JP2006154802A - 像加熱装置及びこの装置に用いられるヒータ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】通電により発熱するヒータ3と接触しつつ移動する可撓性部材2と、前記可撓性部材を介して前記ヒータとニップ部Nを形成するバックアップ部材6との間で、画像を担持する記録材Pを挟持搬送しつつ加熱する像加熱装置である。この像加熱装置において、前記ヒータとして、有機物を含有する原材料を炭素が殆ど酸化しない雰囲気中で熱処理し有機物を炭化させたヒータを用いる。
【選択図】図2
Description
図1は本発明の像加熱装置を搭載した画像形成装置の概略構成図である。この画像形成装置は転写式電子写真プロセスを用いたレーザービームプリンタである。
図2は本実施例における定着装置114の要部の模式的横断面図である。図3は要部の斜視模型図である。この装置は特開平4−44075〜44083号公報、同4−204980〜204984号公報等に開示のテンションレスタイプのフィルム加熱方式の像加熱装置である。
発熱体3は炭素系発熱体である。図5はその発熱体3の外観斜視図である。本例における発熱体3は、厚さ0.5mm×幅5mm×長さ250mmの直方体の形状になっている。そして、図6のように、発熱体3の長手方向両端部には給電用電極31、32を装着してある。給電用電極31、32の装着方法は特に限定されないが、本実施例における給電電極31、32は、発熱体3の両端部に銀ペースト(ドータイト、藤倉化成製)を塗布し、接続してある。図7は給電用電極31、32を装着した発熱体3を溝部1a内に嵌入させて固定支持させたステ−1の下面図である。発熱体3は記録材搬送方向aに対して直角方向を長手とする様にステ−1に取り付けられている。
発熱体3は、炭素を導電物質として利用した炭素系発熱体であり、少なくとも有機物を含有する原材料を、炭素の非酸化雰囲気中(炭素が殆ど酸化しない雰囲気中)にて熱処理し、有機物を炭化させたものである。このような炭素系のヒータを用いる理由は、温度が上がると抵抗値が低下する特性、即ちヒータのNTC(negative temperature coefficient)特性を利用し、ヒータの非通紙領域の過昇温を抑えるためである。
例えば、塩素化塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル−ポリ酢酸ビニル共重合体、ポリアミド等の熱可塑性樹脂がある。或いは、フェノール樹脂、フラン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド等の熱硬化性樹脂がある。或いは、リグニン、セルロース、トラガントガム、アラビアガム、糖類等の縮合多環芳香族を分子の基本構造内に持つ天然高分子物質がある。その他に、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物、コプナ樹脂等の縮合多環芳香族を分子の基本構造内に持つ合成高分子物質が挙げられる。
以下に本実施例の具体的な発熱体(以下、ヒータと記す)の例を示す。ヒータ例1〜ヒータ例4は、熱処理前の原材料は同じであるが、熱処理温度が異なっている。
本例のヒータ(炭素系発熱体)は、塩素化塩化ビニル樹脂、黒鉛粉末、窒化硼素を分散させ混練し、押し出し成型機で棒状に成形後に真空中(0.01Pa以下)で1500℃にて熱処理した。これにより室温環境(20℃)での固有抵抗30.1×10−3Ω・cmの基材を得た。この基材を長さ250mm×幅5mm×厚さ0.5mmの形に加工し、総抵抗値30.1Ωとした。
D(X℃)=((R(X℃)−R(20℃))/R(20℃)
ここでR(X℃)は、X℃におけるヒータの抵抗値を意味する。またR(20℃)はヒータの温度が20℃の時のヒータの抵抗値である。
〔(300℃での抵抗値=21.95Ω)/(室温環境の抵抗値=30.1Ω)−1〕=−0.271
であった。つまり、ヒータ例1は20℃〜300℃の温度範囲でNTC特性になっていることが解る。
真空中での熱処理温度を1650℃にした以外は実施例1と同様にして、室温環境(20℃)での固有抵抗10×10−3Ω・cmの基材を得た。この基材を長さ250mm×幅5mm×厚さ0.5mmの形に加工し、総抵抗値10Ωとした。また図10中の本ヒータ例2の抵抗温度特性が示すように、本ヒータの抵抗変化率は室温から300℃の温度領域で常に負である。
〔(300℃での抵抗値=9.15Ω)/(室温環境の抵抗値=10Ω)−1〕≒−0.085
であった。つまり、ヒータ例2は20℃〜300℃の温度範囲でNTC特性になっていることが解る。
真空中での熱処理温度を1750℃にした以外は、実施例1と同様にして、室温環境(20℃)での固有抵抗7.0×10−3Ω・cmの基材を得た。この基材を長さ250mm×幅5mm×厚さ0.5mmの形に加工し、総抵抗値7.0Ωとした。また図10中の本ヒータ例3の抵抗温度特性が示すように、本発熱体の抵抗変化率は室温から300℃の温度領域でほぼゼロ近傍の値である。
〔(300℃での抵抗値=6.95Ω)/(室温環境の抵抗値=7.0Ω)−1〕≒−0.007
であった。つまり、ヒータ例3は20℃〜300℃の温度範囲でNTC特性になっていることが解る。
ヒータ例3は、塩素化塩化ビニル樹脂、黒鉛粉末、窒化硼素を分散させ混練し、押し出し成型機で棒状に成形後に真空中(0.01Pa以下)で2200℃にて熱処理した。これにより室温環境(20℃)での固有抵抗2.5×10−3Ω・cmの基材を得た。
〔(300℃での抵抗値=2.65Ω)/(室温環境の抵抗値=2.5Ω)−1〕≒+0.06
であった。つまり、ヒータ例4は20℃〜300℃の温度範囲でNTC特性ではなく、若干PTC特性になっていることが解る。しかしながら、図10を参照すれば明らかなように、従来のヒータよりPTC特性は小さい。
本例は、比較例として、加熱源として従来のセラミックヒータを使ったフィルム加熱方式の定着装置の場合である。
〔(300℃での抵抗値=29.0Ω)/(室温環境の抵抗値=25.1Ω)−1〕≒+0.155
であった。
ところで、黒鉛化した炭素と、黒鉛化していない無定形炭素などとでは、熱的な分解のされやすさが異なる。一般に黒鉛の方が熱的に安定であり無定形炭素の方が分解されやすい。したがって黒鉛化の進行度合いは、例えば熱重量測定(TGA:Thermogravimetric Analysis)のように、ヒータに熱を加えた時のヒータの重量変化(分解のされ方)を測定すれば判別できる。
図13から分かるように、D(300℃)が負であるヒータ例1〜3は、TGAの重量変化の微分曲線(%/min)にて、そのピーク(極大部)における温度値(以下、分解ピーク温度値と称する)が、750℃以下にあることが分かる。またNTCの傾向が大きいほど、分解ピーク温度値が低くなる傾向があることが分かる。これはNTCの傾向が大きいヒータほど、相対的に熱分解されやすい無定形炭素の占める割合が大きいため、熱分解が低温側で生じやすいことを示している。さらにNTC特性ではなかったヒータ例4では、900℃以下にピークがないということがわかる。よって好ましくは、ヒータを空気中で10℃/minの昇温速度で熱重量測定した場合、炭素の重量変化率(%)の時間微分(%/min)のピークが750℃以下となるようなヒータを製造すれば良いことがわかる。このようなヒータを製造する条件の一つが、前述したように有機物を含有する原材料を熱処理する時の温度が850℃以上1750℃以下である。
これを回避するためには、従来構成ではCOM10の記録材を定着する際には6ppmの定着速度まで落とさなくてはならない。これに対して、ヒータ例3、及びヒータ例4では8ppmの定着速度で良いため、ヒータ例3、及びヒータ例4でも従来例に対して優位性を持っている。
D(X℃)=〔((ヒータがX℃の時の抵抗値)−(ヒータが20℃の時の抵抗値))/(ヒータが20℃の時の抵抗値)〕
要するに、発熱体として、グラファイトと無定形炭素を含む炭素系発熱体を利用する。グラファイトの単結晶自体はPTC特性であり、その抵抗値は非常に低いので、発熱体におけるNTC特性と抵抗値の適正化の両立を行うために、グラファイトと無定形炭素が混ざった物でなければならない。グラファイトと無定形炭素の混ざり具合としては、TGAの分解ピーク温度値の一つが少なくとも750℃以下であるのが好ましい。
1)有機物を含有する原材料を真空中または不活性ガス中で850℃以上1750℃以下の温度で焼成する。
2)
抵抗値調整の必要がある場合、絶縁性、半導電性の物質を導電阻害物質として原材料に混ぜる。
3)必要に応じて炭素粉末を原材料に混ぜる。
1)発熱体3のフィルム摺動面には、必要に応じて、耐熱性の潤滑材層など他の所望の機能層を付加することもできる。
Claims (20)
- 通電により発熱するヒータと、前記ヒータと接触しつつ移動する可撓性部材と、前記可撓性部材を介して前記ヒータとニップ部を形成するバックアップ部材と、を有し、前記可撓性部材と前記バックアップ部材の間で画像を担持する記録材を挟持搬送しつつ加熱する像加熱装置において、
前記ヒータは、有機物を含有する原材料を炭素が殆ど酸化しない雰囲気中で熱処理し有機物を炭化させたものであることを特徴とする像加熱装置。 - 熱処理後のヒータはグラファイトと無定形炭素を有することを特徴とする請求項1に記載の像加熱装置。
- 熱処理前の原材料は少なくとも絶縁性または半導電性の物質の一種または数種を含有することを特徴とする請求項1に記載の像加熱装置。
- 前記原材料を熱処理する時の温度は、850℃以上1750℃以下であることを特徴とする請求項1に記載の像加熱装置。
- 前記ヒータの抵抗変化率D(X℃)を、
D(X℃)=((ヒータがX℃の時の抵抗値)−(ヒータが20℃の時の抵抗値))/(ヒータが20℃の時の抵抗値)
とすると、
前記ヒータの温度が20℃以上300℃以下の範囲で、D(X℃)≦0.15であることを特徴とする請求項1に記載の像加熱装置。 - 前記ヒータの抵抗変化率D(X℃)を、
D(X℃)=((ヒータがX℃の時の抵抗値)−(ヒータが20℃の時の抵抗値))/(ヒータが20℃の時の抵抗値)
とすると、
前記ヒータの温度が20℃以上300℃以下の範囲で、D(X℃)≦0であることを特徴とする請求項1に記載の像加熱装置。 - 前記ヒータを空気中で10℃/minの昇温速度で熱重量測定した場合、炭素の重量変化率(%)の時間微分(%/min)のピークが750℃以下にあることを特徴とする請求項1に記載の像加熱装置。
- 前記像加熱装置は記録材に画像を形成する画像形成装置に搭載されており、前記像加熱装置は更に、前記ヒータの温度を検知する温度検知素子と、前記温度検知素子の検知温度が設定温度を維持するように前記ヒータへの給電を制御する給電制御手段と、を有し、前記像加熱装置の長手方向において、前記温度検知素子は前記画像形成装置に使用可能な最小定型サイズの記録材が通過する領域の前記ヒータの温度を検知することを特徴とする請求項1に記載の像加熱装置。
- 通電により発熱するヒータと、前記ヒータと接触しつつ移動する可撓性部材と、前記可撓性部材を介して前記ヒータとニップ部を形成するバックアップ部材と、を有し、前記可撓性部材と前記バックアップ部材の間で画像を担持する記録材を挟持搬送しつつ加熱する像加熱装置において、
前記ヒータは炭素を導電物質として利用した炭素系発熱体であり、前記ヒータを空気中で10℃/minの昇温速度で熱重量測定した場合、炭素の重量変化率(%)の時間微分(%/min)のピークが750℃以下にあることを特徴とする像加熱装置。 - 前記ヒータはグラファイトと無定形炭素を有することを特徴とする請求項9に記載の像加熱装置。
- 前記ヒータの抵抗変化率D(X℃)を、
D(X℃)=((ヒータがX℃の時の抵抗値)−(ヒータが20℃の時の抵抗値))/(ヒータが20℃の時の抵抗値)
とすると、
前記ヒータの温度が20℃以上300℃以下の範囲で、D(X℃)≦0.15であることを特徴とする請求項9に記載の像加熱装置。 - 前記ヒータの抵抗変化率D(X℃)を、
D(X℃)=((ヒータがX℃の時の抵抗値)−(ヒータが20℃の時の抵抗値))/(ヒータが20℃の時の抵抗値)
とすると、
前記ヒータの温度が20℃以上300℃以下の範囲で、D(X℃)≦0であることを特徴とする請求項9に記載の像加熱装置。 - 前記像加熱装置は記録材に画像を形成する画像形成装置に搭載されており、前記像加熱装置は更に、前記ヒータの温度を検知する温度検知素子と、前記温度検知素子の検知温度が設定温度を維持するように前記ヒータへの給電を制御する給電制御手段と、を有し、前記像加熱装置の長手方向において、前記温度検知素子は前記画像形成装置に使用可能な最小定型サイズの記録材が通過する領域の前記ヒータの温度を検知することを特徴とする請求項9に記載の像加熱装置。
- 通電により発熱するヒータと前記ヒータと接触しつつ移動する可撓性部材と前記可撓性部材を介して前記ヒータとニップ部を形成するバックアップ部材とを有する像加熱装置に用いられるヒータであり、前記ヒータは炭素を導電物質として利用した炭素系発熱体であり、前記ヒータを空気中で10℃/minの昇温速度で熱重量測定した場合、炭素の重量変化率(%)の時間微分(%/min)のピークが750℃以下にあることを特徴とするヒータ。
- 前記ヒータは、有機物を含有する原材料を炭素が殆ど酸化しない雰囲気中で熱処理し有機物を炭化させたものであることを特徴とする請求項14に記載のヒータ。
- 熱処理後のヒータはグラファイトと無定形炭素を有することを特徴とする請求項15に記載のヒータ。
- 熱処理前の原材料は少なくとも絶縁性または半導電性の物質の一種または数種を含有することを特徴とする請求項15に記載のヒータ。
- 前記原材料を熱処理する時の温度は、850℃以上1750℃以下であることを特徴とする請求項15に記載のヒータ。
- 前記ヒータの抵抗変化率D(X℃)を、
D(X℃)=((ヒータがX℃の時の抵抗値)−(ヒータが20℃の時の抵抗値))/(ヒータが20℃の時の抵抗値)
とすると、
前記ヒータの温度が20℃以上300℃以下の範囲で、D(X℃)≦0.15であることを特徴とする請求項14に記載のヒータ。 - 前記ヒータの抵抗変化率D(X℃)を、
D(X℃)=((ヒータがX℃の時の抵抗値)−(ヒータが20℃の時の抵抗値))/(ヒータが20℃の時の抵抗値)
とすると、
前記ヒータの温度が20℃以上300℃以下の範囲で、D(X℃)≦0であることを特徴とする請求項14に記載のヒータ。
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