DE69017409T2

DE69017409T2 - Verfahren zur Herstellung einer aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzten Membran für Röntgen-Lithographie.

Info

Publication number: DE69017409T2
Application number: DE69017409T
Authority: DE
Inventors: Meguru Kashida; Yoshihiro Kubota; Yoshihiko Nagata
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 1989-12-26
Filing date: 1990-12-19
Publication date: 1995-07-27
Anticipated expiration: 2010-12-20
Also published as: JPH0712017B2; DE69017409D1; EP0435746A3; US5098515A; EP0435746A2; JPH03196149A; EP0435746B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Kompositmembran aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid, die für die Röntgen-Lithographie eingesetzt werden kann. Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbid-Siliziumnitrid-Kompositmembran für die Röntgen-Lithographie, die über eine außergewöhnlich hohe Transparenz verfügt und bei der keine Veränderungen bezüglich der inneren Spannung selbst bei Bestrahlung mit Hochenergiestrahlen, beispielsweise Elektronenstrahlen mit hoher Energie und Synchrotronstrahlungen, erfolgen.
In den letzten Jahren wurden immer feinere Muster bzw. Bilder (patterning) für die Herstellung von Halbleitervorrichtungen zum Einsatz gebracht. Für diesen Bereich ist die Technologie der Röntgen-Lithographie sehr vielversprechend. Es wird angenommen, daß sie als mustergebendes Verfahren in der nahen Zukunft an Stelle der üblichen Photo-Lithographie Anwendung finden wird. Ähnlich wie die bei der Photo-Lithographie eingesetzten Photomasken wird bei der Röntgen-Lithographie eine röntgendurchlässige Membran, die hier als Röntgenmembran bezeichnet wird, als Maske zum Einsatz gebracht, die als Substrat für die Röntgenstrahlen absorbierenden, musterergebenden Materialien dient. Eine Röntgenmembran muß verschiedene Anforderungen erfüllen, damit sie in der Röntgen-Lithographie erfolgreich eingesetzt werden kann. Dazu gehört beispielsweise, daß die Membran eine glatte Oberfläche ohne Fehler und Pinholes bzw. Nadellöcher besitzt und über hohe mechanische Festigkeiten verfügt, so daß sie in einem industriellen Herstellungsverfahren praktisch eingesetzt werden kann. Dazu gehört ferner, daß die Membran über eine hohe Lichtdurchlässigkeit verfügt, die erforderlich ist, um die Ausrichtung der Maske mit hoher Präzision zu erleichtern, daß die Membran über eine hohe Beständigkeit gegenüber dem Angriff verschiedener Chemiekalien und Feuchtigkeit oder Wasser verfügt, so daß sie in den Stufen des Ätzens und Waschens nicht beschädigt wird, und daß die Membran einer Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen, beispielsweise Elektronenstrahlen hoher Energie und Synchrotronstrahlen, widersteht, damit keine signifikanten Änderungen der Leistungseigenschaften hervorgerufen werden, etc..
Es wurden bereits verschiedene Materialien für Röntgenmembranen vorgeschlagen, die die oben genannten Erfordernisse erfüllen. Dazu gehört beispielsweise mit Bohr dotiertes Silizium Si, Siliziumnitrid Si&sub3;N&sub4;, Siliziumcarbid SiC und dergleichen. Von diesen Materialien wird Siliziumcarbid als das vielversprechendste Material wegen des hohen Young's Moduls angesehen, um der Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen zu widerstehen.
Die Röntgenmembranen aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid werden hergestellt unter Einsatz eines Verfahrens der chemischen Dampfabscheidung ( Chemical Vapor Deposition, CVD) des Materials auf einem Substrat, beispielsweise Silizium. Im Anschluß daran wird das Substratmaterial entfernt. Ein Problem bei dem CVD-Verfahren besteht darin, daß, da das auf der Substratoberfläche abzuscheidende filmbildende Material durch die chemische Zersetzung des gasartigen Materials oder der gasartigen Materialien erhalten wird, bei der Zersetzung ungewünschte fremde Spezies erhalten werden, die unvermeidlicherweise in den abgelagerten Film auf der Substratoberfläche eingelagert werden und als Verunreinigungen in der Membran wirken, so daß verschiedene Nachteile die Folge sind. So können sich die Verunreinigungen beispielsweise durch die Bestrahlung mit Strahlen hoher Energie schnell verteilen und dadurch eine Verformung, Veränderungen der Spannung, Abnahme der mechanischen Festigkeiten, Abnahme der optischen Transparenz usw. in der Membran hervorrufen. Außerdem können derartige Verunreinigungen natürlich zum Auftreten von Pinholes und Blasen auf der Oberfläche der Membran führen, wodurch die Qualität der Membran stark beeinflußt wird.
Membranen aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid können auch durch Sputtern bzw. Vacuumzerstäubung hergestellt werden, wie dies beispielsweise in dem japanischen Patent Kokai 63-315768 offenbart ist. Trotz der Vorteile des Sputter-Verfahrens, daß der Gehalt an Verunreinigungen in der Membran verhältnismäßig gering und die Membran frei von Pinholes und Bläschen ist, ist dieses Verfahren jedoch nicht frei von dem Problem, daß bei der Membran aus Siliziumcarbid oder Siliziumnitrid eine Verformung oder Deformation bei Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen in einer großen Dosis als Folge der hohen Amorphität der Membran auftritt. Außerdem verfügt die nach dem Sputter- Verfahren hergestellte Membran aus Siliziumcarbid oder Siliziumnitrid nur über eine verhältnismäßig niedrige Lichtdurchlässigkeit, die häufig bei einer Wellenlänge von 633 nm nicht mehr als 25 bis 30 % beträgt, wenn die Membran eine Dicke von 1,0 um besitzt. Die Erfinder haben zuvor eine aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzte Röntgen-Kompositmembran entwickelt, die in vielerlei Hinsicht der lediglich aus Siliziumcarbid bestehenden Röntgenmembran überlegen ist, obwohl diese Kompositmembran hinsichtlich der Beständigkeit gegen Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen immer noch nicht zufriedenstellend ist.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein neues Verfahren zur Herstellung einer Kompositmembran für die Röntgen-Lithographie bereitzustellen, die aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzt ist und über eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen verfügt.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist daher ein Verfahren zur Herstellung einer Kompositmembran für die Röntgen-Lithographie, die aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzt ist, wobei man:
(a) ein Kompositmaterial aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid nach dem Sputter-Verfahren unter Verwendung eines aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzten Zieles zur Bildung eines Kompositfilms auf der Substratoberfläche abscheidet, bei dem es sich gewöhnlich um einen Siliziumwafer hoher Reinheit handelt und der bei einer spezifizierten Temperatur bei solchen Bedingungen gehalten wird, daß der auf der Substratoberfläche abgeschiedene Film eine innere Druckspannung bzw. Druckkraft aufweist,
(b) den Kompositfilm auf der Substratoberfläche derart ausglüht, daß dem Kompositfilm eine innere Zugspannung verliehen wird, und
(c) das Substrat teilweise von dem ausgeglühten Kompositfilm entfernt, so daß der Film eine ungestützte Membran auf einem Rahmen darstellt.
Das beim Sputtern eingesetzte Ziel bzw. target sollte aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid in einem Molverhältnis von 95:5 bis 30:70 zusammengesetzt sein. Es wurde zudem gefunden, daß der die Spannungsbedingung in dem auf der Substratoberfläche abgeschiedenen Kompositfilm am meisten beeinflussende Faktor der Atmosphärendruck beim Sputtern ist.
Das oben beschriebene erfindungsgemäße Verfahren wird durch die Eigenschaften der dabei gebildeten Membran dahingehend charakterisiert, daß die Membran kristallographisch amorph und eine Zugspannung im Bereich von 0,1 x 10&sup9; bis 8,0 x 10&sup9; dyn/cm² besitzt.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN

Wie aus der oben wiedergegebenen Beschreibung hervorgeht, bestehen die charakteristischen Eigenschaften des erfindungsgemäßen Verfahrens in den spezifischen Bedingungen beim Sputtern, so daß dem abgeschiedenen Kompositfilm eine Druckspannung in Stufe (a) verliehen wird, und in der Ausglühbehandlung bzw. Glühbehandlung des derart druckgespannten Kompositfilms, um die Druckspannung in eine Zugspannung zu überführen. Die Bedingungen beim Sputtern in Stufe (a) des erfindungsgemäßen Verfahrens sind nicht besonders beschränkt und können üblicher Natur sein. Vorzugsweise wird das Sputtern jedoch durch das sogenannte Magnetron-Sputtern wegen der verhältnismäßig hohen Filmabscheidungsrate durchgeführt, um eine Massenproduktion der Röntgenmembranen zu ermöglichen. Bei dem atmosphärischen Gas in der Sputter-Kammer handelt es sich um ein Inert-Gas, beispielsweise Argon und Xenon. Diese Gase können gewünschtenfalls mit anderen inerten Gasen, beispielsweise Helium und Stickstoff, vermischt sein.
Das beim Sputtern in Stufe (a) eingesetzte Ziel ist ein Verbundwerkstoff oder eine Mischung aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid. Da die chemische Zusammensetzung des abgeschiedenen Kompositfilmes fast mit derjenigen des Zielmaterials identisch ist, sollte das Verhältnis bzw. der Anteil der beiden Bestandteile in dem Ziel so gewählt werden, daß es identisch mit der gewünschten chemischen Zusammensetzung der Kompositmembran ist. Der Molanteil von Siliziumcarbid zu Siliziumnitrid in dem Zielmaterial sollte 95:5 bis 30:70 und vorzugsweise 80:20 bis 40:60 betragen. Ist der Molanteil an Siliziumcarbid in dem Ziel zu hoch, dann verfügt die aus dem Kompositzielmaterial hergestellte Röntgenmembran über eine zu niedrige Transparenz für sichtbares Licht, so daß die niedrige Transparenz bei den aus Siliziumcarbid alleine hergestellten Membranen nur schlecht verbessert werden kann. Ist der Molanteil an Siliziumcarbid im Ziel andererseits zu gering, dann kann die aus diesem Kompositzielmaterial hergestellte Röntgenmembran eine zu niedrige Beständigkeit gegenüber Chemikalien besitzen, so daß diesbezüglich im Vergleich mit den aus Siliziumnitrid alleine hergestellten Membranen keine Verbesserung erzielt werden kann. Insbesondere ein Molverhältnis von Siliziumcarbid zu Siliziumnitrid von etwa 50:50 wird in Bezug auf die größte Filmabscheidungsrate bevorzugt, die bis etwa fast doppelt so groß sein kann wie die Filmablagerung mit einem Ziel aus Siliziumcarbid alleine, wodurch die Produktivität gesteigert wird. Das binäre Kompositziel aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid wird hergestellt, indem Pulver davon in einem spezifizierten Anteil gleichmäßig miteinander vermischt und formgepreßt werden. Dann wird die Pulvermischung gesintert, erforderlichenfalls mit einer Heißpresse. Jedes der Basispulver aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid sollte eine Reinheit besitzen, die so hoch wie möglich ist und mindestens 99 % oder vorzugsweise 99,9 % beträgt.
Der Strom, der an die Elektroden der Sputter-Kammer angelegt wird, sollte wünschenswerterweise mindestens 5 Watt pro cm² der Oberfläche des Ziels betragten. Natürlich kann die Filmablagerungsrate durch Steigerung des elektrischen Stroms für das Sputtern gesteigert werden. Das Substrat für das Sputtern wird bei einer erhöhten Temperatur gehalten, die jedoch 500 ºC nicht überschreiten sollte, und vorzugsweise 150 bis 300 ºC beträgt. Ist die Temperatur des Substrats beim Sputtern zu hoch, kann keine ausreichende Zunahme der Kristallinität im abgeschiedenen Kompositfilm bei der nachfolgenden Glühbehandlung erhalten werden, wodurch die Spannungsstabilität in der Membran bei der Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen erniedrigt wird. Ist die Temperatur des Substrats beim Sputtern andererseits zu niedrig, dann wird die Haftfähigkeit zwischen dem abgeschiedenen Kompositfilm und der Substratoberfläche verringert.
Es ist sehr wichtig, den Druck der Atmosphäre beim Sputtern in geeigneter Weise einzustellen, damit auf der Substratoberfläche ein abgeschiedener Kompositfilm erhalten wird, der über eine innere Druckspannung verfügt, die dann durch die anschließende Glühbehandlung in Stufe (b) in eine Zugspannung im Bereich von 0,1 x 10&sup9; bis 8,0 x 10&sup9; dyn/cm² umgewandelt wird.
Dadurch wird erreicht, daß der abgeschiedene Kompositfilm auf der Substratoberfläche zu einer nicht gestützten Membran (c) verarbeitet werden kann. So wird die innere Spannung des abgeschiedenen Kompositfilms auf der Substratoberfläche im allgemeinen von einer Druckspannung zu einer Zugspannung durch die Glühbehandlung geändert. Zudem ist das Ausmaß der Änderung vor und nach der Glühbehandlung größer, wenn die Glühtemperatur höher ist. Der optimale Druck der Sputter-Atmosphäre kann aus den Ergebnissen der vorläufigen Experimente bestimmt werden, die bezüglich der Korrelation zwischen dem Sputter-Druck und der inneren Spannung des abgeschiedenen Kompositoberflächenfilmes bei verschiedenen unterschiedlichen Substrattemperaturen, wobei die anderen Bedingungen konstant gehalten werden, und für die Korrelation zwischen den Bedingungen für die Glühbehandlung und den dadurch bei der Innenspannung des Kompositfilmes hervorgerufenen Veränderungen durchgeführt wurden. Der bei den oben erwähnten Bedingungen auf der Substratoberfläche abgeschiedene Kompositfilm ist kristallographisch amorph.
An die oben beschriebene Ablagerung des Kompositfilms schließt sich in Stufe (b) eine Glühbehandlung an, die bei einer Temperatur höher als 500 ºC und vorzugsweise höher als 700 ºC durchgeführt wird. Ist die Glühtemperatur bzw. die Temperatur beim Tempern zu niedrig, kann keine ausreichende Wirkung der Glühbehandlung erzielt werden, so daß die erhaltene Membran bei der Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen eine zu große Steigerung der Innenspannung erfährt. Im allgemeinen kann eine ausreichende Wirkung der Glühbehandlung bei einer Glühbehandlung von mindestens 2 h und vorzugsweise 4 bis 8 h erzielt werden.
In der Stufe (c) wird eine nicht gestützte Membran aus dem auf der Substratoberfläche abgeschiedenen Kompositfilm hergestellt, indem das Substrat durch Ätzen entfernt wird, wobei der Rahmenteil übrig bleibt. Die Vorgehensweise für diese Arbeitsstufe kann üblicher Art sein.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird anhand der folgenden Beispiele und Vergleichsbeispiele näher erläutert, ohne dabei jedoch den Umfang der Erfindung in irgendeiner Weise einzuschränken. Die in diesen Beispielen und Vergleichsbeispielen erhaltenen Kompositfilme auf der Substratoberfläche oder Membranen wurden auf verschiedene Eigenschaften gemäß den nachstehend beschriebenen Prozeduren bewertet.

Innere Spannung des Filmes auf der Substratoberfläche

Die Wölbung des Substrats, d.h. Siliziumwafers, wurde nach und vor der Abscheidung des Kompositfilms und vor sowie nach der Glühbehandlung gemessen. Zudem wurde die Spannung aus der Veränderung der Wölbung berechnet.

Beständigkeit gegenüber Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen

Der Film auf der Substratoberfläche wurde mit hochenergetischen Elektronenstrahlen mit einer Energie von 15 eV in einer Dosis von 1,0 kJ pro cm² bestrahlt. Die Spannungsveränderung der Membran wurde als Maß der Beständigkeit gegen Bestrahlung bestimmt.

Membranformbarkeit des Filmes auf der Substratoberfläche,

Der Substratwafer, auf dessen eine Oberfläche ein Kompositfilm durch Sputtern abgeschieden worden war, wurde auf der anderen Oberfläche gemäß dem CVD-Verfahren mit einem Film aus amorphen Bornitrid in einer Dicke von 1,0 um beschichtet, um als eine gegenüber Ätzen resistente Schicht zu dienen. Ein ringförmiger maskierender Rahmen aus rostfreiem Stahl wurde auf die resistente Schicht in direktem Kontakt gebracht; die freiliegende ringförmige Zone der resistenten Schicht wurde durch Trockenätzen mit Tetrafluorkohlenstoff als ätzendes Gas entfernt. Danach wurde der Siliziumwafer in der derart freiliegenden Zone, d.h. die Zone mit keiner resistenten Schicht, mit einer 30 %-igen wässrigen Kaliumhydroxidlösung als Ätzlösung weggelöst, wobei der ringförmige Bereich des Siliziumwafers übrig blieb, der als Rahmen für die Kompositmembran diente. Die auf diese Weise hergestellte Membran wurde mikroskopisch untersucht, um Defekte oder Pinholes festzustellen. Das Ergebnis wurde mit "gut" oder "schlecht" bewertet, wenn Defekte und Pinholes gefunden oder nicht gefunden wurden.

Durchlässigkeit in % an sichtbarem Licht durch die Membran

Die auf die oben beschriebene Weise hergestellte Membran wurde auf die Durchlässigkeit an sichtbarem Licht mit einer Wellenlänge von 633 nm unter Verwendung eines Multi-Photospektrometers untersucht.

Beispiel

Untersuchungen mit den Nr. 1 bis 15 wurden auf die folgende Weise durchgeführt, wobei die Untersuchungen Nr. 1 bis Nr. 9 im Rahmen der vorliegenden Erfindung liegen und die Untersuchungen Nr. 10 bis Nr. 15 für Vergleichszwecke dienen.
Es wurden somit verschiedene Zielscheiben für das Sputtern, wobei jede einen Durchmesser von 3 inch und eine Dicke von 5 mm besaß, aus einem Siliziumcarbidpulver mit einer Reinheit von 99,9 % und einem Siliziumnitridpulver mit einer Reinheit von ebenfalls 99,9 % in unterschiedlichen molaren Verhältnissen durch Formpressen und Sintern hergestellt. Für Vergleichszwecke wurden ebenfalls Zielscheiben aus Siliziumcarbidpulver alleine oder aus Siliziumnitridpulver alleine hergestellt. Die Zielscheibe wurde auf die Katode in der Sputter-Kammer einer Hochfrequenz-Magneton-Sputter-Vorrichtung (Model SPF-332H, hergestellt von Nichiden Anerva Co.) gestellt. Es wurde auf einen spiegelpolierten Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 3 inch und einer Dicke von 0,6 mm als Substrat, das bei einer Temperatur von 250 ºC gehalten wurde, gesputtert. Argongas wurde kontinuierlich durch die Sputter-Kammer bei einer konstanten Rate von 7 ml pro min. hindurchgeleitet. Zudem wurde der Druck innerhalb der Sputter-Kammer bei einem bestimmten Druck mittels der Balance aus der konstanten und kontinuierlichen Einführung des Argongases und der Abführung mit Hilfe eines Präzisionsventiles kontrolliert und eingestellt. Die elektrische Stromdichte betrug 10 Watt pro cm² der Zieloberfläche; es wurde für 10 bis 15 min. gesputtert, so daß ein Siliziumcarbid-Siliziumnitrid-Kompositfilm mit einer Dicke von 1,0 um auf der Substratoberfläche abgeschieden wurde. Die chemische Zusammensetzung des so abgeschiedenen Kompositfilms war identisch mit derjenigen in dem Zielmaterial bezüglich des Molverhältnisses von Siliziumcarbid zu Siliziumnitrid gemäß den analytischen Ergebnissen nach der ESCA-Methode.
Das Siliziumsubstrat, auf dem der Kompositfilm ausgebreitet worden war, wurde auf die folgende Weise einer Glühbehandlung unterworfen. Dazu wurde der Siliziumwafer, der auf einem Waferhalter aus geschmolzenem sythetischen Quarzglas befestigt war, in einen Ofen gestellt, der bei einem Druck von 20 Torr gehalten wurde. Die Ofentemperatur wurde mit einer kostanten Rate von 10 ºC pro min. erhöht, bis sie ein festgelegtes Temperaturniveau bis zu 900 ºC erreichte; diese Temperatur wurde dann 6 h beibehalten, bevor die Temperatur mit einer konstanten Rate von 10 ºC pro min. bis auf Raumtemperatur gesenkt wurde. Die interne Spannung bzw. die innere Spannung des Kompositfilmes wurde durch diese Glühbehandlung in jedem Fall von einer Druckspannung zu einer Zugspannung verändert. Die so hergestellten Kompositfilme auf der Substratoberfläche wurden auf ihre Beständigkeit gegenüber Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen und auf die Membranformbarkeit untersucht. Zudem wurde die daraus hergestellte Membran auf die Transparenz für sichtbares Licht gemäß dem oben spezifizierten Verfahren untersucht.
Die unten angegebene Tabelle zeigt das Molverhältnis von Siliziumcarbid zu Siliziumnitrid SiC:Si&sub3;N&sub4; in dem Zielmaterial, den Druck innerhalb der Sputter-Kammer, die Temperatur der Glühbehandlung, die innere Spannung des Kompositfilmes sowohl vor als auch nach der Glühbehandlung und die Durchlässigkeit in % an sichtbarem Licht durch die Membran. Bei dem in der Tabelle gezeigten Wert für die innere Spannung handelt es sich um die Druckspannung, wenn vor der numerischen Zahl ein (-)Zeichen steht, und um die Zugspannung, wenn ein (+)Zeichen voransteht. Die Kompositfilme zeigten eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber der Bestrahlung mit Elektronenstrahlen und überhaupt keine Veränderungen der inneren Spannung bei den Untersuchungen Nr. 1 bis Nr. 10, während sich die innere Spannung bei den Untersuchungen Nr. 11, Nr. 12 und Nr. 13 zu einer Druckspannung von 0,3 x 10&sup9; dyn/cm², 0,2 x 10&sup9; dyn/cm² und 0,2 x 10&sup9; dyn/cm² veränderte. Die Membranformbarkeit der abgeschiedenen Kompositfilme war bei allen Untersuchungen bis auf die Untersuchungen Nr. 14 und Nr. 15 gut. TABELLE Untersuchung Nr. SiC:Si&sub3;N&sub4; Molverhältnis Druck Torr Innere x 10&sup9; vor dem Glühen Spannung dyn/cm² nach dem Glühen Glühtemperatur ºC Durchlässigkeit ansichtbarem Licht in %

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer Kompositmembran für die Röntgen-Lithographie, bestehend im wesentlichen aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid, wobei man:

(a) ein Kompositmaterial aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid durch Vakuumzerstäuben (Sputter-Verfahren) unter Verwendung eines aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzten Zieles in einem Molanteil von 95:5 bis 30:70 zur Bildung eines Kompositfilmes auf der Oberfläche eines bei einer erhöhten Temperatur gehaltenen Substrats bei solchen Bedingungen abscheidet, daß der auf der Substratoberfläche abgeschiedene Film eine innere Druckspannung aufweist,

(b) den Kompositfilm auf der Substratoberfläche derart ausglüht, daß dem Kompositfilm eine innere Zugspannung verliehen wird, und

(c) das Substrat teilweise von dem ausgeglühten Kompositfilm entfernt, so daß der Film eine ungestützte Membran auf einem Rahmen darstellt.

2. Verfahren zur Herstellung einer Kompositmembran für die Röntgen-Lithographie nach Anspruch 1, bei dem man das Substrat in Stufe (a) bei einer Temperatur von 150 bis 300 ºC hält.

3. Verfahren zur Herstellung einer Kompositmembran für die Röntgen-Lithographie nach Anspruch 1, bei dem man das Ausglühen in Stufe (b) bei einer Temperatur von 500 ºC oder höher durchführt.

4. Verfahren zur Herstellung einer Kompositmembran für die Röntgen-Lithographie nach Anspruch 1, bei dem man in Stufe (b) während einer Zeitspanne von mindestens 2 h ausglüht.

5. Verfahren zur Herstellung einer Kompositmembran für die Röntgen-Lithographie nach Anspruch 1, bei dem der auf der Substratoberfläche abgeschiedene Kompositfilm nach dem Ausglühen in Stufe (b) eine innere Zugspannung von 0,1 x 10&sup9; bis 8,0 x 10&sup9; dyn/cm² besitzt.

6. Verfahren zur Herstellung einer Kompositmembran für die Röntgen-Lithographie nach Anspruch 1, bei dem man als Substrat einen Siliziumwafer einsetzt.