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Technisches Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft einen Keramikheizer, insbesondere
zum Heizen eines Halbleiter-Wafers, der ein zu heizender Gegenstand
ist, welcher für eine CVD-Vorrichtung, eine Zerstäubungsvorrichtung
in einem Herstellungsschritt für eine Halbleiter-Vorrichtung
oder eine Ätzvorrichtung zum Ätzen eines erzeugten Dünnfilms
oder dergleichen verwendet wird, und betrifft auch ein Verfahren
zu dessen Herstellung.
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Technischer Hintergrund
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Als
Heizer, der zum Heizen eines Halbleiter-Wafers in einem Herstellungsschritt
für eine Halbleiter-Vorrichtung verwendet wird, ist ein
Keramikheizer verwendet worden, bei welchem auf Oxidkeramik, Nitridkeramik
oder einem wärmebeständigen Substrat, bedeckt
mit einer Isolierschicht wie einem Oxidfilm und einem Nitridfilm,
ein Heizelement-Muster ausgebildet ist, das aus Metallen wie Nickel,
Chrom, Tantal, Molybdän, Wolfram und Platin oder einem
leitfähigen Keramik-Dünnfilm wie Siliciumcarbid
und pyrolytischem Graphit besteht.
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Um
das Heizelement-Muster zu bilden, gab es: ein Verfahren zur Bildung
eines Widerstandsheizelements mittels eines Beschichtungsverfahrens
unter Verwendung eines Verfahrens wie Siebdruck; ein Verfahren zur
Bildung eines Widerstandsheiz elements unter Verwendung eines physikalischen
Dampfabscheidungsverfahrens wie Sputtern oder eines Plattierungsverfahrens,
oder ein Verfahren zur Bildung eines Widerstandsheizelements unter
Verwendung von chemischer Dampfabscheidung.
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In
dem Verfahren zur Bildung eines Widerstandsheizelements mittels
des Beschichtungsverfahrens wird ein Verfahren wie Siebdruck verwendet,
um das Heizelement-Muster auf der Oberfläche eines Substrats auszubilden.
Jedoch wird die Druckdicke unregelmäßig, wie es
auch der Widerstandswert des gebildeten Widerstandsheizelements
wird. Das kann zu dem Problem führen, dass die Symmetrie
der Heizer-Temperaturverteilung schlecht wird.
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In
dem Verfahren zur Bildung eines Widerstandsheizelements unter Verwendung
eines physikalischen Dampfabscheidungsverfahrens wie Sputtern, eines
Plattierungsverfahrens oder einer chemischen Dampfabscheidung werden
diese Verfahren zuerst verwendet, um eine Metallschicht oder eine
leitfähige Keramikschicht zu bilden, die eine kleinere
Dickenunregelmäßigkeit auf der Oberfläche
des Substrats besitzt. Danach, indem Ätz-Bearbeitung oder
Sandstrahl-Bearbeitung durchgeführt wird oder Laser-Bearbeitung
durchgeführt wird (siehe zum Beispiel
JP-A-2006-54125 ), wird
das Heizelement zugerichtet, um somit ein Heizelement-Muster zu
bilden, das eine bessere Temperaturverteilungs-Symmetrie besitzt.
Wenn jedoch das Heizelement somit zugerichtet ist, wird die Dicke
oder Breite des Heizmusters reduziert und das führt zu
einem Widerstandswert, der größer als der Ziel-Widerstandswert
ist.
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Bei
der eigentlichen Benutzung des Heizers wird ein eine Normal-Nennspannung
oder ein Normal-Nennstrom für eine Energieversorgung oder
Verkabelung bestimmt. Sofern sich der Widerstandswert nicht innerhalb
eines bestimmten Bereichs befindet (wenn eine große Abweichung
vom Ziel-Widerstandswert vorliegt) ist es folglich nicht möglich,
ausreichend Energie zuzuführen, die für das Heizen
mittels einer im Vorfeld angefertigten Energieversorgungsvorrichtung
erforderlich ist, und als ein Ergebnis kann es sein, dass es nicht
möglich ist, auf eine vorbestimmte Ziel-Temperatur zu Heizen.
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Deshalb
wird zuerst das Heizmuster hergestellt, so dass der Widerstandswert
geringer ist als der Ziel-Widerstandswert, und danach wird das Heizmuster
zugerichtet, wodurch eine Anpassung in der Temperaturverteilung
durch die Unregelmäßigkeiten des Widerstandswerts
oder eine Anpassung zum Abgleich mit dem Ziel-Widerstandswert erreicht
wird (sie
Japanisches Patent
Nr. 3952875 ).
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Wenn
das Heizelement mittels der Sandstrahl-Bearbeitung, der Ätz-Bearbeitung
und der Laser-Bearbeitung zugerichtet wird, kann die Anpassung wegen
der Unregelmäßigkeiten des Widerstandwerts oder
die Anpassung für die Erhöhung des Widerstandswerts
möglich sein. Im Gegensatz dazu ist es jedoch schwierig eine
Anpassung zur Verringerung des Widerstandswerts durchzuführen.
Deshalb ist es notwendig, vorher den Widerstandswert des Heizelement-Musters
zu verringern, so dass der Ziel-Widerstandswert erhalten wird.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Technische Aufgabe
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In
Anbetracht der Probleme, welche der oben beschriebenen konventionellen
Technologie innewohnen, ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung
einen Keramikheizer bereitzustellen, welcher die Notwendigkeit eliminiert,
vorab die Herstellung mit geringem Widerstandswert durchzuführen,
und der zur Einstellung auf einen geringeren Wert imstande ist,
und auch ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitzustellen.
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Lösung der Aufgabe
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Ein
erfindungsgemäßer Keramikheizer ist ein Keramikheizer,
der aufweist: ein Keramiksubstrat und ein leitfähiges Heizelement,
das innerhalb oder auf einer Oberfläche des Keramiksubstrats
angeordnet ist, wobei das genannte leitfähige Heizelement
aus einem Material hergestellt ist, das einer Hochtemperatur-Wärmebehandlung
unterzogen worden ist.
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Bevorzugt
ist Folgendes: die Temperatur der Hochtemperatur-Wärmebehandlung
liegt in einem Bereich von 1000 bis 2200°C; und/oder der
Widerstandswert des leitfähigen Heizelements ist um 0,1
bis 20% geringer als der des gleichen leitfähigen Heizelements
vor der Wärmebehandlung; und/oder das leitfähige
Heizelement ist eines aus pyrolytischem Graphit, Bor enthaltendem
pyrolytischen Graphit und Silicium enthaltendem pyrolytischen Graphit;
und/oder das Keramiksubstrat ist Oxid-Keramik, Nitrid-Keramik oder
ein wärmebeständiges Substrat, bedeckt mit einer
Isolierschicht wie einem Oxidfilm oder einem Nitridfilm.
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Auch
ist ein Verfahren zur Herstellung eines Keramikheizers gemäß der
vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Keramikheizers,
welcher ein Keramiksubstrat und ein leitfähiges Heizelement aufweist,
das innerhalb oder auf einer Oberfläche des Keramiksubstrats
angeordnet ist, wobei das Verfahren einen Schritt der Einstellung
eines Widerstandswerts des leitfähigen Heizelements mittels
Durchführung einer Hochtemperatur-Wärmebehandlung
aufweist.
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Es
ist bevorzugt, dass die Hochtemperatur-Wärmebehandlung
des leitfähigen Heizelements kontinuierlich oder gleichzeitig
mit einem Bildungs-Bearbeitungsschritt einer isolierenden Schutzschicht
durchgeführt wird.
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Zusätzliche
Merkmale und Details der vorliegenden Erfindung sind aus der Beschreibung
und aus den Zeichnungen ersichtlich. Merkmale und Details, die in
Bezug auf den erfindungsgemäßen Keramikheizer
offenbart werden, gelten auch für das erfindungsgemäße
Verfahren, und umgekehrt.
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Vorteilhafte Effekte der Erfindung
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Gemäß der
vorliegenden Erfindung kann bei einem Keramikheizer, bei welchem
ein leitfähiges Heizelement innerhalb oder auf einer Oberfläche
eines Keramiksubstrats angeordnet ist, wenn eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung
in einem Bereich von 1000 bis 2200°C durchgeführt
wird, ein Widerstandswert um 0,1 bis 20% nach unten eingestellt
werden. Folglich ist es beim Aufbau eines leitfähigen Heizelements
nicht notwendigerweise erforderlich, den Widerstandswert im Voraus
gering zu machen, eine überschüssige Verwendung
von Material für das leitfähige Heizelement ist
nicht mehr notwendig, auch die Kosten für die Bildung des leitfähigen
Heizelements können gesenkt werden.
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Weiterhin
kann der Hochtemperatur-Wärmebehandlungsschritt kontinuierlich
oder gleichzeitig mit der Bildung einer isolierenden Keramik-Schutzschicht
ausgeführt werden, und folglich kann ein Heizer mit einem gewünschten
Widerstandswert einfach erhalten werden, ohne dass unnötige
Schritte zunehmen.
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Kurze Beschreibung der Zeichnung
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1 ist
ein erläuterndes schematisches Diagramm, das einen erfindungsgemäßen
Keramikheizer zeigt.
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Beschreibung von Ausführungsbeispielen
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Als
ein Ergebnis umfangreicher Untersuchungen haben der gegenwärtige
Erfinder et al. gefunden, dass, wenn Hochtemperatur-Wärmebehandlung
an einem leitfähigen Heizelement durchgeführt
wird, verschiedene Eigenschaften wie Kristallinität des leitfähigen
Heizelements, die Orientierung, die Kristallitgröße und
die Dichte verändert werden, und dadurch der Widerstandswert
geändert wird.
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Deshalb
führten der gegenwärtige Erfinder et al. im Vorfeld
Hochtemperatur-Wärmebehandlungen an dem leitfähigen
Heizelement unter einer Vielzahl von Bedingungen durch, maßen
die Änderung des Widerstandswerts und bildeten, darauf
basierend, ein leitfähiges Heizelement (Muster). Nach Bestätigung
des Widerstandswerts legten der gegenwärtige Erfinder et
al. Wärmebehandlungsbedingungen zur Durchführung
der Wärmebehandlung fest und bestätigten als ein
Ergebnis, dass es möglich wäre, einen gewünschten
Widerstandswert zu erhalten.
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Weiterhin
bestätigten der gegenwärtige Erfinder et al.,
dass diese Wärmebehandlungen kontinuierlich vorgenommen
werden könnten oder gleichzeitig mit einem Bitdungs-Bearbeitungsschritt
eines isolierenden Schutzfilms vorgenommen werden könnten,
welcher ausgeführt wird, um die Isolierung auf dem leitfähigen Heizelement
zu sichern.
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Nachfolgend
werden ein Keramikheizer und ein Verfahren zu dessen Herstellung,
gemäß der vorliegenden Erfindung, im Detail beschrieben.
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Erfindungsgemäß wird
eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung an einem Keramikheizer
durchgeführt, der mit einem leitfähigen Heizelement
innerhalb oder auf der Oberfläche eines Keramiksubstrats
versehen ist. Dadurch werden verschiedene Eigenschaften wie Kristallinität
des leitfähigen Heizelements, die Orientierung, die Kristallitgröße
und die Dichte verändert, wodurch der Widerstandswert des
leitfähigen Heizelements eingestellt wird.
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Der
Grund, weshalb der Widerstandswert verändert wird, beruht
wahrscheinlich auf den folgenden Tatsachen: in einem leitfähigen
Heizelement, das mittels eines Siebdruckverfahrens, eines Sputterverfahrens,
eines Plattierungsverfahrens und eines CVD-Verfahrens hergestellt
(gebildet) wird, wird, wenn die Wärmebehandlung durchgeführt
wird, die ”Kristallinität von nicht-kristallin
zu kristallin geändert und deshalb wird der Widerstand
verringert”, die ”kristalline Orientierung wird
geändert und deshalb wird die Anisotropie erhöht.
Als ein Ergebnis können Elektronen leichter in diese Richtung
fließen, wodurch der Widerstand verringert wird”, ”als ein
Ergebnis des Sinterns, das zwischen den Partikeln stattfindet, wird
die Kristallgröße groß und folglich wird der
Widerstand an einer Partikelgrenzfläche verringert” etc..
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Insbesondere
bei einem Heizelement aus pyrolytischem Graphit, hergestellt mittels
eines CVD-Verfahrens, unterscheidet sich die Kristallorientierung
stark, wenn der Temperaturverlauf zum Zeitpunkt der Filmbildung
geändert wird, und folglich unterscheidet sich auch das
elektrische Widerstandsverhältnis.
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Auch
wenn die Wärmebehandlung nach der Herstellung (Bildung)
durchgeführt wird, ändert sich folglich die Orientierung,
wodurch die Anisotropie erhöht wird. Als ein Ergebnis besteht
eine hohe Wahrscheinlichkeit, dass er Widerstand verringert wird.
Es besteht eine sehr hohe Wahrscheinlichkeit, dass die oben beschriebene Änderung des
Widerstandes nicht nur in dem pyrolytischen Graphit ausreichend
auftreten kann, sondern auch in anderen metallischen Materialien.
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Die
Wärmebehandlung kann gleichzeitig mit der Bildung einer
isolierenden Keramik-Schutzschicht durchgeführt werden,
wenn der Widerstandswert des hergestellten (gebildeten) leitfähigen
Heizelements aufgrund von Erfahrung etc. vorhergesagt werden kann
und folglich kann die Einstellung zum Verringern des Widerstandes
durchgeführt werden, ohne dass unnötige Schritte
zunehmen.
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Die
Temperatur der Hochtemperatur-Wärmebehandlung liegt in
einem Bereich von 1000 bis 2200°C. Ein in der vorliegenden
Erfindung aufgeführtes Material für das leitfähige
Heizelement wird sich in einem Temperaturbereich, der niedriger
als diese untere Grenztemperatur ist, nur wenig verändern.
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In
einem Temperaturbereich zwischen dem Keramiksubstrat und dem leitfähigen
Heizelement, und dem leitfähigen Heizelement und der isolierenden
Keramik-Schutzschicht, welcher höher als dieser ist, blättern die
beiden Komponenten aufgrund der dazwischen auftretenden Wärmespannungen
ab, die aus einem Unterschied in der thermischen Expansion resultiert.
Deshalb liegt die Temperatur bevorzugt in einem Bereich von 1000
bis 2200°C.
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Weiterhin
ist im Hinblick auf die Reduzierung einer Wärmespannungsbelastung
bei einer hohen Temperatur oder die Bildung einer isolierenden Keramik-Schutzschicht
der Temperaturbereich stärker bevorzugt von 1500 bis 2000°C.
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Die
Widerstands-Änderungsrate ist im Temperaturbereich von
1000 bis 2200°C ungefähr 0,1 bis 20%.
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Wenn
das leitfähige Heizelement pyrolytischer Graphit, Bor enthaltender
pyrolytischer Graphit und Silicium enthaltender pyrolytischer Graphit
ist wird es möglich, der Hochtemperatur-Wärmebehandlung
Stand zu halten, und aufgrund der Wärmebehandlung werden
verschiedene Eigenschaften wie die Kristallinität, die
Orientierung, die Kristallitgröße und die Dichte
verändert, und somit wird der Widerstandswert verändert.
Deshalb ist dieses bevorzugt.
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In
Bezug auf das Keramiksubstrat ist es bevorzugt Oxid-Keramik wie
Quarz und Aluminiumoxid, Nitrid-Keramik wie Aluminiumnitrid und
Siliciumnitrid oder ein leitfähiges, wärmebeständiges
Substrat, bedeckt mit einer Isolierschicht wie einem Oxidfilm oder
einem Nitridfilm (zum Beispiel ein Substrat, das C oder ein metallisches
Element enthält) etc., zu verwenden, weil diese einer Hochtemperatur-Wärmebehandlung
für eine Einstellung des Widerstandes Stand halten können,
und es ist auch bevorzugt jenes zu wählen, das einen geringen
Unterschied in der thermischen Expansion gegenüber dem
leitfähigen Heizelement besitzt.
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Beispiele
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In
den folgenden einleitenden Experimenten und Beispielen wurde der
in 1 gezeigte Keramikheizer hergestellt. In 1 kennzeichnet
Bezugszeichen 1 ein Kera miksubstrat, kennzeichnet 2 ein
leitfähiges Heizelement und kennzeichnet 3 eine
isolierende Keramik-Schutzschicht.
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Erstes einleitendes Experiment
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Auf
einem Substrat pyrolytischen Bornitrids einer Dicke von 2 mm wurde
Methangas thermisch unter Vakuumbedingungen von 1500°C
und 50 Torr zersetzt, um eine Schicht pyrolytischen Graphits von
100 μm Dicke auszubilden. Ein Heizmuster wurde auf der
resultierenden Schicht eingearbeitet.
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Wenn
der Widerstandswert des Heizmusters, das aus pyrolytischem Graphit
besteht, mittels eines vierfach überprüften Verfahrens
gemessen wurde, war der Wert 8,56 Ω. Anschließend
wurde zwei Stunden lang Hochtemperatur-Wärmebehandlung
unter Vakuumbedingungen von 50 Torr bei jeder Temperatur zwischen
900 und 2300°C, wie in Tabelle 1 gezeigt, durchgeführt.
Danach wurden Ammoniak, Bortrichlorid und Methangas unter Vakuumbedingungen
von 1800°C und 100 Torr zur Reaktion gebracht, um eine
Kohlenstoff enthaltende Isolierschicht pyrolytischen Bornitrids
einer Dicke von 100 μm zu bilden, wodurch der Keramikheizer
hergestellt wurde.
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Danach
wurde der Widerstandswert des Heizmusters wieder mittels des vierfach überprüften
Verfahrens gemessen, dabei war der Widerstandswert bei jeder Wärmebehandlungstemperatur
8,56 bis 6,74 Ω. Messergebnisse von Änderungen
dieser Widerstandswerte sind in Tabelle 1 aufgeführt.
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Wenn
die Wärmebehandlungstemperatur gleich 900°C oder
geringer war, traten geringe Änderungen des Widerstandswerts
auf.
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Weiterhin
wurde bestätigt, dass bei 2300°C oder mehr ein
Teil des Musters abblätterte. Tabelle 1 [Tabelle 1] Widerstandswert-Änderungsraten
bei [erstes einleitendes Experiment]
| | Wärmebehandlungstemperatur
(°C) | Widerstandswert
während Bildung (Ω) | Widerstandswert
nach Wärmebehandlung (Ω) | Änderungsrate (%) | Anmerkungen |
| Ex.
1 | 900 | 8,56 | 8,56 | 0,0 | |
| Ex.
2 | 1000 | gleicher
wie oben | 8,53 | 0,4 | |
| Ex.
3 | 1200 | gleicher
wie oben | 8,40 | 1,9 | |
| Ex.
4 | 1500 | gleicher
wie oben | 8,09 | 5,5 | |
| Ex.
5 | 1800 | gleicher
wie oben | 7,61 | 11,1 | |
| Ex.
6 | 2000 | gleicher
wie oben | 7,17 | 16,2 | |
| Ex.
7 | 2200 | gleicher
wie oben | 6,90 | 19,4 | |
| Ex.
8 | 2300 | gleicher
wie oben | 6,74 | 21,3 | Muster
blätterte ab |
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Erstes Beispiel
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Unter
Nutzung des ersten einleitenden Experiments als Referenz wurde der
Keramikheizer hergestellt.
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Ähnlich
dem ersten einleitenden Experiment wurde eine Schicht pyrolytischen
Graphits auf einem Substrat pyrolytischen Bornitrids mit 2 mm Dicke
ausgebildet und das Heizmuster wurde auf der resultierenden Schicht
eingearbeitet.
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Wenn
der Widerstandswert des Heizmusters, das aus dem pyrolytischen Graphit
bestand, mittels eines vierfach überprüften Verfahrens
gemessen wurde, war der Wert 8,03 Ω. Ein Ziel-Widerstandswert
wurde auf 7,10 Ω festgelegt (die Ziel-Widerstandswert-Änderungsrate
wurde auf 11,6% festgelegt) und die nachfolgende Hochtemperatur-Wärmebehandlung
wurde bei 1800°C durchgeführt.
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Bei
einer Temperatur von 1800°C wurde die Hochtemperatur-Wärmebehandlung
zwei Stunden lang unter Vakuumbedingungen von 50 Torr durchgeführt
und danach wurden Ammoniak, Bortrichlorid und Methangas unter Vakuumbedingungen
von 1800°C und 100 Torr zur Reaktion gebracht, um eine
Kohlenstoff enthaltende Isolierschicht pyrolytischen Bornitrids
mit 100 μm Dicke zu erhalten, wodurch der Keramikheizer
hergestellt wurde.
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Anschließend
wurde wieder der Widerstandswert des Heizmusters mittels des vierfach überprüften Verfahrens
gemessen; der Wert war 7,15 Ω (die Widerstandswert-Änderungsrate
war 11,0%). Folglich war es möglich, einen Widerstandswert
zu erhalten, der nahe dem Zielwert von 7,10 Ω liegt.
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Zweites einleitendes Experiment
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Auf
einem Substrat pyrolytischen Bornitrids von 2 mm Dicke wurden Bortrichlorid
und Methangas thermisch unter Vakuumbedingungen von 1500°C
und 50 Torr zersetzt, um eine Bor enthaltende Schicht pyrolytischen
Graphits von 100 μm Dicke zu erhalten. Ein Widerstandswert
eines Heizmusters, das aus dem Bor enthaltenden pyrolytischen Graphit
besteht, wurde mittels eines vierfach überprüften
Verfahrens gemessen, und der Wert war 7,89 Ω.
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Anschließend,
entsprechend dem ersten einleitenden Experiment, wurde der Keramikheizer
hergestellt, und der sich durch die Wärmebehandlung geänderte
Widerstandswert bei jeder Temperatur, wie in Tabelle 2 gezeigt,
war 7,89 bis 6,14 Ω.
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Die
Ergebnisse der Widerstandswert-Änderung sind in Tabelle
2 aufgeführt.
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Wenn
die Wärmebehandlungstemperatur gleich 900°C oder
geringer war, traten geringe Änderungen des Widerstandswerts
auf. Weiterhin wurde bestätigt, dass bei 2300°C
oder mehr ein Teil des Musters abblätterte. Tabelle 2 [Tabelle 2] Widerstandswert-Änderungsraten
bei [zweites einleitendes Experiment]
| | Wärmebehandlungstemperatur
(°C) | Widerstandswert
während Bildung (Ω) | Widerstandswert
nach Wärmebehandlung (Ω) | Änderungsrate (%) | Anmerkungen |
| Ex.
11 | 900 | 7,89 | 7,89 | 0,0 | |
| Ex.
12 | 1000 | gleicher
wie oben | 7,87 | 0,3 | |
| Ex.
13 | 1200 | gleicher
wie oben | 7,77 | 1,5 | |
| Ex.
14 | 1500 | gleicher
wie oben | 7,36 | 6,7 | |
| Ex.
15 | 1800 | gleicher
wie oben | 7,02 | 11,0 | |
| Ex.
16 | 2000 | gleicher
wie oben | 6,63 | 16,0 | |
| Ex.
17 | 2200 | gleicher
wie oben | 6,33 | 19,8 | |
| Ex.
18 | 2300 | gleicher
wie oben | 6,14 | 22,2 | Muster
blätterte ab |
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Zweites Beispiel
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Unter
Nutzung des zweiten einleitenden Experiments als Referenz wurde
der Keramikheizer hergestellt.
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Ähnlich
dem zweiten einleitenden Experiment wurde eine Bor enthaltende Schicht
pyrolytischen Graphits von 100 μm Dicke auf einem Substrat
pyrolytischen Bornitrids einer Dicke von 2 mm gebildet und das Heizmuster
wurde auf der resultierenden Schicht eingearbeitet. Der Widerstandswert
des Heizmusters, das aus dem Bor enthaltenden pyrolytischen Graphit
besteht, wurde mittels eines vierfach überprüften
Verfahrens gemessen, und der Wert war 7,12 Ω.
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Ein
Ziel-Widerstandswert wurde auf 6,65 Ω festgelegt (die Ziel-Widerstandswert-Änderungsrate
wurde auf 6,6% festgelegt) und die anschließende Hochtemperatur-Wärmebehandlung
wurde bei 1500°C durchgeführt. Bei einer Temperatur
von 1500°C wurde zwei Stunden lang Hochtemperatur-Wärmebehandlung
unter Vakuumbedingungen von 50 Torr durchgeführt und danach
wurden Ammoniak, Bortrichlorid und Methangas unter Vakuumbedingungen
von 1800°C und 100 Torr zur Reaktion gebracht, um eine
Kohlenstoff enthaltende Isolierschicht pyrolytischen Bornitrids
mit einer Dicke von 100 μm zu bilden, wodurch der Keramikheizer
hergestellt wurde.
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Nachfolgend
wurde wieder der Widerstandswert des Heizmusters mittels des vierfach überprüften
Verfahrens gemessen, der Wert war 6,55 Ω (die Widerstands wert-Änderungsrate
war 8,0%). Demnach war es möglich den Widerstandswert nahe
dem Zielwert von 6,65 Ω zu erhalten.
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Es
wird darauf hingewiesen, dass in dem Ausführungsbeispiel
nur die Beispiele gezeigt werden, bei denen der pyrolytische Graphit
und der Bor enthaltende pyrolytische Graphit für das leitfähige
Heizelement verwendet werden. Es wurden jedoch ähnliche
Ergebnisse erhalten, wenn Silicium enthaltender pyrolytischer Graphit
verwendet wurde.
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Es
wurde auch bestätigt, dass bei dem Keramiksubstrat die
Widerstandsänderung des leitfähigen Heizelements
durch die Hochtemperatur-Wärmebehandlung sogar bei Aluminiumoxid
auftrat, anders als bei pyrolytischem Bornitrid oder einem Aluminiumnitrid-Substrat.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2006-54125
A [0005]
- - JP 3952875 [0007]