicht eintreten. Hierdurch ist es unmöglich, die gewünschte exakte Zentrierung zu erhalten.
- Aus den vorgenannten Gründen erfordert die Herstellung von Bauteilen der obengenannten Art entweder zusätzliche zeitund kostenaufwendige Herstellungsschritte, um die gewünschte relative Lage zwischen Kappe und Grundkörper sicherzustellen, oder die Herstellung führt zu einem großen Prozentsatz fehlerhafter Bauteile.
- Bestimmte optoelektronische Bauteile enthalten ein lichtaussendendes Halbleiterelement für die Aussendung von Licht in die Umgebung sowie auch ein lichtempfangendes Element zum Empfang von Licht aus der Umgebung. Bei dieser Art von Bauteilen ist es von höchster Wichtigkeit, daß eine direkte Strahlung zwischen dem lichtaussendenden und dem lichtempfangenden Halbleiterelement verhindert wird, und zur Erzielung einer rationellen und ökonomischen Herstellung ist es wichtig, daß diese direkte Strahlung in einer Weise beseitigt werden kann, die sowohl einfach als auch bequem aus der Sicht der Herstellung ist.
- Bestimmte andere Arten von optoelektronischen Bauteilen, sogenannte optische Koppler, enthalten ein lichtaussendendes und ein lichtempfangende Halbleiterelement, zwischen denen Signale optisch übertragen werden zur Vermeidung einer galvanischen Verbindung zwischen den Kreisen, zu denen die beiden Halbleiterelementen gehören. Bei einem solchen Bauteil wird verlangt, daß ein möglichst großer Teil der von dem lichtaussendenden Halbleiterelement ausgesandten Strahlung das lichtempfangende Halbleiterelement erreicht. Es ist bekannt, bestimmte Arten von Reflektionsgliedern zur Steuerung der Strahlung zwischen den beiden Halbleiterelementen anzuordnen. Solche Glieder neigen jedoch dazu, die Komplexität und die Herstellungskosten eines Bauteils zu vergrößern, und es ist erwünscht, daß die gewünschte Steuerung der Strahlung auf die einfachste und ökonomisch günstigste Weise vorgenommen werden kann.
- Gewisse andere Arten von optoelektronischen Bauteilen dienen zur bidirektionalen Signalübertragung, zum Beispiel durch eine optische Faser. Ein typisches solches Bauteil enthält ein lichtaussendendes Halbleiterelement und ein lichtempfangendes Halbleiterelement, welche optische Strahlung durch eine gemeinsame Öffnung oder Linse in der Kappe aussendet beziehungsweise empfängt. Bei dieser Art von Bauteilen bestehen Probleme darin, die erforderliche Abschirmung direkter Strahlung zwischen den Halbleiterelementen zu sicherzustellen sowie zu erreichen, daß das ausgesandte Licht von dem lichtaussendenden Halbleiterelement durch die gemeinsame Öffnung oder Linse in der gewünschten Richtung und mit großer Wirkungsgrad ausgesandt wird, während gleichzeitig auf das Bauteil fallendes Licht mit gutem Wirkungsgrad zu dem lichtempfangenden Halbleiterelement gelangt. Das gleichzeitige Erreichen dieser Ziele hat sich als schwierig erwiesen und zu komplizierten und daher unökonomischen Lösungen Anlaß gegeben.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Bauteil der in der Einleitung beschriebenen Art zu entwickeln, bei welchem in einfacher Weise eine wirksame Fixierung der Kappe in der gewünschten Position in der Zeit zwischen dem Aufsetzen der Kappe auf den Grundkörper und dem Festschweißen der Kappe an dem Grundkörper, welches in einem nachfolgenden Herstellungsschritt geschieht erreicht wird. Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, ein Bauteil zu schaffen, in welchem die gewünschte Abschirmung oder Steuerung der Strahlung zwischen den in der Kappe vorhandenen Halbleiterelementen in einfacher Weise erreicht werden kann.
- Ferner liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Bauteil zu schaffen, bei welchem die Steuerung des Lichtflusses zwischen einer oder mehreren Öffnungen oder Linsen in der Kappe und den in der Kappe angeordneten Halbleiterelementen in einfacher Weise erreicht werden kann.
- Das optoelektronische Bauteil gemäß der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
- Im folgenden wird die Erfindung unter Bezug auf die beigefügten Figuren 1 bis 6 genauer beschrieben.
- Figur 1a zeigt einen Schnitt durch einen sogenannten Reflektionsdetektor gemäß der Erfindung,
- Figur 1b zeigt die Form eines in dem Bauteil gemäß Figur 1a enthaltenen Aufbaublockes,
- Figur 1c zeigt eine Seitenansicht des Aufbaublockes,
- Figur 1d zeigt den Aufbaublock, gesehen in einer Richtung, welche mit der Symmetrieachse des Bauteils zusammenfällt,
- Figur 2 zeigt ein Bauteil für bidirektionale (Duplex) Signalübertragung,
- Figur 2a zeigt die Fläche des Grundkörpers mit den darauf angeordneten Halbleiterelementen,
- Figur 2b zeigt einen Schnitt durch das Bauteil,
- Figuren 3a und 3b zeigen alternative Ausführungsformen eines optischen Kopplers gemäß der Erfindung,
- Figur 4 zeigt ein Bauteil gemäß der Erfindung, welches eine lichtaussendende Diode (LED) enthält,
- Figur 5 zeigt ein Bauteil gemäß der Erfindung mit einer LED, die imstande ist, Licht durch zwei getrennte Austrittsöffnungen der Kappe zu emittieren,
- Figur 6 zeigt, wie partiell reflektierende Glieder, die in den Figuren 2b und 5 verwendet werden, in alternativer Weise durch Öffnungen in dem im Bauteil vorhandenen Aufbaublock hergestellt werden können.
- Figur 1a zeigt einen sogenannten Reflektionsdetektor gemäß der Erfindung. Er enthält einen lichtemittierenden Halbleiter 5, zum Beispiel eine LED oder eine Laserdiode, sowie ein Lichterkennungsglied 6, wie beispielsweise eine Fotodiode oder ein Fototransistor, zur Erkennung solcher emittierter Strahlung, die von einem außerhalb des Bauteils gelegenen Gegenstand reflektiert wird. Die Halbleiterelemente sind auf einer ebenen Oberfläche eines rotationssymmetrischen Grundkörpers montiert, der mit einem Flansch 2 und Anschlußstiften 3 und 4 versehen ist. Eine ebenfalls rotationssymmetrische Kappe 7 ist passend auf dem Grundkörper angebracht und bildet zusammen mit diesem ein geschlossenes Gehäuse für die Halbleiterelemente. Die Kappe ist an den Flansch 2 des Grundkörpers angeschweißt. Unmittelbar vor den Halbleiterelementen 5 und 6 ist die Kappe mit Öffnungen 11a, 12a versehen, in denen Linsen 11, 12 zur Fokussierung der Strahlung angebracht sind. Ein vom Element 5 ausgehender zentraler Lichtstrahl ist in der Figur mit 9 bezeichnet, und ein zentraler Lichtstrahl, der von dem Element 6 empfangen wird, ist mit 10 bezeichnet.
- Unter dem Begriff "Licht" wird in dieser Anmeldung optische Strahlung verstanden, und zwar sowohl innerhalb wie auch außerhalb des sichtbaren Wellenlängenbandes.
- Zur Fixierung (Festhalten) der Kappe in der gewünschten Position auf dem Grundkörper, bevor die Kappe an den Grundkörper angeschweißt wird, und zur Abschirmung direkter Strahlung zwischen den beiden Halbleiterelementen des Bauteils ist ein Auf baublock 13. in dem Bauteil angeordnet. Der Aufbaublock hat vier Beine, von denen die Beine 16 und 17 in Figur 1a gezeigt sind, sowie ein Abschirmteil 131 zur Abschirmung direkter Strahlung.
- Der Aufbaublock 13 besteht aus einer dünnen Metallplatte, aus zum Beispiel einer Kupferberylliumlegierung, und hat eine Dicke von 50 Mikrometern. Die Platte wird durch Ätzen mit der in Figur 1b gezeigten Gestalt hergestellt. Der Aufbaublock hat vier Beine 16, 17, 18, 19 und zwei Öffnungen 22, 23, um Licht zu beziehungsweise von den beiden Halbleiterelementen durchzulassen. 24 Bezeichnet die Symmetrieachse des Aufbaublockes, die mit dem Zentrum des Abschirmteils 131 zusammenfällt. 26 und 27 bezeichnen die Ränder des künftigen Abschirmteiles.
- Nach Herstellung der in Figur 1b gezeigten Platte wird diese in einer geeigneten Vorrichtung in die gewünschte Form gepreßt (Figuren 1c und 1d). Das Pressen wird in der Weise ausgeführt, daß die vier Beine des Elementes nach unten rechtwinkelig oder annähernd rechtwinkelig im Verhältnis zu dem ebenen Hauptteil des Elementes abgewinkelt werden (entlang der gestrichelten Linien 16a, 17a, 18a, 19a in Figur 1b), und ferner dadurch, daß der zentrale Teil der Platte abgebogen wird und das Abschirmteil 131 bildet. Nach dem Pressen kann der Aufbaublock zweckmäßigerweise gehärtet werden und wird dann elastisch. Wenn das optoelektronische Bauteil gemäß der Erfindung zusammengebaut wird, werden zunächst die Halbleiterelemente 5, 6 auf den Grundkörper 1 angebracht, worauf der Aufbaublock 13 soweit auf dem Grundkörper angebracht wird, daß das Abschirmteil 131 den Grundkörper berührt. Danach wird die Kappe 7 auf das Grundkörper aufgesetzt und so justiert, daß die Linsen 11, 12 die gewünschte Position im Verhältnis zu den Halbleiterelementen 5, 6 einnehmen. Beim Aufsetzen der Kappe werden die vier Beine 16 bis 19 des Aufbaublockes 13 zwischen Kappe und Grundkörper gezwängt, und infolge der Elastizität der Beine fixieren diese die Kappe in der gewünschten Position relativ zum Grundkörper bis zu dem Zeitpunkt, in dem die endgültige Schweißverbindung zwischen der Kappe und dem Grundkörper hergestellt wird. Die Beine bewirken auch eine Zentrierung der Kappe relativ zum Grundkörper und vermeiden in effizienter Weise, daß die Symmetrieachsen dieser beiden Einheiten sich infolge eines zwischen der Kappe und dem Grundkörper vorhandenen Spiels gegeneinander verschieben.
- Das Abschirmteil 131 des Aufbaublockes bewirkt eine vollständige optische Abschirmung der beiden Halbleiterelemente gegeneinander, das heißt, es verhindert, daß Strahlung von dem Element 5 das Element 6 erreicht. Um diese Wirkung weiter zu sichern, kann der Aufbaublock mit einem geeigneten lichtabsorbierenden Überzug oder einer Oberflächenbehandlung versehen sein, beispielsweise mittels einer Schwarzchrombeschichtung.
- Gemäß einer alternativen Ausführungsform des oben beschriebenen Montageverfahrens kann der Aufbaublock 13 vor dem Aufsetzen der Kappe auf den Grundkörper in die Kappe 7 eingedrückt werden.
- Die Figuren 2a und 2b zeigen ein Bauteil gemäß der Erfindung, welches für bidirektionale optische Signalübertragung, beispielsweise durch eine optische Faser (Lichtleiter), bestimmt ist. Figur 2a zeigt die ebene Oberfläche des Grundkörpers 1 mit den Anschlußstiften 3 und 4. In der Mitte des Grundkörpers ist eine LED (Leuchtdiode) oder eine Laserdiode 5 angeordnet, und zum Rand des Grundkörpers verschoben ist eine Fotodiode oder ein Fototransistor 6 angeordnet. Die Kappe 7 hat eine für beide Komponenten gemeinsame Öffnung 11a, die mit einer Linse 11 versehen ist, beispielsweise zur optischen Kopplung zwischen dem Bauteil und einem Lichtleiter.
- In derselben Weise wie das Bauteil gemäß Figur 1 hat das in Figur 2 gezeigte Bauteil einen Aufbaublock 13 mit Beinen 16, 17 und so weiter zur Fixierung der Kappe an dem Grundkörper während der Montage. In ähnlicher Weise hat der Aufbaublock einen nach unten gebogenen Teil, der zwischen den beiden Halbleiterelementen angeordnet ist und den Grundkörper 1 berührt. Dieser Abschnitt hat ebene Seitenwände 41 und 42. In der Wand 41 befindet sich eine Öffnung 43 für den Durchtritt von Licht des Elementes 5 in Richtung zur Linse 11. Die Öffnung ist mit einem teilweise reflektierenden (halbtransparenten) Glied abgedeckt, beispielsweise mit einer Glasplatte 44, die mit einer Schicht versehen ist, welche die gewünschte Reflektion/Transmission bewirkt. Die von dem Element 5 ausgehende Strahlung 51 passiert die Öffnung 43 und teilweise die Glasplatte 44 und tritt durch die Linse 11 aus (nur ein zentraler Strahl 50 ist gezeigt). Auf das Bauteil fallendes Licht 50 wird teilweise von der Glasplatte 44 reflektiert (Strahl 52) und verläuft durch die Öffnung 45 in der zweiten Seitenwand 42 des Abschirmteiles. Nach Passieren dieser Öffnung wird das Licht von einem nach unten gebogenen Abschnitt 47 des Aufbaublockes 13 zu dem lichtempfangenden Halbleiterelement 6 reflektiert. Die reflektierende Oberfläche des Abschnittes 47 kann zweckmäßigerweise mit einer hochreflektierenden Beschichtung, zum Beispiel Gold, versehen sein, um die Reflektionskraft zu vergrößern.
- Den Wänden 41 und 42 des Abschirmteils kann in einfacher Weise eine Gestalt gegeben werden, daß sie in wirkungsvoller Weise verhindern, daß direkte Strahlung von dem Element 5 zum Element 6 glangt. Auch in diesem Falle wird der gesamte Aufbaublock 13 (mit Ausnahme des reflektierenden Teils des Abschnittes 47) zweckmißigerweise mit einer geeigneten lichtabsorbierenden Schicht überzogen, die beispielsweise durch Schwarzchrombelegung erreicht wird.
- Figur 3a zeigt einen optischen Koppler für eine galvanisch getrennte Signalübertragung zwischen zwei elektrischen Kreisen. Einer der Kreise ist an ein lichtaussendendes Halbleiterelement 5 angeschlossen und der andere Kreis an ein lichtempfangendes Halbleiterelement 6. Der Aufbaublock 13 ist mit nach unten gebogenen Abschnitten 55, 56 versehen, deren den Halbleiterelementen zugewandten Flächen mit einem reflektierenden Belag versehen sind, beispielsweise Gold, wie es auch die Fläche des zentralen Teils 57 des Aufbaublockes ist, die den Halbleiterelementen zugewandt ist. Von dem Element 5 ausgehende Lichtstrahlen 58, 59 werden von dem Aufbaublock reflektiert und erreichen mit hohem Wirkungsgrad das lichtempfangende Element 6.
- Figur 3b zeigt eine alternative Ausführungsform des Aufbaublockes 13 in einem optischen Koppler. Der Aufbaublock ist hier mit einem zentralen kuppelförmigen Teil 61 versehen, welches beispielsweise durch Pressen hergestellt ist. Der Teil des kuppelförmigen Teils, der den Halbleiterelementen zugewendet ist, ist mit einem reflektierenden Belag belegt und reflektiert ausgesandtes Licht mit hohem Wirkungsgrad. Dies ergibt eine sehr gute optische Kopplung zwischen den beiden Halbleiterelementen des Bauteils.
- Figur 4 zeigt ein Bauteil gemäß der Erfindung mit einem lichtaussendenden Halbleiterelement 5. Der Aufbaublock 13 hat eine zentrale Öffnung 65 für den Durchtritt von Strahlung 58 von dem Element 5 zur Linse 11. Der Aufbaublock 13 hat hier keine andere Funktion als die im einleitenden Teil erwähnte, das heißt die Funktion einer mechanischen Fixierung und Zentrierung der Kappe auf den Grundkörper während der Herstellung. Alternativ kann natürlich das lichtaussendende Halbleiterelement 5 aus einem lichtempfangende Halbleiterelement bestehen.
- Figur 5 zeigt ein Bauteil gemäß der Erfindung mit einem einzigen lichtaussendenden Element 5, welches gleichzeitig Licht in zwei verschiedenen Richtungen durch verschiedene Öffnungen der Kappe auszusenden vermag. Die Kappe hat zwei Öffnungen 11a und 11b, in welchen die Linsen 11 und 12 angeordnet sind. Der Aufbaublock 13 hat einen nach unten abgebogenen Abschnitt 41 mit einer Öffnung 43 und einen halbdurchlässigen Spiegel 44, beispielsweise eine dünne Glasplatte. Von dem Element 5 ausgehende Strahlung 58 wird teilweise durch die Glasplatte 44 im Sinne der Zeichnung nach rechts durch die Linse 12 (Strahl 58a) nach außen reflektiert und teilweise durch die Glasplatte 44 in Richtung zu der Linse 11 (Strahl 58b) übertragen (durchgelassen). In der in Figur 5 gezeigten Ausführungsform kann das lichtaussendende Element 5 durth ein lichtempfangendes Element ersetzt werden, wobei in diesem Falle das Bauteil zum Empfang von Strahlung aus zwei verschiedenen Richtungen verwendet werden kann.
- Figur 2b und Figur 5 zeigen teilweise reflektierende Glieder, die aus einer dünnen Glasplatte 44 bestehen. Figur 6 zeigt, wie die entsprechende Funktion auf anderem Wege erreicht werden kann. Figur 6a zeigt einen Schnitt durch den abgebogenen Abschnitt 41 des Aufbaublockes 13 in der gleichen Ebene wie die in den Figuren 2b und 5 gezeigten Schnitte. Figur 6b zeigt den abgebogenen Abschnitt 41 von links in Figur 2b und Figur 5. Der abgebogene Abschnitt 41 ist mit einer Anzahl paralleler Längsschlitze 331, 332, 333 und so weiter versehen. Durch diese Schlitze kann Licht auf geradem Wege durch den Abschnitt 41 ohne Richtungsänderung übertragen werden. Ein Teil des auf den Abschnitt 41 fallenden Lichtes trifft die Teile 431a, 432a und so weiter zwischen den Schlitzen und wird reflektiert. Um eine verbesserte Reflektion zu erreichen, kann die reflektierende Oberfläche zweckmäßigerweise einen Belag aus zum Beispiel einer dünnen Goldschicht haben. Die Schlitze können beispielsweise gleichzeitig mit dem Schneiden der Metallplatte hergestellt werden, welche das Ausgangsstück für den Aufbaublock 13 bildet. Auf diese Weise kann die gewünschte teilweise Reflektionseigenschaft (Halbdurchlässigkeit) des Aufbaublockes auf sehr einfache Weise hergestellt werden. Als Alternative zu den in Figur 6 gezeigten länglichen Schlitzen kann der Abschnitt 41 mit einer Anzahl von Öffnungen von anderer Gestalt, zum Beispiel Kreislöchern, versehen sein.
- Da der Aufbaublock 13 metallisch mit dem Grundkörper 1 und der Kappe 7 verbunden ist, wird auch eine verbesserte elektrische Abschirmung zwischen den beiden Elementen in solchen Ausführungen erreicht (zum Beispiel die Ausführung in Figur 1), die ein Abschirmteil (131) zwischen den Halbleiterelementen haben.
Claims (16)
1. Optoelektronisches Bauteil, welches eine Anzahl von
lichtaus sendenden und/oder lichtempfangenden
Halbleiterelementen (5,6) enthält, welche auf einem Grundkörper (1)
angeordnet sind, mit einer Kappe (7), welche den Grundkörper
umgibt und darauf befestigt ist und zusammen mit dieser ein
geschlossenes Gehäuse für die Halbleiterelement bildet,
dadurch gekennzeichnet, daß das Bauteil
einen Aufbaublock (13) mit einer Anzahl von Beinen (16, 17,
18, 19) enthält, die 50 geformt sind, daß die Beine zwischen
dem Grundkörper und der Kappe zwecks Zentrierung und
Fixierung der Kappe relativ zum Gehäuse eingeklemmt werden.
2. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Aufbaublock
aus einer Metallplatte besteht.
3. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Beine aus
nach unten gebogenen Teilen der Metallplatte bestehen.
4. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, wobei zwei Halbleiterelemente (5, 6) auf dem
Grundkörper angeordnet sind, dadurch
gekennzeichnet, daß der Aufbaublock ein Abschirmteil (131;
41, 42) hat, welches zwischen den Halbleiterelementen
angeordnet ist und so geformt ist, daß es die direkte
Übertragung von Licht zwischen den Elementen verhindert.
5. Optoelektroniscfies Bauteil nach einem der Ansprüche 2 und
4, dadurch gekennzeichnet, daß das
Abschirmteil aus einem nach unten gebogenen Teil der
Metallplatte besteht.
6. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der Aufbaublock mit vollständig oder teilweise
reflektierenden Abschnitten (44, 47; 55, 56, 57;61) versehen ist zur
Bestimmung der Richtung des Lichtes, welches von einem
Halbleiterelement emittiert wird oder auf Halbleiterelement
fällt.
7. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die vollständig
oder teilweise reflektierenden Abschnitte aus einem Spiegel
(44) bestehen, der am Aufbaublock montiert ist.
8. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die
reflektierenden Abschnitte aus einer oder mehreren reflektierenden
Oberflächen des (47; 55, 56; 57; 61) Aufbaublocks bestehen.
9. Optoelektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche
6 - 8, mit einem ersten lichtaussendenden (5) und einem zweiten
lichtempf angenden (6) Halbleiterelement zur optischen
Übertragung von Signalen von dem ersten zum zweiten Halbleitere
lement, dadurch gekennzeichnet, daß
die reflektierenden Teile (55, 56; 57; 61) des Aufbaublocks
derart beschaffen sind, daß sie von dem ersten
Halbleiterelement emittiertes Licht (58, 59) zu dem zweiten
Halbleiterelement reflektieren.
10. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche 6 - 8, bei welchem die Kappe mindestens eine
Öffnung (11a, 12a) für Licht hat, welches zwischen einem
Halbleiterelement und der Umgebung übertragen wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die vollständig
oder teilweise reflektierenden Abschnitte des Aufbaublocks
so beschaffen sind, daß sie den Lichtpfad zwischen dem
Halbleiterelement und der Öffnung herstellen.
11. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche 1 - 8 oder gemäß Anspruch 10, welches ein
lichtaussendendes (5) und ein lichtempfangendes(6)
Halbleiterelement enthält, die so beschaffen sind, daß sie Licht zwischen
den Elementen und der Umgebung durch eine gemeinsame Öffnung
(11a) in der Kappe übertragen, dadurch
gekennzeichnet, daß der Aufbaublock teilweise
reflektierende Glieder (44) hat, die in dem
Lichtübertragungspfad zwischen den Halbleiterelementen und der Öffnung
angeordnet sind, um einen Lichtpfad zwischen den beiden
Halbleiterelementen und der Öffnung herzustellen.
12. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß das teilweise
reflektierende Glied im direktem Lichtpfad (51-50) zwischen
einem der Halbleiterelemente (5) und der Öffnung unter einem
Winkel zu diesem Lichtpfad angeordnet ist und daß der
Aufbaublock ein reflektierendes Glied (47) hat, welches in dem
Lichtpfad zwischen dem anderen Halbleiterelement (6) und dem
teilweise reflektierenden Glied angeordnet ist.
13. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche 1 - 8 oder 10, in welchem ein Halbleiterelement
(5) vorhanden ist, welches Licht durch mindestens zwei
verschiedene Öffnungen (11a, 12a) zu emittieren oder zu
empfangen vermag, dadurch gekennzeichnet,
daß der Aufbaublock mit teilweise reflektierenden Gliedern
(44) zur Führung des Lichtpfades zwischen dem
Halbleiterelement und den Öffnungen versehen ist.
14. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche 11 - 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das teilweise reflektierende Glied aus einem
teilweise reflektierenden Spiegel (44) besteht.
15. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß der Spiegel
(44) aus einer Glasplatte besteht.
16. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden
Ansprüche 11 - 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das teilweise reflektierende Glied aus einem
reflektierenden Abschnitt (41) des Aufbaublockes besteht,
welcher Abschnitt mit einer Vielzahl von Öffnungen (431, 432,
433) versehen ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9100560A SE468027B (sv) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | Optoelektronisk komponent med halvledarelement innefattade i sluten kapsel, vilken kapsel bestaar av en kaapa som centreras och laases relativt en sockel medelst ett byggelement |
PCT/SE1992/000064 WO1992016021A1 (en) | 1991-02-27 | 1992-02-04 | Optoelectronic component |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69207179D1 DE69207179D1 (de) | 1996-02-08 |
DE69207179T2 true DE69207179T2 (de) | 1996-09-05 |
Family
ID=20381992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69207179T Expired - Fee Related DE69207179T2 (de) | 1991-02-27 | 1992-02-04 | Optoelektronisches bauteil |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5382810A (de) |
EP (1) | EP0573520B1 (de) |
JP (1) | JPH06505367A (de) |
DE (1) | DE69207179T2 (de) |
SE (1) | SE468027B (de) |
WO (1) | WO1992016021A1 (de) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224406A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光集積回路 |
DE19535777A1 (de) * | 1995-09-26 | 1997-03-27 | Siemens Ag | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
DE19653054A1 (de) * | 1996-12-19 | 1998-07-02 | Telefunken Microelectron | Optoelektronisches Bauelement zur Datenübertragung |
US6169295B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-01-02 | Maxim Integrated Products, Inc. | Infrared transceiver module and method for making same |
US7181144B1 (en) | 1998-07-09 | 2007-02-20 | Zilog, Inc. | Circuit design and optics system for infrared signal transceivers |
US6281999B1 (en) | 1998-07-09 | 2001-08-28 | Zilog, Inc. | Optics system for infrared signal transceivers |
DE60043546D1 (de) * | 1999-07-26 | 2010-01-28 | Labosphere Inst | Linse, lichtemittierender körper, beleuchtungskörper und optisches informationssystem |
DE10003087A1 (de) * | 2000-01-25 | 2001-09-13 | Infineon Technologies Ag | Anordnung für ein optoelektronisches Sende- und Empfangsmodul |
TWI243644B (en) * | 2000-04-21 | 2005-11-21 | Labosphere Inst | Scaring device |
JP4640539B2 (ja) * | 2000-08-01 | 2011-03-02 | 株式会社オプトテクノ | 受発光装置 |
JP4714335B2 (ja) * | 2000-12-20 | 2011-06-29 | 株式会社オーディオテクニカ | 赤外線受発光装置 |
US6740862B2 (en) * | 2002-03-13 | 2004-05-25 | Phone-Or Ltd. | Optical transducers and methods of making same |
EP1383175A1 (de) * | 2002-07-16 | 2004-01-21 | Abb Research Ltd. | Optisches chipmodul |
US7072534B2 (en) * | 2002-07-22 | 2006-07-04 | Applied Materials, Inc. | Optical ready substrates |
US7043106B2 (en) * | 2002-07-22 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Optical ready wafers |
US7110629B2 (en) * | 2002-07-22 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Optical ready substrates |
US7179396B2 (en) * | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
US7529435B2 (en) * | 2003-05-29 | 2009-05-05 | Applied Materials, Inc. | Serial routing of optical signals |
TW200505121A (en) * | 2003-06-27 | 2005-02-01 | Applied Materials Inc | Pulsed quantum dot laser systems with low jitter |
US20050016446A1 (en) | 2003-07-23 | 2005-01-27 | Abbott John S. | CaF2 lenses with reduced birefringence |
JP4641762B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2011-03-02 | シャープ株式会社 | 光半導体装置 |
JP2005322380A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-11-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US20060222024A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-10-05 | Gray Allen L | Mode-locked semiconductor lasers with quantum-confined active region |
US20060227825A1 (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-12 | Nl-Nanosemiconductor Gmbh | Mode-locked quantum dot laser with controllable gain properties by multiple stacking |
WO2007027615A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Ridge technique for fabricating an optical detector and an optical waveguide |
US20070102718A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Akira Takekuma | Lens in light emitting device |
US7561607B2 (en) * | 2005-12-07 | 2009-07-14 | Innolume Gmbh | Laser source with broadband spectrum emission |
US7835408B2 (en) * | 2005-12-07 | 2010-11-16 | Innolume Gmbh | Optical transmission system |
JP2009518833A (ja) * | 2005-12-07 | 2009-05-07 | インノルメ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 広帯域スペクトル発光を有するレーザ光源 |
KR100854328B1 (ko) * | 2006-07-07 | 2008-08-28 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
DE102008024787A1 (de) * | 2008-05-23 | 2009-12-10 | Converteam Technology Ltd., Rugby | Elektrische Schaltung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleiterschaltelements |
EP2371044B1 (de) * | 2008-12-03 | 2019-08-28 | Innolume GmbH | Halbleiterlaser mit geringem relativem intensitätsrauschen individueller longitudinalmoden und den laser umfassendes optisches übertragungssystem |
DE102010012712A1 (de) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierendes Halbleiterbauteil |
GB201020023D0 (en) | 2010-11-25 | 2011-01-12 | St Microelectronics Ltd | Radiation sensor |
GB201020024D0 (en) | 2010-11-25 | 2011-01-12 | St Microelectronics Ltd | Radiation sensor |
GB2486000A (en) * | 2010-11-30 | 2012-06-06 | St Microelectronics Res & Dev | Optical proximity detectors with arrangements for reducing internal light propagation from emitter to detector |
GB2485996A (en) | 2010-11-30 | 2012-06-06 | St Microelectronics Res & Dev | A combined proximity and ambient light sensor |
GB2485998A (en) | 2010-11-30 | 2012-06-06 | St Microelectronics Res & Dev | A single-package optical proximity detector with an internal light baffle |
CN105789197B (zh) * | 2014-12-25 | 2019-03-15 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 光学模块、其制造方法以及具有光学模块的电子装置 |
US11069667B2 (en) * | 2016-03-31 | 2021-07-20 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level proximity sensor |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5422115B2 (de) * | 1972-05-19 | 1979-08-04 | ||
US3914786A (en) * | 1974-04-19 | 1975-10-21 | Hewlett Packard Co | In-line reflective lead-pair for light-emitting diodes |
JPS58119681A (ja) * | 1982-01-09 | 1983-07-16 | Nippon Denyo Kk | ランプ |
JPS61263268A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPS6273785A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | 発光素子 |
JPH0783143B2 (ja) * | 1989-02-02 | 1995-09-06 | 富士電機株式会社 | Ledランプ |
-
1991
- 1991-02-27 SE SE9100560A patent/SE468027B/sv not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-02-04 WO PCT/SE1992/000064 patent/WO1992016021A1/en active IP Right Grant
- 1992-02-04 DE DE69207179T patent/DE69207179T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-04 EP EP92905858A patent/EP0573520B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-04 JP JP4506097A patent/JPH06505367A/ja active Pending
- 1992-02-04 US US08/104,127 patent/US5382810A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0573520A1 (de) | 1993-12-15 |
EP0573520B1 (de) | 1995-12-27 |
WO1992016021A1 (en) | 1992-09-17 |
JPH06505367A (ja) | 1994-06-16 |
SE9100560L (sv) | 1992-08-28 |
SE9100560D0 (sv) | 1991-02-27 |
US5382810A (en) | 1995-01-17 |
SE468027B (sv) | 1992-10-19 |
DE69207179D1 (de) | 1996-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69207179T2 (de) | Optoelektronisches bauteil | |
DE3881301T2 (de) | Mit einem fiberende versehener optoelektronischer wandler. | |
DE69224637T2 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
EP0238977B1 (de) | Sende- und Empfangsmodul für ein bidirektionales Kommunikationsnetz, insbesondere ein Breitband-ISDN | |
DE3803529C2 (de) | ||
DE69534889T2 (de) | Optisches Halbleitermodul | |
DE102005019562B4 (de) | Optisches Sende- und Empfangsmodul | |
DE102005019093B4 (de) | Fahrzeugleuchte mit einem mehrgliedrig gebildeten Lichtleiter | |
DE19932430C2 (de) | Opto-elektronische Baugruppe sowie Bauteil für diese Baugruppe | |
DE69028315T2 (de) | Faseroptischer schalter mit einem sphärischen reflektor | |
DE69411239T2 (de) | Lichtempfangendes Halbleiter-Bauelement | |
DE10124370B4 (de) | Optisches Element mit Totalreflexion | |
DE69819825T2 (de) | Optisches Sende- und Empfangsmodul | |
DE60224342T2 (de) | Bidirektionale optische Übertragungsvorrichtung | |
DE2648604B2 (de) | Linse für einen Lichtsender in einem Fernsteuersystem | |
DE4019794C2 (de) | Optischer Winkelgeber | |
DE10004411A1 (de) | Elektrooptisches Sende-/Empfangsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0718974B1 (de) | Näherungsschalter | |
DE3143137C2 (de) | Reflexions-ausblendende, fokussierende optische Vorrichtung | |
EP3899358B1 (de) | Beleuchtungsvorrichtung für einen kraftfahrzeugscheinwerfer sowie kraftfahrzeugscheinwerfer | |
DE3439287C2 (de) | Lasermikrostrahlanalysiergerät | |
DE10203388B4 (de) | Fahrzeugleuchte, die eine Leuchtdiode verwendet | |
DE19808004A1 (de) | Bauteil zur optischen Datenübertragung | |
DE19947113C2 (de) | Oberflächenmontierbares faseroptisches Sende- und Empfangsbauelement mit beim Zusammenbau justierbarem Umlenkreceptacle | |
EP3324218B1 (de) | Mehrstrahllichtschranke |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |