DE69122649D1 - Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung mit EEPROM-Zelle, Blindzelle und Abfühlschaltung zur Erhöhung der Zuverlässigkeit und Ermöglichung eines Einbitbetriebs - Google Patents

Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung mit EEPROM-Zelle, Blindzelle und Abfühlschaltung zur Erhöhung der Zuverlässigkeit und Ermöglichung eines Einbitbetriebs

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Takumi Miyashita
Toshiyuki Teramoto
Haruo Koizumi
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