DE69126034T2 - Verfahren zur herstellung von gusseisen mit vermikular graphit - Google Patents
Verfahren zur herstellung von gusseisen mit vermikular graphitInfo
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Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Gußeisen mit Vermiculargraphit. Das Verfahren beruht auf einem Prüfverfahren zur Bestimmung der strukturellen Charakteristika einer Schmelze zum Gießen von Gußeisen mit Vermiculargraphit und Mitteln zur Kontrolle der Struktur und Eigenschaften des hervorgebrachten Materials.
- Die US-A-4 667 725 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Gießlingen mit einer vorbestimmten Graphitstruktur. Das Verfahren umfaßt das Entnehmen einer Probe aus einem Bad von schmelzflüssigem Eisen und daran anschließendes Erstarrenlassen der Probe über eine Zeit von 0,5 bis 10 Minuten. Während der Erstarrungsphase werden von den in der Mitte des Probenvolumens und nahe der Innenwandung des Probengefäßes stattfindenden Temperaturveränderungen Aufzeichnungen vorgenommen. Das Probengefäß sollte im wesentlichen im thermischen Gleichgewicht sein bei einer Temperatur oberhalb der Kristallisationstemperatur des Bades, und es sollte Gelegenheit zum vollständigen Erstarren über einen Zeitraum von 0,5 bis 10 Minuten gegeben sein. Der Temperatur-Zeit-Verlauf wird mit Hilfe von zwei temperaturabhängigen Mitteln gemessen, von denen eines in der Mitte der Probenmenge und das andere in dem schmelzflüssigen Material nahe der Wandung des Gefäßes angeordnet ist. Der Dispersionsgrad der Graphitphase bezogen auf bekannte Bezugswerte für das gleiche Probenahme- und Prüfverfahren bezüglich fertiger Gießlinge wird analysiert, mittels der während der ersten Keimbildungsereignisse der eutektischen Reaktion an der Gefäßwandung als die Mindestunterkühlungstemperatur an der Gefäßwandung gemessenen Temperatur, der Rekaleszenz der Gefäßwandung, der positiven Differenz zwischen der an der Gefäßwandung und in der Mitte der Probe vorherrschenden Temperatur und der Ableitung der Temperaturabnahme an der Gefäßwandung während der Zeit konstanter eutektischer Wachstumstemperatur in der Mitte der Probenmenge, alternativ der höchsten negativen Werte der Temperaturdifferenz zwischen der maximalen eutektischen Wachstumstemperatur und der eutektischen Temperatur. Weist das Bad einen Mangel an Kristallisationskeimen auf, so wird ihm ein Graphit-Nukleierungsmittel zugeführt; umgekehrt wird im Falle, daß die Kristallisationskeimbildner im Überschuß zugegen sind, der Dispersionsgrad durch Halten des Bades über eine Zeitspanne, die hinreichend ist, um die Menge an Keimen in dem Bad vor dem Gießen zu reduzieren, herabgesetzt, indem die Morphologie der Graphitausscheidung bezogen auf entsprechende, mit dem gleichen wie dem auf Gußeisen von bekannter Struktur angewandten Probenahme- und Prüfverfahren erhaltene Daten mittels der in der Mitte des schmelzflüssigen Materials stattfindenden Unterkühlung, der Rekaleszenz in der Mitte des Probengefäßes und der maximalen Wachstumstemperatur beurteilt und die Menge an strukturmodifizierendem Agens in Abhängigkeit hiervon korrigiert wird, so daß eine Graphitausscheidung in vorbestimmter Form nach dem Erstarren des schmelzflüssigen Gußeisens nach dem Gießen eintritt. Die erhaltenen Werte werden dazu benützt, die Menge an modifizierendem Agens und die Anwesenheit von Graphit- Nukleierungsmittel in der betreffenden Schmelze und für die verwendete Ausrüstung zu bestimmen. Die zu verwendende Produktionsausrüstung ist zu eichen, und möglicherweise notwendige Zugaben des modifizierenden Elements und Nukleierungsmittels sind bezogen auf die Eichung der besten Ausrüstung vorzunehmen.
- Das vorgenannte Verfahren gestattet dem Fachmann die Vorhersage, wie die Graphitausscheidung in der betreffenden Schmelze vonstatten geht wird und auch, wie die Zusammensetzung der Schmelze zu lenken ist, um gewünschte Resultate zu erhalten. Das Prüfverfahren liefert Ergebnisse, die mit anderen Analyseverfahren nicht erhalten werden können. Zwar wird durch eine Prüfung der chemischen Eigenschaften beispielsweise die Gesamtmenge an vorhandenem Magnesium bekannt, sie gibt jedoch keinen Aufschluß darüber, wieviel Magnesium in Lösung und somit aktiv als ein modifizierendes Agens vorliegt. Letztere Information ist von großer Wichtigkeit, da sich die Menge an Magnesium in Lösung in einer Eisenschmelze infolge in der Schmelze ablaufender physikalischer und chemischer Reaktionen und infolge Kontakts mit der Umgebung relativ rasch verändern wird, und folglich mag zwar eine herkömmliche chemische Analyse die korrekten Ergebnisse bezüglich der betreffenden Schmelze zum Zeitpunkt der Durchführung der Analyse geliefert haben, sie kann jedoch zum Zeitpunkt des Erhalts der Analysenergebnisse sehr wohl ihren Zustand in einem solchen Umfang verändert haben, daß dieses Ergebnis nicht mehr zur Lenkung des Erstarrungsvorgangs brauchbar ist, wenn Gußeisengegenstände gegossen werden.
- Die EP-A-0157308 offenbart ein Probengefaß zur thermischen Analyse von erstarrendem Gußeisen, welches zwei Probenschmelze kammern umfaßt, von denen eine jede mit einem Temperatursensor versehen ist. Eine der beiden Kammern weist eine Wandung auf, die mit einem Material überzogen ist, welches Sauerstoff an die Schmelzprobe abzugeben vermag, wodurch reale Gießformbedingungen simuliert werden.
- Die Menge an gelöstem elementarem Magnesium ist wesentliche Voraussetzung zur Kontrolle der Graphitausscheidung. Zusätzlich zu Magnesium oder anstelle von Magnesium kann das strukturmodifizierende Agens Cer und andere Seltenerdmetalle enthalten. Das modifizierende Agens (und das Nukleierungsmittel) werden mit der Zeit schwinden, und für diese Schwindung gibt es charakteristische Geschwindigkeiten, die abhängig sind von dem angewandten Verfahren und der verwendeten Ausrüstung. Ein gutes Kontrollverfahren wird es gestatten, eine exakte Bestimmung der Menge an vorhandenen Modifikationsmitteln und Impfstoffen vorzunehmen, und wird es ferner gestatten, eine Berechnung anzustellen darüber, wieviel von diesen Agenzien benötigt wird, um akzeptable Ergebnisse für einen Gießprozeß während der folgenden, sagen wir 10 bis 15 Minuten zu erhalten. Dies war bislang jedoch nicht möglich. Das bereits beschriebene Verfahren kann uns nur darüber Auskunft geben, daß die Schmelze zum Zeitpunkt der Probeentnahme mit einer spezifischen Graphitkristallform erstarren wird.
- Die Unterkühlung einer Schmelze, bei der sich lamellare Graphitkristalle entwickeln, ist relativ klein (< 5 ºC), und das Minimum stellt die Situation dar, in der eine gewisse Zahl von Graphitkristallen (zusammen mit der Austenit-Phase) eine Wachstumsgeschwindigkeit erreicht haben, bei der die freigewordene latente Wärme die dem System entzogene Wärme kompensiert. Tatsächlich wärmt sich nach diesem Punkt die flüssige Schmelze wieder bis zu einem neuen Gleichgewichtspunkt auf, der den " stationären Wachstumszustand" repräsentiert, der im Fall einer gut angekeimten Flüssigkeit mit A-Graphit nahe der Gleichgewichtstemperatur TE', sagen wir 1 bis 2 ºC unter der Gleichgewichtstemperatur der eutektischen Reaktion in normalen Fe-C-Si- Legierungen liegt. In der vorliegenden Beschreibung ist die Gleichgewichtstemperatur auf 1155 ºC festgelegt. Dies bedeutet, daß die Instrumente auf einen TE-Wert = 1155 ºC geeicht und die Temperaturdifferenzen hierauf bezogen berechnet wurden. Thermodynamische Berechnungen in der Literatur geben andere, etwas höhere Werte, jedoch wird aus praktischen Gründen der TE-Wert in diesem Zusammenhang auf 1155 ºC festgelegt.
- Werden modifizierende Agenzien, wie Magnesium und Seltenerdmetalle, einer flüssigen Gußeisenschmelze zugefügt und darin gelöst, wird das Wachstum in spezifischen kristallographischen Richtungen eingeschränkt, und die Morphologie verändert sich in zunehmendem Ausmaß von lamellar über vermicular zu kugelig ausgebildeten Graphitkristallen; vom Typ IV zum Typ I in der Graphit-Klassifikationsskala.
- Sind ausreichend Graphitausscheidungskeime und eine angemessene Menge an modifizierenden Elementen vorhanden, wird das Gußeisen als Gußeisen mit Vermiculargraphit erstarren. In diesem Fall ist die Unterkühlung viel größer als die für Grauguß beobachtete, bevor die Wachstumsgeschwindigkeit von vermicularen Graphitkristallen genügend Wärme erzeugt, um dem Wärmeentzug aus dem System entgegenzuwirken.
- Die Wiedererwärmung (Rekaleszenz) erfordert längere Zeiten, bedingt durch die Wachstumsbeschränkungen, und die stationäre Wachstumstemperatur bleibt 5 bis 10 ºC unterhalb der Gleichgewichts-Liquidustemperatur TE.
- Der Zusammenhang zwischen dem Wachstumshabitus dieser beiden Graphitmorphologien und den Ergebnissen und Kurven der thermischen Analyse ist bereits seit langem bekannt.
- Die sukzessive Veränderung der Morphologie von lamellarem zu vermicularem Graphit als Folge zunehmender Beigaben von modifizierenden Elementen ist jedoch von Interesse, weil sie sehr wichtig ist, um die thermische Analyse als ein Instrument zur Verfahrenskontrolle verwenden zu können.
- Diese Veränderung ist keineswegs eine lineare Funktion der Konzentration an modifizierenden Zusätzen, und zwar aus folgenden Gründen:
- Hier wird beispielhaft für das zur Verwendung kommende Modifikationsmittel Magnesium angeführt, wobei bei Modifikationsmittel-Zusatz das Magnesium mit jeglichem eventuell vorhandenen Schwefel und Sauerstoff unter Bildung von MgS und MgO reagieren wird. Der Rest des Magnesiums wird sich in der Gußeisenschmelze lösen und ist mit Mg(L) bezeichnet.
- Im Rahmen einer Versuchsreihe wurde gefunden, daß ein Mg(L)- Gehalt von 0,008 % Mg eine vollkommen vermicular ausgebildete Graphitstruktur und ein Mg(L)-Gehalt unter 0,006 % Mg eine vollkommen lamellare Struktur in einem geringfügig untereutektischen Gußeisen (das Kohlenstoffäquivalent CE von 4,0 - 4,2) liefern wird. Ein Gehalt an gelöstem Magnesium unter 0,006 % wird nicht ausreichen, um die Bildung von Lamellengraphit zu verhindern. Diese Bildung läßt latente Wärme mit einer derartig hohen Rate freiwerden, daß der Grad der Unterkühlung erniedrigt wird, und das Wachstum von vermicularen Graphitkristallen wird nie ausgelöst. Bei diesem erniedrigten Unterkühlungsgrad können einige Kristalle jedoch durch das modifizierende Agens in einem solchem Umfang beeinflußt werden, daß sie sich zu einer etwas unspezifizierten modifizierten Form entwickeln.
- Vermiculare Graphitkristalle bilden sich in einem Bereich von 0,008 bis 0,016 % an gelöstem Magnesium. Lamellare Kristalle werden in diesem Bereich nicht gebildet, jedoch läßt sich gegen das obere Ende dieses Bereiches hin eine gewisse Bildung von kugeligen Kristallen beobachten.
- Die Absolutwerte des Gehalts an gelöstem elementarem Magnesium können von einem Gießereibetrieb zum anderen und je nach Bestandteilen der Ausgangsschmelze variieren, für einen realen Fall wurden jedoch die folgenden Zahlen erhalten, die als Beispiel dienen mögen:
- 0 - 0,008 % Mg lamellarer Graphit
- 0,008 - 0,016 % Mg vermicularer Graphit
- 0,016 - 0,030 % Mg Gemisch aus vermicularem und kugeligem Graphit
- 0,030 - 0,035 % Mg 80 - 100 % kugeliger Graphit
- > 0,035 % Mg vollkommen kugeliger Graphit (Mg im Überschuß)
- Im Rahmen einer praktischen Anwendung wurde gefunden, daß für das angewandte Verfahren und die verwendete Ausrüstung der Magnesiumschwund bei circa 0,001 % Mg pro 5 Minuten lag. Während einer Gießzeit von 15 Minuten sank somit der Gehalt an gelöstem elementarem Magnesium mit 0,003 %. Ein ursprünglicher Prozentsatz von 0,010 % Mg würde nach 15 Minuten einen Gehalt von 0,007 % ergeben, und folglich wird sich bis zum Ende der Gießzeit ein großer Anteil an lamellarem Graphit gebildet haben, während eine Probe, die anfänglich sagen wir 0,012 % Mg enthält, nur vermiculare Graphitkristalle über die gesamte Gießzeit hinweg bilden wird. Wurde die Schmelze nach US-A-4 667 725 geprüft, wäre in beiden Fällen - durchaus korrekt - gefunden worden, daß beide Schmelzen als Gußeisen mit Vermiculargraphit erstarren würden. Das Verfahren gestattet keine Unterscheidung zwischen Magnesiumgehalten von 0,010 % und 0,012 %. Da Graphitlamellen völlig zu vermeiden sind, war es bislang notwendig, einen gewissen Überschuß an Magnesium zu verwenden, um ein gewünschtes Resultat sicherzustellen, mit dem Risiko, dabei eine gewisse Menge an kugeligen Graphitkristallen in dem erzeugten Material zu erhalten.
- Die Erniedrigung des Gehalts an gelöstem elementarem Magnesium auf unter circa 0,008 % wird zu einer sehr raschen Erhöhung des Anteils an lamellarem Graphit führen, was auf die Tatsache zurückzuführen ist, daß eine unzureichende Menge an Magnesium das Wachstum von Graphitlamellen zuläßt und daß eine Erniedrigung des Magnesiumgehalts unter die Grenzlinie eine drastische Umwandlung der Erstarrungsstruktur in bezug auf die Graphitausscheidung zur Folge haben wird. Dies ist aus der Figur offensichtlich, welche die Anteile an vermicularem Graphit und lamellarem Graphit auf der Ordinate und den Prozentsatz an gelöstem Magnesium auf der Abszisse zeigt. Die Kurve zeigt die durchgreifende Veränderung, die stattfindet, wenn der Magnesiumgehalt unter 0,008 % Magnesium fällt. Andere modifizierende Agenzien haben ähnliche Grenzkonzentrationen.
- Sobald der Wachstumshabitus der Graphitkristalle vollkommen vermicular ist, wird die Prüfung zu wechselseitig identischen Signalen aus der Analyseeinrichtung innerhalb des betreffenden Bereichs, d.h. zwischen 0,008 und 0,016 % Mg(L), führen. Eine chemische Analyse ist nicht zweckdienlich, weil keine schnelle Methode bekannt ist, mit der zwischen gesamter und gelöster Menge an Magnesium unterschieden werden könnte.
- Erfindungsgemäß läßt sich Gußeisen mit Vermiculargraphit mit gleichbleibendem Ergebnissen durch ein Verfahren erzielen, wie in den beigefügten Ansprüchen definiert.
- Demgemäß wird eine Schmelze von geeigneter Zusammensetzung und Struktur hergestellt und der Schmelze ein modifizierendes und keimbildendes Agens zugefügt, in einer Menge, die erwartungsgemäß ausreichend ist, um Gußeisen mit Vermiculargraphit zu erzeugen. Sodann wird von der Schmelze eine Probe in ein Probengefäß abgezogen, dessen Wandung an seiner inneren Oberfläche eine Schicht enthält oder mit einer Schicht überzogen ist, die von einem Material gebildet ist, das mit gelöstem elementarem Magnesium, welches benachbart zu der Wandung zugegen ist, reagiert. Das Schichtmaterial oder die Wandungsbestandteile sollten in solchen Mengen vorliegen, daß die Magnesiumkonzentration der Probenschmelze benachbart zu der Wandung um 0,003 % erniedrigt wird. Das Probengefäß muß zwei Thermoelemente aufweisen, von denen eines in der Mitte der Schmelzenmenge und das andere benachbart zu der Gefäßwandung angeordnet ist. Die Temperaturen der beiden Thermoelemente werden aufgezeichnet, und die allgemeine Information wird entsprechend der Lehre der US-A-4 667 725 verwendet. Ist der Magnesiumgehalt so niedrig wie circa 0,010 %, wird die von dem benachbart zu der Gefäßwandung angeordneten Thermoelement erhaltene Kurve einen Temperaturwert zeigen, bei dem lamellare Graphitausscheidung auftritt, da der örtliche Mg-Gehalt < 0,008 % Mg ist. Dies ist ein Zeichen dafür, daß der Magnesiumgehalt durch Zugabe von Magnesium angepaßt werden muß. Dies kann durch Zugabe von zusätzlichem modifizierendem Agens geschehen, so daß der Verlust durch Schwindung des strukturmodifizierenden Agens während des gesamten Gießprozesses ausgeglichen wird. Normalerweise kann diese Zugabe ohne weitere Kontrolle der Erstarrungseigenschaften erfolgen, womit es auch möglich wird, das strukturmodifizierende Agens direkt beim Gießen hinzuzufügen.
- In einer praktischen Ausführungsform der Erfindung ist das Probengefäß aus Oxiden hergestellt, die mit dem modifizierenden Agens, d.h. Magnesium, in der Gußeisenschmelze reagieren. Das Gefäß kann aus einer Mischung von Aluminiumoxid und Schamotte angefertigt sein. Die reaktionsgeschwindigkeitsbestimmenden Verbindungen in einem derartigen Material sind Siliciumdioxid, kleine Mengen an Alkalimetalloxiden und der Schwefelverunreinigungsgrad. Es ist unwahrscheinlich, daß die stabileren Oxide, wie Aluminiumoxid und Calciumoxid, an dem Magnesiumminderungsprozeß während der kurzen Kontaktzeit zwischen Schmelze und Tiegel teilnehmen.
- Ein Beispiel für ein kommerzielles Produkt, welches zur Herstellung der zur Umsetzung der vorliegenden Erfindung geeigneten Probengefäße zur Verwendung kommen kann, ist 50 % SECAR 71 (Lafarge S.A.), welches in der Hauptsache aus 71 % Al&sub2;O&sub3;, 27 % CaO und weniger als 2 % Gesamtverunreinigungen besteht, für die beispielhaft 0,35 % SiO&sub2;, 0,35 % Na&sub2;O, 0,25 % Fe&sub2;O&sub3;, 0,05 % H&sub2;O und 0,15 % SO&sub3; genannt seien, und 50 % Refag (Alfa Aggregates Ltd., Newcastle), welches in der Hauptsache aus 52 % SiO&sub2;, 41,5 % Al&sub2;O&sub3;, 3 % Fe&sub2;O&sub3;, 0,5 % K&sub2;O und 0,1 % Na&sub2;O besteht.
- Selbstverständlich spielen sowohl die Probenahmetemperatur wie die Zeitspanne zwischen Probeentnahme und Beginn der Erstarrung (= Flüssigkeitsabkühlungsgeschwindigkeit) eine Rolle bei der Herstellung des gewünschten Konzentrationsprofils.
- Das erfindungsgemäße Verfahren führt zu einer erhöhten Ausbeute an annehmbaren Gießlingen. Das Verfahren nach US-A-4 667 725 ergibt in einem praktischen Fall circa 90 % annehmbare Gießlinge, d.h. mit mehr als 80 % Vermiculargraphit. Gemäß der vorliegenden Erfindung sind diese Zahlen in der Praxis auf circa 99,5 % erhöht worden.
- Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert.
- Figur 1 ist ein Diagramm, welches den Prozentsatz an Graphit in vermicularer Form mit dem als Lamellengraphit vorliegenden Rest zeigt, wobei ersichtlich ist, daß bei über circa 0,008 % Mg(L) der Graphit vollständig vermicular und bei unter circa 0,006 % fast vollkommen lamellar ist. Zwischen 0,006 % und 0,008 % Mg(L) liegt ein scharfes Übergangsgebiet mit verschiedenen Anteilen der beiden Graphitstrukturen.
- Fig. 2 ist ein Diagramm, welches in eine schematische Darstellung eines Probengefäßes eingefügt ist und den Prozentsatz an gelöstem Magnesium in dem Probengefäß von der Gefäßwandung zur Mitte des Probengefäßes hin definiert. Die Probengefäßwandung ist auf der linken Seite der Figur gezeigt, und ein angenommener Gehalt an gelöstem Mg(L) in der Mitte ist durch eine gestrichelte horizontale Linie (0,008 Mg(L)) angezeigt. Der Mg(L)-Gehalt an einem Thermoelement benachbart zu der Probenwandung ist durch eine andere gestrichelte Linie 5 (0,005 % Mg(L)) angezeigt. Das Gebiet, in dem lamellare Graphitkristalle gebildet werden, ist durch den Bereich 4 angezeigt.
- Figur 3 zeigt die Temperatur/Zeit-Kurven für ein Thermoelement I in der Mitte und das Thermoelement II benachbart zur Probengefäßwandung. Kurve I ist eine typische Kurve für die Erstarrung als Vermiculargraphit in der Mitte der Probe. Kurve II zeigt bei A eine Wendung, die typisch ist für eine Erstarrung als Lamellengraphit. Die relative Verweilzeit auf dem ersten Plateau (A) ist proportional in Relation zu der Menge an Lamellen in dem der Probenwandung benachbarten Bereich.
- Das folgende Beispiel verdeutlicht die Erfindung. Das Beispiel geht davon aus, daß eine Fertigungsstraße benutzt wird, bei der die Mg-Schwindungsrate mit 0,001 % Mg pro 5 Minuten veranschlagt wird, und daß die letzten Formen in der Straße circa 15 Minuten nach Entnehmen der Probe gefüllt werden.
- Herstellung von Gußeisen mit Vermiculargraphit. Der wahre Mg-Gehalt zum Zeitpunkt der Probenahme betrug 0,010 % an freiem, gelöstem elementarem Magnesium. Eine thermische Analyse aus der Mitte der Probe zeigte, daß die Schmelze zu einem im wesentlichen vermicularen Graphitmaterial führen wird, während das Thermoelement benachbart zur Wandung eine Neigung zur Lamellenbildung zeigte. Die so erhaltene Information war ein Hinweis darauf, daß der restliche Mg-Gehalt nach einer Zeitspanne von circa 10 Minuten auf 0,008 % vermindert sein würde und daß das letzte Drittel der Gießlinge Graphit in Lamellenform enthalten würde, sofern der Mg-Gehalt nicht erhöht würde. Die Notwendigkeit zusätzlicher Mengen an Magnesium war aus der Temperatur-Zeit-Kurve offensichtlich, die von einem benachbart zu der Gefäßwandung angeordneten Thermoelement erhalten wurde.
- Diese Struktur-Vorhersage läßt sich mit dem aus der US-A-4 667 725 bekannten Verfahren nicht erreichen.
Claims (4)
1. Verfahren betreffend die Herstellung von Gußeisengießlingen
von der Art, welche Graphitkristalle in vermicularer Form
enthalten, und welches das Steuern bzw. Regeln und
Korrigieren der Zusammensetzung der Gußeisenschmelze beinhaltet,
wobei das Verfahren die Herstellung einer Gußeisenschmelze
und die Zugabe eines strukturmodifizierenden Agens, wie
z.B. Magnesium, und eines Nukleierungsmittels zu der
Schmelze in erfahrungsgemäß gerade ausreichenden Mengen
umfaßt, um unmittelbar beim Erstarrenlassen Gußeisen mit
vollständig vermicular ausgebildetem Graphit zu erhalten,
Entnehmen einer Schmelzeprobe aus der Schmelze in einem
Probengefäß, welches mit zwei auf Temperatur ansprechenden
Mitteln versehen ist, wobei eines in der Mitte des Gefäßes
und das andere benachbart zur Gefäßwandung angeordnet ist,
und welches ein thermisches Gleichgewicht mit der Schmelze
erreichen gelassen wird, wobei die Gefäßwandung aus einem
Material besteht, welches eine Schicht einer Substanz
enthält oder aus einer Schicht einer Substanz besteht, welche
die Konzentration an gelöstem elementarem Magnesium um
mindestens 0,003 % oder einen entsprechenden Prozentsatz eines
anderen modifizierenden Mittels in der Schmelze vermindert,
benachbart zu der Wandung und benachbart zu dem auf
Temperatur ansprechenden Mittel, welches benachbart zu der
Wandung angeordnet ist; Aufzeichnen der Temperaturen, die
von den beiden auf Temperatur ansprechenden Mitteln
registriert werden; Auswerten aus der aufgezeichneten Kurve in
einer an sich bekannten Weise der Charakteristika der
Schmelze und ferner Registrieren der Plateautemperatur,
welche möglicherweise auftreten kann als Resultat der
Ausscheidung von lamellaren Graphitkristallen in der Nähe des
auf Temperatur ansprechenden Mittels, welches benachbart zu
der Kesselwandung angeordnet ist; und Korrigieren des
Magnesiumsgehalts oder des Gehalts des anderen
modifizierenden Mittels mit Hilfe der Plateautemperaturzeit und den
Ausrüstungsparametern, so daß diese Konzentration
ausreichend sein wird, damit Vermicular-Graphitkristalle während
der gesamten Gießzeit, die in dem Gießprozeß notwendig ist,
gebildet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Probengefäß aus Zement und Zuschlagstoffen hergestellt oder
mit einer Schicht beschichtet ist, welche mindestens 10 %
an Oxiden von Silizium, Mangan oder Eisen oder mindestens
0,5 % an Oxiden von Kalium und Natrium enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
Zement und die Zuschlagstoffe zusammen 10 bis 30 % SiO&sub2;
enthalten.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
verwendeten auf Temperatur ansprechenden Mittel
Thermoelemente sind.
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