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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
elektrostatischen Halters, der einen Sinterkörper mit einem eingebetteten
Metallelement aufweist, welcher in der Herstellung von Halbleitervorrichtungen
oder dergleichen eingesetzt werden kann.
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2. Stand der Technik
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Gegenwärtig wird
in Verfahren zur Herstellung von Halbleitern eine Halbleiterherstellungsvorrichtung, wie
z. B. ein Heizelement, das einen Halbleiterwafer erhitzt, ein elektrostatischer
Halter für
das Anziehen und Halten des Halbleiterwafers, oder ein Suszeptor,
an welchen eine Hochfrequenzspannung angelegt wird, eingesetzt.
Dichte Keramiken, wie z. B. Aluminiumnitrid, Siliciumnitrid oder
Aluminiumoxid werden als Basismaterialien für solche Halbleiterherstellungsvorrichtungen
für günstig befunden.
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Beim
elektrostatischen Halter wird erwünscht, dass die Schwankungen
hinsichtlich der Tiefe der elektrostatischen Halterelektroden in
einer Keramikbasisplatte (nämlich
die Differenz zwischen der maximalen und minimalen Tiefe, die im
weiteren Verlauf als „Ebenheit" bezeichnet wird)
minimal gehalten werden. Kommt es in dem Raum zwischen der Halteroberfläche einer
isolierenden dielektrischen Schicht und den elektrostatischen Halterelektroden
zu Schwankungen, treten Schwankungen hinsichtlich der Haltekraft
des Halbleiterwafers auf der Halteroberfläche auf.
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Darüber hinaus
kommt es beispielsweise bei der Plasmaerzeugung zu Schwankungen
wenn die Elektrode für
die Plasmaerzeugung in der Keramikbasisplatte in Bezug auf die Oberfläche der
Keramikbasisplatte geneigt wird, was sich negativ auf die Filmbildung
auswirkt und folglich Schwankungen bei der Filmbildung auftreten.
Als solches ist ein Bedarf für
die Sicherstellung der Ebenheit des Metallelements wie der Elektrode
in verschiedenen Keramikelementen gegeben, in denen das Metallelement
eingebettet ist.
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Es
ist ein Verfahren zur Herstellung eines Keramikelements, das durch
Ausbilden eines Metallelements auf einem relativ dünnen ersten
Pressling und Ausbilden eines relativ dicken zweiten Presslings
auf dem Metallelement hergestellt wird, als Verfahren zur Verbesserung
der Ebenheit geoffenbart (siehe z. B. Offenlegungsschrift der
japanischen Patentanmeldung Nr.
Hei 10-249843 ).
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In
jüngster
Zeit wird jedoch der Wunsch nach ausgezeichneter Ebenheit immer
stärker.
Beim herkömmlichen
Herstellungsverfahren liegen Keramikpulver auf beiden Oberflächen des
Metallelements vor. Folglich kommt es aufgrund der Verformung zum
Zeitpunkt der Ausbildung des Presslings und beim Sintern, nämlich bei
der Verdichtung des Presslings, zu starken Schrumpfungen. Daher
ist es schwierig, die in jüngster Zeit
gewünschte
hohe Genauigkeit hinsichtlich Ebenheit zu erfüllen.
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In
der
US 2001/0043452-A ist
ein elektrostatischer Halter mit einer flachen Filmelektrode, die
im Wesentlichen zu der Halteroberfläche des Halters parallel ist,
geoffenbart. Dieser Halter wird durch Anordnen einer Filmelektrode
auf eine polierte Oberfläche
eines gesinterten Keramiksubstrats hergestellt. Eine grüne Keramikschicht
wird auf der Filmelektrode ausgebildet oder darauf ausgeformt, und
die resultierende Struktur wird gesintert, um den elektrostatischen
Halter herzustellen, in welchem die gesinterte grüne Keramikschicht die
Halteroberfläche
bereitstellt.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Ein
Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens
zur Herstellung eines elektrostatischen Halters, der einen Sinterkörper mit
einem eingebetteten Metallelement aufweist, welcher eine Verbesserung
der Ebenheit des Metallelements ermöglicht. Die vorliegende Erfindung
ist in Anspruch 1 dargelegt.
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Auf
diese Weise kommt es bei der Ausbildung des Metallelements durch
Aufdrucken der Druckpaste auf den Aluminiumoxidsinterkörper oder
den vorgesinterten Aluminiumoxidkörper zu geringer Schrumpfung aufgrund
der Verdichtung des Aluminiumoxidpresslings. Somit kann die Ebenheit
des Metallelements verbessert werden.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1A ist
eine Draufsicht, die einen elektrostatischen Halter gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt; 1B ist
eine Querschnittsansicht entlang der Linie 1b-1b von 1A;
und
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die 2A bis 2C zeigen
ein Verfahren zur Herstellung des elektrostatischen Halters gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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(Sinterkörper mit eingebettetem Metallelement)
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Ein
Sinterkörper
mit einem eingebetteten Metallelement gemäß der Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung wird durch Ausbilden eines Aluminiumoxidsinterkörpers oder
eines vorgesinterten Aluminiumoxidkörpers, Ausbilden eines Metallelements
durch Aufdrucken einer ein höchstschmelzendes
Metall beinhaltenden Druckpaste auf den Aluminiumoxidsinterkörper oder
den vorgesinterten Aluminiumoxidkörper, Ausbilden eines Aluminiumoxid-Presslings
auf dem Metallelement und Sintern des Aluminiumoxid-Presslings,
des Metallelements und des Aluminiumoxidsinterkörpers oder des vorgesinterten
Aluminiumoxidkörpers
hergestellt.
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Der
Aluminiumoxid-Pressling, das Metallelement und der Aluminiumoxidsinterkörper oder
der vorgesinterte Aluminiumoxidkörper
werden vorzugsweise durch Heißpressen
bei einer Sintertemperatur von etwa 1.400°C bis etwa 1.650°C gesintert.
Folglich kann der Sinterkörper
mit dem eingebetteten Metallelement durch Niedertempe ratursintern
erhalten werden, was die Ebenheit des Metallelements zusätzlich verbessert.
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Der
Schmelzpunkt des Metallelements ist vorzugsweise gleich oder mehr
als etwa 1.650°C,
und die Differenz des Wärmeausdehnungskoeffizienten
zwischen dem Metallelement und einem Aluminiumoxid ist vorzugsweise
gleich oder weniger als etwa 5 × 10–6/K.
Folglich kann die Ebenheit des Metallelements verbessert werden.
Zudem kann der Sinterkörper
mit dem eingebetteten Metallelement, der als Halbleiterherstellungsvorrichtung
für Hochtemperaturanwendungen,
wie z. B. thermische CVD, verfügbar
ist, bereitgestellt werden.
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Das
Metallelement kann zumindest eines aus Molybdän (Mo), Wolfram (W), Molybdäncarbid,
Wolframcarbid, einer Wolfram-Molybdän-Legierung (W/Mo-Legierung),
Hafnium (Hf), Titan (Ti), Tantal (Ta), Rhodium (Rh), Rhenium (Re),
Platin (Pt) und Niobium (Nb) umfassen.
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Die
Druckpaste umfasst vorzugsweise etwa 5 bis etwa 30 Gew.-% Aluminiumoxid.
Folglich kann die Haftfestigkeit zwischen dem Aluminiumoxidsinterkörper und
dem Metallelement erhöht
werden. Genauer gesagt verbessert sich gegebenenfalls die Grenzflächenscherfestigkeit
zwischen dem Aluminiumoxidsinterkörper und dem Metallelement.
Die Verwendung von weniger als 30 Gew.-% Aluminiumoxid wirkt sich
darüber hinaus
nicht negativ auf die Leitfähigkeit
des Metallelements aus.
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Der
Aluminiumoxid-Pressling umfasst vorzugsweise ein Bindemittel. Dadurch
kann verhindert werden, dass das Metallelement in den Aluminiumoxidsinterkörper diffundiert.
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Die
Reinheit eines Aluminiumoxidpulvers für den Aluminiumoxidsinterkörper, den
vorgesinterten Aluminiumoxidkörper
und den Aluminiumoxid-Pressling ist vorzugsweise etwa 99,5% oder
mehr. Somit wird die Aluminiumoxid-Reinheit hoch und eine Kontaminationsquelle
für ein
Substrat niedrig gehalten, wodurch eine Kontamination des Substrats
verhindert wird.
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Der
Aluminiumoxid-Pressling wird vorzugsweise durch Pressen eines Aluminiumoxidpulvers,
das auf das Metallelement aufgebracht wird, in einer Metallform
gebildet.
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Folglich
wird der Sinterkörper
mit dem eingebetteten Metallelement vorzugsweise durch Ausbilden
eines Aluminiumoxidsinterkörpers
oder eines vorgesinterten Aluminiumoxidkörpers, Aufdrucken einer ein höchstschmelzendes
Metall beinhaltenden Druckpaste auf den Aluminiumoxidsinterkörper oder
den vorgesinterten Aluminiumoxidkörper, Ausbilden eines Aluminiumoxid-Presslings
durch Pressen eines Aluminiumoxidpulvers, das auf das Metallelement
aufgebracht wird, in einer Metallform und anschließendes Sintern
des Aluminiumoxid-Presslings, der Druckpaste und des Aluminiumoxidsinterkörpers oder
des vorgesinterten Aluminiumoxidkörpers, die miteinander verbunden
werden, hergestellt.
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Der
Sinterkörper
mit dem eingebetteten Metallelement ist ein elektrostatischer Halter.
Dieser erhöht die
Genauigkeit bei Verfahren wie z. B. Filmbildung und Ätzen.
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Ein
elektrostatischer Halter wird nun als eine Ausführungsform der gegenständlichen
Erfindung beschrieben.
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(Elektrostatischer Halter)
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Die 1A und 1B sind
eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die die Struktur eines
elektrostatischen Halters 10 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigen. Der elektrostatische Halter 10 umfasst
eine scheibenförmig
ausgebildete Keramikbasisplatte 1, eine auf der Keramikbasisplatte 1 angeordnete
dünne dielektrische
Keramikschicht 3 und eine zwischen der dielektrischen Keramikschicht 3 und der
Keramikbasisplatte eingebettete planare Elektrode 2. Die
Oberfläche
der dielektrischen Keramikschicht 3 ist eine Substratanordnungsoberfläche 10a.
Ein Substrat, wie z. B. ein Halbleiterwafer oder ein Flüssigkristallsubstrat,
wird auf der Substratanordnungsoberfläche 10a angeordnet
und darauf fixiert. Der elektrostatische Halter 10 ist
vorzugsweise ein elektrostatischer Coulomb-Halter, bei dem ein Aluminiumoxidsinterkörper als
dielektrische Keramikschicht 3 mit äußerst hoher Beständigkeit
gegenüber
einem breiten Temperaturbereich vorzugsweise eingesetzt wird.
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Die
Keramikbasisplatte 1 wird unter Einsatz eines sich durch
Sintern eines Aluminiumoxidpulvers ergebenden Aluminiumoxidsinterkörpers gebildet.
Die dielektrische Keramikschicht 3 wird ebenfalls unter
Einsatz eines Aluminiumsinterkörpers
gebildet. Gegebenenfalls wird ein Aluminiumoxidsinterkörper mit
Temperaturwechselbeständigkeit
bereitgestellt, um einen Durchschlag aufgrund starker Temperaturänderungen
zu verhindern. Das zur Bildung des Aluminiumoxidsinterkörpers eingesetzte
Aluminiumoxidpulver wird vorzugsweise mit einem Bindemittel vermischt.
Darüber
hinaus weist das für
die dielektrische Keramikschicht 3 und die Keramikbasisplatte 1 eingesetzte
Aluminiumoxidpulver eine Reinheit von etwa 99,5% oder mehr auf.
Ist die Reinheit hoch, etwa 99,5% oder mehr, kann die Konzentration
der Kontaminationsquelle für
das Substrat, wie z. B. einen Halbleiterwafer oder ein Flüssigkristallsubstrat,
niedrig gehalten werden. Dadurch wird eine Kontamination des Substrats
verhindert. Die Kontamination von Halbleitervorrichtungen und dergleichen,
die aus dem Substrat erhalten werden, wird dadurch verhindert. Darüber hinaus
kann ein dichter Aluminiumoxidsinterkörper mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit
und Biegefestigkeit von etwa 300 MPa oder mehr erhalten werden.
Bei der Perforierung oder während
des Gebrauchs kommt es daher weniger gehäuft zu Rissbildung und Schnitzeln,
und die Teilchenbildung kann verhindert werden.
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Die
Elektrode 2 umfasst ein höchstschmelzendes Metall. Der
Schmelzpunkt der Elektrode 2 ist vorzugsweise etwa 1.650°C oder mehr,
und die Differenz des Wärmeausdehnungskoeffizienten
zwischen der Elektrode 2 und einem Aluminiumoxid ist vorzugsweise
etwa 5 × 10–6/K
oder weniger. Die Elektrode 2 kann eines oder mehrere aus
beispielsweise Molybdän
(Mo), Wolfram (W), Molybdäncarbid,
Wolframcarbid, einer Wolfram-Molybdän-Legierung (W/Mo-Legierung),
Hafnium (Hf), Titan (Ti), Tantal (Ta), Rhodium (Rh), Rhenium (Re),
Platin (Pt) und Niobium (Nb) umfassen.
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Die
Elektrode 2 kann eine durch Aufdrucken, Trocknen und Sintern
einer Metallpaste (Druckpaste) gebildete Druckelektrode sein. Die
Elektrode 2 kann darüber
hinaus eine durch physikalische Dampfabscheidung, wie z. B. Sputtern
oder Ionenstrahlabscheidung, oder Gasphasenabscheidung, wie z. B.
CVD, gebildete Dünnfilmelektrode
sein. Ferner kann diese Dünnfilmelektrode
durch Ätzen
strukturiert sein, um die Elektrode 2 zu bilden.
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Es
gilt anzumerken, dass beim Ausbilden der Druckelektrode unter Einsatz
einer Druckpaste ein Aluminiumoxidpulver mit der Druckpaste vermischt
werden kann, da deren Wärmeausdehnungskoeffizient
sich jenem des umgebenden Aluminiumoxidsinterkörpers annähern kann. In einem solchen
Fall umfasst die Druckpaste vorzugsweise etwa 5 bis etwa 30 Gew.-%
Aluminiumoxid. Somit kann die beim Sintern auftretende Wärmeschrumpfung
der Druckpaste gesteuert werden. Darüber hinaus kann die Haftfestigkeit
der Elektrode 2 mit der Keramikbasisplatte 1 und
der dielektrischen Keramikschicht 3, die Aluminiumoxidsinterkörper sind,
verbessert werden. Genauer gesagt kann die Grenzflächenscherfestigkeit
zwischen dem Aluminiumoxidsinterkörper und der Elektrode 2 verbessert
werden. Der Einsatz von weniger als 30 Gew.-% Aluminiumoxid wirkt
sich ferner nicht negativ auf die Leitfähigkeit der Elektrode 2 aus.
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Die
Elektrode 2 ist vorzugsweise vollständig in den aus der Keramikbasisplatte 1 und
der dielektrischen Keramikschicht 3 gebildeten Körper eingebettet,
der so strukturiert ist, dass er nicht nach außen hin freiliegt. Dadurch
kann der elektrostatische Halter 10 unter einer Atmosphäre aus korrosivem
Gas vorteilhaft eingesetzt werden.
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Darüber hinaus
werden die Keramikbasisplatte 1, die Elektrode 2 und
die dielektrische Keramikschicht 3 vorzugsweise mittels
Heißpressen
integriert. Durch Integrieren mittels Heißpressen kann die Verbindungsoberfläche der
Keramikbasisplatte 1 und der dielektrischen Keramikschicht 3 ohne
den Einsatz einer dazwischen liegenden Haftschicht oder dergleichen
verbunden werden, und sie können
fast vollständig
integriert werden, ohne der Verbindungsgrenzfläche zu bedürfen. Dadurch kann die eingebettete
Elektrode 2 von der äußeren Atmosphäre abgetrennt
werden und eine hohe Korrosionsbeständigkeit zur Verwendung in
einem korrosiven Gas beibehalten.
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(Herstellungsverfahren)
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Als
Nächstes
ist ein Beispiel für
ein Herstellungsverfahren für
den elektrostatischen Halter 10 als Herstellungsverfahren
gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bezugnehmend auf die 2A bis 2C beschrieben.
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Zuerst
wird, wie in 2A gezeigt, ein scheibenförmiger Aluminiumoxid-Pressling
gesintert, was zur Bildung eines Aluminiumoxidsinterkörpers 31 führt. Ein
vorgesinterter Aluminiumoxidkörper
kann anstelle des Aluminiumoxidsinterkörpers 31 ausgebildet
werden. Während
dieser Aluminiumoxidsinterkörper 31 schließlich zur
dielektrischen Keramikschicht 3 wird, wird die Dicke des
Aluminiumoxidsinterkörpers 31 vorzugsweise
dicker als die fertige dielektrische Keramikschicht 3 ausgebildet,
um eine ausreichende Festigkeit für einen darauffolgenden Schleifschritt,
einen Heißpress-Sinterschritt
ode dergleichen zu verleihen. Diese kann beispielsweise bei der
endgültigen
Ausbildung einer 0,5 mm dicken dielektrischen Keramikschicht mehrere
bis 10 mm dick sein.
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Zur
Ausbildung des Aluminiumoxidsinterkörpers 31 wird Keramikpulver
mit Aluminiumoxid als Hauptkomponente hergestellt. Dieses Keramikpulver
kann zusätzlich
zum Aluminiumoxidpulver ein Sinterhilfepulver, wie z. B. MgO, umfassen.
Vorzugsweise macht es jedoch 99,5 Gew.-% oder mehr des Aluminiumoxidpulvers aus.
Ferner wird der Einsatz eines Aluminiumoxidpulvers mit einer Reinheit
von etwa 99,5% oder mehr bevorzugt. Folglich wird die Aluminiumoxidreinheit
hoch und die Konzentration der Kontaminationsquelle in einem Substrat,
wie z. B. einem Halbleiterwafer oder einem Flüssigkristallsubstrat, niedrig
gehalten, wodurch eine Kontamination des Substrats verhindert wird.
Ein Bindemittel wird in einem vorbestimmten Mischverhältnis zu dem
Keramikpulver eingemischt und mittels einer Trommel vermischt, um
eine Aufschlämmung
zu ergeben. Die Aufschlämmung
wird anschließend
getrocknet, um Körnchen
bereitzustellen.
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Anschließend wird
ein scheibenförmiger
Aluminiumoxid-Pressling mittels eines Formverfahrens, wie z. B.
Metallformen, kalt-isostatisches Pressen (CIP) oder Schlickerguss,
ausgebildet. Der Aluminiumoxid-Pressling kann beispielsweise etwa
2 bis 6 h lang in Luft oder Inertgas bei etwa 1.600 bis 1.700°C mittels Sintern
unter Atmosphärendruck
gesintert werden. Der Aluminiumoxidsinterkörper 31 wird auf diese
Weise bereitgestellt. Es gilt anzumerken, dass neben dem Sintern
unter Atmosphärendruck
auch andere Verfahren als Sinterverfahren zur Verfügung stehen.
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Wird
der Aluminiumoxidsinterkörper 31 beispielsweise
durch Sintern mittels Heißpressen
oder HIP ausgebildet, nehmen während
des Sinterns entstehende Poren und Defekte im Vergleich zum Sintern
unter Atmosphärendruck
ferner ab, was für
die dielektrische Keramikschicht 3 vorteilhaft ist. Während die
für den elektrostatischen
Coulomb-Halter angelegte Spannung hoch ist, um die gleiche Haltekraft
wie mit einem elektrostatischen Johnson-Rahbeck-(JR-)Halter zu erzielen,
und die Poren in dem Sinterkörper
zu einem dielektrischen Durchschlag führen, können solche Bedenken verringert
werden. Während
die Spannungsfestigkeit für
einen sogar durch Sintern unter Atmosphärendruck ausgebildeten Aluminiumoxidsinterkörper auf
etwa 1,5 bis 3 kV/mm eingestellt werden kann, erreicht ein durch
Sintern mittels Heißpressen
ausgebildeter Aluminiumoxidsinterkörper mit Sicherheit eine Spannungsfestigkeit
von etwa 3 kV/mm.
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Als
Nächstes
wird, wie in 2B gezeigt, eine Seite des Aluminiumoxidsinterkörpers 31 poliert,
um eine glatte Oberfläche
auszubilden. Eine Druckpaste, die eines oder mehrere aus Molybdän (Mo),
Wolfram (W), Molybdäncarbid,
Wolframcarbid, einer Wolfram-Molybdän-Legierung (W/Mo-Legierung),
Hafnium (Hf), Titan (Ti), Tantal (Ta), Rhodium (Rh), Rhenium (Re),
Platin (Pt) und Niobium (Nb) als höchstschmelzendes Material umfasst,
wird mittels eines Druckverfahrens, wie z. B. Siebdruck, aufgedruckt
und anschließend
auf der glatten Oberfläche
getrocknet. Dadurch wird eine planare (nicht gesinterte) gedruckte
Elektrode 21 ausgebildet.
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Die
Druckpaste umfasst vorzugsweise 5 bis 30 Gew.-% Aluminiumoxid. Dadurch
wird die beim Sintern auftretende Wärmeschrumpfung der Druckpaste
gesteuert.
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Ferner
können
die dielektrische Keramikschicht 3 oder die Keramikbasisplatte 1,
die ein Aluminiumoxidsinterkörper
sind, fest mit der Elektrode 2 verbunden werden. Genauer
gesagt kann die Grenzflächenscherfestigkeit
zwischen dem Aluminiumoxidsinterkörper und der Elektrode 2 verbessert
werden. Darüber
hinaus wirkt sich der Einsatz von 30 Gew.-% oder weniger des Aluminiumoxids
nicht negativ auf die Leitfähigkeit
der Elektrode 2 aus. Es gilt anzumerken, dass die Dünnfilmelektrode
durch physikalische Dampfabscheidung, wie z. B. Sputtern oder Ionenstrahlabscheidung,
oder Gasphasenabscheidung, wie z. B. CVD, als Elektrode 2 ausgebildet
werden kann.
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Als
Nächstes
wird, wie in 2C gezeigt, der Aluminiumoxidsinterkörper 31 beispielsweise
so angeordnet, dass die Oberfläche,
auf welcher die (nicht gesinterte) gedruckte Elektrode 21 ausgebildet
ist, gegenüber
einer Metallform 5 freigelegt ist. Anschließend wird
ein Aluminiumoxidpulver über
der (nicht gesinterten) gedruckte Elektrode 21 in die Metallform 5 gefüllt. Körnchen,
die durch Trocknen eines aus einem Gemisch aus einem Aluminiumoxidpulver
und einer Sinterhilfe bestehenden Keramikpulvers hergestellt werden,
werden eingefüllt.
Die Reinheit des Aluminiumoxidpulvers ist gegebenenfalls niedriger
als jene des für
den Aluminiumoxidsinterkörper 31 eingesetzten
Aluminiumoxidpulvers, wobei die Reinheit vorzugsweise etwa 99,5
% oder mehr beträgt.
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Anschließend wird
ein Aluminiumoxid-Pressling 11 auf der (nicht gesinterten)
gedruckte Elektrode 21 unter Einsatz der Metallform 5 durch
Metallformen ausgebildet. Gleichzeitig werden der Aluminiumsinterkörper 31,
die (nicht gesinterte) gedruckte Elektrode 21 und der aus
einem Aluminiumoxidpulver bestehende Aluminiumoxid-Pressling 11 integriert.
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Der
Aluminiumoxid-Pressling 11, die (nicht gesinterte) gedruckte
Elektrode 21 und der Aluminiumoxidsinterkörper 31,
die integriert sind, werden anschließend bei gleichzeitiger Druckanlegung
in einachsiger Richtung durch Heißpressen gesintert. Die Sinterbedingungen
unterliegen keiner besonderen Einschränkung, wobei das Sintern vorzugsweise
bei etwa 1.400 bis etwa 1.650°C
durchgeführt
wird. Noch be vorzugter wird das Sintern etwa 1 bis 4 h lang bei
reduziertem Druck unter Inertgasatmosphäre, wie z. B. Stickstoff oder
Argon, oder reduzierender Atmosphäre durchgeführt. Der Aluminiumoxid-Pressling 11,
die (nicht gesinterte) gedruckte Elektrode 21 und der Aluminiumoxidsinterkörper 31 werden
auf diese Weise integriert, womit ein integrierter Sinterkörper einschließlich eines
Aluminiumoxidsinterkörpers
bereitgestellt wird, der zur Keramikbasisplatte 1, der
Elektrode 2 und dem Aluminiumoxidsinterkörper 31 wird,
welcher zur dielektrischen Keramikschicht 3 wird. Der Aluminiumoxidsinterkörper 31 wird
demzufolge zwei Sinterverfahren unterzogen.
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Anschließend wird
der Aluminiumoxidsinterkörper 31 vorzugsweise
abgeschliffen, um dessen Dicke auf etwa 0,05 bis etwa 0,5 mm einzustellen.
Ferner werden gegebenenfalls die Seiten des Aluminiumoxidsinterkörpers 31 abgeschliffen,
um die Fläche
der Substratanordnungsoberfläche 10a zu
verkleinern. Ferner wird ein Loch ausgebildet, um einen Anschluss 4 einzubringen,
der mit der Elektrode 2 verbunden ist, die einen Aluminiumoxidsinterkörper bildet,
der die Keramikbasisplatte 1 ist. Ein Keramikröhrenelement,
welches den Umfang des Anschlusses 4 bedeckt, kann in dieses
Loch eingebracht, verbunden und abgeschliffen werden.
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Der
Anschluss 4 ist mit der Elektrode 2 verbunden.
Ein Teil des Anschlusses 4 erstreckt sich zur Außenseite
der Keramikbasisplatte 1. Der elektrostatische Halter 10,
der die aus einem Aluminiumoxidsinterkörper bestehende dielektrische
Keramikschicht 3, die Elektrode 2 und die aus
einem wie in 1B gezeigten Aluminiumoxidsinterkörper bestehende
Keramikbasisplatte 1 umfasst, wird auf diese Weise hergestellt.
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Gemäß einem
solchen Verfahren zur Herstellung eines Sinterkörpers mit eingebettetem Metallelement,
genauer gesagt des elektrostatischen Halters 10, der die
Elektrode 2 durch Aufdrucken der Druckpaste auf den Aluminiumsinterkörper oder
den vorgesinterten Aluminiumoxidkörper als Metallelement bildet,
kommt es zu geringer Schrumpfung aufgrund der Verdichtung des Aluminiumoxid-Presslings.
Daher kann die Ebenheit der Elektrode 2 verbessert werden.
Ferner kann eine sehr glatte dielektrische Keramikschicht 3 erhalten werden.
In einem solchen Fall wird der Alumini umoxidsinterkörper 31 oder
der vorgesinterte Aluminiumoxidkörper
zwei Sinterverfahren unterzogen.
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Da
der Aluminiumoxidsinterkörper 31,
die (nicht gesinterte) gedruckte Elektrode 21 und der Aluminiumoxid-Pressling 11 durch
Formen und Sintern mittels Heißpressen
integriert werden, kann der elektrostatische Halter 10 ohne
eine Verbindungsschicht bereitgestellt werden. Durch Sintern mittels
Heißpressen
ist ein Sintern bei einer geringen Temperatur von etwa 1.400 bis
etwa 1.650°C
möglich,
sogar wenn ein sehr reines Keramikpulver eingesetzt wird. Dadurch
kann die Ebenheit der Elektrode 2 zusätzlich verbessert werden.
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Der
Einsatz des Aluminiumoxidpulvers zur Bildung des Aluminiumoxid-Presslings 11 stellt
darüber
hinaus eine günstige
Verbindung mit dem Aluminiumoxidsinterkörper 31 bereit, wodurch
ein integrierter Sinterkörper
bereitgestellt wird, der fast keine Verbindungsgrenzfläche aufweist.
Daher dringt sogar bei Verwendung unter korrosiver Gasatmosphäre kein
Gas aus der Verbindungsstelle ein, wodurch die Korrosion der Elektrode 2 verhindert
wird.
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Die
Hauptkomponente der Elektrode 2 ist ein höchstschmelzendes
Metall, und die Elektrode 2 weist einen Schmelzpunkt von
etwa 1.650°C
oder mehr und eine Differenz des Wärmeausdehnungskoeffizienten zum
Aluminiumoxid von etwa 5 × 10–6/K
oder weniger auf. Genauer gesagt kann die Elektrode 2 zumindest eines
aus Molybdän
(Mo), Wolfram (W), Molybdäncarbid,
Wolframcarbid, einer Wolfram-Molybdän-Legierung (W/Mo-Legierung), Hafnium
(Hf), Titan (Ti), Tantal (Ta), Rhodium (Rh), Rhenium (Re), Platin
(Pt) und Niobium (Nb) umfassen. Folglich kann die Ebenheit der Elektrode 2 zusätzlich verbessert
werden. Darüber
hinaus kann der elektrostatische Halter 10 bereitgestellt
werden, der als Halbleiterherstellungsvorrichtung für Hochtemperaturanwendungen,
wie z. B. thermische CVD, verfügbar
ist.
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Da
die Druckpaste etwa 5 bis etwa 30 Gew.-% Aluminiumoxid umfasst,
können
die Keramikbasisplatte 1 und die dielektrische Keramikschicht 3 ferner
fest mit der Elektrode 2 verbunden werden. Daher kann die Grenzflächenscherfestigkeit
zwischen der Keramikbasisplatte 1 und der Elektrode 2 und
die Grenzflächenscherfestigkeit
zwischen der dielektrischen Keramikschicht 3 und der Elektrode 2 verbessert
werden. Darüber hinaus
wirkt sich der Einsatz von weniger als 30 Gew.-% Aluminiumoxid nicht
negativ auf die Leitfähigkeit
der Elektrode 2 aus.
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Da
ein Bindemittel mit dem Aluminiumoxidpulver, welches ein Rohmaterialpulver
für den
Aluminiumoxid-Pressling 11 ist, vermischt wird, kann eine
Diffusion der Komponenten der Elektrode 2 in die Keramikbasisplatte 1 und
die dielektrische Keramikschicht 3 verhindert werden. Die
Diffusion kann insbesondere verhindert werden, wenn die Elektrode 2 aus
Wolfram besteht.
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Da
die Reinheit des für
den Aluminiumoxidsinterkörper 31 und
den Aluminiumoxid-Pressling 11 eingesetzten
Aluminiumoxidpulvers etwa 99,5% oder mehr ist, was einen hohen Wert
darstellt, wird die Konzentration der Kontaminationsquelle für ein Substrat,
wie z. B. einen Halbleiterwafer oder ein Flüssigkristallsubstrat, niedrig
gehalten, wodurch eine Kontamination des Substrats verhindert wird.
Daher wird eine Kontamination von aus dem Substrat erhaltenen Halbleitervorrichtungen
und dergleichen verhindert.
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Mittels
obigen Herstellungsverfahrens wird der Aluminiumoxidsinterkörper 31 ferner
einzeln ausgebildet, wobei eine Seite desselben poliert wird, um
eine glatte Oberfläche
zu bilden, und die Elektrode 2 wird darauf ausgebildet.
Darüber
hinaus wird Sintern mittels Heißpressen
durchgeführt,
und Endeinstellungen der Dicke der dielektrischen Keramikschicht 3 können durch
Abschleifen vorgenommen werden. Folglich kann die Steuerung der
Dicke der dielektrischen Keramikschicht 3 zuverlässig und
mit hoher Genauigkeit durchgeführt werden.
Daher kann auf der Substratanordnungsoberfläche 10a eine einheitliche
Haltekraft erhalten werden.
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Durch
Einstellen der Dicke der dielektrischen Keramikschicht 3 in
dem elektrostatischen Coulomb-Halter 10 auf eine sehr geringe
Dicke von etwa 0,5 mm oder weniger kann eine hohe Haltekraft erzielt
werden, und eine einheitliche Haltekraft auf der Substratanordnungsoberfläche 10a kann
erzielt werden, indem die Dicke der dielektrischen Keramikschicht 3 einheitlich
ausgebildet wird.
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Gemäß einem
solchen Herstellungsverfahren können
Schwankungen hinsichtlich der Entfernung zwischen der Substratanordnungsoberfläche 10a des
elektrostatischen Halters 10 und der Elektrode 2 (Differenz zwischen
der maximalen und der minimalen Entfernung zwischen der Substratanordnungsoberfläche 10a und der
Elektrode 2), nämlich
die Ebenheit der Elektrode 2, auf beispielsweise etwa 0,2
mm oder weniger geregelt werden. Auf diese Weise kann das Herstellungsverfahren
dieser Ausführungsform
die seit kurzem erwünschte hohe
Genauigkeit in Bezug auf Ebenheit erfüllen und die Ebenheit der Elektrode 2 verbessern.
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(Modifiziertes Beispiel)
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Obwohl
die Erfindungen oben bezugnehmend auf bestimmte Ausführungsformen
der Erfindungen beschrieben wurden, sind die Erfindungen nicht auf
die oben beschriebenen Ausführungsformen
beschränkt.
Modifizierungen und Variationen der oben beschriebenen Ausführungsformen
sind Fachleuten auf dem Gebiet der Erfindung angesichts der obigen
Lehren klar.
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Mittels
obigen Verfahrens zur Herstellung des elektrostatischen Halters 10 der
obigen Ausführungsform
wird die Keramikbasisplatte 1 beispielsweise durch Sintern
mittels Heißpressen
ausgebildet; dieser kann jedoch auch durch Sintern unter Atmosphärendruck
ausgebildet werden, und der Aluminiumoxidsinterkörper 31, der zur dielektrischen
Keramikschicht 3 wird, kann durch Sintern mittels Heißpressen
gesintert werden. Ist beispielsweise der Aluminiumoxidsinterkörper 31,
der zur dielektrischen Keramikschicht 3 wird, mittels Sintern durch
Heißpressen
bereitgestellt, wird die Elektrode 2 auf einer Oberfläche derselben
mittels Aufdrucken oder Dampfabscheidung ausgebildet, und der einzeln
ausgebildete Aluminiumoxidsinterkörper, der zur Keramikbasisplatte 1 wird,
kann mit einem Haftmittel an den Aluminiumoxidsinterkörper 31 angehaftet
werden.
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Darüber hinaus
kann der elektrostatische Halter 10 in Form eines Sinterkörpers mit
einem eingebetteten Metallelement einzeln oder zusammen mit einem
anderen Element hergestellt werden.
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Die
Erfindung kann auf ein Verfahren zur Herstellung eines Sinterkörpers mit
eingebettetem Metallelement, wie z. B. eines elektrostatischen Halters,
der in einer Halbleiterherstellungsvorrichtung, wie z. B. einer CVD-Vorrichtung
oder einer Ätzvorrichtung,
zum Einsatz kommt, angewandt werden. Es gibt Halbleiterherstellungsvorrichtungen,
die für
verschiedene Halbleiterherstellungsverfahren, wie z. B. Halbleiterwafertransfer, Belichtung,
Ausbildung eines Films, wie z. B. einer chemischen Dampfphasenabscheidung,
einer physikalischen Dampfphasenabscheidung, sowie Sputtern, Mikroherstellung,
Reinigen, Plasma-Ätzen
und Dicen verfügbar
sind und auf ein Herstellungsverfahren für verschiedene Elemente, die
für solche
Verfahren eingesetzt werden, angewandt werden können.
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Bei
der Herstellung eines Heizelements kann beispielsweise anstelle
der Elektrode 2 ein Widerstandsheizelement als Metallelement
eingesetzt werden. Schwankungen hinsichtlich der Entfernung zwischen
der Substratanordnungsoberfläche
des Heizelements und dem Widerstandsheizelement (Differenz zwischen
der maximalen und der minimalen Entfernung zwischen der Substratanordnungsoberfläche des
Heizelements und dem Widerstandsheizelement), nämlich die Ebenheit des Widerstandsheizelements,
können
auf beispielsweise etwa 0,2 mm oder weniger geregelt werden. Dadurch
kann das Substrat einheitlich erhitzt werden.
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Bei
der Herstellung eines Suszeptors kann ferner eine Hochfrequenzelektrode
als Metallelement eingesetzt werden. Schwankungen hinsichtlich der
Entfernung zwischen der Substratanordnungsoberfläche des Suszeptors und der
Hochfrequenzelektrode (Differenz zwischen der maximalen und der
minimalen Entfernung zwischen der Substratanordnungsoberfläche des
Suszeptors und der Hochfrequenzelektrode), nämlich die Ebenheit der Hochfrequenzelektrode,
können
auf beispielsweise etwa 0,2 mm oder weniger geregelt werden. Dadurch
kommt es zu einer einheitlichen Plasmabildung.
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BEISPIELE
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Im
Folgenden sind Arbeitsbeispiele der vorliegenden Erfindung beschrieben.
Die Erfindung ist natürlich
nicht auf die nachstehenden Arbeitsbeispiele beschränkt.
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<Bewertung
der Druckpaste und der Bindemittelzugabe>
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Zuerst
ist ein Verfahren zur Herstellung eines elektrostatischen Halters 10 der
Arbeitsbeispiele 1 bis 6 beschrieben. Ein Aluminiumoxidpulver mit
einer Reinheit von 99,5% (Korndurchmesser 1 μm) und ein MgO-Pulver, welches
eine Sinterhilfe ist, werden als Keramikpulver eingesetzt. Es gilt
anzumerken, dass der MgO-Gehalt in dem Keramikpulver 0,04 Gew.-%
beträgt.
Als Bindemittel eingesetztes Polyvinylalkohol, Wasser und ein Dispergiermittel
werden zu diesem Keramikpulver zugesetzt und 16 h lang mittels Sortiertrommel vermischt,
um eine Aufschlämmung
zu bilden. Die resultierende Aufschlämmung wird mittels Sprühtrockner sprühgetrocknet,
um ein Mittel von etwa 80 μm
großen
Körnchen
zu bilden. Als Nächstes
werden die Körnchen in
eine Gummiform eingebracht und mittels einer Vorrichtung zum kaltisostatischen
Pressen (CIP) bei einem Druck von 1 Tonne/cm2 zu
einem Aluminiumoxid-Pressling ausgebildet. Ist der Aluminiumoxid-Pressling
trocken, wird derselbige in ein Aluminiumoxidgehäuse platziert und in einem
Sinterofen unter Atmosphärendruck gesintert.
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Die
Sinterbedingungen sind wie folgt: Erhöhung um 10°C pro Stunde von Raumtemperatur
auf 500°C, 5-ständiges Halten
bei 500°C
zur Entfernung des Bindemittels und anschließend stündliche Erhöhung um 30°C von 500°C auf 1.650 °C und 4-stündiges
Halten bei dieser Temperatur. Der in 2A dargestellte
Aluminiumoxidsinterkörper
wird auf diese Weise bereitgestellt.
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Als
Nächstes
wird der Aluminiumoxidsinterkörper 31 abgeschliffen,
um eine Scheibe mit 215 mm Durchmesser und 4 mm Dicke auszubilden.
Zu diesem Zeitpunkt wird die Oberfläche auf eine glatte Oberfläche mit
einer Rauheit Ra von 0,8 μm
oder weniger fertigpoliert.
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Für die jeweiligen
Arbeitsbeispiele 1 bis 6 wird Ethylcellulose als Bindemittel mit
in Tabelle 1 angeführten
Druckpastenmaterialien vermischt, um eine Druckpaste zu bilden.
Eine (nicht gesinterte) gedruckte Elektrode 21 mit 195
mm Durchmesser und 20 μm
Dicke wird auf der glatten Oberfläche des Aluminiumoxidsinterkörpers 31,
wie in 2B gezeigt, mittels Siebdruck
unter Einsatz der Druckpaste ausgebildet und anschließend getrocknet.
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Danach
wird der Aluminiumoxidsinterkörper 31,
auf welchem die gedruckte Elektrode 21 ausgebildet ist,
in eine Metallform platziert, ein getrennt hergestelltes Rohmaterialpulver,
das ein Aluminiumoxidpulver mit einer Reinheit von 99,5% umfasst,
darin eingefüllt
und mit einem Druck von 200 kg/cm2 gepresst.
Es gilt anzumerken, dass das eingefüllte Rohmaterialpulver ein
Bindemittel in den Arbeitsbeispielen 1 bis 3, jedoch kein Bindemittel
in den Arbeitsbeispielen 4 bis 6 umfasst, wie in Tabelle 1 angeführt ist.
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Als
Nächstes
wird der Pressling in ein Kohlenstoffgehäuse platziert und mittels Heißpressen
gesintert. Das Sintern erfolgt unter Stickstoffdruckatmosphäre (150
kPa) bei einem Druck von 100 kg/cm2, die
Temperatur wird stündlich
um 300°C
erhöht
und 2 h lang bei 1.600°C
gehalten. Auf diese Weise wird ein integrierter Sinterkörper erhalten,
der den Aluminiumoxidsinterkörper,
welcher zur Keramikbasisplatte 1 wird, die Elektrode 2 und
den Aluminiumoxidsinterkörper 31,
welcher zur dielektrischen Keramikschicht 3 wird, umfasst.
Anders gesagt, wird ein integrierter Sinterkörper mit der eingebetteten
Elektrode erhalten.
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Die
Oberfläche
des zweimal gesinterten Aluminiumoxidsinterkörpers 31 wird anschließend mittels
eines Diamantschleifsteins auf eine flache Oberfläche abgeschliffen,
um eine Dicke, nämlich
die Dicke zwischen der eingebetteten Elektrode 2 und der
Oberfläche
des Aluminiumsinterkörpers 31 zu
erhalten, die 0,3 mm beträgt.
An schließend
werden die Seitenoberflächen
des Aluminiumoxid-Sinterkörpers 31 abgeschliffen.
Ferner wird ein Loch in der Keramikbasisplatte 1 ausgebildet,
ein den Umfang des mit der Elektrode 2 zu verbindenden
Anschlusses 4 bedeckendes Keramikröhrenelement verbunden sowie
der Anschluss und die Elektrode 2 verbunden, um den elektrostatischen
Halter 10 fertigzustellen.
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Durch
Variieren des Materials der Druckpaste und Vermischen oder Nichtvermischen
eines Bindemittels (mit oder ohne Bindemittel) mit dem Aluminiumoxidpulver
zur Herstellung des Aluminiumoxid-Presslings 11 wird auf
diese Weise der elektrostatische Halter 10 gemäß den Verfahren
der 2A bis 2C als
Arbeitsbeispiele 1 bis 6 hergestellt.
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(Bewertung)
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Der
spezifische Volumenwiderstand der aus dem Aluminiumoxidsinterkörper 31 bestehenden
dielektrischen Keramikschicht 3 und die Grenzflächenscherfestigkeit
der Elektrode 2 mit der Keramikbasisplatte 1 werden
gemessen. Ferner wird die Diffusion in die dielektrische Keramikschicht 3 beobachtet.
Nachstehend sind spezifische Bewertungsverfahren beschrieben.
- (1) Spezifischer Volumenwiderstand: gemessen
mittels eines Verfahrens gemäß JIS C2141
bei Raumtemperatur unter Vakuumatmosphäre. Der Prüfling weist einen Durchmesser
von 50 mm und eine Dicke von 1 mm auf. Jede Elektrode besteht aus
Silberpaste und weist einen Hauptelektrodendurchmesser von 20 mm, einen
Schutzelektrodeninnendurchmesser von 30 mm, einen Schutzelektrodenaußendurchmesser
von 40 mm und einen Druckelektrodendurchmesser von 45 mm auf. Die
Spannung wird eine Minute nach Anlegen von 1.000 V/mm abgelesen
und dann der spezifische Volumenwiderstand ermittelt.
- (2) Grenzflächenscherfestigkeit:
gemessen mittels eines Mikrotröpfchenverfahrens.
Als Messvorrichtung wird eine Vorrichtung zur Bewertung der Verbundmaterial-Grenzflächeneigenschaften
(hergestellt von Tohei Sangyo Corporation) verwendet.
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Es
gilt anzumerken, dass eine Scheibe mit 12 mm Dicke und 9,9 mm Durchmesser
aus einem fertigen elektrostatischen Halter ausgeschnitten wird
und die Grenzflächenscherfestigkeit
derselben gemessen wird.
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Bewertungsergebnisse
der Arbeitsbeispiele 1 bis 6 sind in Tabelle 1 angeführt.
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Ein
Vergleich der Arbeitsbeispiele 1 bis 3 mit den Arbeitsbeispielen
4 bis 6 ergibt, dass Arbeitsbeispiele 2 und 3, in denen ein Aluminiumoxid-Pressling
einschließlich
eines Bindemittels mit dem Aluminiumoxidpulver vermischt ist, weniger
Diffusion der Komponenten der Elektrode 2 in die dielektrische
Keramikschicht 3 aufweisen. Dadurch war in den Arbeitsbeispielen
2 und 3 ein erhöhter
spezifischer Volumenwiderstand möglich.
Ferner wies sogar Arbeitsbeispiel 5, in welchem MoC und WC in der
Druckpaste verwendet werden, eine geringere Diffusion der Komponenten
der Elektrode 2 in die dielektrische Keramikschicht 3 und
einen hohen spezifischen Volumenwiderstand auf. Darüber hinaus
weisen Arbeitsbeispiele 3 und 6, worin Aluminiumoxid zu der Druckpaste
zugesetzt ist, sehr hohe Grenzflächenscherfestigkeit
auf.
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Daher
versteht es sich, dass eine Druckpaste einschließlich Wolfram und Aluminiumoxid
sowie ein Rohmaterialpulver einschließlich eines Bindemittels und
eines Aluminiumoxidpulvers besonders bevorzugt werden.
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<Bewertung
des Aluminiumoxidzugabeverhältnisses>
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(Herstellungsbedingungen)
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Es
werden elektrostatische Halter hergestellt, bei denen die Menge
des zur Druckpaste der Arbeitsbeispiele 3 zugesetzten Aluminiumoxids
wie in Tabelle 2 angeführt
ist variiert wird (Arbeitsbeispiele 7 bis 11), und es werden der
spezifische Volumenwiderstand und die Grenzflächenscherfestigkeit gemessen.
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Die
Herstellungsbedingungen und Bewertungsverfahren der Arbeitsbeispiele
7 bis 11 sind mit Ausnahme der Variierung der Aluminiumoxidzugabemenge
die gleichen wie für
das oben angeführte
Arbeitsbeispiel 3, weshalb Beschreibungen für dieselben hierin ausgelassen
werden.
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(Bewertung)
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Bewertungsergebnisse
sind in Tabelle 2 angeführt.
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Arbeitsbeispiele
8 bis 11, in welchen die Aluminiumoxidzugabemenge 5 bis
30 Gew.-% beträgt, weisen vorteilhafterweise
einen hohen spezifischen Volumenwiderstand und eine Grenzflächenscherfestigkeit
von 130 MPa oder mehr auf. Darüber
hinaus wird die Zugabe von 5 bis 20 Gew.-% Aluminiumoxid bevorzugt,
um die Elektrode 2 weiterhin vorteilhaft leitfähig zu halten.
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<Vergleich
unter Einsatz eines Presslings und eines Sinterkörpers>
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Als
Nächstes
wird der elektrostatische Halter 10 unter Einsatz herkömmlich verwendeter
Aluminiumoxid-Presslinge in den Vergleichsbeispielen 1 bis 5 und
Aluminiumoxidsinterkörper
in den Arbeitsbeispielen 12 bis 16 hergestellt, um die dielektrische
Keramikschicht 3 zu bilden. Anders gesagt, wird für die Vergleichsbeispiele
1 bis 5 die dielektrische Keramikschicht 3 unter Einsatz
eines Aluminiumoxid-Presslings aus Aluminiumoxidpulver anstelle
des wie in 2A dargestellten Aluminiumoxidsinterkörpers 31 ausgebildet.
Die restlichen Abläufe
sind gleich wie in Arbeitsbeispiel 3. In den Arbeitsbeispielen 12
bis 16 wird die dielektrische Keramikschicht 3 unter Einsatz
des wie in 2A dargestellten Aluminiumoxidsinterkörpers mit
dem gleichen Verfahren wie in Arbeitsbeispiel 3 ausgebildet.
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Darüber hinaus
wird die Sintertemperatur variiert. Genauer gesagt wird die Sintertemperatur
wie in Tabelle 3 angeführt
beim Sintern zum Erhalt der integrierten dielektrischen Keramikschicht 3,
der Elektrode 2 und der Keramikbasisplatte 1 variiert.
Die Dicke der dielektrischen Keramikschicht 3, nämlich die
Differenz zwischen der maximalen und der minimalen Entfernung zwischen
der Substratanordnungsoberfläche 10a und
der Elektrode 2 wird als Ebenheit gemessen.
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Herstellungsbedingungen
und Bewertungsergebnisse sind in Tabelle 2 angeführt.
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Die
Ebenheit in den Vergleichsbeispielen 1 bis 5, in welchen Aluminiumoxid-Presslinge eingesetzt wurden,
war mit 0,20 bis 0,5 mm hoch. Die Ebenheit in den Vergleichsbeispielen
12 bis 16, in welchen Aluminiumoxidsinterkörper eingesetzt werden, wird
mit 0,05 bis 0,20 mm gering gehalten. Folglich wird ein fertig hergestellter
elektrostatischer Halter, bei dem der Aluminiumoxidsinterkörper eingesetzt
wurde, als ein solcher verstanden, der geringe Schwankungen hinsichtlich
der Entfernung zwischen der Elektrode 2 und der Substratanordnungsoberfläche 10a der
dielektrischen Keramikschicht aufweist. Es ist insbesondere klar,
dass eine geringe Temperatur von 1.400 bis 1.650°C als Sintertemperatur eine
weitere Verbesserung der Ebenheit ermöglicht.
